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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bearbeiten
eines Wafers, welcher individuelle Halbleitervorrichtungen, wie
Licht emittierende Dioden oder Transistoren aufweist, die in einer Vielzahl
von Bereichen ausgebildet sind, die durch Unterteilungslinien (Straßen) unterteilt
sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche davon angeordnet
sind.
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Beschreibung des Standes
der Technik
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Die
rückwärtige Oberfläche eines
Wafers, welcher individuelle Halbleitervorrichtung, wie Licht emittierende
Dioden oder Transistoren aufweist, die in einer Vielzahl von Bereichen
ausgebildet sind, die durch Unterteilungslinien (Straßen) unterteilt
sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche davon
angeordnet sind, wird geschliffen, um eine vorbestimmte Dicke aufzuweisen,
und dann mit einem Gold-, Aluminium- oder Titan-Metall-Film bzw. einer
-Folie überdeckt,
die eine Dicke von etwa 1 μm aufweist.
Der Wafer, der den Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche ausgebildet
aufweist, wird entlang der Straßen
geschnitten, um in individuelle Vorrichtungen unterteilt zu werden.
Die so erhaltenen Vorrichtungen werden weit verbreitet in elektrischer Ausrüstung bzw.
Einrichtung, wie Mobiltelefonen und Personal Computern verwendet.
Es ist gewünscht, diese
Vorrichtungen so dünn
wie möglich
(beispielsweise 100 μm
oder weniger) zu machen, um Gewicht einzusparen und die elektrische
Einrichtung, die diese Vorrichtungen inkorporiert bzw. aufnimmt,
in der Größe zu verkleinern.
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Um
die Metallfolie auf der rückwärtigen Oberfläche des
obigen Wafers auszubilden, wird eine PVD-(physikalische Dampfabscheidungs-)Vorrichtung
oder CVD-(chemische Dampfabscheidungs-)Vorrichtung verwendet. Da
die Innentemperaturen einer Sputterkammer auf eine hohe Temperatur
durch die obige, einen Metallfilm bildende Vorrichtung erhöht wird,
wenn der Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche ausgebildet
wird, verschlechtert sich, wenn die Dicke des Wafers so dünn wie etwa 100 μm ist, seine
Steifigkeit und ein Verwinden tritt auf, wodurch es schwierig gemacht
wird, eine Metallfolie auszubilden. Daher kann die Metallfolie nicht gleichmäßig ausgebildet
werden.
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Um
das obige Problem zu lösen,
schlägt
JP-A 2004-79889 ein
Verfahren zum Herstellen eines Wafers vor, indem die vordere Oberfläche des
Wafers mit einem Schutzglied, das eine hohe Steifigkeit besitzt,
wie einem Glassubstrat als eine einstückige Struktur verbunden wird,
die rückwärtige Oberfläche des
so mit dem Schutzglied verbundenen Wafers auf eine vorbestimmte
Dicke geschliffen wird und eine Metallfolie auf der rückwärtigen Oberfläche des
Wafers durch eine eine Metallfolie ausbildende Vorrichtung ausgebildet
wird.
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Wenn
die Dicke des Wafers auf etwa 100 μm reduziert wird, wird darüber hinaus
der Wafer durch Hitze in der Sputterkammer zum Zeitpunkt eines Ausbildens
einer Metallfolie auf der rückwärtigen Oberfläche des
Wafers durch die einen Metallfilm ausbildende Vorrichtung gebrochen
bzw. springt, wodurch die Qualität
der Vorrichtungen verschlechtert wird.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es
ist ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren zur
Verfügung
zu stellen, das fähig
ist, eine Metallfolie bzw. einen Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche eines
Wafers ohne Verschlechterung der Qualität der Vorrichtungen auszubilden.
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Um
die obigen Ziele zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung
ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers zur Verfügung gestellt,
der Vorrichtungen in einer Mehrzahl von Bereichen aufweist, die
durch Straßen
unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche angeordnet
sind, um einen Metallfilm auf einer rückwärtige Oberfläche davon
auszubilden, wobei
ein Laserstrahl-Aufbringschritt zum Aufbringen
bzw. Anwenden eines Laserstrahls, der fähig ist, durch einen Wafer
hindurchzutreten, entlang der Straßen, die auf dem Wafer ausgebildet
sind, um eine verschlechterte Schicht auszubilden, vor einem einen
Metallfolie ausbildenden Schritt zum Ausbilden einer Metallfolie bzw.
eines Metallfilms auf der rückwärtigen Oberfläche des
Wafers durchgeführt
wird.
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Weiters
wird gemäß der vorliegenden
Erfindung ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers zur Verfügung gestellt,
der Vorrichtungen in einer Mehrzahl von Bereichen aufweist, die
durch Straßen
unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche angeordnet
sind, umfassend
einen Laserstrahl-Aufbringschritt zum Aufbringen bzw.
Anwenden eines Laserstrahls, der fähig ist, durch einen Wafer
hindurchzutreten, entlang der Straßen, die auf dem Wafer ausgebildet
sind, um eine verschlechterte Schicht auszubilden;
einen Schritt
des Schleifens der rückwärtigen Oberfläche, um
die rückwärtige Oberfläche des
Wafers, der die entlang der Straßen ausgebildete, verschlechterte
Schicht aufweist, bis zu einer vorbestimmten Dicke zu schleifen;
und
einen Metallfilm-Ausbildschritt zum Ausbilden eines Metallfilms
auf der rückwärtigen Oberfläche des
Wafers.
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Weiter
wird gemäß der vorliegenden
Erfindung ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers zur Verfügung gestellt,
der Vorrichtungen in einer Mehrzahl von Bereichen aufweist, die
durch Straßen
unterteilt sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche angeordnet
sind, umfassend
einen Schritt zum Schleifen der rückwärtigen Oberfläche, um
die rückwärtige Oberfläche des
Wafers auf eine vorbestimmte Dicke in einem Zustand zu schleifen,
wo ein Schutzglied mit der vorderen Oberfläche des Wafers verbunden ist;
einen
Laserstrahl-Aufbringschritt zum Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls,
der fähig
ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, entlang der Straßen, die
auf dem Wafer ausgebildet sind, um eine verschlechterte Schicht
auszubilden; und
einen Metallfilm-Ausbildungsschritt, um einen
Metallfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des
Wafers auszubilden.
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Andere
Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung
offensichtlich werden.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird, da der Schritt des Aufbringens eines Laserstrahls,
der fähig
ist, durch einen Wafer hindurchzutreten, entlang der Straßen, die
auf dem Wafer ausgebildet sind, vor dem Metallfilm-Ausbildungsschritt
zum Ausbilden eines Metallfilms auf der rückwärtigen Oberfläche des
Wafers ausgeführt
wird, selbst wenn ein thermischer Schock auf den Wafer in dem Schritt
eines Ausbildens des Metallfilms wirkt, er entlang der verschlechterten
Schicht gesprungen bzw. zerbrochen, die eine reduzierte Festigkeit
aufweist, und folglich werden die Vorrichtungen nicht bestätigt.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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1 ist eine perspektivische
Ansicht eines Wafers, der gemäß der vorliegenden
Erfindung zu bearbeiten ist, und eines Schutzglieds, das an den Wafer
zu binden ist;
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2 ist eine perspektivische
Ansicht, die einen Zustand des Wafers zeigt, der mit dem Schutzglied
verbunden ist, welche in 1 gezeigt
sind;
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3(a) und 3(b) sind erläuternde Diagramme, die den
Schritt eines Aufbringens eines Laserstrahls in dem Bearbeitungsverfahren
gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigen;
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4 ist eine perspektivische
Ansicht des Wafers, welcher dem Laserstrahl-Aufbringschritt unterworfen wurde;
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5 ist ein erläuterndes
Diagramm, das den Schleifschritt der rückwärtigen Oberfläche in dem
Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigt;
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6 ist ein erläuterndes
Diagramm, das den Ausbildungsschritt eines Metallfilms in dem Bearbeitungsverfahren
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7 ist eine vergrößerte Schnittansicht
des Wafers, welcher dem Metallfilm-Ausbildungsschritt unterworfen wurde;
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8(a) und 8(b) sind erläuternde Diagramme, die den
Festlegungsschritt des Schneidbands in dem Be-Verarbeitungsverfahren
der vorliegenden Erfindung zeigen;
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9 ist eine perspektivische
Ansicht einer Aufnahmevorrichtung, die in dem Vorrichtungs-Unterteilungsschritt
in dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet
wird; und
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10(a) und 10(b) sind erläuternde Diagramme, die den
Vorrichtungs-Unterteilungsschritt
in dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung zeigen.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausbildungen
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Das
Verfahren eines Bearbeitens eines Wafers gemäß bevorzugten Ausbildungen
der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf
die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt eine perspektivische
Ansicht eines gemäß der vorliegenden
Erfindung zu unterteilenden Wafers und eines Schutzglieds, das an
den Wafer zu binden bzw. mit diesem zu verbinden ist. Der Wafer 2,
der in 1 gezeigt ist,
ist in einer runden Form ausgebildet, eine Mehrzahl von Unterteilungslinien
(Straßen) 21 ist
auf der vorderen Oberfläche 2a des
Wafers 2 in einem Gittermuster ausgebildet, und individuelle
Halbleitervorrichtungen 22 sind in einer Mehrzahl von Bereichen
ausgebildet, die durch die Mehrzahl von Straßen 21 unterteilt
sind. Das Schutzglied 3 ist in einer scheibenartigen Form ausgebildet
und aus einem Material gefertigt, das eine hohe Steifigkeit besitzt,
wie ein Glassubstrat, und seine vordere Oberfläche 3a und rückwärtige Oberfläche 3b sind
flach bzw. eben. Dieses Schutzglied 3 hat vorzugsweise
eine Dicke von 1 bis 3 mm, wenn es ein Glassubstrat ist. Als das
Material des Schutzglieds 3 können Keramiken, metallische
Materialien, wie rostfreier Stahl, Harze und dgl. neben Glas verwendet
werden.
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Der
Wafer 2 und das Schutzglied 3, die wie oben beschrieben
ausgebildet sind, werden aneinander mittels eines Klebers in einer
derartigen Weise gebunden, daß die
vordere Oberfläche 3a des Schutzglieds 3 und
die vordere Oberfläche 2a des Wafers 2 einander
gegenüberliegen,
wie dies in 2 gezeigt
ist. Daher weist in dem Wafer 2 die rückwärtige Oberfläche 2b,
die keine individuellen Halbleitervorrichtungen 22 aufweist,
einen freigelegten Zustand auf. Der Kleber ist aus einem auf Acryl basierenden,
Ester basierenden oder Urethan basierenden Harz gefertigt. Wenn
ein Glassubstrat als das Schutzglied 3 verwendet wird und
ein Kleber, dessen Klebefestigkeit durch Ultraviolettstrahlung reduziert werden
kann, verwendet wird, macht es dies möglich, den Wafer 2 von
dem Schutzglied 3 sehr leicht zu entfernen, da ultraviolette
Strahlung auf den Kleber durch das Schutzglied 3 in einer
späteren
Stufe eines Entfernens des Wafers 2 von dem Schutzglied 3 aufgebracht
bzw. angewandt werden kann.
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Nachdem
der Wafer 2 und das Schutzglied 3 aneinander durch
Verbinden derselben, wie oben beschrieben, verbunden werden, wird
ein Laserstrahl-Aufbringschritt
zum Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls, der fähig ist,
durch einen Wafer hindurchzutreten, entlang der Straßen 21,
die auf der vorderen Oberfläche 2a des
Wafers 2 ausgebildet sind, um eine verschlechterte Schicht
auszubilden, durchgeführt.
D.h. es wird, wie dies in 3 gezeigt
ist, das Schutzglied 3, das an den Wafer 2 gebunden
ist, auf dem Ansaug- bzw. Einspanntisch 4 einer Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine
angeordnet und auf dem Einspanntisch 4 mittels eines Saugmittels,
welches nicht gezeigt ist, gehalten. Nachdem das Schutzglied 3,
welches mit dem Wafer 2 verbunden ist, auf dem Einspanntisch 4 gehalten
ist, wird der Einspanntisch 4 zu einer Position direkt
unter Bildaufnahmemitteln (nicht gezeigt) gebracht, um ein Bild
einer Straße 21 aufzunehmen,
die auf dem Wafer 2 ausgebildet ist, um eine Ausrichtarbeit
durchzuführen.
Zu diesem Zeitpunkt bringen, da die vordere Oberfläche 2a des
Wafers 2 die Straße 21 nach
unten schauend aufweist, die Bildaufnahmemittel, welche durch eine
Infrarotkamera ausgebildet sind, Infrarotstrahlung auf, die von
der rückwärtigen Oberfläche 2b des
Wafers 2 hindurchtritt, um ein Bild der Straße 21 auszunehmen.
Dann wird, wie dies in 3(a) gezeigt
ist, der Einspanntisch 4, der den Wafer 2 hält, zu einer
Laserstrahl-Bearbeitungs-Startposition
eines Laserstrahl-Bearbeitungsbereichs bewegt, um ein Ende (linkes
Ende in 3(a)) der vorbestimmten
Straße 21 in
die Anwendungs- bzw.
Aufbringposition von Laserstrahl-Aufbringmitteln 5 zu bringen.
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Nachdem
der Einspanntisch 4, d.h. der Wafer 2 so an der
Laserstrahlbearbeitungs-Startposition des Laserstrahl-Bearbeitungsbereichs
positioniert ist, wird der Einspanntisch 4, d.h. er Wafer 2 in
einer Richtung, die durch einen Pfeil in 3(a) gezeigt ist, mit einer vorbestimmten
Zufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate bewegt, während ein Pulslaserstrahl,
der fähig ist,
durch einen Wafer hindurchzutreten, auf die Straßen 21 von dem Laserstrahl-Aufbringmitteln 5 aufgebracht
wird. Wenn die Aufbringposition der Laserstrahl-Aufbringmittel 5 das
andere Ende (rechte Ende in 3(b))
der Straße 21 erreicht,
wie dies in 3(b) gezeigt
ist, wird die Anwendung des Pulslaserstrahls gestoppt und die Bewegung
des Einspanntisches 4, d.h. des Wafers 2 wird
ebenfalls gestoppt. In diesem Laserstrahl-Aufbringschritt wird der Brennpunkt
P des Pulslaserstrahls auf die vordere Oberfläche 2a (Oberfläche an der
unteren Seite) des Wafers 2 festgelegt bzw. eingestellt,
um eine verschlechterte Schicht 23 von der vorderen Oberfläche 2a zu
der Innenseite bzw. dem Inneren des Wafers 2 auszubilden.
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Der
obige Laserstrahl-Aufbringschritt wird beispielsweise unter den
folgenden Verarbeitungsbedingungen ausgeführt.
Lichtquelle: YV04
Laser oder YAG Laser
Wellenlänge: 1,064 nm
Wiederholungsfrequenz:
100 kHz
Pulsbreite: 25 ns
Brennpunktdurchmesser: 1 μm
Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit:
100mm/s
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Indem
der obige Laserstrahl-Aufbringschritt an allen Straßen 21 ausgeübt wird,
die auf dem Wafer 2 ausgebildet sind, wird die verschlechterte Schicht 23 im
Inneren des Wafers 2, der mit dem Schutzglied 3 verbunden
ist, entlang der Straßen 21 ausgebildet,
wie dies in 4 gezeigt
ist. Der Pulslaserstrahl kann so aufgebracht werden, um die verschlechterte
Schicht 23 entlang der Straßen 21 in einer derartigen
Weise zu laminieren, daß sie
die rückwärtige Oberfläche 2b von
der vorderen Oberfläche 2a des
Wafers 2 erreicht.
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Nachdem
der Laserstrahl-Aufbringschritt, wie oben beschrieben, ausgeführt wurde,
wird ein Rückseiten-Schleifschritt
zum Schleifen der rückwärtigen Oberfläche 2b des
Wafers 2, in welchem die verschlechterte Schicht 23 entlang
der Straßen 21 ausgebildet
ist, auf eine vorbestimmte Tiefe ausgeführt. Dieser Rückseiten-Schleifschritt wird
durch eine Schleifmaschine 6 ausgeführt, umfassend einen Einspanntisch 61 und
Schleifmittel 62, die ein Schleifrad 621 aufweisen,
wie dies in 5 gezeigt
ist. D.h. der Wafer 2, der an das Schutzglied 3 gebunden
ist, wird auf dem Einspanntisch 61 in einer derartigen Weise
gehalten, daß der
Wafer nach oben schaut, und das Schleifrad 621 der Schleifmittel 62 wird
mit einer Drehzahl von beispielsweise 6000 U/min rotiert und in
Kontakt mit der rückwärtigen Oberfläche 2b des
Wafers 2 gebracht, während
der Einspanntisch 61 mit einer Drehzahl von beispielsweise
300 U/min gedreht wird, um ihn so zu schleifen, um die Dicke des
Wafers 2 auf einen vorbestimmten Wert (beispielsweise 100 μm) zu reduzieren.
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Nachdem
der Rückseiten-Schleifschritt,
wie oben beschrieben, ausgeführt
wurde, wird ein Metallfilm-Ausbildungsschritt zum Ausbilden einer
Metallfolie bzw. eines Metallfilms auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des
Wafers 2 ausgeführt.
Eine eine dünne Folie
bzw. einen dünnen
Film bildende Vorrichtung wird verwendet, um den Metallfilm-Ausbildungsschritt
auszuführen.
Eine PVD-Vorrichtung (physikalische Dampfabscheidung) oder CVD-Vorrichtung (chemische
Dampfabscheidung) kann als die eine dünne Folie ausbildende Vorrichtung
verwendet werden. Die eine dünne
Folie ausbildende Vorrichtung wird unten unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. Die Vorrichtung
zum Ausbilden eines dünnen Films,
die in 6 gezeigt ist,
umfaßt
eine Sputterbox 71, um eine Sputterkammer 70 auszubilden.
In der Sputterkammer 70 ist ein Werkstückhaltemittel 72 zum
elektrostatischen Halten eines Werkstücks in dem unteren Abschnitt
davon angeordnet und Anregungsmittel 73 sind dem Werkstückhaltemittel 72 gegenüberliegend
in dem oberen Abschnitt davon angeordnet. Eine Sputterquelle 74,
wie Gold (Au) oder dgl., ist durch die Anregungsmittel 73 abgestützt bzw. gehalten
und ist mit einer Hochfrequenz-Leistungsquelle 75 verbunden.
Eine Einbringöffnung 76 zum Einbringen
eines Sputtergases, wie Argongas oder dgl., in die Sputterkammer 70 ist
in einer Seitenwand des Sputtertanks bzw. -behälters 71 vorgesehen
und eine Druck reduzierende Öffnung 77,
die mit einer Druck reduzierenden Quelle kommuniziert bzw. in Verbindung
steht, ist in der anderen Seitenwand des Sputtertanks 71 ausgebildet.
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Der
Wafer 2, der mit dem Schutzglied 3 verbunden ist,
wird auf dem Werkstückhaltemittel 72 der Vorrichtung 7 zum
Ausbilden einer dünnen
Folie, die wie oben beschrieben ausgebildet ist, in einer derartigen
Weise gehalten, daß der
Wafer 2 nach oben schaut. Eine Hochfrequenzleistung von
etwa 40 kHz wird von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 75 an
die Sputterquelle 74 angelegt, die durch die An- bzw. Erregungsmittel 73 magnetisiert
ist, der Innendruck der Sputterkammer 70 wird auf etwa
10–2 Pa
bis 10–4 Pa durch
die Druck reduzierende Öffnung 77 abgesenkt, und
ein Sputtergas, wie Argongas oder dgl., wird von der Einbringöffnung 76 in
die Sputterkammer 70 eingebracht, um ein Plasma zu generieren
bzw. zu erzeugen. Als ein Ergebnis kollidieren Argon-Ionen, die in
dem Plasmagas enthalten sind, mit Gold (Au) als die Sputterquelle 74,
um Teilchen zu produzieren, welche dann auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des Wafers 2 abgeschieden
werden, der auf den Werkstückhaltemitteln 72 gehalten
ist, wodurch ein dünner Goldfilm 24 ausgebildet
wird, der etwa 1 μm
dick ist, wie dies in 7 gezeigt
ist. Da die Innentemperatur der Sputterkammer 70 in dem
Metallfilm-Ausbildungsschritt sehr hoch wird, besteht eine Möglichkeit,
daß der
Wafer 2, der so dünn
wie etwa 100 μm ausgebildet
ist, durch einen Hitzeschock zerbricht. In der vorliegenden Erfindung
wurde jedoch die verschlechterte Schicht 23 entlang der
Straßen 21 im
Inneren des Wafers 2 in dem oben beschriebenen Laserstrahl-Aufbringschritt
ausgebildet und die verschlechterte Schicht hat eine reduzierte
Festigkeit. Daher werden Sprünge
entlang der verschlechterten Schicht 23, die eine reduzierte
Festigkeit besitzt, d.h. den Straßen 21 des Wafers 2 ausgebildet,
wodurch die individuellen Halbleitervorrichtungen 22 nicht
beschädigt
werden. Selbst wenn der Wafer 2 entlang der verschlechterten
Schicht 23, d.h. der Straßen 21 zerbricht bzw.
gebrochen wird, haftet die Metallfolie eng an dem Wafer 2 an,
und somit tritt das Metall nicht in den Sprung in dem Metallfolien-Ausbildungsschritt
ein.
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Nachdem
der Metallfilm-Ausbildungsschritt, wie oben beschrieben, durchgeführt wurde,
wird ein Schneidklebeband-Festlegungsschritt zum Aufbringen des
Wafers 2, der die dünne
Metallfolie 24 auf der rückwärtigen Oberfläche 2b ausgebildet
aufweist, auf ein Schneidklebeband und Entfernen des Schutzglieds 3,
das mit dem Wafer 2 verbunden ist, ausgeführt. In
diesem Schneidklebeband-Festlegungsschritt
wird der Wafer 2, der mit dem Schutzglied 3 verbunden
ist, auf das elastische Schneidklebeband 9 aufgebracht,
welches ein Vinylchlorid-Klebeband ist oder dgl., und so festgelegt,
um die innere Öffnung
eines ringförmigen
Supportrahmens 8 abzudecken, wie dies in 8(a) gezeigt ist. D.h. das Schneidklebeband 9 wird
auf der Seite des metallischen, dünnen Films 24 festgelegt,
der auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des
Wafers 2 ausgebildet ist. Als das Schneidklebeband 9 wird
ein UV-Klebeband, dessen Klebefestigkeit durch einen externen Reiz bzw.
Stimulus, wie Ultraviolettstrahlung oder dgl., reduziert wird, vorzugsweise
verwendet. Nachdem der Wafer 2, der an das Schutzglied 3 gebunden
ist, auf das Schneidklebeband 9 gelegt wird, wird das Schutzglied 3 entfernt,
wie dies in 8(b) gezeigt ist.
Bei dieser Gelegenheit kann, wenn ein Glassubstrat als das Schutzglied 3 verwendet
wird, das Schutzglied 3 von dem Wafer 2 sehr leicht
durch Aufbringen bzw. Anlegen von ultravioletter Strahlung ausgeführt werden,
die durch das Schutzglied 3 zu dem Kleber hindurchdringt.
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Nachdem
der obige Schneidklebeband-Festlegungsschritt ausgeführt wurde, wird
ein Halbleiterwafer-Unterteilungsschritt zum Unterteilen des Wafers 2 in
individuelle Halbleitervorrichtungen 22 ausgeführt. Dieser
Halbleitervorrichtungs-Unterteilungsschritt
wird durch eine Aufnahmevorrichtung 10 ausgeführt, die
in 9 und 10(a) und 10(b) gezeigt ist. Die Aufnahmevorrichtung 10 wird
nachfolgend beschrieben. Die dargestellte Aufnahmevorrichtung 10 umfaßt eine
zylindrische Basis 11, die eine Anordnungsoberfläche 111 zum
Anordnen des Supportrahmens 8 aufweist, und Expansionsmittel 12,
welche in der Basis 11 konzentrisch installiert sind, und
arbeiten, um das Schneidklebeband 9, das auf dem Supportrahmen 8 festgelegt
ist, zu dehnen. Die Dehn- bzw. Expansionsmittel 12 umfassen
ein zylindrisches Expansionsglied 121, um die Fläche 91,
wo der Wafer 2 vorliegt, in dem obigen Schneidklebeband 9 abzustützen. Dieses
Dehn- bzw. Expansionsglied 121 ist so ausgebildet, um in
der vertikalen Richtung (in der axialen Richtung der zylindrischen
Basis 11) zwischen einer Bezugsposition, die in 10(a) gezeigt ist, und einer
Expansionsposition, die in 10(b) gezeigt
ist, über
der Bezugsposition mittels einem Anhebemittel, welches nicht gezeigt
ist, bewegt zu werden. In der dargestellten bzw. illustrierten Ausbildung
sind Ultraviolett-Lampen 113 in dem Expansionsglied 121 installiert.
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Der
Halbleitervorrichtungs-Unterteilungsschritt, welcher unter Verwendung
der obigen Aufnahmevorrichtung durchgeführt wird, wird unter Bezugnahme
auf 9 und 10(a) und 10(b) beschrieben.
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Betreffend
den Wafer 2, der auf der oberen Oberfläche des elastischen Schneidklebebands 9 abgestützt ist,
das auf dem Supportrahmen 8 festgelegt ist, wie dies oben
beschrieben ist, wird der Supportrahmen 8 auf der Anordnungsoberfläche 111 der zylindrischen
Basis 11 angeordnet und auf der Basis 11 mittels
Klemmen bzw. Klammern 14 gesichert, wie dies in 9 und in 10(a) gezeigt ist. Dann wird das Expansionsglied 121 der
Expansionsmittel 12, die den Bereich 91 abstützen, wo
der Wafer 2 vorliegt, in dem obigen Schneidklebeband 9 zu
der Expansionsposition, die in 10(b) gezeigt
ist, von der Bezugsposition, die in 10(a) gezeigt
ist, durch die Anhebemittel bewegt, die nicht gezeigt sind. Als ein
Ergebnis wird das elastische Schneidklebeband 9 so gedehnt,
daß eine
Zugspannung bzw. -kraft auf den Wafer 2 ausgeübt wird,
der auf dem Schneidklebeband 9 festgelegt ist. Folglich
wird der Wafer 2 entlang der Straßen 21 unterteilt,
deren Festigkeit aufgrund der Ausbildung der verschlechterten Schicht reduziert
wurde, und die dünne
Metallfolie 24, die auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des
Wafers 2 ausgebildet ist, wird auch entlang der Straßen 21 unterteilt. Bevor
das Schneidklebeband 9 gedehnt wird. ist es wünschenswert,
daß das
Unterteilen entlang der Straßen 21 durch
Abgeben eines Hitzeschocks, der durch Anwenden eines Laserstrahls
(kontinuierliche Welle) erzeugt wird, oder Ultraschallvibration
auf die Straßen 21 des
Wafers 2 gefördert
bzw. unterstützt wird.
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Danach
werden die individuellen Halbleitervorrichtung 22, die
voneinander getrennt sind, von der oberen Oberfläche des Schneidklebebands 9 durch
Aktivieren einer Aufnahmehülse 15,
die über der
Aufnahmevorrichtung 10 positioniert ist, wie dies in 9 gezeigt ist, aufgenommen
und zu einem Tablett, welches nicht gezeigt ist, getragen. Zu diesem Zeitpunkt
werden die Ultraviolett-Lampen 113, die in dem Expansionsglied 121 installiert
sind, eingeschaltet, um ultraviolette Strahlung auf das Schneidklebeband 9 aufzubringen,
um die Klebefestigkeit des Schneidklebebands 9 zu verringern,
wodurch es möglich
gemacht wird, die Halbleitervorrichtungen 22 sehr leicht
aufzunehmen.
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Das
Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers gemäß einer Ausbildung der vorliegenden
Erfindung wurde oben beschrieben. Verschiedene Modifikationen können in
jedem Schritt ausgeführt
werden. Beispielsweise kann der obige Laserstrahl-Aufbringschritt
ohne ein Bonden des Wafers 2 an das Schutzglied 3 ausgeführt werden.
D.h., es kann ein Laserstrahl, der fähig ist, durch einen Wafer
hindurchzutreten, auf den Wafer 2 entlang der Straßen 21 von
der Seite der rückwärtigen Oberfläche 2b oder
von der Seite der vorderen Oberfläche 2a in einem Zustand des
Wafers aufgebracht werden, welcher nicht mit einem Schutzglied verbunden
ist, um die verschlechterte Schicht 23 im Inneren des Wafers 2 auszubilden.
Nachdem der Laserstrahl-Aufbringschritt so ausgeführt ist
und dann die vordere Oberfläche 2a des
Wafers 2 mit dem Schutzglied 3 verbunden ist, kann
der obigen Rückseiten-Schleifschritt
ausgeführt werden.
D.h. der Schritt eines Integrierens des Wafers 2 mit dem
Schutzglied 3 durch Verbinden der vorderen Oberfläche 2a und
des Wafers 2 mit dem Schutzglied 3 kann vor dem
Rückseiten-Schleifschritt ausgeführt werden.
Weiters wird in der obigen Ausbildung der Rückseiten-Schleifschritt nach
dem Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt. Jedoch kann, nachdem der
Rückseiten-Schleifschritt
ausgeführt
wird, um die Dicke des Wafers 2 auf einen vorbestimmten Wert
zu reduzieren, der Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt werden.
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Weiters
ist es, nachdem der obige Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt wurde,
möglich,
daß der
Waferunterteilungsschritt zum Zerbrechen des Wafers 2 entlang
der verschlechterten Schicht 23, die im Inneren des Wafers 2 ausgebildet
ist, entlang der Straßen 21 in
einem Zustand ausgeführt
wird, wo das Schutzglied 3 mit der vorderen Oberfläche 2a des Wafers 2 verbunden
ist. In diesem Waferunterteilungsschritt wird der Wafer 2 positiv
entlang der verschlechterten Schicht 23, die eine reduzierte
Festigkeit aufweist, zerteilt bzw. gesprungen, indem ein Stimulus
bzw. Reiz einer Ultraschallvibration oder eines Hitzeschocks durch
Aufbringen eines Laserstrahls (kontinuierliche Welle) auf den Wafer 2 ausgeübt wird.
Der Waferunterteilungsschritt kann vor dem obigen Rückseiten-Schleifschritt
ausgeführt
werden, oder vor oder nach dem obigen Ausbildungsschritt eines dünnen Metallfilms,
wenn er nach dem Laserstrahl-Aufbringschritt ausgeführt wird.
Indem der Wafer 2 entlang der verschlechterten Schicht 23 positiv geteilt
wird, kann der dünne
Metallfilm 24, der auf der rückwärtigen Oberfläche 2b des
Wafers 2 ausgebildet ist, leicht in dem obigen Halbleitervorrichtungs-Unterteilungsschritt
unterteilt werden.