JP2011243875A - サファイアウェーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。
【解決手段】サファイアウェーハ1の裏面側から分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザをサファイアウェーハ1の内部に集光して照射し、内部に改質層30を形成した後、サファイアウェーハ1の裏面側に反射膜31を形成し、その後、改質層30に外力を加えることによってサファイアウェーハ1を分割予定ラインに沿って分割する。
【選択図】図4
【解決手段】サファイアウェーハ1の裏面側から分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザをサファイアウェーハ1の内部に集光して照射し、内部に改質層30を形成した後、サファイアウェーハ1の裏面側に反射膜31を形成し、その後、改質層30に外力を加えることによってサファイアウェーハ1を分割予定ラインに沿って分割する。
【選択図】図4
Description
本発明は、複数の素子形成領域内にそれぞれ反射膜を備えた発光デバイスが形成されたサファイアウェーハを分割予定ラインに沿って分割するサファイアウェーハの分割方法に関する。
サファイアウェーハを用いて製造される発光デバイスとしては、サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)系等の窒化物半導体が積層されてなる発光ダイオード(LED)等がある。このような発光デバイスは、サファイアウェーハの分割予定ラインで囲まれた素子形成領域内にそれぞれ形成されている。素子形成領域内にそれぞれ発光デバイスが形成されたサファイアウェーハを分割予定ラインに沿って分割させることにより、個々の発光デバイスが得られる。
ところで、サファイアウェーハは、モース硬度が高いことから切削ブレードを分割手段として構成されるダイシング装置による分割が比較的困難であった。そこで、パルスレーザ光線を用いた分割方法が試みられている。すなわち、この分割方法では、サファイアウェーハの一方の面側から分割予定ラインに沿った内部に集光点を合わせてサファイアに対して透過性を有する波長のパルスレーザ光線を照射して、ウェーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成する。そして、改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って、サファイアウェーハに外力を加えることにより、被加工物であるサファイアウェーハを分割するというものである(例えば、特許文献1参照)。
サファイアウェーハを用いて製造された発光デバイスとしては、半導体層で形成された活性層から発した光を反射して光の取り出し効率を向上させるためにサファイア基板(サファイアウェーハ)の他方の面(半導体層が形成された面と反対側の面)に反射膜が積層されたものがある。このような発光デバイスを個々に分割する際には、発光デバイスを損傷させないためにも、活性層が形成されていない面側からレーザ光線を照射してサファイアウェーハの内部に改質層を形成することが必要となる。しかし、活性層が形成された面と反対の面には、反射膜が形成されているため、これがレーザ光線の照射の妨げになりサファイアウェーハの内部に改質層が適切に形成できないとう問題があった。
この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表面の分割予定ラインによって区画された領域に発光デバイスが複数形成され、裏面に該発光デバイスの発する光を反射する反射膜が積層されたサファイアウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するサファイアウェーハの分割方法であって、該サファイアウェーハに該反射膜が積層される前に、該サファイアウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザを該サファイアウェーハの内部に集光して照射し、該サファイアウェーハの内部に該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程の後に、該分割予定ラインに沿って該改質層が形成された該サファイアウェーハの裏面に該反射膜を積層する積層工程と、該積層工程の後に、該改質層に外力を加えることによって該サファイアウェーハ及び該反射膜を該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含むことを特徴とする。
この発明によれば、反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工することが可能となる。このため、発光デバイスの製造歩留まりを向上させることができる。
以下に、この発明の実施の形態にかかるサファイアウェーハの分割方法について図面を参照して説明する。但し、図面は模式的なものであり、各層の厚みや厚みの比率などは現実のものとは異なる。また、この実施の形態にかかるサファイアウェーハの分割方法では、サファイアウェーハに半導体層、反射膜等を形成し発光デバイスとしての発光素子を作り込んだ状態のものを分割対象とするものである。
ここで、この実施の形態にかかる分割方法が適用されるサファイアウェーハの一例として、図1〜3に示すようなサファイアウェーハ1について説明する。図1に示すように、このサファイアウェーハ1は、その表面1aの格子状の分割予定ライン11によって区画された領域のそれぞれに発光素子部100Aが形成されている。なお、分割予定ライン11は、サファイアウェーハ1の表面1a側から見ると格子状のラインであるが、この分割予定ライン11に基づいて分割を行った場合に、図2および図3に一点鎖線で示すようなサファイアウェーハ1等の厚さ方向の劈開予定面となる。
図2に示すように、発光素子部100Aは、サファイアウェーハ1の表面(主面)1a側に、例えば窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体であるGaNやInGaN等の窒化物半導体が積層されてなる。
具体的には、サファイアウェーハ1の表面1a側には、GaN系バッファ層21がエピタキシャル成長されて形成され、さらに、n型GaN系高濃度層22、n型GaN系でなるn型クラッド層23、例えば多重量子井戸構造のInGaN系活性層24、p型GaN系でなるp型クラッド層25、p型GaN系でなるコンタクト層26が順次積層されている。そして、表面側の一部が適宜エッチングされて形成された凹部28の底部にn型GaN系高濃度層22が露出するようにされ、この露出したn型GaN系高濃度層22の表面にn側電極29が形成されている。また、p型GaN系でなるコンタクト層26の表面には、p側透明電極27が形成されている。
以下、このようなサファイアウェーハ1に関して、各発光素子100に分割するための分割方法について説明する。
(改質層形成工程)
図2に示すように、サファイアウェーハ1を、窒化物半導体が積層された側の表面側が下になるように図示しない周知のレーザ加工装置のチャックテーブルの上に載置して保持する。そして、サファイアウェーハ1における表面1aと反対側の面に、分割予定ライン11に沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザLをサファイアウェーハ1の内部に集光して照射し、サファイアウェーハ1の内部に改質層30を形成する。この改質層30は、全ての分割予定ライン11に沿ってそれぞれのラインで連続的になるように形成する。
図2に示すように、サファイアウェーハ1を、窒化物半導体が積層された側の表面側が下になるように図示しない周知のレーザ加工装置のチャックテーブルの上に載置して保持する。そして、サファイアウェーハ1における表面1aと反対側の面に、分割予定ライン11に沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザLをサファイアウェーハ1の内部に集光して照射し、サファイアウェーハ1の内部に改質層30を形成する。この改質層30は、全ての分割予定ライン11に沿ってそれぞれのラインで連続的になるように形成する。
ここで、改質層30とは、サファイアウェーハ内部において、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。さらに、具体的には、改質層30として、溶融処理領域、クラック発生領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等や、これらが混在した領域を挙げることができる。
因みに、この改質層形成工程で用いるパルスレーザLの条件は、以下に示す通りである。
○改質層形成条件
レーザ波長:1045nm
周波数:100kHz
出力:0.3W
加工送り速度:400mm/秒
○改質層形成条件
レーザ波長:1045nm
周波数:100kHz
出力:0.3W
加工送り速度:400mm/秒
(積層工程)
次に、図3に示すように、上記改質層形成工程にて改質層30が形成されたサファイアウェーハ1の表面1aと反対側の面に反射膜31を形成する。ここでは、反射膜31としては、サファイアウェーハ1の側から、順次、誘電体多層膜(DBR:Distributed Bragg Reflector)32、例えばアルミニウムや金等でなる金属膜33を積層して形成する。これらの反射性材料膜は、CVD装置や蒸着装置ならびにスパッタ装置等を用いて成膜する。なお、この実施の形態では、反射膜31として、誘電体多層膜32と金属膜33との2層の反射性材料膜が積層されたものを用いているが、これらのいずれかが形成された構成であってもよいし、さらに多層の構造であってもよい。
次に、図3に示すように、上記改質層形成工程にて改質層30が形成されたサファイアウェーハ1の表面1aと反対側の面に反射膜31を形成する。ここでは、反射膜31としては、サファイアウェーハ1の側から、順次、誘電体多層膜(DBR:Distributed Bragg Reflector)32、例えばアルミニウムや金等でなる金属膜33を積層して形成する。これらの反射性材料膜は、CVD装置や蒸着装置ならびにスパッタ装置等を用いて成膜する。なお、この実施の形態では、反射膜31として、誘電体多層膜32と金属膜33との2層の反射性材料膜が積層されたものを用いているが、これらのいずれかが形成された構成であってもよいし、さらに多層の構造であってもよい。
(分割工程)
次に、図4に示すように、上記の積層工程で反射膜31が形成されたサファイアウェーハ1における窒化物半導体が積層された側の表面全体に、拡張テープ40を貼り付ける。なお、拡張テープ40は、引っ張った際に拡張するように変形する例えば樹脂製のテープ本体41と粘着層42とからなる。この拡張テープ40は、サファイアウェーハ1よりも大きな面積を有するシート状のものを用いる。
次に、図4に示すように、上記の積層工程で反射膜31が形成されたサファイアウェーハ1における窒化物半導体が積層された側の表面全体に、拡張テープ40を貼り付ける。なお、拡張テープ40は、引っ張った際に拡張するように変形する例えば樹脂製のテープ本体41と粘着層42とからなる。この拡張テープ40は、サファイアウェーハ1よりも大きな面積を有するシート状のものを用いる。
そして、拡張テープ40を図4において矢印Pで示す平面拡張方向に強制的に伸張させて外力を加えることにより、半導体層、反射膜等を含むサファイアウェーハ1を改質層30が形成されている分割予定ライン11に沿って分割することができる。図4に示すように、サファイアウェーハ1は、分割されてそれぞれの発光素子100のサファイア基板1Aとなる。
なお、図4および図5では、発光素子100におけるサファイア基板1Aの劈開された側壁には、説明の便宜上、改質層30を示しているが、改質層30は実際には微小な幅であるため、劈開された側壁には殆ど加工痕として現れることはなく、発光素子100の性能を低下させることはない。
図5に示すように、この実施の形態で分割された発光素子100は、反射膜31側を実装基板50へ接着させて実装させることができ、InGaN系活性層24で発生した光は、前方と後方と向けて照射される。ここで、前方に向けて照射された光Lfはp側透明電極27を透過して前方へ出射され、後方に向けて照射された光Lbは反射膜31で反射されてp側透明電極27を透過して前方へ出射される。
この実施の形態にかかるサファイアウェーハの分割方法では、反射膜31が形成される前にパルスレーザLをサファイアウェーハ1の内部に集光して照射し、サファイアウェーハ1の内部に改質層30を形成するので適切に改質層を形成することが出来、その後反射膜31が形成されたサファイアウェーハ1を適切に分割加工することを実現することができる。したがって、発光素子部100Aが作り込まれたサファイアウェーハ1を確実に個々の発光素子100に分割でき、発光素子100の製造における歩留まりを向上することができる。
(その他の実施の形態)
以上、この発明の実施の形態について説明したが、上記の実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者に様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
以上、この発明の実施の形態について説明したが、上記の実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者に様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
例えば、上記の実施の形態では、サファイアウェーハ1の表面1aに、窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体であるGaNやInGaN等の窒化物半導体が積層され、サファイアウェーハ1の表面1aと反対側の面に反射膜31が形成された構成の発光素子にこの発明を適用して説明したが、サファイアウェーハ1に対して、様々な材料、各種の構造を用いて作り込まれる発光ダイオード、レーザダイオード等の各種の発光デバイスに適用可能である。
また、上記の実施の形態では、分割工程において拡張テープ40をサファイアウェーハ1における窒化物半導体が積層された側の表面に貼り付けたが、反射膜31に拡張テープ40を貼り付けて分割を行うことも勿論可能である。
さらに、上記の実施の形態では、分割工程において拡張テープ40を強制的に伸張させることでサファイアウェーハ1に外力を与えて分割させたが、サファイアウェーハ1の上にローラを用いて荷重を作用させて分割してもよい。
また、上記の実施の形態では、改質層30を全ての分割予定ライン11に沿ってそれぞれのラインで連続的になるように形成したが、直線的な分割が可能な範囲で間欠的に改質層30を形成してもよい。
以上のように、本発明にかかるサファイアウェーハの分割方法は、発光デバイスの製造に有用であり、特に、発光ダイオード、レーザダイオード等の発光デバイスの製造技術で利用できる。
1 サファイアウェーハ
100 発光素子
100A 発光素子部
11 分割予定ライン
1A サファイア基板
1a 表面
24 InGaN系活性層
27 p側透明電極
29 n側電極
30 改質層
31 反射膜
32 誘電体多層膜
33 金属膜
40 拡張テープ
100 発光素子
100A 発光素子部
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1A サファイア基板
1a 表面
24 InGaN系活性層
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29 n側電極
30 改質層
31 反射膜
32 誘電体多層膜
33 金属膜
40 拡張テープ
Claims (1)
- 表面の分割予定ラインによって区画された領域に発光デバイスが複数形成され、裏面に前記発光デバイスの発する光を反射する反射膜が積層されたサファイアウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するサファイアウェーハの分割方法であって、
該サファイアウェーハに該反射膜が積層される前に、該サファイアウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザを該サファイアウェーハの内部に集光して照射し、該サファイアウェーハの内部に該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程の後に、該分割予定ラインに沿って該改質層が形成された該サファイアウェーハの裏面に該反射膜を積層する積層工程と、
該積層工程の後に、該改質層に外力を加えることによって該サファイアウェーハ及び該反射膜を該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を含むことを特徴とするサファイアウェーハの分割方法。
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Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013042119A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法 |
CN103177943A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 株式会社迪思科 | 晶片加工方法 |
US8497189B1 (en) | 2012-01-24 | 2013-07-30 | Disco Corporation | Processing method for wafer |
JP2013152988A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152992A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152987A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152984A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152993A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152994A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152989A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152991A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152995A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152990A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152985A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013254841A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 光電素子及びその製造方法 |
JP2014017283A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-30 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2017216423A (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2018101771A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
US10505072B2 (en) | 2016-12-16 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
US11646392B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-05-09 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102544299B (zh) * | 2012-03-06 | 2015-10-14 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发光二极管芯片及该芯片的制备方法 |
CN103320858B (zh) * | 2013-07-12 | 2014-08-06 | 江苏中晶光电有限公司 | 一种蓝宝石晶体片 |
JP2017220476A (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | 株式会社ディスコ | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1044139A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-17 | Rohm Co Ltd | 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製 造方法 |
JP2005064232A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
-
2010
- 2010-05-20 JP JP2010116645A patent/JP2011243875A/ja active Pending
-
2011
- 2011-05-20 CN CN2011101593617A patent/CN102299105A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1044139A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-17 | Rohm Co Ltd | 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製 造方法 |
JP2005064232A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013042119A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法 |
CN103177943A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 株式会社迪思科 | 晶片加工方法 |
JP2013135026A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
KR101852639B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2018-04-26 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
JP2013152990A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152989A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152992A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152987A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152984A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152993A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152994A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US8497189B1 (en) | 2012-01-24 | 2013-07-30 | Disco Corporation | Processing method for wafer |
JP2013152991A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152995A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152988A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152985A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013152986A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2013254841A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 光電素子及びその製造方法 |
JP2014017283A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-30 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2017216423A (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2018101771A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
US10505072B2 (en) | 2016-12-16 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
JP2019220723A (ja) * | 2016-12-16 | 2019-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
US11056612B2 (en) | 2016-12-16 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Light emitting element |
JP7144684B2 (ja) | 2016-12-16 | 2022-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2022164879A (ja) * | 2016-12-16 | 2022-10-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
US11855238B2 (en) | 2016-12-16 | 2023-12-26 | Nichia Corporation | Light emitting element |
JP7445160B2 (ja) | 2016-12-16 | 2024-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
US11646392B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-05-09 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting device |
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Publication number | Publication date |
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