DE102004043475A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers mit optischen Vorrichtungen, die in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet sind, die durch Teilungslinien geteilt sind, die in einem Gittermuster an der vorderen Fläche gebildet sind, entlang der Teilungslinien, wobei das Verfahren aufweist: einen Laserstrahlaufbringungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls, der dazu befähigt ist, durch den Wafer hindurchzugehen entlang der Teilungslinien, um verschlechterte Schichten mit einer vorbestimmten Tiefe von der hinteren Fläche des Wafers her zu bilden; einen Schutzschichtbefestigungsschritt zum Befestigen einer Schutzschicht an der vorderen Fläche des Wafers mit den hierin gebildeten, verschlechterten Schichten; einen Teilungsschritt zum Teilen des Wafers mit der an der vorderen Fläche befestigten Schutzschicht entlang der verschlechterten Schichten; und einen Schleifschritt zum Schleifen der hinteren Fläche des entlang der verschlechterten Schichten geteilten Wafers in einem Zustand der an dem Wafer befestigten Schutzschicht, um die verschlechterten Schichten zu beseitigen.
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