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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zerteilen eines
Wafers, mit Vorrichtungen bzw. Bauteilen in Bereichen, unterteilt
durch gitterähnliche "Streets" bzw. "Straßen" an der Vorderfläche, und
einer Metallschicht, gebildet auf der Rückfläche entlang den Streets.
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Bei
dem Herstellungsverfahren eines Halbleiterbauelements wird eine
Mehrzahl von Bereichen durch Teilungslinien unterteilt, die "Streets" genannt werden,
welche in Gittermustern auf der Vorderfläche eines im Wesentlichen scheibenartigen
Halbleiterwafers angeordnet sind, und ein Bauelement, wie ein IC
oder LSI, wird auf jedem der unterteilten Bereiche gebildet. Es
wird ein Halbleiterwafer mit einer Metallschicht (Dicke 1 bis 10 μm) aus Blei
oder Gold auf der Rückfläche eines
Wafers zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften der Bauelemente
implementiert. Einzelne Halbleiterchips werden durch Schneiden dieses
Halbleiterwafers entlang den Streets zum Zerteilen desselben in
die Bereiche jeweils mit einem darin gebildeten Bauelement hergestellt.
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Der
Halbleiterwafer wird im Allgemeinen entlang den Streets unter Verwendung
einer Schneidvorrichtung bzw. eines Substratzerteilers, genannt "Dicer", zerteilt. Diese
Schneidvorrichtung umfasst einen Spanntisch zum Halten eines Halbleiterwafers
als Werkstück,
eine Schneidvorrichtung zum Schneiden des auf dem Spanntisch gehaltenen
Halbleiterwafers, und eine Antriebsvorrichtung zum Bewegen des Spanntisches
und der Schneidvorrichtung relativ zueinander, wie von
JP-A 2002-359212 offenbart. Die Schneidvorrichtung
umfasst eine Drehwelle, die sich bei hoher Geschwindigkeit dreht,
und ein Schneidblatt, das an der Welle befestigt ist. Das Schneidblatt
umfasst eine scheibenähnliche
Grundlage bzw. Basis und eine ringförmige Schneidkante, die auf
dem Seitenwand-peripheren Abschnitt der Grundlage befestigt ist
und durch Fixieren von Diamantschleifkörnern mit einem Durchmesser
von etwa 3 μm
auf der Grundlage durch Elektroformung bzw. Galvanoplastik gebildet
wird.
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Als
Maßnahme
zum Zerteilen eines plattenähnlichen
Werkstücks,
wie ein Halbleiterwafer, offenbart nun
JP-A-10-305420 ein Verfahren,
umfassend das Anwenden eines Impuls-Laserstrahls entlang der gebildeten
Streets auf einem Werkstück
zur Bildung von Laser-bearbeiteten Nuten und das Zerteilen des Werkstücks entlang
der Laser-bearbeiteten Nuten durch eine mechanische Brechvorrichtung.
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Wenn
ein Halbleiterwafer mit einer Metallschicht aus Blei oder Gold,
gebildet auf der Rückfläche, mit dem
Schneidblatt einer Schneidvorrichtung geschnitten wird, wird die
Standzeit des Schneidblatts durch Verstopfen bzw. Zusetzen des Schneidblatts
verkürzt
und die oberen und unteren Teile des Schneidabschnitts werden aufgrund
des erhöhten
Schneidwiderstands abplatzen, wodurch sich die Qualität von jedem
Bauelement vermindert.
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Wenn
eine Laser-bearbeitete Nut durch Anwenden eines Impuls-Laserstrahls
entlang den Streets des Halbleiterwafers durch Verwendung einer
Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung gebildet wird, gibt es derzeit
ein Problem, dass Debris, d.h. Späne bzw. Trümmer bei der Anwendung des
Laserstrahls auf den Halbleiterwafer gebildet werden und an der
Oberfläche
eines Bauelements haften, unter Verminderung der Qualität des Bauelements.
Zur Bildung einer Laser-bearbeiteten Nut entlang den Streets des
Halbleiterwafers ist daher vorher ein Schutzfilm auf der Vorderfläche des
Halbleiterwafers ausgebildet worden und ein Laserstrahl wird auf
den Halbleiterwafer durch diesen Schutzfilm angewendet. Im Ergebnis
muss der Schritt der Bildung des Schutzfilms auf der Vorderfläche des
Halbleiterwafers zugefügt
werden, wodurch sich die Produktivität vermindert.
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Zerteilen
eines Wafers entlang von Streets, ohne Erzeugen von Abplatzen der
Schneidfläche
oder Debris bzw. Späne
oder Trümmer,
die an der Oberfläche
des Bauelements haften, bereitzustellen.
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Um
die vorstehend genannte Aufgabe zu lösen, wird erfindungsgemäß ein Verfahren
zum Zerteilen eines Wafers entlang den Streets bereitgestellt, wobei
der Wafer Bauelemente in Bereichen, unterteilt durch Gittermuster-ähnliche
Streets, auf der Vorderfläche
und eine auf der Rückfläche gebildete
Metallschicht aufweist, umfassend die Schritte:
einen Schneidnutbildungsschritt
zum Schneiden des Wafers mit einem Schneidblatt von der Vorderflächenseite
entlang den Streets, zur Bildung einer Schneidnut, unter Hinterlassen
eines verbleibenden Abschnitts mit einer vorbestimmten Dicke von
der Rückfläche; und
einen
Schneidschritt zum Anwenden eines Laserstrahls entlang der Schneidnut,
gebildet durch den vorstehend genannten Schneidnutbildungsschritt,
zum Schneiden des verbleibenden Abschnitts und der Metallschicht.
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In
dem vorstehend genannten Schneidenutbildungsschritt wird die Dicke
des verbleibenden Abschnitts, der auf der Rückflächenseite des Wafers verbleibt,
vorzugsweise auf 50 bis 100 μm
eingestellt.
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Die
Breite der Schneidnut, gebildet in dem vorstehend genannten Schneidenutherstellungsschritt,
wird größer als
der Punkt- bzw. Spotdurchmesser des Laserstrahls, der in dem vorstehend
genannten Schneidschritt angewendet wird, eingestellt.
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Da
gemäß dem Waferteilungsverfahren
der vorliegenden Erfindung die Schneidnut durch Schneiden mit dem
Schneidblatt von der Vorderseite entlang den Streets in dem Schneidnutbildungsschritt
gebildet wird, wobei der übrige
Abschnitt mit einer vorbestimmten Dicke von der Rückfläche zurückbleibt,
wird die Metallschicht mit dem Schneidblatt nicht geschnitten. Daher
findet Verstopfen des Schneidblatts nicht statt. Folglich kann eine
Verminderung der Standzeit des Schneidblattes, hervorgerufen durch
Verstopfen, unterdrückt
werden, und der Schneidwiderstand nimmt nicht zu, wodurch es möglich wird
zu verhindern, dass obere und untere Teile des Schneidabschnitts
abplatzen. Da ein Laserstrahl entlang der Schneidnut angewendet
wird, um den übrigen
Teil und die Metallschicht in dem Schneideschritt zu schneiden,
wird durch die Anwendung eines Laserstrahls Debris bzw. Splitter
oder Trümmer
erzeugt, aber die Debris streut in die Nut und haftet nicht an der
Oberfläche
des Bauelements. Folglich muss das Schutzband nicht auf der Vorderfläche des
Wafers gebildet werden.
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1 ist
eine pespektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein Wafer,
der durch das Waferteilungsverfahren der vorliegenden Erfindung
zu zerteilen ist.
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2 ist
eine vergrößerte Querschnittsansicht
des in 1 dargestellten Halbleiterwafers.
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3(a) und 3(b) sind
erläuternde
Schemata des Waferstützschritts
zum Bringen des Halbleiterwafers, dargestellt in 1,
auf die Vorderfläche
eines auf einem ringförmigen
Rahmen montierten Dicingbandes bzw. einer Sägefolie.
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4 ist
eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts einer Schneidmaschine
zur Ausführung des
die Schneidnut bildenden Schritts in dem erfindungsgemäßen Waferzerteilungsverfahren.
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5 ist
ein erläuterndes
Schema des die Schneidnut bildenden Schritts in dem erfindungsgemäßen Waferzerteilungsverfahren.
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6 ist
eine vergrößerte Querschnittsansicht
des Halbleiterwafers, der dem Schneidnutbildungsschritt, dargestellt
in 5, unterzogen wurde.
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7 ist
eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts einer Laserstrahlverarbeitungsvorrichtung zur
Ausführung
des Schneidschritts in dem erfindungsgemäßen Waferzerteilungsverfahren.
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8 ist
ein erläuterndes
Schema des Schneidschritts in dem erfindungsgemäßen Waferzerteilungsverfahren.
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9 ist
eine vergrößerte Querschnittsansicht
des Halbleiterwafers, der dem Schneidschritt, dargestellt in 8,
unterzogen wurde.
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Eine
bevorzugte erfindungsgemäße Ausführungsform
wird nachstehend genauer mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben.
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein Wafer.
Der Halbleiterwafer 2, dargestellt in 1,
ist beispielsweise ein Siliziumwafer mit einer Dicke von 400 μm, und einer
Mehrheit von Streets 21, gebildet in Gittermustern auf
der Vorderfläche 2a.
Eine Vorrichtung 22, wie IC oder LSI, wird somit in einer
Mehrheit von Flächen,
unterteilt durch die Mehrheit von Streets 21, angeordnet
in einem Gittermuster auf der Vorderfläche 2a des Halbleiterwafers 2,
gebildet. Eine Metallschicht 23 aus Blei oder Gold wird
durch Metallabscheidung auf der Rückfläche 2b des so gebildeten
Halbleiterwafers 2 hergestellt. Die Dicke der Metallschicht 23 wird
in der veranschaulichten Ausführungsform
auf 5 μm
eingestellt.
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Wie
in 3(a) und 3(b) gezeigt,
wird die Metallschichtseite 23, laminiert auf der Rückfläche 2b des Halbleiterwafers 2,
zuerst auf die Vorderfläche 40a eines
Dicingbandes 40 gegeben, dessen äußerer peripherer Abschnitt
auf einem ringförmigen
Rahmen 4 befestigt ist, um dessen Innenöffnung (Waferstützschritt)
zu bedecken. Bei dem vorstehend genannten Dicingband 40 ist
eine auf Acrylharz basierende Klebeschicht auf die Fläche eines
Blattmaterials bzw. Folienmaterials mit einer Dicke von 80 μm, und aus
Polyvinylchlorid (PVC) in einer Dicke von etwa 5 μm in der
veranschaulichten Ausführungsform
hergestellt, beschichtet.
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Dem
vorstehend genannten Waferstützschritt
folgt der Schritt der Bildung einer Schneidnut durch Schneiden des
Wafers 2, der auf das Dicingband 40 gelegt wurde,
mit einem Schneidblatt entlang den Streets 21, unter Hinterlassen
eines zurückblei benden
Abschnitts mit einer vorbestimmten Dicke von der Rückfläche 2b.
Dieser die Schneidnut bildende Schritt wird durch Verwendung einer
Schneidvorrichtung 5, dargestellt in 4,
ausgeführt.
Die Schneidvorrichtung 5, dargestellt in 4,
umfasst einen Spanntisch 51 zum Halten eines Werkstücks, eine
Schneidvorrichtung 52 mit einem Schneidblatt bzw. einer
Schneidklinge 521 zum Schneiden des auf dem Spanntisch 51 gehaltenen
Werkstücks,
und eine Bildaufnahmevorrichtung 53 zum Aufnehmen eines
Bildes von dem Werkstück,
das auf dem Spanntisch 51 gehalten wird. Der Spanntisch 51 ist aufgebaut,
um das Werkstück
durch Saugen zu halten und in einer Verarbeitungsvorschubrichtung,
angezeigt durch Pfeil X, und einer Intervallvorschubrichtung, angezeigt
durch Pfeil Y in 4, durch einen Bewegungsmechanismus,
der nicht dargestellt ist, zu bewegen. Das Schneidblatt 521 umfasst
eine scheibenartige Grundlage und eine ringförmige Schneidkante, befestigt
an der Seitenwand des peripheren Abschnitts der Grundlage und gebildet
durch Fixieren von Diamantschleifkörnern mit einem Durchmesser
von etwa 3 μm
durch Elektroformung bzw. Galvanoplastik. Die vorstehend genannte
Bildaufnahmevorrichtung 53 besteht aus einer üblichen
Bildaufnahmevorrichtung (CCD), usw. zur Aufnahme eines Bildes mit
sichtbarer Strahlung in der veranschaulichten Ausführungsform
und liefert ein Bildsignal an eine Kontrollvorrichtung, die nicht
dargestellt ist.
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Zur
Ausführung
des Schneidnutbildungsschritts durch Verwendung der Schneidvorrichtung 5,
aufgebaut wie vorstehend beschrieben, wird das Dicingband 40,
an dem der Wafer 2 befestigt ist, in dem vorstehend genannten
Waferstützungsschritt
auf dem Spanntisch 51 angeordnet. Durch Aktivieren einer
Saugvorrichtung (nicht dargestellt) wird Wafer 2 auf dem
Spanntisch 51 durch das Dicingband 40 gehalten.
Obwohl der ringförmige
Rahmen 4, an dem das Dicingband 40 befestigt ist,
in 4 nicht dargestellt ist, wird der ringförmige Rahmen 4 durch
eine geeignete Rahmenhaltevorrichtung, bereitgestellt auf dem Spanntisch 51,
gehalten. Der Spanntisch 51, der den Halbleiterwafer 2,
wie vorstehend beschrieben, durch Saugen hält, wird auf eine Position
rechts unterhalb der Bildaufnahmevorrichtung 53 durch einen
Schneidvorschubmechanismus gebracht.
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Nachdem
der Spanntisch 51 rechts unterhalb der Bildaufnahmevorrichtung 53 posi tioniert
ist, wird ein Ausrichtungsschritt zur Detektion des Bereichs des
zu schneidenden Halbleiterwafers 2 durch die Bildaufnahmevorrichtung 53 und
die Steuervorrichtung, die nicht dargestellt ist, ausgeführt. Das
heißt,
die Bildaufnahmevorrichtung 53 und die Steuervorrichtung
(nicht dargestellt) führen
Bildverarbeitung, wie Musterübereinstimmung,
usw., aus, um eine Street 21, gebildet in einer vorbestimmten
Richtung des Halbleiterwafers 2 mit dem Schneideblatt 521 auszurichten,
wodurch die Ausrichtung des zu schneidenden Bereichs (Ausrichtungsschritt) erfolgt.
Die Ausrichtung des zu schneidenden Bereichs wird auch an Streets 21,
gebildet auf Halbleiterwafer 2, in einer Richtung senkrecht
zu der vorstehend vorbestimmten Richtung, ausgeführt.
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Nach
der Ausrichtung des zu schneidenden Bereichs durch Detektion der
Street 21, die auf dem Halbleiterwafer 2 gebildet
ist, welcher auf dem Spanntisch 51, wie vorstehend beschrieben,
gehalten wird, wird der Spanntisch 51, der den Halbleiterwafer 2 hält, zu der
Schneidstartposition des zu schneidenden Bereichs bewegt. An diesem
Punkt wird Halbleiterwafer 2 so positioniert, dass ein
Ende (linkes Ende in 5) der zu schneidenden Street 21 sich
an der rechten Seite einer vorbestimmten Strecke von einer Position,
rechts unterhalb des Schneidblattes 521, wie in 5 dargestellt,
befindet. Das Schneidblatt 221 wird dann um eine vorbestimmte
Strecke, wie durch die Volllinie in 5 dargestellt,
von einer Stand-by-Position, dargestellt durch die Zweipunkt-Kettenlinie,
durch einen Einschneidevorschubmechanismus herabbewegt (cutting-in
fed, Einschneiden und Vorschub), während es bei einer vorbestimmten
Umdrehung in eine durch einen Pfeil 521a in 5 dargestellte
Richtung rotiert. Diese Einschneide-Vorschubposition wird beispielsweise
zu einer Position 135 μm
oberhalb einer Standardposition, wo das äußere Peripherieende des Schneidblatts 521 mit
der Vorderfläche
des Spanntisches 51 in der veranschaulichten Ausführungsform
in Kontakt kommt, eingestellt. Da die Dicke des Dicingbandes 40 auf
80 μm in
der veranschaulichten Ausführungsform
eingestellt ist, durchläuft
das äußere Peripherieende
des Schneidblattes 521 eine Position 55 μm oberhalb
der Vorderfläche
des Dicingbandes 40.
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Wenn
daher die 5 μm
dicke Metallschicht 23 auf der Rückfläche 2b des Halbleiter wafers 2 ausgebildet wird,
durchläuft
das äußere Peripherieende
des Schneidblattes 521 eine Position 50 μm oberhalb
der Rückfläche 2b des
Halbleiterwafers 2.
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Nachdem
das Schneidblatt 521 herabbewegt ist (Einschneide-Vorschub),
wie vorstehend beschrieben, wird der Spanntisch 51 bei
einer vorbestimmten Schneidvorschubrate in eine Richtung bewegt,
die durch einen Pfeil X1 in 5 angegeben
wird, während
das Schneidblatt 521 bei der vorbestimmten Umdrehung in der
Richtung, die durch den Pfeil 521a in 5 angegeben
wird, rotiert. Nachdem das rechte Ende des Halbleiterwafers 2,
auf dem Spanntisch 51 gehalten, eine Position rechts unterhalb
des Schneidblattes 521 passiert, wird die Bewegung des
Spanntisches 51 gestoppt.
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Der
vorstehend genannte Nutbildungsschritt wird unter den nachstehenden
Verarbeitungsbedingungen ausgeführt,
beispielsweise:
| Schneidblatt: | äußerer Durchmesser
von 52 mm, |
| | Dicke
von 70 μm |
| Umdrehung
des Schneidblatts: | 40
000 U/min |
| Schneidvorschubrate: | 50
mm/s |
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Der
vorstehend genannte Nutbildungsschritt wird an allen auf dem Halbleiterwafer 2 gebildeten
Streets 21 ausgeführt.
Im Ergebnis wird Schneidnut 210, entlang den Streets 21,
in dem Halbleiterwafer 2, wie in 6 dargestellt,
gebildet. Diese Schneidnut 210 mit einer Breite von 70 μm und einer
Tiefe von 350 μm
wird unter den vorstehend genannten Verarbeitungsbedingungen gebildet.
Daher wird ein zurückbleibender
Abschnitt 211 mit einer Dicke (t) von 50 μm von dem
Boden der Schneidnut 210, gebildet entlang den Streets 21 zu
der Rückfläche 2b,
zurückgelassen.
Die Breite der Schneidnut 210 wird größer eingestellt als der Fleckdurchmesser
eines in dem Schneidschritt, der später beschrieben wird, angewendeten
Laserstrahls. Die Dicke (t) von dem zurückbleibenden Abschnitt 211,
gebildet entlang den Streets 21 von dem Halbleiterwafer 2,
ist vorzugsweise 50 bis 100 μm.
Das heißt,
wenn die Dicke (t) des zurückbleibenden
Abschnitts 211 kleiner als 50 μm ist, kann der Halbleiterwafer 2 während des
Transports zerbrechen, und wenn die Dicke (t) des zurückbleibenden Abschnitts 211 größer als
100 μm ist,
wird die Belastung im Schneidschritt, wie später beschrieben, hoch.
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Da
die Schneidnut 210 ohne Erreichen der Metallschicht 23,
die auf der Rückfläche 2b des
Halbleiterwafers 2 gebildet ist, in dem vorstehend genannten
Schneidnutbildungsschritt gebildet wird, findet Verstopfen des Schneidblatts 521 nicht
statt. Daher kann eine Verminderung der Standzeit bzw. Wartungszeit
des Schneidblatts 521, hervorgerufen durch Verstopfen,
zurückgedrängt werden
und der Schneidwiderstand erhöht
sich nicht, wodurch es möglich
wird, zu verhindern, dass die oberen und unteren Teile des Schneidabschnitts
abplatzen.
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Nach
dem vorstehend genannten Schneidnutbildungsschritt kommt nun der
Schritt des Schneidens des vorstehend genannten verbliebenen Abschnitts 211 und
der Metallschicht 23 durch Anwenden eines Laserstrahls
entlang den Schneidnuten 210. Dieser Schneidschritt wird
durch Verwendung einer Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 6,
dargestellt in 7, ausgeführt. Die Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 6,
dargestellt in 7, umfasst einen Spanntisch 61 zum
Halten eines Werkstücks,
eine Laserstrahlanwendungsvorrichtung 62 zum Anwenden eines
Laserstrahls auf das Werkstück,
das auf dem Spanntisch 61 gehalten wird, und eine Bildaufnahmevorrichtung 63 zum
Aufnehmen eines Bildes eines Werkstücks, das in dem Spanntisch 61 gehalten
wird. Der Spanntisch 61 ist aufgebaut zum Halten des Werkstücks durch
Saugen und zum Bewegen in einer Verarbeitungsvorschubrichtung, angezeigt
durch den Pfeil X, und einer Intervall Vorschubrichtung, angezeigt
durch Pfeil Y in 7, durch einen Bewegungsmechanismus,
der nicht dargestellt ist.
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Die
vorstehend genannte Laserstrahlanwendungsvorrichtung 62 umfasst
ein im Wesentlichen horizontal angeordnetes zylindrisches Gehäuse 621.
In dem Gehäuse 621 ist
eine Impuls-Laserstrahl-Oszillationsvorrichtung (nicht dargestellt)
installiert, die einen Impulslaserstrahloszillator, bestehend aus
einem YAG Laseroszillator oder YVO4 Laseroszillator und einer Folgefrequenzeinstellvorrichtung
umfasst. Ein Kondensor bzw. Sammellinse 622 zum Bündeln eines
Impulslaserstrahls, der aus der Impulslaserstrahloszillationsvorrichtung oszilliert
bzw. schwingt, wird am Ende des vorstehend genannten Gehäuses 621 befestigt.
Die Bildaufnahmevorrichtung 63, befestigt an dem Endabschnitt
des Gehäuses 621,
das die Laserstrahlanwendungsvorrichtung 62 ausmacht, besteht
aus einer üblichen
Bildaufnahmevorrichtung (CCD), usw. zum Aufnehmen eines Bildes mit
sichtbarer Strahlung in der veranschaulichten Ausführungsform
und liefert ein Bildsignal an eine Kontrollvorrichtung, die nicht
dargestellt ist.
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Zur
Ausführung
des Schneidschritts zum Schneiden des vorstehend genannten verbliebenen
Abschnitts 211 und der Metallschicht 23 durch
Anwenden eines Laserstrahls entlang den Schneidnuten 210 für den Halbleiterwafer 2,
der dem vorstehend genannten Schneidnutbildungsschritt unterzogen
wurde, mit der vorstehenden Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung 6,
wird das Dicingband 40, an das die Seite der Metallschicht 23,
gebildet auf der Rückfläche 2b des
Halbleiterwafers 2, befestigt ist, auf dem Spanntisch 61 angeordnet.
Durch Aktivieren einer Saugvorrichtung (nicht dargestellt) wird
Halbleiterwafer 2 auf dem Spanntisch 61 durch
ein Dicingband 40 gehalten. Obwohl der ringförmige Rahmen 4,
an dem das Dicingband 40 befestigt ist, in 7 nicht
dargestellt ist, wird der ringförmige
Rahmen 4 durch eine geeignete Rahmenhaltevorrichtung, bereitgestellt
auf dem Spanntisch 61, gehalten. Der Spanntisch 61,
der den Halbleiterwafer 2 durch Saugen hält, wird
durch einen nicht dargestellten Bewegungsmechanismus auf eine Position
rechts unterhalb der Bildaufnahmevorrichtung 63 gebracht.
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Nachdem
der Spanntisch 61 rechts unterhalb der Bildaufnahmevorrichtung 63 positioniert
ist, wird Ausrichtungsarbeit zum Detektieren des auf dem Halbleiterwafer 2 zu
bearbeitenden Bereichs durch die Bildaufnahmevorrichtung 63 und
die Steuervorrichtung, die nicht dargestellt ist, ausgeführt. Das
heißt,
die Bildaufnahmevorrichtung 63 und die Steuervorrichtung
(nicht dargestellt) führen
Bildverarbeitung, wie Musterübereinstimmung,
usw., aus, um eine Street 21 (worin die Schneidnut 210 ausgebildet
wird) gebildet in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 2 mit
dem Kondensor 622 der Laserstrahlanwendungsvorrichtung 62, zum
Anwenden eines Laserstrahls entlang der Street 21 auszurichten,
wodurch die Ausrichtung einer La serstrahlanwendungsposition (Ausrichtungsschritt)
erfolgt. Die Ausrichtung der Laserstrahlanwendungsposition wird
auch auf Streets 21 (worin die Schneidnut 210 gebildet
ist), gebildet auf dem Halbleiterwafer 2, in einer Richtung,
senkrecht zu der vorstehend genannten, vorbestimmten Richtung, ausgeführt.
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Nachdem
die Ausrichtung der Laserstrahlanwendungsposition durch Detektieren
der Street 21 (worin die Schneidnut 210 gebildet
ist), gebildet auf dem Halbleiterwafer 2, gehalten auf
dem Spanntisch 61, wie vorstehend beschrieben, ausgeführt ist,
wird der Spanntisch 61 zu einem Laserstrahlanwendungsbereich
bewegt, wo der Kondensor 622 der Laserstrahlanwendungsvorrichtung 62 so
angeordnet ist, dass ein Ende (linkes Ende in 8)
der Schneidnut 210, gebildet in der vorbestimmten Street 21,
zu einer Position rechts unterhalb des Kondensors 622 der
Laserstrahlanwendungsvorrichtung 62, wie in 8 gezeigt,
gebracht wird. Der Spanntisch 61 wird dann in die Richtung,
angezeigt durch Pfeil X1 in 8, bei einer
vorbestimmten Verarbeitungsvorschubrate bewegt, während ein
Impulslaserstrahl mit einer Wellenlänge, die Absorptionsvermögen für Siliziumwafer
aufweist, aus dem Kondensor 622 angewendet wird. Wenn die
Anwendungsposition des Kondensors 622 der Laserstrahlanwendungsvorrichtung 62 das
andere Ende (rechtes Ende in 8) von der Schneidnut 210,
gebildet in der Street 21, erreicht, wird die Anwendung
des Impulslaserstrahls aufgehoben und die Bewegung des Spanntisches 61 wird
gestoppt. An diesem Punkt wird der Brennpunkt P von dem Impulslaserstrahl,
angewendet von dem Kondensor 622, auf eine Position nahe
der Bodenfläche
der Schneidnut 210 eingestellt.
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Der
vorstehend genannte Schneidschritt wird unter den nachstehenden
Verarbeitungsbedingungen ausgeführt,
beispielsweise:
| Lichtquelle
von Laserstrahl: | YVO4 Laser oder YAG Laser |
| Wellenlänge: | 355
nm |
| Folgefrequenz: | 10
kHz |
| Mittlere
Ausgangsleistung: | 1,5
W |
| Brennpunktdurchmesser: | 10 μm |
| Bearbeitungsvorschubrate: | 150
mm/s |
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Durch
dreimaliges Wiederholen des vorstehend genannten Schneidschritts
unter den vorstehend genannten Bearbeitungsbedingungen wird eine
Schneidnut 220 in dem vorstehend genannten übrigen Teil 21 und
der Metallschicht 23 gebildet, um sie, wie in 9 dargestellt,
zu schneiden. Obwohl Debris bzw. Splitter durch Bestrahlung mit
einem Impulslaserstrahl bei diesem Schneidschritt erzeugt werden,
streut die Debris in die Schneidnut 210 und haftet nicht
an der Oberfläche
des Bauelements 22. Folglich ist es nicht erforderlich, einen
Schutzfilm auf der Vorderfläche
des Halbleiterwafers 2 auszubilden. Durch Ausführen des
vorstehend genannten Schneidschritts auf allen Streets 21,
gebildet auf dem Halbleiterwafer 2, wird der Halbleiterwafer 2 in
einzelne Halbleiterchips (Bauelemente) zerteilt.