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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Teilen
eines Wafers, der Funktionselemente in Bereichen aufweist, die durch
Teilungslinien geteilt bzw. unterteilt sind, die in einem Gittermuster
an der Fläche
bzw. Oberfläche
gebildet sind, entlang der Teilungslinien
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Beschreibung des Standes
der Technik
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Bei
dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird eine
Mehr- bzw. Vielzahl
von Bereichen durch Teilungslinien geteilt bzw. unterteilt, die
als „Straßen" bezeichnet werden,
die in einem Gittermuster an der vorderen Fläche eines im Wesentlichen scheibenartigen
Halbleiterwafers gebildet sind, und es wird eine Schaltung bzw.
Schaltkreis (Funktionselement), z.B. IC, LSI oder dergleichen, in
jedem der geteilten Bereiche gebildet. Individuelle bzw. einzelne
Halbleiterchips werden durch Schneiden des Halbleiterwafers entlang
der Teilungslinien hergestellt, um ihn in die Bereiche mit einer
hierin gebildeten Schaltung zu teilen. Ein eine optische Vorrichtung
bzw. Vorrichtungen aufweisender Wafer, welcher lichtempfangende
Elemente (Funktionselemente), z.B. Fotodioden, oder lichtaussendende
Elemente (Funktionselemente), z.B. Laserdioden bzw. Diodenlaser
aufweist, die an der vorderen Fläche
eines Saphirsubstrats laminiert sind, wird ebenfalls entlang Teilungslinien
geschnitten, um in einzelne optische Vorrichtungen, z.B. Fotodioden
oder Laserdioden, geteilt zu werden, und diese optischen Vorrichtungen
werden in elektrischen Ausrüstungen
bzw. Einrichtungen in weitem Umfange verwendet.
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Schneiden
entlang der Teilungslinien des obigen Halbleiterwafers oder des
obigen, eine optische Vorrichtung bzw. Vorrichtungen aufweisenden
Wafers wird im Allgemeinen durch Verwenden einer als „Dicer" bzw. Substratzerteiler
bezeichneten Schneidmaschine bzw. -vorrichtung ausgeführt. Diese
Schneidmaschine weist einen Futter- bzw. Einspanntisch zum Halten
eines Werkstücks,
z.B. eines Halbleiterwafers oder eines eine optische Vorrichtung
bzw. Vorrichtungen aufweisenden Wafers, ein Schneidmittel bzw. -einrichtung
zum Schneiden des an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks, und
ein Schneid-Vorschub- bzw. Zuführmittel bzw.
-einrichtung zum Bewegen des Einspanntischs und des Schneidmittels
relativ zueinander auf. Das Schneidmittel weist eine Spindeleinheit
auf, welche eine rotier- bzw.
drehbare Spindel bzw. Drehspindel, ein an der Spindel angebrachtes
Schneidmesser bzw. -klinge und eine Antriebseinheit zum drehbaren
Antreiben der drehbaren Spindel aufweist. Das Schneidmesser ist
aus einer scheibenartigen Basis und einer ringförmigen Kante bzw. Rand gebildet,
der an dem Seitenwand-Außenumfangsbereich
der Basis angebracht ist und dick bis etwa 20 μm durch Befestigen von Diamantschleifkörnern mit
einem Durchmesser von etwa 3 μm
an der Basis durch Elektro- bzw. Galvano-Formung gebildet ist.
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Da
jedoch das Schneidmesser eine Dicke von etwa 20 μm aufweist, müssen die
Teilungslinien zum Teilen der Chips eine Breite von etwa 50 μm aufweisen
und infolgedessen ist das Flächenverhältnis der
Teilungslinien zu dem Wafer groß,
wodurch die Produktivität
reduziert wird. Weiterhin ist, da ein Saphirsubstrat, ein Siliciumkarbidsubstrat
und dergleichen eine hohe Mohs'sche
Härte aufweisen,
das Schneiden mit dem obigen Schneidmesser nicht immer leicht.
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Inzwischen
ist als ein Mittel zum Teilen eines plattenartigen Werkstücks, z.B.
eines Halbleiterwafers, ein Laserbearbeitungsverfahren zum Anwenden
bzw. Aufbringen eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls, der dazu befähigt ist,
durch das Werkstück
hindurchzugehen, wobei sein fokussierender Punkt bzw. Fokussierungspunkt
an der Innenseite bzw. im Inneren des zu teilenden Bereichs angeordnet
ist, heutzutage ebenfalls versucht bzw. in Angriff genommen worden.
Bei dem Teilungsverfahren, das von dieser Laserbearbeitungstechnik Gebrauch
macht, wird das Werkstück
dadurch geteilt, dass ein Impulslaserstrahl mit einem Infrarotbereich,
wobei dieser Impulslaserstrahl durch das Werkstück hindurchgehen kann und sein
Fokussierungspunkt an der Innenseite bzw. im Inneren angeordnet
ist, von einer Flächenseite
des Werkstücks
her aufgebracht wird, um eine verschlechterte Schicht entlang der
Teilungslinien in dem Inneren des Werkstücks kontinuierlich zu bilden, und
dass eine externe bzw. äußere Kraft
entlang der Teilungslinien ausgeübt
wird, deren Stärke
bzw. Festigkeit durch die Bildung der verschlechterten Schichten
verringert worden ist. Dieses Verfahren ist durch das Japanische
Patent Nr. 3408805 offenbart.
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Jedoch
involviert das obige Verfahren Probleme bzw. Schwierigkeiten insofern,
als eine verhältnismäßig große äußere Kraft
aufgebracht werden muss, um den Halbleiterwafer, in dem die verschlechterte
Schicht in dem Inneren gebildet worden ist, entlang der Teilungslinien
zu brechen, und insofern, als der Halbleiterwafer nicht immer entlang
der Teilungslinien durch Aufbringen der äußeren Kraft geteilt wird, wodurch
ein Chip Beschädigung
erleiden kann.
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Um
die obigen Schwierigkeiten zu lösen,
schlägt
der Anmelder als JP-A 2004-343008
eine Technologie vor, die zum Teilen eines Wafers entlang verschlechterter
Schichten ohne Fehler bzw. Störung
bzw. Versagen durch Bilden der verschlechterten Schichten befähigt ist,
die an wenigstens einer Fläche
bzw. Oberfläche des
Wafers exponiert bzw. freigelegt sind.
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Es
wird jedoch eine neue Schwierigkeit insofern hervorgebracht, als
die an einer Fläche
freigelegte, verschlechterte Schicht an der Seitenfläche des
erhaltenen Chips verbleibt, um die Querbruchfestigkeit bzw. Biegebruchfestigkeit
des Chips zu reduzieren.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Teilen
eines Wafers entlang Teilungslinien durch Anwenden bzw. Aufbringen
eines Puls- bzw.
Impulslaserstrahls entlang der Teilungslinien eines Wafers zu schaffen,
um verschlechterte Schichten zu bilden, und um sodann den Wafer
mit den hierin gebildeten, verschlechterten Schichten entlang der
Teilungslinien zu teilen, wobei das Verfahren dazu befähigt ist,
den Wafer leicht zu teilen, ohne seine Biegebruchfestigkeit zu reduzieren.
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Entsprechend
der vorliegenden Erfindung wird die obige Aufgabe der vorliegenden
Erfindung durch ein Verfahren zum Teilen eines Wafers mit Funktionselementen
gelöst,
die in Bereichen gebildet sind, die durch eine Mehr- bzw. Vielzahl
von ersten Teilungslinien, die parallel zueinander gebildet sind,
und eine Mehr- bzw. Vielzahl von zweiten Teilungslinien, welche
sich mit den ersten Teilungslinien kreuzen und parallel zueinander gebildet
sind, an dessen vorderer Fläche
geteilt sind, entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten
Teilungslinien, aufweisend:
Einen eine innere verschlechterte
Schicht bildenden Schritt zum Bilden einer verschlechterten Schicht
an der Innenseite bzw. im Inneren des Wassers entlang der ersten
Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien durch Anwenden bzw.
Aufbringen eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls, der durch den Wafer
hindurchgehen kann, entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten
Teilungslinien;
einen eine verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildenden Schritt zum Bilden einer verschlechterten Schicht dicker
als die verschlechterte Schicht, die in dem die innere verschlechterte
Schicht bildenden Schritt gebildet ist, durch Anwenden bzw. Aufbringen
eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls, der durch den Wafer hindurchgehen kann,
auf Kreuzungsbereiche, die zwischen den ersten Teilungslinien und
den zweiten Teilungslinien gebildet sind; und
einen Teilungsschritt
zum Teilen des Wafers in individuelle bzw. einzelne Chips entlang
der ersten Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien durch Ausüben einer
externen bzw. äußeren Kraft
auf den Wafer mit den verschlechterten Schichten, die entlang der
ersten Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien gebildet sind.
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In
erwünschter
Weise soll die Gesamtdicke der verschlechterten Schicht, die an
dem obigen Kreuzungsbereich in dem die verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildenden Schritt ist und dem die innere verschlechterte Schicht
bildenden Schritt gebildet ist, 60% oder mehr der Dicke des Wafers
betragen und die Länge
der verschlechterten Schicht soll 10 bis 30% des Intervalls bzw.
Zwischenraums der ersten Teilungslinien und des Intervalls bzw.
Zwischenraums der zweiten Teilungslinien betragen.
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Der
obige Teilungsschritt besteht darin, den Wafer in individuelle bzw.
einzelne Chips entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten
Teilungslinien dadurch zu teilen, dass ein extensiles bzw. dehnbares
Trag- bzw. Stützband
bzw. -streifen expandiert bzw. gedehnt wird, der an dem Wafer befestigt
ist, der dem die innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt
und dem die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt unterworfen
worden ist.
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Entsprechend
dem Verfahren zum Teilen eines Wafers nach der vorliegenden Erfindung
wird eine verschlechterte Schicht entlang der ersten Teilungslinien
und der zweiten Teilungslinien in dem Inneren des Wafers in dem
die innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt gebildet und
es wird eine verschlechterte Schicht dicker als die verschlechterte
Schicht, die in dem die innere verschlechterte Schicht bildenden
Schritt gebildet ist, in Kreuzungsbereichen zwischen den ersten
Teilungslinien und den zweiten Teilungslinien in dem die verschlechterte
Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt gebildet. Daher werden die in
den obigen Kreuzungsbereichen gebildeten verschlechterten Schichten
durch Ausüben
einer äußeren Kraft
zuerst gebrochen und dieser Bruch arbeitet bzw. funktioniert als
ein Start- bzw. Anfangspunkt bzw. -stelle und breitet sich zu den
verschlechterten Schichten aus, die in dem die innere verschlechterte
Schicht bildenden Schritt gebildet sind, wodurch es ermöglicht wird,
den Wafer entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien
leicht zu teilen. Obwohl die verschlechterten Schichten an den Seitenflächen der
Chips verbleiben, die durch Teilen entlang der ersten Teilungslinien
und der zweiten Teilungslinien erhalten sind, befinden sich die
verschlechterten Schichten, die in dem die verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bzw. -Schichten bildenden Schritt gebildet sind, nur in den beiden
Endbereichen in der Längsrichtung
der Seitenflächen
und die verschlechterten Schichten, die in dem die innere verschlechterte
Schicht bzw. Schichten bildenden Schritt gebildet sind, erreichen
nicht die vordere Fläche
und die hintere Fläche.
Daher vermindern sich die Biegebruchfestigkeiten der erhaltenen Chips
nicht.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, der durch das
Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung zu teilen
ist;
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2 ist
eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine bzw.
-vorrichtung zum Ausführen
eines eine verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritts
und eines eine innere verschlechterte Schicht bildenden Schritts
bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung;
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3 ist
ein Blockschaltbild, welches die Ausbildung eines Laserstrahlanwendungs-
bzw. -aufbringungsmittels bzw. -einrichtung veranschaulicht, die
in der in 2 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine
vorgesehen ist;
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4 ist
eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Durchmessers eines
fokussierenden Lichtpunkts bzw. Brennflecks eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls;
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5(a) bis 5(c) sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung des die verschlechterte
Kreuzungs-Schicht bildenden Schritts bei dem Waferteilungsverfahren
nach der vorliegenden Erfindung;
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6(a) und 6(b) sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung des die innere verschlechterte Schicht
bildenden Schritts bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden
Erfindung;
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7 ist
eine schematische Darstellung zur Erläuterung und Veranschaulichung
eines Zustands, in dem der die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildende
Schritt und der die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt
bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung ausgeführt worden
sind;
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8 ist
eine perspektivische Ansicht zur Veranschaulichung eines Zustands,
in dem ein Wafer, der dem eine verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildenden Schritt und dem eine innere verschlechterte Schicht bildenden
Schritt unterworfen worden ist, an ein bzw. einem Trag- bzw. Stützband bzw.
-streifen, der an einem ringförmigen
Rahmen befestigt ist, bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden
Erfindung gelegt bzw. angebracht worden ist;
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9 ist
eine perspektivische Ansicht zur Veranschaulichung einer Ausführungsform
einer Teilungsvorrichtung zum Ausführen des Teilungsschritts bei
dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung;
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10(a) und 10(b) sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung und Veranschaulichung
des Teilungsschritts bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegen
Erfindung; und
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11 ist
eine perspektivische Ansicht eines Chips, der durch das Waferteilungsverfahren
nach der vorliegenden Erfindung erhalten worden ist.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsformen
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Bevorzugte
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
in Einzelheiten beschrieben.
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein Wafer,
der entsprechend der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist. Der
in 1 gezeigte Halbleiterwafer 2 ist aus
einem Siliciumwafer mit einer Dicke von 300 μm gebildet und es ist eine Schaltung
bzw. Schaltkreis 23 als ein Funktionselement in jedem einer
Mehr- bzw. Vielzahl von Bereichen gebildet, die durch eine Mehr-
bzw. Vielzahl von ersten Teilungslinien 21, die parallel
zueinander gebildet sind, und eine Mehr- bzw. Vielzahl von zweiten
Teilungslinien 22, welche sich mit den ersten Teilungslinien 21 unter
rechten Winkeln kreuzen und parallel zueinander gebildet sind, an
der vorderen Fläche 2a geteilt
bzw. unterteilt sind. Im Nachfolgenden wird eine Beschreibung des
Verfahrens zum Teilen dieses Halbleiterwafers 2 in individuelle
bzw. einzelne Halbleiterchips gebracht.
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Um
den Halbleiterwafer 2 in einzelne Halbleiterchips zu teilen,
werden ein eine innere verschlechterte Schicht bildender Schritt
zum Anwenden bzw. Aufbringen eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls,
der durch den Wafer 2 hindurchgehen kann, entlang der ersten
Teilungslinien 21 und der zweiten Teilungslinien 22,
um eine verschlechterte Schicht in der Innenseite bzw. im Inneren
des Wafers 2 entlang der ersten Teilungslinien 21 und
der zweiten Teilungslinien 22 zu bilden, und ein eine verschlechterte
Kreuzungs-Schicht bildender Schritt zum Bilden einer verschlechterten
Schicht dicker als die verschlechterte Schicht, die in dem obigen,
die innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt gebildet worden
ist, durch Anwenden bzw. Aufbringen eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls,
der durch den Wafer 2 hindurchgehen kann, auf die Kreuzungsbereiche
zwischen den ersten Teilungslinien 21 und den zweiten Teilungslinien 22 ausgeführt. Der
die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt und der die
verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildende Schritt werden unter Verwendung einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine
bzw. -vorrichtung 3 ausgeführt, die in 2 bis 4 gezeigt
ist. Die in 2 bis 4 gezeigte
Laserstrahlbearbeitungsmaschine weist einen Futter- bzw. Einspanntisch 31 zum Halten
eines Werkstücks,
ein Laserstrahlanwendungs- bzw. -aufbringungsmittel bzw. -einrichtung 32 zum
Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls auf das an dem Einspanntisch 31 gehaltene
Werkstück
und ein Bildaufnahmemittel bzw. -einrichtung 33 zum Aufnehmen
eines Bildes des an dem Einspanntisch 31 gehaltenen Werkstücks auf.
Der Einspanntisch 31 ist so ausgebildet, um das Werkstück durch
Saugen bzw. Ansaugen zu halten, und ist so konzipiert bzw. konstruiert,
um in einer in 2 durch einen Pfeil X angegebenen
Bearbeitungs-Zuführ-
bzw. -Vorschubrichtung und in einer in 2 durch
einen Pfeil Y angegebenen Index- bzw. Weiterschalt-Zuführ- bzw. -Vorschubrichtung
durch einen Bewegungsmechanismus bewegt zu werden, der nicht gezeigt
ist.
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Das
obige Laserstrahlaufbringungsmittel 32 weist ein zylindrisches
Gehäuse 321 auf,
das im Wesentlichen horizontal angeordnet ist. In dem Gehäuse 321 sind,
wie in 3 gezeigt, ein Impulslaserstrahloszillationsmittel
bzw. -einrichtung 322 und ein optisches Übertragungssystem 323 installiert
bzw. eingebaut. Das Impulslaserstrahloszillationsmittel 322 weist
einen Impulslaserstrahloszillator 322a, der aus einem YAG-Laseroszillator
oder einem YVO4-Laseroszillator besteht, und ein Wiederhol- bzw.
Folgefrequenzeinstellmittel bzw. -einrichtung 322b auf,
die mit dem Impulslaserstrahloszillator 322a verbunden
ist. Das optische Übertragungssystem 323 weist
geeignete optische Elemente, z.B. einen Strahlteiler, usw. auf.
Ein Kondensor 324, welcher (nicht gezeigte) Kondensorlinsen
enthält,
welche durch eine Gruppe bzw. Satz von Linsen gebildet sind, die
in einer bekannten Formation bzw. Ausgestaltung vorliegen können, ist
an dem Ende des obigen Gehäuses 321 angebracht.
Ein Laserstrahl, der von dem obigen Impulslaserstrahloszillationsmittel 322 in
Oszillation bzw. Schwingungen versetzt wird, erreicht den Kondensor 324 durch
das optische Übertragungssystem 323 und wird
von dem Kondensor 324 auf das an dem obigen Einspanntisch 31 gehaltene
Werkstück
mit einem vorbestimmten Brennfleckdurchmesser D aufgebracht. Dieser
Brennfleckdurchmesser D ist durch den Ausdruck D (μm) = 4 × λ × f / (π × W) definiert
(worin λ die
Wellenlänge
(μm) des
Impulslaserstrahls ist, W der Durchmesser (mm) des auf eine Objektivlinse 324a aufgebrachten
Impulslaserstrahls ist, und f die Brennweite bzw. der Brennpunktabstand
(mm) der Objektivlinse 324a ist), wenn der eine Gaußsche Verteilung
aufweisende Impulslaserstrahl durch die Objektivlinse 324a des
Kondensors 324 aufgebracht wird, wie in 4 gezeigt.
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Das
Bildaufnahmemittel 33, das an dem Ende des Gehäuses 321 angebracht
ist, welches das obige Laserstrahlaufbringungsmittel 32 bildet,
ist durch ein Infrarot-Beleuchtungs-
bzw. -Abstrahlungsmittel bzw. -einrichtung zum Aufbringen von Infrarotstrahlung
auf das Werkstück,
ein optisches System zum Einfangen der durch das Infrarot-Beleuchtungsmittel
aufgebrachten Infrarotstrahlung, und eine Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot-CCD)
zum Ausgeben eines elektrischen Signals entsprechend der durch das
optische System eingefangenen Infrarotstrahlung zusätzlich zu
einer gewöhnlichen
bzw. üblichen
Bildaufnahmevorrichtung (CCD) zum Aufnehmen eines Bildes mit sichtbarer
Strahlung bei der veranschaulichten Ausführungsform gebildet. Ein Bildsignal
wird zu einem Steuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung übertragen,
welche später
beschrieben wird.
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Der
obige, eine innere verschlechterte Schicht bildende Schritt und
der eine verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildende Schritt, welche
unter Verwendung der obigen Laserstrahlbearbeitungsmaschine 3 ausgeführt werden,
werden unter Bezugnahme auf 2 und 5(a) bis 5(c) beschrieben.
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In
dem die innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt und dem
die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt wird der
Halbleiterwafer 2 zuerst an dem Einspanntisch 31 der
in 2 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine 3 in
einer solchen Art und Weise platziert, dass die hintere Fläche 2b nach
oben weist, und an dem Einspanntisch 31 durch Ansaugung
gehalten. Der den Halbleiterwafer 2 durch Ansaugung haltende
Einspanntisch 31 wird direkt unterhalb des Bildaufnahmemittels 33 durch
einen Bewegungsmechanismus positioniert, welcher nicht gezeigt wird.
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Nachdem
der Einspanntisch 31 direkt unterhalb des Bildaufnahmemittels 33 positioniert
ist, wird eine Ausrichtungsarbeit zum Detektieren bzw. Ermitteln
des zu bearbeitenden Bereichs des Halbleiterwafers 2 durch
Verwenden des Bildaufnahmemittels 33 und des Steuermittels,
das nicht gezeigt ist, ausgeführt.
D.h., das Bildaufnahmemittel 33 und das (nicht gezeigte)
Steuermittel führen
eine Bildverarbeitung, z.B. „pattern matching" bzw. Mustervergleich
usw. aus, um eine erste Teilungslinie 21, die in einer
vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 2 gebildet
ist, mit dem Kondensor 324 des Laserstrahlaufbringungsmittels 32 zum
Aufbringen eines Laserstrahls entlang der ersten Teilungslinie 21 auszurichten,
um hierdurch die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition
auszuführen.
Die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringungsposition wird außerdem in ähnlicher
Weise an zweiten Teilungslinien 22 ausgeführt, die
an dem Halbleiterwafer 2 gebildet sind und sich in einer
Richtung senkrecht bzw. rechtwinklig zu der an dem Halbleiterwafer 2 gebildeten,
ersten Teilungslinie 21 erstrecken. Obwohl die Fläche 10a des
Halbleiterwafers 2, an welcher die ersten Teilungslinien 21 und
die zweiten Teilungslinien 22 gebildet sind, in diesem
Augenblick nach unten weist, können
Bilder der ersten Teilungslinien 21 und der zweiten Teilungslinien 22 durch
die hintere Fläche 2b genommen
werden, da das Bildaufnahmemittel 33 ein Infrarot-Beleuchtungs- bzw.
-Abstrahlungsmittel, ein optisches System zum Einfangen von Infrarotstrahlung
und eine Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines
elektrischen Signals aufweist, das der Infrarotstrahlung entspricht,
wie oben beschrieben.
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Nachdem
die ersten Teilungslinien 21 und die zweiten Teilungslinien 22,
die an dem an dem Einspanntisch 31 gehaltenen Halbleiterwafer 2 gebildet
sind, detektiert bzw. festgestellt worden sind und die Ausrichtung der
Laserstrahlaufbringungsposition ausgeführt worden ist, wie oben beschrieben,
wird der Einspanntisch 31 zu einem Laserstrahlaufbringungsbereich
bewegt, an dem der Kondensor 324 des Laserstrahlaufbringungsmittels 32 zum
Aufbringen eines Laserstrahls angeordnet ist, um den Kreuzungspunkt
bzw. -stelle (d.h., die durch den Pfeil angegebene Position) zwischen
der vorbestimmten ersten Teilungslinie 21 und der zweiten
Teilungslinie 22 an der äußersten linken Seite in 5(a) zu einer Position direkt unterhalb
des Kondensors 324 zu bringen, wie in 5(a) gezeigt.
Der Einspanntisch 31, d.h., der Halbleiterwafer 2 wird
in der durch den Pfeil X1 in 5(a) angegebenen
Richtung mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit bewegt,
während
ein Impulslaserstrahl, der durch den Halbleiterwafer 2 hindurchgehen
kann, von dem Kondensor 324 aufgebracht wird. In diesem
Augenblick wird der Fokussierungspunkt P des Impulslaserstrahls
an einer Position etwas oberhalb der Fläche 2a (Unterseite)
des Halbleiterwafers 2 angeordnet. Wenn der Einspanntisch 31,
d.h., der Halbleiterwafer 2 beispielsweise um 1 mm bewegt wird,
wird die Aufbringung des Impulslaserstrahls ausgesetzt bzw. zeitweilig
eingestellt. Inzwischen wird der Einspanntisch 31, d.h.,
der Halbleiterwafer 2 in der durch den Pfeil X1 in 5(a) angegebenen Richtung mit der vorbestimmten
Vorschubgeschwindigkeit bewegt. Wenn eine Position an der linken
Seite beispielsweise 1 mm weg von dem Kreuzungspunkt zwischen der
vorbestimmten ersten Teilungslinie 21 und der zweiten Teilungslinie 22 der
zweiten Gruppe von der linken Seite in 5(a) direkt
unterhalb des Kondensors 324 ankommt, wird ein Impulslaserstrahl,
der durch den Halbleiterwafer 2 hindurchgehen kann, von
dem Kondensor 324 erneut aufgebracht, und, wenn die Position
an der rechten Seite beispielsweise 1 mm weg von dem obigen Kreuzungspunkt
direkt unterhalb des Kondensors 324 ankommt, wird die Aufbringung
des Impulslaserstrahls ausgesetzt bzw. zeitweilig eingestellt. Infolgedessen wird
der Laserstrahl entlang der vorbestimmten ersten Teilungslinie 21 zu
den Kreuzungsbereichen zwischen ihr und den zweiten Teilungslinien 22 aufgebracht,
wie oben beschrieben. Infolgedessen werden verschlechterte Schichten 25 jeweils
entlang der vorbestimmten ersten Teilungslinie 21 in den
Kreuzungsbereichen zwischen ihr und den zweiten Teilungslinien 22 gebildet,
wie in 5(b) gezeigt. Diese verschlechterte
Schicht 25 wird als eine geschmolzene – wiederverfestigte bzw. -erstarrte
Schicht gebildet, an welcher der Wafer einmal geschmolzen und sodann
wieder festgeworden ist.
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Die
Bearbeitungsbedingungen in dem obigen, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt
werden z.B. wie folgt eingestellt:
| Lichtquelle: | LD-erregter
Q- bzw. Güteschalter-Nd:
YVO4-Laser |
| Wellenlänge: | Impulslaser
mit einer Wellenlänge
von 1.064 nm |
| Impulsausgang: | 10 μJ |
| Brennfleckdurchmesser: | 1 μm |
| Wiederhol-
bzw. Folgefrequenz: | 100
kHz |
| Bearbeitungs-Vorschubgeschwindigkeit: | 100
mm/sek |
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Unter
den obigen Bearbeitungsbedingungen beträgt die Dicke der einmal gebildeten,
verschlechterten Schicht etwa 50 μm.
Bei der veranschaulichten Ausführungsform,
wie in 5(c) gezeigt, wird eine andere bzw.
weitere verschlechterte Schicht 25 an der Oberseite der
verschlechterten Schicht 25 gebildet, die, wie in 5(b) gezeigt, gebildet ist. In diesem
Augenblick wird der obige, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildende Schritt dadurch ausgeführt,
dass der Fokussierungspunkt P des von dem Kondensor 324 aufgebrachten Impulslaserstrahls
zu einer Position um die obere Fläche der verschlechterten Schicht 25 herum
eingestellt wird, die, wie in 5(b) gezeigt,
gebildet ist.
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Nachdem
die zwei-geschichteten bzw. doppel-geschichteten, verschlechterten
Schichten 25 entlang der vorbestimmten ersten Teilungslinie 21,
die an dem Wafer 2 gebildet ist, in den Kreuzungsbereichen
zwischen ihr und den zweiten Teilungslinien 22 gebildet
sind, kommt als nächstes
der obige, die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt.
Die diesem die innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt,
wie in 6(a) gezeigt, wird der Einspanntisch 31 zu
dem Laserstrahlaufbringungsbereich bewegt, wo der Kondensor 324 des
Laserstrahlaufbringungsmittels 32 zum Aufbringen eines
Laserstrahls angeordnet ist, um ein Ende (linkes Ende in 6(a)) der vorbestimmten ersten Teilungslinie 21 zu
einer Position direkt unterhalb des Kondensors 324 zu bringen.
Der Einspanntisch 31, d.h., der Halbleiterwafer 2 wird
sodann in der durch den Pfeil X1 in 6(a) angegebenen
Richtung mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit bewegt,
während
ein Impulslaserstrahl, der durch den Halbleiterwafer 2 hindurchgehen
kann, von dem Kondensor 324 aufgebracht wird. In diesem
Augenblick wird der Fokussierungspunkt P des Impulslaserstrahls
zu einer Position um die obere Fläche der zweiten verschlechterten
Schicht 25 herum von der Unterseite eingestellt. Sodann
wird, wenn die Aufbringungsposition des Kondensors 324 an
dem anderen Ende der ersten Teilungslinie 21 ankommt, wie in 6(b) gezeigt, die Aufbringung des Impulslaserstrahls
ausgesetzt bzw. zeitweilig eingestellt und die Bewegung des Einspanntischs 31,
d.h. des Halbleiterwafers 2, wird angehalten. Infolgedessen
wird eine kontinuierliche, verschlechterte Schicht 26 entlang
der ersten Teilungslinie 21 in dem mittleren Bereich in
der Dickenrichtung an der Innenseite bzw. im Inneren des Halbleiterwafers 2 gebildet.
Diese verschlechterte Schicht 26 wird als eine geschmolzene – wiederverfestigte
Schicht gebildet, an welcher der Wafer einmal geschmolzen und sodann
wieder festgeworden ist. Die Bearbeitungsbedingungen in dem die
innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt können die
gleichen wie diejenigen des obigen, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildenden Schritts sein. Daher wird bei der obigen Ausführungsform
die kontinuierliche, verschlechterte Schicht 26 mit einer
Dicke von etwa 50 μm
in dem Inneren des Halbleiterwafers 2 gebildet.
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Als
nächstes
kommt erneut der obige, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildende
Schritt, wie in 7 gezeigt. Bei der veranschaulichten
Ausführungsform
werden doppel-geschichtete, verschlechterte Schichten 25 an
der Oberseite der obigen verschlechterten Schicht 26 gebildet.
Infolgedessen werden bei der veranschaulichten Ausführungsform
fünffach-geschichtete,
verschlechterte Schichten entlang der vorbestimmten ersten Teilungslinie 21 in
den Kreuzungsbereichen zwischen ihr und den zweiten Teilungslinien 22 gebildet.
Bei einem Halbleiterwafer mit einer Dicke von 300 μm können sechs
verschlechterte Schichten so gebildet werden, dass sie sich von
der vorderen Fläche 2a zu
der hinteren Fläche 2b erstrecken.
Die Gesamtdicke T der verschlechterten Schichten 25 und 26,
die in den Kreuzungsbereichen gebildet sind, beträgt in erwünschter
Weise 60% oder mehr der Dicke des Halbleiterwafers 2. Die
Länge A
von dem Kreuzungspunkt (durch den Pfeil angegebene Position) von
jeder der verschlechterten Schichten 25 beträgt in erwünschter Weise 5 bis
15% des Intervalls bzw. Zwischenraums B der Teilungslinien, d.h.,
die Länge
von einer Seite des erhaltenen Chips. Bei der veranschaulichten
Ausführungsform
wird die verschlechterte Schicht 26 in dem mittleren Bereich
in der Dickenrichtung des Halbleiterwafers 2 gebildet,
jedoch kann die verschlechterte Schicht 26 oberhalb oder
unterhalb des mittleren Bereichs in der Dickenrichtung des Halbleiterwafers 2 gebildet
werden.
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Nachdem
der obige, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildende Schritt
und der die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt entlang
der vorbestimmten ersten Teilungslinie 21 ausgeführt worden sind,
wie oben beschrieben, wird der Einspanntisch 31, d.h.,
der an dem Einspanntisch 31 gehaltene Halbleiterwafer 2 in
der durch den Pfeil Y angegebenen Weiterschalt-Vorschubrichtung um das Intervall bzw.
Zwischenraum zwischen den ersten Teilungslinien 21 bewegt
(Weiterschaltschritt), und sodann werden der obige, die verschlechterte
Kreuzungs-Schicht bildende Schritt und der die innere verschlechterte
Schicht bildende Schritt in ähnlicher
Weise ausgeführt.
Folglich wird, nachdem der obige, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildende Schritt und der die innere verschlechterte Schicht bildende
Schritt entlang sämtlicher erster
Teilungslinien 21 ausgeführt worden sind, die sich in
der vorbestimmten Richtung erstrecken, der Einspanntisch 31,
d.h., der an dem Einspanntisch 31 gehaltene Halbleiterwafer 2 um
90° gedreht,
um den obigen, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt und den die
innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt entlang der zweiten
Teilungslinien 22 auszuführen, die sich in einer Richtung
senkrecht bzw. rechtwinklig zu den obigen ersten Teilungslinien 21 erstrecken.
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Obwohl
bei der obigen Ausführungsform
der obige, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildende Schritt
und der die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt in Sequenz
bzw. Aufeinanderfolge von der untersten Schicht zu den oberen Schichten
ausgeführt
werden, kann der die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt
nach dem die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt
ausgeführt
werden, oder der die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildende
Schritt kann nach dem die innere verschlechterte Schicht bildenden
Schritt ausgeführt
werden.
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Nachdem
der obige, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildende Schritt
und der die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt entlang
sämtlicher
erster Teilungslinien 21 und sämtlicher zweiter Teilungslinien 22 ausgeführt worden
sind, die an dem Halbleiterwafer 2 gebildet sind, wie oben
beschrieben, wird ein ein Band bzw. Streifen befestigender Schritt
zum Legen bzw. Anbringen einer Seite des Wafers an der Fläche eines
extensilen bzw. dehnbaren Trag- bzw. Stützbandes bzw. -streifens ausgeführt, der
an einem ringförmigen
Rahmen befestigt ist. D.h., wie in 8 gezeigt,
die hintere Fläche 2b des
Halbleiterwafers 2 wird an die Fläche des dehnbaren Stützbandes 5 gelegt
bzw. angebracht, dessen Umfangsbereich an dem ringförmigen Rahmen 4 befestigt
ist, um seinen inneren Öffnungsbereich
zu bedecken bzw. abzudecken (daher weist die vordere Fläche 2a des
Halbleiterwafers 2 nach oben). Das obige Stützband 5 wird
durch Aufbringen eines Klebemittels bzw. Klebstoffes auf Acrylharzbasis
auf die Oberfläche
einer 70 μm
dicken Unterlagschicht, die aus Polyvinylchlorid (PVC) hergestellt
ist, bis zu einer Dicke von etwa 5 μm bei der obigen, veranschaulichten Ausführungsform
präpariert
bzw. hergestellt. Dieser das Band befestigende Schritt kann vor
dem obigen, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritts
und dem die innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt ausgeführt werden.
In dem obigen Falle wird die vordere Fläche 2a des Halbleiterwafers 2 an
das Stützband 5 gelegt
bzw. angebracht, wobei die hintere Fläche 2b nach oben weist,
und sodann werden der obige, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht
bildende Schritt und der die innere verschlechterte Schicht bildende Schritt
in einem Zustand ausgeführt,
in dem der Halbleiterwafer 2 an dem ringförmigen Rahmen 4 gehalten
ist.
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Nach
dem obigen, die verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt
dem die innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt und dem
das Band befestigenden Schritt, kommt ein Teilungsschritt zum Teilen
des Halbleiterwafers 2 entlang der ersten Teilungslinien 21 und
der zweiten Teilungslinien 22 dadurch, dass eine externe
bzw. äußere Kraft
auf den Halbleiterwafer 2 ausgeübt wird. Bei der veranschaulichten
Ausführungsform
wird dieser Teilungsschritt durch Verwenden einer Teilungsvorrichtung 6 ausgeführt, die
in 9 gezeigt ist. Die in 9 gezeigte
Teilungsvorrichtung 6 weist ein Rahmenhaltemittel bzw.
-einrichtung 61 zum Halten des obigen ringförmigen Rahmen 4 und
ein Banddehnungsmittel bzw. -einrichtung 62 zum Dehnen
des Stützbandes 5 auf,
das an dem ringförmigen
Rahmen 4 befestigt ist, der an dem Rahmenhaltemittel 61 gehalten
ist. Das Rahmenhaltemittel 61 weist ein ringförmiges Rahmenhalteglied 611 und
eine Mehr- bzw.
Vielzahl von Festklemmelementen bzw. Klammern 612 als Befestigungsmittel
auf, die an dem Außenumfang
des Rahmenhalteglieds 611 angeordnet sind. Die obere Fläche des
Rahmenhalteglieds 611 dient als eine Platzierungsfläche 611a zum
Platzieren des ringförmigen
Rahmens 4, und der ringförmige Rahmen 4 wird
an dieser Platzierungsfläche 611a platziert.
Der an der Platzierungsfläche 611a platzierte
ringförmige
Rahmen 4 wird an dem Rahmenhalteglied 611 durch
die Klammern 612 befestigt. Das somit gebildete Rahmenhaltemittel 61 wird durch
das Banddehnmittel 62 in einer solchen Art und Weise getragen
bzw. abgestützt,
dass es sich in der vertikalen Richtung bewegen kann.
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Das
Banddehnmittel 62 weist eine Dehntrommel bzw. -zylinder 621 auf,
der an der Innenseite des obigen ringförmigen Rahmenhalteglieds 611 angeordnet
ist. Diese Dehntrommel 621 weist einen kleineren Innendurchmesser
als der Innendurchmesser des ringförmigen Rahmens 4 und
einen größeren Außendurchmesser als
der Außendurchmesser
des Halbleiterwafers 2 auf, der an dem Stützband 5 angebracht
ist, das an dem ringförmigen
Rahmen 4 befestigt ist. Die Dehntrommel 621 weist
einen Trag- bzw. Stützflansch 622 an
dem unteren Ende auf. Das Banddehnmittel 62 bei der veranschaulichten
Ausführungsform
weist ein Trag- bzw. Stützmittel
bzw. -einrichtung 63 auf, welche das obige ringförmige Rahmenhalteglied 611 in
der vertikalen Richtung bewegen kann. Dieses Stützmittel 63 weist
eine Mehr- bzw. Vielzahl von Luftzylindern 631 auf, die an
dem obigen Stützflansch 622 installiert
bzw. eingebaut sind, und ihre Kolbenstangen 632 sind mit
der Unterseite des obigen ringförmigen
Rahmenhalteglieds 611 verbunden. Das Stützmittel 63, das folglich
die Mehrzahl der Luftzylinder 631 aufweist, bewegt das
ringförmige
Rahmenhalteglied 611 in der vertikalen Richtung zwischen
einer Standard- bzw. Normalposition, an der die Platzierungsfläche 611a im
Wesentlichen auf gleiche Höhe
bzw. fluchtgerecht mit dem oberen Ende der Dehntrommel 621 kommt
bzw. wird, und einer Dehnposition, an der die Platzierungsfläche 611a unterhalb
des oberen Endes der Dehntrommel 621 um eine vorbestimmte Distanz
bzw. Abstand positioniert ist. Daher funktioniert das Stützmittel 63,
das die Mehrzahl der Luftzylinder 631 aufweist, als ein
Dehn- und Bewegungsmittel zum Bewegen des Rahmenhalteglieds 611 und
der Dehntrommel 621 relativ zueinander in der vertikalen
Richtung.
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Der
Teilungsschritt, der durch Verwenden der wie oben ausgebildeten
Teilungsvorrichtung 6 ausgeführt wird, unter Bezugnahme
auf 10(a) und 10(b) beschrieben.
D.h., der ringförmige
Rahmen 4, welcher den Halbleiterwafer 2 (in welchem
die verschlechterten Schichten 25 und 26 entlang
der ersten Teilungslinien 21 und der zweiten Teilungslinien 22 gebildet
worden sind) mittels des Stützbandes 5 stützt, wie
in 10(a) und 10(b) gezeigt,
wird an der Platzierungsfläche 611a des
Rahmenhalteglieds 611 des Rahmenhaltemittels 61 platziert
und an dem Rahmenhalteglied 611 durch die Klammern 612 befestigt,
wie in 10(a) gezeigt. In diesem Augenblick
ist das Rahmenhalteglied 611 an der Normalposition angeordnet,
wie in 10(a) gezeigt. Das ringförmige Rahmenhalteglied 611 wird
sodann zu der in 10(b) gezeigten Dehnposition
durch Aktivieren der Mehrzahl der Luftzylinder 631 als
das Stützmittel 63 abgesenkt,
welches das Banddehnmittel 62 bildet. Daher kommt, wenn
der ringförmige
Rahmen 4, der an der Platzierungsfläche 611a des Rahmenhalteglieds 611 befestigt
ist, ebenfalls abgesenkt wird, das an dem ringförmigen Rahmen 4 befestigte
Stützband 5 in
Berührung
mit dem oberen Rand bzw. Kante der Dehntrommel 621, um
gedehnt zu werden, wie in 10(b) gezeigt
(Banddehnungsschritt). Infolgedessen wirkt eine Zugkraft radial
auf den an dem Stützband 5 befestigten Halbleiterwafer 2.
Wenn die Zugkraft radial auf den Halbleiterwafer 2 wirkt,
wird der Halbleiterwafer 2 entlang der verschlechterten
Schichten 25 und 26 gebrochen, um in einzelne
Halbleiterchips 20 geteilt zu werden, weil die Festigkeiten
bzw. Stärken
der der entlang der ersten Teilungslinien 21 und der zweiten
Teilungslinien 22 gebildeten, verschlechterten Schichten 25 und 26 verringert
worden sind. In diesem Augenblick, da die in den Kreuzungsbereichen
zwischen den ersten Teilungslinien 21 und den zweiten Teilungslinien 22 gebildeten,
verschlechterten Schichten 25 in einer sich kreuzenden
Gestalt und mit einer verhältnismäßig großen Dicke
gebildet werden, werden die verschlechterten Schichten 25 zuerst
in den Kreuzungsbereichen gebrochen und dieses Brechen funktioniert
als ein Start- bzw. Anfangspunkt und breitet sich über die
verschlechterten Schichten 26 aus, die in dem Inneren des
Wafers gebildet sind, wodurch es ermöglicht wird, den Halbleiterwafer 2 entlang
der ersten Teilungslinien 21 und der zweiten Teilungslinien 22 leicht
zu brechen. Die Größe bzw.
Ausmaß der
Expansion oder Dehnung des Stützbandes 5 in
dem obigen Banddehnungsschritt kann durch die Größe bzw. Ausmaß der Abwärtsbewegung
des Rahmenhalteglieds 611 eingestellt werden. Entsprechend
den durch die Erfinder der vorliegenden Erfindung ausgeführten Versuchen
konnte, wenn das Stützband 5 um
etwa 20 mm gereckt bzw. gedehnt wurde, der Halbleiterwafer 2 entlang
der verschlechterten Schichten 25 und 26 geteilt
werden.
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Die
folgenden Teilungsverfahren können
neben dem obigen Teilungsverfahren verwendet werden.
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D.h.,
es kann ein Verfahren verwendet werden, bei dem der Halbleiterwafer 2 (die
verschlechterten Schichten 25 und 26 sind entlang
der Teilungslinien 21 und 22 gebildet worden),
der an dem Stützband 5 angebracht
ist, an einer elastischen Gummischicht bzw. -lage bzw. -folie platziert
wird und die obere Fläche
des Halbleiterwafers 2 mit einer Rolle bzw. Walze nach
unten gedrückt
wird, um den Halbleiterwafer 2 entlang der Teilungslinien 21 und 22 zu
teilen, deren Festigkeiten bzw. Stärken durch die Bildung der
verschlechterten Schichten 25 und 26 verringert
worden sind. Alternativ können
ein Verfahren, bei dem eine Ultraschallwelle, die aus einer Longitudinal-Welle
(Druckwelle) mit einer Frequenz von etwa 28 kHz besteht, entlang
der Teilungslinien 21 und 22 aufgebracht wird,
deren Festigkeiten bzw. Stärken
durch die Bildung der verschlechterten Schichten 25 und 26 verringert
worden sind, ein Verfahren, bei dem ein Drück- bzw. Presselement entlang der
Teilungslinien 21 und 22 aufgebracht wird, deren
Festigkeiten bzw. Stärken
durch die Bildung der verschlechterten Schichten 25 und 26 verringert
worden sind, oder ein Verfahren verwendet werden, bei dem ein Wärmeschock
durch Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Teilungslinien 21 und 22 gegeben
wird, deren Festigkeiten bzw. Stärken
durch die Bildung der verschlechterten Schichten 25 und 26 verringert
worden sind.
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Der,
wie oben beschrieben, individuell geteilte Halbleiterchip 20 weist
die an seinen Seitenflächen
verbleibenden verschlechterten Schichten 25 und 26 auf,
wie in 11 gezeigt. Jedoch sind die
verschlechterten Schichten 25 nur in den beiden Endbereichen
in der Längsrichtung
der Seitenflächen
vorhanden, und die verschlechterten Schichten 26 sind in
dem Inneren des Halbleiterchips gebildet und erreichen nicht die
vordere Fläche
und die hintere Fläche.
Daher vermindert sich die Biegebruchfestigkeit des Halbleiterwafers 2 nicht.
Da die Dicke und die Länge
A der obigen verschlechterten Schicht 25 zunehmen, wird
das Teilen in dem Teilungsschritt leichter, jedoch üben sie
einen Einfluss auf die Verminderung der Biegebruchfestigkeit aus.
Um Teilen zu erleichtern, ohne die Biegebruchfestigkeit des Halbleiterchips 20 zu
vermindern, beträgt
die Gesamtdicke T der verschlechterten Schichten 25 und 26 in
erwünschter
Weise 60% oder mehr der Dicke des Halbleiterchips 20 und
die Länge
A einer jeden der verschlechterten Schichten 25 beträgt in erwünschter
Weise 5 bis 15% der Länge
einer Seite des Halbleiterchips 20.