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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, welcher individuelle Halbleitervorrichtungen, wie Licht emittierende Dioden oder Transistoren aufweist, die in einer Vielzahl von Bereichen ausgebildet sind, die durch Unterteilungslinien (Straßen) unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche davon angeordnet sind.
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Beschreibung des Standes der Technik
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Die
US 4325182 A offenbart ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der Vorrichtungen in einer Mehrzahl von Bereichen aufweist, die durch Straßen unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der Vorderfläche angeordnet sind, um einen Metallfilm auf der Rückfläche davon auszubilden. Bei dem Verfahren wird ein Laserstrahl-Aufbringschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls durchgeführt, der fähig ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, entlang der Straßen, die auf dem Wafer ausgebildet sind, um eine verschlechterte Schicht auszubilden, vor einem einen Metallfilm ausbildenden Schritt zum Ausbilden eines Metallfilms auf der Rückseite des Wafers.
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Die
WO 02/22301 A1 und deren nachveröffentlichtes Familienmitglied
EP 1 338 371 A1 behandeln das Zerteilen von Werkstücken mit Lasern, die bei einer Wellenlänge betrieben werden, für die das Material des Werkstücks durchlässig ist, um verschlechterte Schichten zum Zerteilen herzustellen. Der Laser kann dabei beidseitig eingestrahlt werden.
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Die nachveröffentlichte
EP 1 548 801 A1 behandelt die Rückseiten-Metallisierung von auf unter 100 μm Dicke gedünnten Wafern.
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Die ebenfalls nachveröffentlichte
DE 102 56 247 A1 zeigt ein Dünnen von der Rückseite und ein Trennen mittels Laser und eine Rückseiten-Metallisierung. Die Ausrichtung erfolgt mit IR-Strahlung.
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Die
US 3970819 A zeigt ein Zerteilen mit Frequenz verdreifachtem YAG-Laser, um oxidierte Bereiche zum Zerteilen zu erzeugen. Die Einstrahlung erfolgt von der Rückseite.
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Die rückwärtige Oberfläche eines Wafers, welcher individuelle Halbleitervorrichtung, wie Licht emittierende Dioden oder Transistoren aufweist, die in einer Vielzahl von Bereichen ausgebildet sind, die durch Unterteilungslinien (Straßen) unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche davon angeordnet sind, wird geschliffen, um eine vorbestimmte Dicke aufzuweisen, und dann mit einem Gold-, Aluminium- oder Titan-Metall-Film bzw. einer -Folie überdeckt, die eine Dicke von etwa 1 μm aufweist. Der Wafer, der den Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche ausgebildet aufweist, wird entlang der Straßen geschnitten, um in individuelle Vorrichtungen unterteilt zu werden. Die so erhaltenen Vorrichtungen werden weit verbreitet in elektrischer Ausrüstung bzw. Einrichtung, wie Mobiltelefonen und Personal Computern verwendet. Es ist gewünscht, diese Vorrichtungen so dünn wie möglich (beispielsweise 100 μm oder weniger) zu machen, um Gewicht einzusparen und die elektrische Einrichtung, die diese Vorrichtungen inkorporiert bzw. aufnimmt, in der Größe zu verkleinern.
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Um die Metallfolie auf der rückwärtigen Oberfläche des obigen Wafers auszubilden, wird eine PVD-(physikalische Dampfabscheidungs-)Vorrichtung oder CVD-(chemische Dampfabscheidungs-)Vorrichtung verwendet. Da die Innentemperaturen einer Sputterkammer auf eine hohe Temperatur durch die obige, einen Metallfilm bildende Vorrichtung erhöht wird, wenn der Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche ausgebildet wird, verschlechtert sich, wenn die Dicke des Wafers so dünn wie etwa 100 μm ist, seine Steifigkeit und ein Verwinden tritt auf, wodurch es schwierig gemacht wird, eine Metallfolie auszubilden. Daher kann die Metallfolie nicht gleichmäßig ausgebildet werden.
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Um das obige Problem zu lösen, schlägt
JP 2004-79889 A ein Verfahren zum Herstellen eines Wafers vor, indem die vordere Oberfläche des Wafers mit einem Schutzglied, das eine hohe Steifigkeit besitzt, wie einem Glassubstrat als eine einstückige Struktur verbunden wird, die rückwärtige Oberfläche des so mit dem Schutzglied verbundenen Wafers auf eine vorbestimmte Dicke geschliffen wird und eine Metallfolie auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers durch eine eine Metallfolie ausbildende Vorrichtung ausgebildet wird.
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Wenn die Dicke des Wafers auf etwa 100 μm reduziert wird, wird darüber hinaus der Wafer durch Hitze in der Sputterkammer zum Zeitpunkt eines Ausbildens einer Metallfolie auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers durch die einen Metallfilm ausbildende Vorrichtung gebrochen bzw. springt, wodurch die Qualität der Vorrichtungen verschlechtert wird.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es ist ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren zur Verfügung zu stellen, das fähig ist, eine Metallfolie bzw. einen Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche eines Wafers ohne Verschlechterung der Qualität der Vorrichtungen auszubilden.
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Um die obigen Ziele zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers zur Verfügung gestellt, der Vorrichtungen in einer Mehrzahl von Bereichen aufweist, die durch Straßen unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche angeordnet sind, umfassend
einen Schritt zum Schleifen der rückwärtigen Oberfläche, um die rückwärtige Oberfläche des Wafers auf eine vorbestimmte Dicke in einem Zustand zu schleifen, wo ein Schutzglied mit der vorderen Oberfläche des Wafers verbunden ist;
einen Laserstrahl-Aufbringschritt zum Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls, der fähig ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, entlang der Straßen, die auf dem Wafer ausgebildet sind, um eine verschlechterte Schicht auszubilden; und
einen Metallfilm-Ausbildungsschritt, um einen Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers auszubilden.
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Andere Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung offensichtlich werden.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung wird, da der Schritt des Aufbringens eines Laserstrahls, der fähig ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, entlang der Straßen, die auf dem Wafer ausgebildet sind, vor dem Metallfilm-Ausbildungsschritt zum Ausbilden eines Metallfilms auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers ausgeführt wird, selbst wenn ein thermischer Schock auf den Wafer in dem Schritt eines Ausbildens des Metallfilms wirkt, er entlang der verschlechterten Schicht gesprungen bzw. zerbrochen, die eine reduzierte Festigkeit aufweist, und folglich werden die Vorrichtungen nicht bestätigt.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der gemäß der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist, und eines Schutzglieds, das an den Wafer zu binden ist;
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2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand des Wafers zeigt, der mit dem Schutzglied verbunden ist, welche in 1 gezeigt sind;
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3(a) und 3(b) sind erläuternde Diagramme, die den Schritt eines Aufbringens eines Laserstrahls in dem Bearbeitungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen;
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4 ist eine perspektivische Ansicht des Wafers, welcher dem Laserstrahl-Aufbringschritt unterworfen wurde;
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5 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Schleifschritt der rückwärtigen Oberfläche in dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;
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6 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Ausbildungsschritt eines Metallfilms in dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7 ist eine vergrößerte Schnittansicht des Wafers, welcher dem Metallfilm-Ausbildungsschritt unterworfen wurde;
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8(a) und 8(b) sind erläuternde Diagramme, die den Festlegungsschritt des Schneidbands in dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigen;
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9 ist eine perspektivische Ansicht einer Aufnahmevorrichtung, die in dem Vorrichtungs-Unterteilungsschritt in dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird; und
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10(a) und 10(b) sind erläuternde Diagramme, die den Vorrichtungs-Unterteilungsschritt in dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigen.
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Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausbildungen
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Das Verfahren eines Bearbeitens eines Wafers gemäß bevorzugten Ausbildungen der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines gemäß der vorliegenden Erfindung zu unterteilenden Wafers und eines Schutzglieds, das an den Wafer zu binden bzw. mit diesem zu verbinden ist. Der Wafer 2, der in 1 gezeigt ist, ist in einer runden Form ausgebildet, eine Mehrzahl von Unterteilungslinien (Straßen) 21 ist auf der vorderen Oberfläche 2a des Wafers 2 in einem Gittermuster ausgebildet, und individuelle Halbleitervorrichtungen 22 sind in einer Mehrzahl von Bereichen ausgebildet, die durch die Mehrzahl von Straßen 21 unterteilt sind. Das Schutzglied 3 ist in einer scheibenartigen Form ausgebildet und aus einem Material gefertigt, das eine hohe Steifigkeit besitzt, wie ein Glassubstrat, und seine vordere Oberfläche 3a und rückwärtige Oberfläche 3b sind flach bzw. eben. Dieses Schutzglied 3 hat vorzugsweise eine Dicke von 1 bis 3 mm, wenn es ein Glassubstrat ist. Als das Material des Schutzglieds 3 können Keramiken, metallische Materialien, wie rostfreier Stahl, Harze und dgl. neben Glas verwendet werden.
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Der Wafer 2 und das Schutzglied 3, die wie oben beschrieben ausgebildet sind, werden aneinander mittels eines Klebers in einer derartigen Weise gebunden, daß die vordere Oberfläche 3a des Schutzglieds 3 und die vordere Oberfläche 2a des Wafers 2 einander gegenüberliegen, wie dies in 2 gezeigt ist. Daher weist in dem Wafer 2 die rückwärtige Oberfläche 2b, die keine individuellen Halbleitervorrichtungen 22 aufweist, einen freigelegten Zustand auf. Der Kleber ist aus einem auf Acryl basierenden, Ester basierenden oder Urethan basierenden Harz gefertigt. Wenn ein Glassubstrat als das Schutzglied 3 verwendet wird und ein Kleber, dessen Klebefestigkeit durch Ultraviolettstrahlung reduziert werden kann, verwendet wird, macht es dies möglich, den Wafer 2 von dem Schutzglied 3 sehr leicht zu entfernen, da ultraviolette Strahlung auf den Kleber durch das Schutzglied 3 in einer späteren Stufe eines Entfernens des Wafers 2 von dem Schutzglied 3 aufgebracht bzw. angewandt werden kann.
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Nachdem der Wafer 2 und das Schutzglied 3 aneinander durch Verbinden derselben, wie oben beschrieben, verbunden werden, wird ein Laserstrahl-Aufbringschritt zum Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls, der fähig ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, entlang der Straßen 21, die auf der vorderen Oberfläche 2a des Wafers 2 ausgebildet sind, um eine verschlechterte Schicht auszubilden, durchgeführt. D. h. es wird, wie dies in 3 gezeigt ist, das Schutzglied 3, das an den Wafer 2 gebunden ist, auf dem Ansaug- bzw. Einspanntisch 4 einer Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine angeordnet und auf dem Einspanntisch 4 mittels eines Saugmittels, welches nicht gezeigt ist, gehalten. Nachdem das Schutzglied 3, welches mit dem Wafer 2 verbunden ist, auf dem Einspanntisch 4 gehalten ist, wird der Einspanntisch 4 zu einer Position direkt unter Bildaufnahmemitteln (nicht gezeigt) gebracht, um ein Bild einer Straße 21 aufzunehmen, die auf dem Wafer 2 ausgebildet ist, um eine Ausrichtarbeit durchzuführen. Zu diesem Zeitpunkt bringen, da die vordere Oberfläche 2a des Wafers 2 die Straße 21 nach unten schauend aufweist, die Bildaufnahmemittel, welche durch eine Infrarotkamera ausgebildet sind, Infrarotstrahlung auf, die von der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 hindurchtritt, um ein Bild der Straße 21 auszunehmen. Dann wird, wie dies in 3(a) gezeigt ist, der Einspanntisch 4, der den Wafer 2 hält, zu einer Laserstrahl-Bearbeitungs-Startposition eines Laserstrahl-Bearbeitungsbereichs bewegt, um ein Ende (linkes Ende in 3(a)) der vorbestimmten Straße 21 in die Anwendungs- bzw. Aufbringposition von Laserstrahl-Aufbringmitteln 5 zu bringen.
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Nachdem der Einspanntisch 4, d. h. der Wafer 2 so an der Laserstrahlbearbeitungs-Startposition des Laserstrahl-Bearbeitungsbereichs positioniert ist, wird der Einspanntisch 4, d. h. er Wafer 2 in einer Richtung, die durch einen Pfeil in 3(a) gezeigt ist, mit einer vorbestimmten Zufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate bewegt, während ein Pulslaserstrahl, der fähig ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, auf die Straßen 21 von dem Laserstrahl-Aufbringmitteln 5 aufgebracht wird. Wenn die Aufbringposition der Laserstrahl-Aufbringmittel 5 das andere Ende (rechte Ende in 3(b)) der Straße 21 erreicht, wie dies in 3(b) gezeigt ist, wird die Anwendung des Pulslaserstrahls gestoppt und die Bewegung des Einspanntisches 4, d. h. des Wafers 2 wird ebenfalls gestoppt. In diesem Laserstrahl-Aufbringschritt wird der Brennpunkt P des Pulslaserstrahls auf die vordere Oberfläche 2a (Oberfläche an der unteren Seite) des Wafers 2 festgelegt bzw. eingestellt, um eine verschlechterte Schicht 23 von der vorderen Oberfläche 2a zu der Innenseite bzw. dem Inneren des Wafers 2 auszubilden.
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Der obige Laserstrahl-Aufbringschritt wird beispielsweise unter den folgenden Verarbeitungsbedingungen ausgeführt.
Lichtquelle: YV04 Laser oder YAG Laser
Wellenlänge: 1,064 nm
Wiederholungsfrequenz: 100 kHz
Pulsbreite: 25 ns
Brennpunktdurchmesser: 1 μm
Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit: 100 mm/s
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Indem der obige Laserstrahl-Aufbringschritt an allen Straßen 21 ausgeübt wird, die auf dem Wafer 2 ausgebildet sind, wird die verschlechterte Schicht 23 im Inneren des Wafers 2, der mit dem Schutzglied 3 verbunden ist, entlang der Straßen 21 ausgebildet, wie dies in 4 gezeigt ist. Der Pulslaserstrahl kann so aufgebracht werden, um die verschlechterte Schicht 23 entlang der Straßen 21 in einer derartigen Weise zu laminieren, daß sie die rückwärtige Oberfläche 2b von der vorderen Oberfläche 2a des Wafers 2 erreicht.
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Nachdem der Laserstrahl-Aufbringschritt, wie oben beschrieben, ausgeführt wurde, wird ein Rückseiten-Schleifschritt zum Schleifen der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2, in welchem die verschlechterte Schicht 23 entlang der Straßen 21 ausgebildet ist, auf eine vorbestimmte Tiefe ausgeführt. Dieser Rückseiten-Schleifschritt wird durch eine Schleifmaschine 6 ausgeführt, umfassend einen Einspanntisch 61 und Schleifmittel 62, die ein Schleifrad 621 aufweisen, wie dies in 5 gezeigt ist. D. h. der Wafer 2, der an das Schutzglied 3 gebunden ist, wird auf dem Einspanntisch 61 in einer derartigen Weise gehalten, daß der Wafer nach oben schaut, und das Schleifrad 621 der Schleifmittel 62 wird mit einer Drehzahl von beispielsweise 6000 U/min rotiert und in Kontakt mit der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 gebracht, während der Einspanntisch 61 mit einer Drehzahl von beispielsweise 300 U/min gedreht wird, um ihn so zu schleifen, um die Dicke des Wafers 2 auf einen vorbestimmten Wert (beispielsweise 100 μm) zu reduzieren.
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Nachdem der Rückseiten-Schleifschritt, wie oben beschrieben, ausgeführt wurde, wird ein Metallfilm-Ausbildungsschritt zum Ausbilden einer Metallfolie bzw. eines Metallfilms auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 ausgeführt. Eine eine dünne Folie bzw. einen dünnen Film bildende Vorrichtung wird verwendet, um den Metallfilm-Ausbildungsschritt auszuführen. Eine PVD-Vorrichtung (physikalische Dampfabscheidung) oder CVD-Vorrichtung (chemische Dampfabscheidung) kann als die eine dünne Folie ausbildende Vorrichtung verwendet werden. Die eine dünne Folie ausbildende Vorrichtung wird unten unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. Die Vorrichtung zum Ausbilden eines dünnen Films, die in 6 gezeigt ist, umfaßt eine Sputterbox 71, um eine Sputterkammer 70 auszubilden. In der Sputterkammer 70 ist ein Werkstückhaltemittel 72 zum elektrostatischen Halten eines Werkstücks in dem unteren Abschnitt davon angeordnet und Anregungsmittel 73 sind dem Werkstückhaltemittel 72 gegenüberliegend in dem oberen Abschnitt davon angeordnet. Eine Sputterquelle 74, wie Gold (Au) oder dgl., ist durch die Anregungsmittel 73 abgestützt bzw. gehalten und ist mit einer Hochfrequenz-Leistungsquelle 75 verbunden. Eine Einbringöffnung 76 zum Einbringen eines Sputtergases, wie Argongas oder dgl., in die Sputterkammer 70 ist in einer Seitenwand des Sputtertanks bzw. -behälters 71 vorgesehen und eine Druck reduzierende Öffnung 77, die mit einer Druck reduzierenden Quelle kommuniziert bzw. in Verbindung steht, ist in der anderen Seitenwand des Sputtertanks 71 ausgebildet.
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Der Wafer 2, der mit dem Schutzglied 3 verbunden ist, wird auf dem Werkstückhaltemittel 72 der Vorrichtung 7 zum Ausbilden einer dünnen Folie, die wie oben beschrieben ausgebildet ist, in einer derartigen Weise gehalten, daß der Wafer 2 nach oben schaut. Eine Hochfrequenzleistung von etwa 40 kHz wird von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 75 an die Sputterquelle 74 angelegt, die durch die An- bzw. Erregungsmittel 73 magnetisiert ist, der Innendruck der Sputterkammer 70 wird auf etwa 10–2 Pa bis 10–4 Pa durch die Druck reduzierende Öffnung 77 abgesenkt, und ein Sputtergas, wie Argongas oder dgl., wird von der Einbringöffnung 76 in die Sputterkammer 70 eingebracht, um ein Plasma zu generieren bzw. zu erzeugen. Als ein Ergebnis kollidieren Argon-Ionen, die in dem Plasmagas enthalten sind, mit Gold (Au) als die Sputterquelle 74, um Teilchen zu produzieren, welche dann auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 abgeschieden werden, der auf den Werkstückhaltemitteln 72 gehalten ist, wodurch ein dünner Goldfilm 24 ausgebildet wird, der etwa 1 μm dick ist, wie dies in 7 gezeigt ist. Da die Innentemperatur der Sputterkammer 70 in dem Metallfilm-Ausbildungsschritt sehr hoch wird, besteht eine Möglichkeit, daß der Wafer 2, der so dünn wie etwa 100 μm ausgebildet ist, durch einen Hitzeschock zerbricht. In der vorliegenden Erfindung wurde jedoch die verschlechterte Schicht 23 entlang der Straßen 21 im Inneren des Wafers 2 in dem oben beschriebenen Laserstrahl-Aufbringschritt ausgebildet und die verschlechterte Schicht hat eine reduzierte Festigkeit. Daher werden Sprünge entlang der verschlechterten Schicht 23, die eine reduzierte Festigkeit besitzt, d. h. den Straßen 21 des Wafers 2 ausgebildet, wodurch die individuellen Halbleitervorrichtungen 22 nicht beschädigt werden. Selbst wenn der Wafer 2 entlang der verschlechterten Schicht 23, d. h. der Straßen 21 zerbricht bzw. gebrochen wird, haftet die Metallfolie eng an dem Wafer 2 an, und somit tritt das Metall nicht in den Sprung in dem Metallfolien-Ausbildungsschritt ein.
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Nachdem der Metallfilm-Ausbildungsschritt, wie oben beschrieben, durchgeführt wurde, wird ein Schneidklebeband-Festlegungsschritt zum Aufbringen des Wafers 2, der die dünne Metallfolie 24 auf der rückwärtigen Oberfläche 2b ausgebildet aufweist, auf ein Schneidklebeband und Entfernen des Schutzglieds 3, das mit dem Wafer 2 verbunden ist, ausgeführt. In diesem Schneidklebeband-Festlegungsschritt wird der Wafer 2, der mit dem Schutzglied 3 verbunden ist, auf das elastische Schneidklebeband 9 aufgebracht, welches ein Vinylchlorid-Klebeband ist oder dgl., und so festgelegt, um die innere Öffnung eines ringförmigen Supportrahmens 8 abzudecken, wie dies in 8(a) gezeigt ist. D. h. das Schneidklebeband 9 wird auf der Seite des metallischen, dünnen Films 24 festgelegt, der auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 ausgebildet ist. Als das Schneidklebeband 9 wird ein UV-Klebeband, dessen Klebefestigkeit durch einen externen Reiz bzw. Stimulus, wie Ultraviolettstrahlung oder dgl., reduziert wird, vorzugsweise verwendet. Nachdem der Wafer 2, der an das Schutzglied 3 gebunden ist, auf das Schneidklebeband 9 gelegt wird, wird das Schutzglied 3 entfernt, wie dies in 8(b) gezeigt ist. Bei dieser Gelegenheit kann, wenn ein Glassubstrat als das Schutzglied 3 verwendet wird, das Schutzglied 3 von dem Wafer 2 sehr leicht durch Aufbringen bzw. Anlegen von ultravioletter Strahlung entfernt werden, die durch das Schutzglied 3 zu dem Kleber hindurchdringt.
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Nachdem der obige Schneidklebeband-Festlegungsschritt ausgeführt wurde, wird ein Halbleiterwafer-Unterteilungsschritt zum Unterteilen des Wafers 2 in individuelle Halbleitervorrichtungen 22 ausgeführt. Dieser Halbleitervorrichtungs-Unterteilungsschritt wird durch eine Aufnahmevorrichtung 10 ausgeführt, die in 9 und 10(a) und 10(b) gezeigt ist. Die Aufnahmevorrichtung 10 wird nachfolgend beschrieben. Die dargestellte Aufnahmevorrichtung 10 umfaßt eine zylindrische Basis 11, die eine Anordnungsoberfläche 111 zum Anordnen des Supportrahmens 8 aufweist, und Expansionsmittel 12, welche in der Basis 11 konzentrisch installiert sind, und arbeiten, um das Schneidklebeband 9, das auf dem Supportrahmen 8 festgelegt ist, zu dehnen. Die Dehn- bzw. Expansionsmittel 12 umfassen ein zylindrisches Expansionsglied 121, um die Fläche 91, wo der Wafer 2 vorliegt, in dem obigen Schneidklebeband 9 abzustützen. Dieses Dehn- bzw. Expansionsglied 121 ist so ausgebildet, um in der vertikalen Richtung (in der axialen Richtung der zylindrischen Basis 11) zwischen einer Bezugsposition, die in 10(a) gezeigt ist, und einer Expansionsposition, die in 10(b) gezeigt ist, über der Bezugsposition mittels einem Anhebemittel, welches nicht gezeigt ist, bewegt zu werden. In der dargestellten bzw. illustrierten Ausbildung sind Ultraviolett-Lampen 113 in dem Expansionsglied 121 installiert.
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Der Halbleitervorrichtungs-Unterteilungsschritt, welcher unter Verwendung der obigen Aufnahmevorrichtung durchgeführt wird, wird unter Bezugnahme auf 9 und 10(a) und 10(b) beschrieben.
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Betreffend den Wafer 2, der auf der oberen Oberfläche des elastischen Schneidklebebands 9 abgestützt ist, das auf dem Supportrahmen 8 festgelegt ist, wie dies oben beschrieben ist, wird der Supportrahmen 8 auf der Anordnungsoberfläche 111 der zylindrischen Basis 11 angeordnet und auf der Basis 11 mittels Klemmen bzw. Klammern 14 gesichert, wie dies in 9 und in 10(a) gezeigt ist. Dann wird das Expansionsglied 121 der Expansionsmittel 12, die den Bereich 91 abstützen, wo der Wafer 2 vorliegt, in dem obigen Schneidklebeband 9 zu der Expansionsposition, die in 10(b) gezeigt ist, von der Bezugsposition, die in 10(a) gezeigt ist, durch die Anhebemittel bewegt, die nicht gezeigt sind. Als ein Ergebnis wird das elastische Schneidklebeband 9 so gedehnt, daß eine Zugspannung bzw. -kraft auf den Wafer 2 ausgeübt wird, der auf dem Schneidklebeband 9 festgelegt ist. Folglich wird der Wafer 2 entlang der Straßen 21 unterteilt, deren Festigkeit aufgrund der Ausbildung der verschlechterten Schicht reduziert wurde, und die dünne Metallfolie 24, die auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 ausgebildet ist, wird auch entlang der Straßen 21 unterteilt. Bevor das Schneidklebeband 9 gedehnt wird. ist es wünschenswert, daß das Unterteilen entlang der Straßen 21 durch Abgeben eines Hitzeschocks, der durch Anwenden eines Laserstrahls (kontinuierliche Welle) erzeugt wird, oder Ultraschallvibration auf die Straßen 21 des Wafers 2 gefördert bzw. unterstützt wird.
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Danach werden die individuellen Halbleitervorrichtung 22, die voneinander getrennt sind, von der oberen Oberfläche des Schneidklebebands 9 durch Aktivieren einer Aufnahmehülse 15, die über der Aufnahmevorrichtung 10 positioniert ist, wie dies in 9 gezeigt ist, aufgenommen und zu einem Tablett, welches nicht gezeigt ist, getragen. Zu diesem Zeitpunkt werden die Ultraviolett-Lampen 113, die in dem Expansionsglied 121 installiert sind, eingeschaltet, um ultraviolette Strahlung auf das Schneidklebeband 9 aufzubringen, um die Klebefestigkeit des Schneidklebebands 9 zu verringern, wodurch es möglich gemacht wird, die Halbleitervorrichtungen 22 sehr leicht aufzunehmen.
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Das Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers gemäß einer Ausbildung der vorliegenden Erfindung wurde oben beschrieben. Verschiedene Modifikationen können in jedem Schritt ausgeführt werden. Beispielsweise kann der obige Laserstrahl-Aufbringschritt ohne ein Bonden des Wafers 2 an das Schutzglied 3 ausgeführt werden. D. h., es kann ein Laserstrahl, der fähig ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, auf den Wafer 2 entlang der Straßen 21 von der Seite der rückwärtigen Oberfläche 2b oder von der Seite der vorderen Oberfläche 2a in einem Zustand des Wafers aufgebracht werden, welcher nicht mit einem Schutzglied verbunden ist, um die verschlechterte Schicht 23 im Inneren des Wafers 2 auszubilden. Nachdem der Laserstrahl-Aufbringschritt so ausgeführt ist und dann die vordere Oberfläche 2a des Wafers 2 mit dem Schutzglied 3 verbunden ist, kann der obigen Rückseiten-Schleifschritt ausgeführt werden. D. h. der Schritt eines Integrierens des Wafers 2 mit dem Schutzglied 3 durch Verbinden der vorderen Oberfläche 2a und des Wafers 2 mit dem Schutzglied 3 kann vor dem Rückseiten-Schleifschritt ausgeführt werden. Weiters wird in der obigen Ausbildung der Rückseiten-Schleifschritt nach dem Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt. Jedoch kann, nachdem der Rückseiten-Schleifschritt ausgeführt wird, um die Dicke des Wafers 2 auf einen vorbestimmten Wert zu reduzieren, der Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt werden.
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Weiters ist es, nachdem der obige Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt wurde, möglich, daß der Waferunterteilungsschritt zum Zerbrechen des Wafers 2 entlang der verschlechterten Schicht 23, die im Inneren des Wafers 2 ausgebildet ist, entlang der Straßen 21 in einem Zustand ausgeführt wird, wo das Schutzglied 3 mit der vorderen Oberfläche 2a des Wafers 2 verbunden ist. In diesem Waferunterteilungsschritt wird der Wafer 2 positiv entlang der verschlechterten Schicht 23, die eine reduzierte Festigkeit aufweist, zerteilt bzw. gesprungen, indem ein Stimulus bzw. Reiz einer Ultraschallvibration oder eines Hitzeschocks durch Aufbringen eines Laserstrahls (kontinuierliche Welle) auf den Wafer 2 ausgeübt wird. Der Waferunterteilungsschritt kann vor dem obigen Rückseiten-Schleifschritt ausgeführt werden, oder vor oder nach dem obigen Ausbildungsschritt eines dünnen Metallfilms, wenn er nach dem Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt wird. Indem der Wafer 2 entlang der verschlechterten Schicht 23 positiv geteilt wird, kann der dünne Metallfilm 24, der auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 ausgebildet ist, leicht in dem obigen Halbleitervorrichtungs-Unterteilungsschritt unterteilt werden.