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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Waferbearbeitungsverfahren
zum Teilen eines Wafers mit optischen Vorrichtungen, die in einer Mehrzahl
von Bereichen gebildet sind, die durch Teilungslinien (Strassen)
geteilt sind, die in einem Gittermuster an einer vorderen Fläche gebildet
sind, entlang der Teilungslinien.
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Beschreibung des Standes der
Technik
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Die
DE 196 24 677 A1 behandelt
Verfahren zum Vereinzeln optoelektrischer Bauelemente und erläutert, dass
ein Träger
aus Saphir oder Siliziumkarbid mit einer Ausgangsdicke von 200–300 μm auf eine
Dicke von 50–100 μm zu dünnen ist
und darauf eine 5 μm
dicke Halbleiterschicht aus GaN gebildet wird. Dann werden mittels
Laser Gräben
entlang der Trennlinien eingebracht, wonach entlang Sollbruchstellen
zum Vereinzeln gebrochen wird. Zudem hält zur Handhabung der sehr
kleinen Bauteile ein Klebstoffstreifen die Bauteile.
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Die
DE 103 17 115 B4 behandelt
im Allgemeinen Halbleitereinrichtungen und DRAMs im Speziellen.
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In
der
US 2003/0129809
A1 werden Einschnitte auf einer Seite eines Wafers vorgesehen,
auf der Halbleiterelemente ausgebildet sind. Mit den Einschnitten
als Startpunkt wird der Wafer entlang von Kristallorientierungen
zerteilt.
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Die
JP 53-114347 A offenbart
ein Verfahren zum Zerteilen eines Wafers, bei dem Laserstrahlen auf
dessen Rückseite
eingestrahlt werden.
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Ein
Wafer mit optischen Vorrichtungen, welche einen Verbindungshalbleiter
auf Gallium-Nitridbasis aufweisen und in einer Viel- bzw. Mehrzahl
von Bereichen gebildet sind, die durch Teilungslinien (Strassen)
geteilt sind, die in einem Gittermuster an der vorderen Fläche eines
Saphirsubstrats und dergleichen gebildet sind, wird entlang der
Teilungslinien in individuelle bzw. einzelne optische Vorrichtungen, z.
B. Lichtemitter- bzw. Leuchtdioden oder Laserdioden bzw. Diodenlaser
geteilt, die in weitem Umfang in elektrischen Ausrüstungen
bzw. Einrichtungen verwendet werden. Dieser Wafer wird gewöhnlich durch eine
Schneidmaschine bzw. -vorrichtung geteilt, die als ”Dicer” bzw. Substratzerteiler
bezeichnet wird. Die Schneidvorrichtung weist einen Futter- bzw.
Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, z. B. eines Halbleiterwafers
oder eines eine optische Vorrichtung bzw. Vorrichtungen aufweisenden
Wafers, ein Schneidmittel bzw. -einrichtung zum Schneiden des an
dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks und ein Bewegungsmittel
bzw. -einrichtung zum Bewegen des Einspanntischs und des Schneidmittels
relativ zueinander auf. Das Schneidmittel weist eine rotier- bzw.
drehbare bzw. Drehspindel, die mit einer hohen Drehzahl in Rotation
versetzt bzw. gedreht wird, und ein an der Spindel angebrachtes
Schneidmesser bzw. -klinge auf. Das Schneidmesser weist eine scheibenartige
Basis und eine ringförmige Schneidkante
auf, die an dem Seitenwand-Außenumfangsbereich
der Basis angebracht ist, und die Schneidkante wird dick bis etwa
20 μm durch
Befestigen beispielsweise von Diamantschleifkörnern mit einem Durchmesser
von etwa 3 μm
an der Basis durch Elektro- bzw. Galvanoformung gebildet.
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Weil
ein Saphirsubstrat, ein Siliziumkarbidsubstrat oder dergleichen
eine hohe Mohs'sche
Härte aufweisen,
ist ein Schneiden mit dem obigen Schneidmesser nicht immer leicht.
Weil das Schneidmesser eine Dicke von etwa 20 μm aufweist, müssen die
Teilungslinien zum Teilen optischer Vorrichtungen eine Breite von
etwa 50 μm
aufweisen. Daher tritt in dem Falle einer optischen Vorrichtung,
die z. B. etwa 300 μm × 300 μm misst,
ein Problem bzw. Schwierigkeit auf, dass das Flächenverhältnis der Teilungslinien zu
der optischen Vorrichtung groß ist,
wodurch die Produktivität
vermindert wird.
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Inzwischen
ist ein Bearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers durch Anwenden
bzw. Aufbringen eines Laserstrahls entlang Strassen versucht bzw.
in Angriff genommen und beispielsweise durch die
JP-A 6-120334 offenbart
worden.
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Wenn
ein Laserstrahl auf die vordere Fläche eines Wafers aufgebracht
wird, um ihn zu bearbeiten, wird jedoch Wärmeenergie an dem freigelegten
bzw. exponierten Bereich konzentriert, um Überbleibsel bzw. Bruchstücke bzw.
Trümmer
zu erzeugen, die an der vorderen Fläche des Wafers fest anhaften,
wodurch die Qualität
der optischen Vorrichtungen erheblich vermindert wird.
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Als
Mittel bzw. Einrichtung zum Teilen eines Wafers durch Aufbringen
eines Laserstrahls entlang Strassen ist ferner ein Laserstrahlbearbeitungsverfahren,
bei welchem ein Laserstrahl, der dazu befähigt ist, durch den Wafer hindurchzugehen,
verwendet wird und der Laserstrahl auf den Wafer aufgebracht wird,
wobei sich der fokussierende Punkt des Laserstrahls an der Innenseite
bzw. im Inneren des zu teilenden Bereichs befindet, versucht bzw.
in Angriff genommen und z. B. durch
JP-A 2002-192367 offenbart
worden. Bei dem Teilungsverfahren, welches diese Laserstrahlbearbeitungstechnik
bzw. -methode verwendet, wird ein Werkstück dadurch geteilt, dass ein
Laserstrahl, der dazu befähigt
ist, durch den Wafer hindurchzugehen, z. B. ein Laserstrahl mit einem
Infrarotbereich, wobei sich der fokussierende Punkt des Laserstrahls
an der Innenseite bzw. im Inneren des Wafers befindet, von dessen
einer Seite her aufgebracht wird, um verschlechterte Schichten im
Inneren des Wafers entlang der Teilungslinien kontinuierlich zu
bilden, und dass sodann eine externe bzw. äußere Kraft entlang der Teilungslinien
aufgebracht wird, deren Festigkeit durch die Bildung der verschlechterten
Schichten verringert worden ist.
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Wenn
die verschlechterte Schicht durch Aufbringen eines Laserstrahls
mit seinem fokussierenden Punkt an der Innenseite bzw. im Inneren
des zu teilenden Bereichs des Wafers gebildet wird, gibt es ein
Problem bzw. Schwierigkeit, dass die verschlechterte Schicht an
den seitlichen Flächen
der optischen Vorrichtung verbleibt und von der optischen Vorrichtung
emittiertes bzw. ausgesendetes Licht durch den verschlechterten
Bereich absorbiert wird, um die Helligkeit der optischen Vorrichtung
zu verringern.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren
zu schaffen, das eine hohe Produktivität aufweist und dazu befähigt ist,
einen Wafer ohne Verringerung der Helligkeit einer optischen Vorrichtung
zu teilen.
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Um
die obige Aufgabe zu lösen,
ist entsprechend der vorliegenden Erfindung ein Waferbearbeitungsverfahren
zum Teilen eines Wafers mit optischen Vorrichtungen vorgesehen,
die in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet sind, die durch Teilungslinien
geteilt sind, die in einem Gittermuster an einer vorderen Fläche gebildet
sind, entlang der Teilungslinien, aufweisend die folgenden Verfahrensschritte
in der angegebenen Reihenfolge:
einen Laserstrahlanwendungsschritt
zum Anwenden eines Laserstrahls, der dazu befähigt ist, durch den Wafer hindurchzugehen,
entlang der Teilungslinien, um verschlechterte Schichten mit einer
vorbestimmten Tiefe von einer hinteren Fläche des Wafers her zu bilden;
einen
Schutzschichtbefestigungsschritt zum Befestigen einer Schutzschicht
an der vorderen Fläche
des Wafers mit den hierin gebildeten, verschlechterten Schichten;
einen
Teilungsschritt zum Teilen des Wafers mit der Schutzschicht, die
an der vorderen Fläche
befestigt ist, entlang der verschlechterten Schichten; und
einen
Schleifschritt zum Schleifen der hinteren Fläche des entlang der verschlechterten
Schichten geteilten Wafers, in einem Zustand der an dem Wafer befestigten
Schutzschicht, um die verschlechterten Schichten zu entfernen.
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Weiterhin
ist entsprechend der vorliegenden Erfindung ein Waferbearbeitungsverfahren
zum Teilen eines Wafers mit optischen Vorrichtungen vorgesehen,
welche in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet sind, die durch
Teilungslinien geteilt sind, die in einem Gittermuster an einer
vorderen Fläche
gebildet sind, entlang der Teilungslinien, aufweisend die folgenden
Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge:
einen Schutzschichtbefestigungsschritt
zum Befestigen einer Schutzschicht an der vorderen Fläche des Wafers;
einen
Laserstrahlanwendungsschritt zum Anwenden eines Laserstrahls, der
dazu befähigt
ist, durch den Wafer hindurchzugehen, auf den Wafer mit der an der
vorderen Fläche
befestigten Schutzschicht entlang der Teilungslinien, um verschlechterte
Schichten mit einer vorbestimmten Tiefe von einer hinteren Fläche des
Wafers her zu bilden;
einen Teilungsschritt zum Teilen des
Wafers mit der Schutzschicht, die an der vorderen Fläche befestigt ist,
entlang der verschlechterten Schichten; und
einen Schleifschritt
zum Schleifen der hinteren Fläche
des entlang der verschlechterten Schichten geteilten Wafers, während die
Schutzschicht an dem Wafer befestigt ist, um die verschlechterten
Schichten zu entfernen.
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In
dem obigen Laserstrahlaufbringungsschritt wird ein Pulslaserstrahl
mit seinem fokussierenden Punkt in der Nachbarschaft der hinteren
Fläche
des Wafers von dessen vorderer Flächenseite her aufgebracht.
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Bei
der vorliegenden Erfindung bleibt, da die verschlechterten Schichten,
die eine vorbestimmte Dicke von der hinteren Fläche aufweisen und entlang der
Teilungslinien des Wafers durch den Laserstrahlaufbringungsschritt
gebildet sind, durch Ausführen des
Schleifschritts entfernt werden, nachdem der Wafer geteilt worden
ist, die Laserbeschädigung nicht
an den seitlichen Flächen
der optischen Vorrichtung und daher wird die Helligkeit der optischen
Vorrichtung nicht vermindert. Weiterhin gibt es bei der vorliegenden
Erfindung, da der Wafer entlang der verschlechterten Schichten geschnitten
wird, die entlang der Teilungslinien gebildet sind, keinen Schneidrand,
anders als beim Schneiden mit einem Schneidmesser. Daher kann das
Flächenverhältnis der
Teilungslinien zu der optischen Vorrichtung vermindert werden und
die Produktivität
kann dadurch verbessert werden.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines eine optische Vorrichtung bzw.
Vorrichtungen aufweisenden Wafers, der durch das Waferbearbeitungsverfahren
nach der vorliegenden Erfindung zu teilen ist;
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2(a) und 2(b) sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung des Laserstrahlanwendungs- bzw. -aufbringungsschritts
bei dem Waferbearbeitungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung;
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3(a) und 3(b) sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung des Schutzschicht-
bzw. -folie- bzw. -filmbefestigungsschritts bei dem Waferbearbeitungsverfahren
nach der vorliegenden Erfindung;
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4(a) und 4(b) sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung des Teilungsschritts
bei dem Waferbearbeitungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung;
und
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5(a) und 5(b) sind
schematische Darstellungen zur Erläuterung des Schleif- bzw. Polierschritts
bei dem Waferbearbeitungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsformen
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Ein
Waferbearbeitungsverfahren entsprechend den bevorzugten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung wird im nachfolgenden in Einzelheiten
unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen beschrieben.
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines eine optische Vorrichtung bzw.
Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2, der entsprechend der
vorliegenden Erfindung zu teilen ist. Bei dem in 1 gezeigten, eine
optische Vorrichtung bzw. Vorrichtungen aufweisenden Wafer 2 ist
eine Viel- bzw. Mehrzahl von Teilungslinien 21 in einem
Gittermuster an dessen vorderer Fläche 2a gebildet und
es sind optische Vorrichtungen 22, bei denen ein Verbindungshalbleiter auf
Gallium-Nitridbasis oder dergleichen laminiert ist, in einer Viel-
bzw. Mehrzahl von Bereichen gebildet, die durch die Teilungslinien 21 geteilt
sind. Bei diesem optische Vorrichtungen aufweisenden Wafer 2 sind
die optischen Vorrichtungen 22, die 0,3 mm × 0,3 mm
messen, an der Fläche
eines Saphirsubstrats gebildet, das einen Durchmesser von 2 Inch
(50,8 mm) und eine Dicke von 430 μm
bei der veranschaulichten Ausführungsform
aufweist. Das Bearbeitungsverfahren zum Teilen dieses optische Vorrichtungen
aufweisenden Wafers 2 in individuelle bzw. einzelne optische
Vorrichtungen 22 entsprechend einer ersten Ausführungsform
wird unter Bezugnahme auf 2 bis 5 beschrieben.
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Bei
der ersten Ausführungsform
wird der Schritt zum Aufbringen eines Laserstrahls, der dazu befähigt ist,
durch den obigen, optische Vorrichtungen aufweisenden Wafer 2 hindurchzugehen,
entlang der Teilungslinien 21, um verschlechterte Schichten
mit einer vorbestimmten Dicke von der hinteren Fläche 2b des
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 her zu bilden,
zuerst ausgeführt. Dieser
Laserstrahlaufbringungsschritt wird durch eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine
bzw. -vorrichtung 3 ausgeführt, wie sie in 2(a) gezeigt ist. D. h., der optische
Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 wird an dem Futter- bzw.
Einspanntisch 31 der Laserstrahlbearbeitungsmaschine 3 in
einer solchen Art und Weise gehalten, dass die vordere Fläche 2a nach
oben weist und genau unterhalb eines Bildaufnahmemittels bzw. -einrichtung 32 positioniert
ist. Bildverarbeitung, z. B. ”Pattern
Matching” bzw.
Mustervergleich, zum Ausrichten eines Laserstrahlaufbringungsmittels
bzw. -einrichtung 33 mit den obigen Teilungslinien 21 wird
durch das Bildaufnahmemittel 32 und ein (nicht gezeigtes)
Steuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung ausgeführt, um
die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition zu vollbringen.
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Nachdem
die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringungsposition ausgeführt worden
ist, wie oben beschrieben, wird der Futter- bzw. Einspanntisch 31 zu einem
Laserstrahlaufbringungsbereich bewegt, wo das Laserstrahlaufbringungsmittel 33 angeordnet
ist, und in einer durch einen Pfeil X angegebenen Richtung mit einer
Geschwindigkeit von beispielsweise 100 μm/sek bearbeitungs-vorgeschoben,
während
ein Laserstrahl von dem Laserstrahlaufbringungsmittel 33 mit
seinem fokussierenden Punkt an der hinteren Fläche 2b, d. h., in
der Nachbarschaft bzw. Nähe
der Unterseite des optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2,
aufgebracht wird. Infolgedessen wird eine verschlechterte Schicht 23 mit
einer vorbestimmten Dicke (z. B. 30 μm) von der hinteren Fläche 2b her
entlang der Teilungslinie 21 gebildet und zu der hinteren
Fläche 2b des
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 exponiert
bzw. freigelegt, wie in 2(b) gezeigt.
Diese verschlechterte Schicht wird als eine geschmolzene und wiederverfestigte
bzw. -erstarrte Schicht gebildet. Wenn die verschlechterte Schicht 23 die
vorbestimmte Dicke durch eine einmalige Laserstrahlaufbringung nicht erreicht,
wird der fokussierende Punkt des Laserstrahls geändert, um mehrfache verschlechterte Schichten
zu bilden. Beispielsweise können
durch Anheben bzw. Erhöhen
des fokussierenden Punktes um 30 μm
jedes Mal und durch Aufbringen eines Laserstrahls 6-mal verschlechterte
Schichten mit einer Gesamtdicke von 180 μm gebildet werden. Die Dicke der
verschlechterten Schicht 23 muss auf einen Wert geringer
als die Fertigdicke t (Dicke von der vorderen Fläche, an welcher die optische
Vorrichtung 22 gebildet ist: z. B. 200 μm) der optischen Vorrichtungen 22 eingestellt
werden, die an dem optische Vorrichtungen aufweisenden Wafer 2 gebildet
sind, in erwünschter
Weise auf 10 bis 50% der Dicke des optische Vorrichtungen aufweisenden
Wafers 2. Der nachfolgende Infrarot-Laserstrahl kann als der Laserstrahl
verwendet werden, der in dem obigen Laserstrahlaufbringungsschritt
aufgebracht wird.
- Laser: YVO4-Puls- bzw. -Impulslaser
- Wellenlänge:
1.064 nm
- Impulsenergie: 40 μJ
- Brennfleckdurchmesser: 1 μm
- Impulsbreite: 25 ns
- Energiedichte des fokussierenden Punkts: 2,0 × 10E11
W/cm2
- Wiederhol- bzw. Folgefrequenz: 100 kHz
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Nachdem
die verschlechterte Schicht 23 entlang der Teilungslinie 21,
die an dem optische Vorrichtungen aufweisenden Wafer 2 gebildet
ist, wie oben beschrieben, in einer vorbestimmten Richtung gebildet
ist, wird der Einspanntisch 31 oder das Laserstrahlaufbringungsmittel 33 um
das Intervall bzw. Zwischenraum zwischen benachbarten Teilungslinien 21 in
einer durch einen Pfeil Y angegebenen Index- bzw. Weiterschaltungsrichtung
index- bzw. Weiterschaltungs-vorgeschoben und bearbeitungs-vorgeschoben,
während
ein Laserstrahl erneut aufgebracht wird. Nachdem der obige Bearbeitungs-Vorschub
und der obige Weiterschaltungs-Vorschub entlang sämtlicher
Teilungslinien 21 ausgeführt worden sind, die in der
vorbestimmten Richtung gebildet sind, wird der Einspanntisch 31 um
90° gedreht,
um den obigen Bearbeitungs-Vorschub und den obigen Weiterschaltungs-Vorschub
entlang Teilungslinien 21 auszuführen, die in einer Richtung
rechtwinklig zu der obigen, vorbestimmten Richtung gebildet sind,
wodurch es ermöglicht
wird, verschlechterte Schichten 23 entlang sämtlicher
Teilungslinien 21 in der hinteren Fläche 2b des optische
Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 zu bilden.
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Nachdem
der obige Laserstrahlaufbringungsschritt ausgeführt worden ist, wird der Schritt zum
Befestigen einer Schutzschicht bzw. -folie bzw. -film 4 an
der vorderen Fläche 2a des
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 mit den verschlechterten
Schichten 23 mit einer vorbestimmten Dicke von der hinteren
Fläche 2b her
ausgeführt,
wie in 3(a) und 3(b) gezeigt.
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Im
Anschluss daran wird der Schritt zum Teilen des optische Vorrichtungen
aufweisenden Wafers 2 mit der Schutzschicht 4,
die an der vorderen Fläche 2a befestigt
ist, entlang der Teilungslinien 21 ausgeführt. In
diesem Teilungsschritt wird, wie in 4(a) gezeigt,
der optische Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 an einer
Viel- bzw. Mehrzahl von säulen- bzw.
stangenförmigen
bzw. zylindrischen Trag- bzw. Stützelementen 5 platziert,
die parallel zueinander in einer solchen Art und Weise angeordnet
sind, dass die hintere Fläche 2b nach
unten weist. In diesem Augenblick ist der optische Vorrichtungen aufweisende
Wafer 2 derart angeordnet, dass die verschlechterten Schichten 23 jeweils
zwischen benachbarten bzw. angrenzenden Trag- bzw. Stützelementen 5 und 5 positioniert
sind. Die an der vorderen Fläche 2a des optische
Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 befestigte Schutzschicht 4 wird
entlang der verschlechterten Schichten 23, d. h. der Teilungslinien 21,
mittels Drück-
bzw. Presselementen 6 gedrückt bzw. gepresst. Infolgedessen
wirkt eine Biegelast bzw. -belastung auf den optische Vorrichtungen
aufweisenden Wafer 2 entlang der verschlechterten Schichten 23,
d. h. der Teilungslinien 21, um Zugspannung bzw. -beanspruchung
in der hinteren Fläche 2b zu
erzeugen, um hierdurch Risse bzw. Spalten 24 in dem optische
Vorrichtungen aufweisenden Wafer 2 entlang verschlechterten
Schichten 23, d. h. der Teilungslinien 21, zu
bilden, die in einer vorbestimmten Richtung gebildet sind, um den
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafer 2 zu teilen,
wie in 4(b) gezeigt. Nachdem der optische
Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 entlang der verschlechterten
Schichten 23, d. h. der Teilungslinien 21, die
in der vorbestimmten Richtung gebildet sind, geteilt ist, wird der
optische Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 um 90° gedreht, um
die obige Teilungsarbeit entlang verschlechterter Schichten 23,
d. h. Teilungslinien 21, auszuführen, die in einer Richtung
rechtwinklig zu der obigen, vorbestimmten Richtung gebildet sind,
wodurch der optische Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 in
einzelne optische Vorrichtungen 22 geteilt werden kann.
Da bei den einzelnen optischen Vorrichtungen 22 die Schutzschicht 4 an
der vorderen Fläche 2a befestigt ist,
fallen sie nicht auseinander und die Gestalt bzw. Form des optische
Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 wird beibehalten.
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Nachdem
der Teilungsschritt ausgeführt
worden ist, wie oben beschrieben, wird der Schritt zum Schleifen
bzw. Polieren der hinteren Fläche 2b des optische
Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 in einem Zustand der
an der vorderen Fläche 2a des
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 befestigten
Schutzschicht 4 ausgeführt,
um die verschlechterten Schichten 23 zu entfernen bzw.
beseitigen. Dieser Schleif- bzw. Polierschritt wird durch eine Schleif-
bzw. Poliermaschine bzw. -vorrichtung 7 ausgeführt, die
einen Futter- bzw. Einspanntisch 71 und ein Schleif- bzw.
Poliermittel bzw. -einrichtung 72 mit einem Schleif- bzw.
Polierstein 721 aufweist, wie in 5(a) gezeigt.
D. h., der optische Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 wird
an dem Einspanntisch 71 in einer solchen Art und Weise
gehalten, dass die hintere Fläche 2b nach
oben weist, und der Schleifstein 721 des Schleifmittels 72 wird
mit 6.000 U.p.M. in Rotation versetzt bzw. gedreht und in Berührung mit
der hinteren Fläche 2b des
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 gebracht,
während
der Einspanntisch 71 mit 300 U.p.M. gedreht wird, um sie
zu schleifen. Der optische Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 wird
in einzelne optische Vorrichtungen 22 geteilt und zu einer
vorbestimmten Fertigdicke t (z. B. 200 μm) geschliffen, um die verschlechterten
Schichten 23 zu beseitigen, wie in 5(b) gezeigt.
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Da
die einzelnen optischen Vorrichtungen 22, von welchen die
verschlechterten Schichten 23 beseitigt worden sind, keine
um sie herum verbleibenden, verschlechterten Schichten aufweisen,
vermindert sich die Helligkeit der optischen Vorrichtungen 22 nicht.
Bei der obigen Ausführungsform
werden, da der Laserstrahl, der dazu befähigt ist, durch den Wafer hindurchzugehen,
auf die vordere Fläche 2a des
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 mit seinem
fokussierenden Punkt in der Nachbarschaft bzw. Nähe der hinteren Fläche 2b aufgebracht wird,
Bruchstücke
bzw. Überbleibsel
nicht erzeugt.
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Das
Bearbeitungsverfahren zum Teilen des optische Vorrichtungen aufweisenden
Wafers 2 in einzelne optische Vorrichtungen 22 entsprechend
einer zweiten Ausführungsform
wird im nachfolgenden beschrieben.
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Bei
der zweiten Ausführungsform
wird die Reihenfolge des obigen Laserstrahlaufbringungsschritts
und des obigen Schutzschichtbefestigungsschritts bei der ersten
Ausführungsform
umgekehrt. D. h., bei der zweiten Ausführungsform wird der Schritt
des Befestigens der Schutzschicht 4 an der vorderen Fläche 2a des
optische Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 zuerst ausgeführt. Sodann
wird der optische Vorrichtungen aufweisende Wafer 2 mit der
an der vorderen Fläche 2a befestigten
Schutzschicht 4 an dem Einspanntisch 31 der in 2(a) gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine 3 in
einer solchen Art und Weise gehalten, dass die hintere Fläche 2b nach
oben weist, um den obigen Laserstrahlaufbringungsschritt auszuführen. Da
die Schutzschicht 4 an der vorderen Fläche 2a des optische
Vorrichtungen aufweisenden Wafers 2 zu dem Zeitpunkt des
Ausrichtens der Laserstrahlaufbringungsposition in dem Laserstrahlaufbringungsschritt befestigt
wird bzw. ist, wird das Bildaufnahmemittel 32, das durch
ein Infrarotbeleuchtungsmittel, ein optisches System zum Einfangen
von Infrarotstrahlung und eine Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben
eines der Infrarotstrahlung entsprechenden, elektrischen Signals
gebildet ist, dazu verwendet, um ein Bild jeder Teilungslinie 21 aufzunehmen.
Nachdem der Schutzschichtbefestigungsschritt und der Laserstrahlaufbringungsschritt
ausgeführt worden
sind, werden der Teilungsschritt und der Schleifschritt bei der
ersten Ausführungsform
gleichfalls bei der zweiten Ausführungsform
ausgeführt.
