CN203733770U - 圆片级封装工艺用治具 - Google Patents
圆片级封装工艺用治具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203733770U CN203733770U CN201420046759.9U CN201420046759U CN203733770U CN 203733770 U CN203733770 U CN 203733770U CN 201420046759 U CN201420046759 U CN 201420046759U CN 203733770 U CN203733770 U CN 203733770U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vacuum
- level packaging
- wafer
- disk
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 title abstract 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种圆片级封装工艺用治具，包括：设置有多个真空孔的载片台，真空管路和中空接头；所述真空孔下方设置有真空管路；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通，所述主管路上设置有中空接头，所述中空接头与外部真空系统连接、并通过所述真空管路与所述真空孔连通。本实用新型针对圆片级封装晶圆减薄，只有微小翘曲的情况下，现有的测试划片治具无法满足超薄形圆片级封装晶圆的测试划片等方面的要求，提供了圆片减薄用治具。
Description
技术领域
本实用新型涉及划片用治具，尤其涉及一种圆片级封装工艺用治具。
背景技术
工艺近年来，半导体器件在成本降低和前道晶圆制造工艺的提升的共同促进下，实现了同样功能的半导体器件的单体芯片尺寸越来越小的目标，这样对半导体器件散热要求越来越高，同时也需要半导体器件越来越薄，原来的圆片级封装工艺晶圆减薄工艺无法满足薄形化和高散热的要求，现有的测试划片治具无法满足超薄形圆片级封装工艺测试划片要求。
实用新型内容
在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
本实用新型提供一种圆片级封装工艺用治具，包括：设置有多个真空孔的载片台，真空管路和中空接头；所述真空孔下方设置有真空管路；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通，所述主管路上设置有中空接头，所述中空接头与外部真空系统连接、并通过所述真空管路与所述真空孔连通。
本实用新型针对圆片级封装晶圆减薄，只有微小翘曲的情况下，现有的测试划片治具无法满足超薄形圆片级封装晶圆的测试划片等方面的要求，提供了圆片级封装工艺用治具。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型圆片级封装工艺用治具截面图；
图2为本实用新型圆片级封装环状减薄后截面图；
图3为本实用新型环状减薄圆片放置于治具上的工作截面图。
附图标记：
303-载片台； 304-微型切割槽； 305-中空接头；
306a-真空孔； 306-真空管路。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了一种圆片级封装工艺用治具，如图1所示为圆片减薄用治具的截面图，包括：设置有多个真空孔306a的载片台303，真空管路306和中空接头305；所述真空孔306a下方设置有真空管理306；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔306a连通，所述主管路上设置有中空接头305，所述中空接头305与外部真空系统连接、并通过所述真空管路306与所述真空孔306a连通。本实用新型提供的圆片级封装工艺用治具能够满足超薄形圆片级封装晶圆的在测试划片等方面的要求。
本实用新型所述的圆片级封装工艺用治具为倒T型结构，如图1所示，载片台303为所述圆片减薄用治具的框架，为倒T型结构，上部较窄的部分用于放置减薄前的圆片，对放置在载片台上的圆片进行减薄；还可以用于放置减薄后的圆片。
本实用新型所述对圆片进行的减薄是对圆片的背面选择性环状减薄，将圆片背面用球状齿轮进行打磨，形成周边厚中间薄的环状的结构，如图2所示。减薄后的圆片还需要对芯片进行测试封装和圆片上单体芯片的切割等步骤，将减薄后的圆片放置在圆片级封装工艺用治具上，将圆片减薄后的一面向下，卡接在载片台303上，如图3所示。
减薄后的圆片放置在载片台上，对圆片上的芯片，芯片上的凸点进行测试，然后进行封装和切割等工艺，上述的圆片在极限减薄后达到了只有微小翘曲的目标，在此目标上所提供的圆片减薄治具可以使得圆片减薄更加的方便，并且很多相应的步骤也都可以在此圆片级封装工艺用治具上完成。
可选的，所述载片台上还设置有多个微型切割槽，在载片台303上设置有多个微型切割槽304，如图1所示，所述微型切割槽304分布在载片台303的上表面，并且是均匀分布，这些微型切割槽与要减薄的圆片上的划片槽一一对应，即与单体芯片的划片槽一一对应。减薄的圆片上设置有划片槽，用于在圆片减薄后将圆片上的芯片分割开来，用刀具将圆片沿着划片槽切割，在载片台上设置微型切割槽304，可以在切割的时候保护载片台表面。
可选的，所述多个微型切割槽304成矩阵排列。在实际使用过程中，所述微型切割槽304与圆片上的单体芯片的划片槽一一对应，所述圆片上的划片槽呈矩阵排列，为了将矩阵排列的芯片切割开，所以相应的微型切割槽也成矩阵排列，便于圆片的切割和对载片台上表面的保护。
可选的，相邻所述微型切割槽之间设置有真空孔，如图1所示，在载片台303上表面的微型切割槽304之间，相邻的微型切割槽之间设置有真空孔306a，相比较微型切割槽，真空孔较大，所述真空孔306a下有真空管路306，真空管路306还与中空接头305相连，所述中空结头305在载片台下半截较宽部分的上表面，所述中空结头305与外部的真空系统相连接，外部的真空系统开启将真空管路306中抽成近似真空状态，放置在载片台上的圆片因此可以牢牢吸附在载片台的上表面。
每个真空孔306a的下面都设置有真空管路，所述真空管路包括横向的主管路和竖直方向的多个支路，每个支路的一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通。主管路上设置有中控接头305，所述中空接头305与外部真空系统连接，如图1所示。对圆片的减薄是通过球状齿轮对圆片的背面进行打磨，打磨的时候需要将圆片进行固定，圆片的上表面形成有凸点，为了在打磨的时候对芯片及芯片上的凸点进行保护，需要在有凸点的一面形成保护膜203，将有保护膜203的一面向下，放置在载片台上，通过中空接头305与外界真空系统相连接，所述真空系统工作，将真空管路306中抽成真空状态，待减薄的圆片就牢牢吸附在载片台的上表面，接下来通过球状齿轮对圆片进行减薄。因为通过真空孔和真空管路将圆片吸附在载片台上，所以可以对圆片进行精确地操作。
相对的，圆片上表面贴有的保护膜203的表面相对要较为平整，圆片吸附在载片台上才能吸附的较为牢固。
待圆片减薄后，形成如图2所示的形状后，将减薄后的圆片反过来，贴有保护膜203的一面向上，放置在载片台上，并且将真空管路中抽成真空，将减薄后的芯片吸附在载片台上，形成如图3所示的结构。减薄后的圆片吸附在载片台上后，将圆片上的保护膜撕掉，并且对芯片上形成的凸点进行测试，再沿圆片上的划片槽将圆片进行切割。
本实用新型提供的圆片级封装工艺用治具可以将减薄前的圆片牢牢吸附在载片台的表面，圆片不能随便移动，保证了减薄工艺的精确进行，所述对圆片的减薄实现了圆片级封装工艺中圆片极限减薄后只有微小翘曲的目标；并且，在圆片背面减薄后，接下来的去除保护膜，凸点的测试，芯片的划片切割等步骤均可在该治具上完成，满足了超薄型圆片减薄封装等一系列的要求。
在本实用新型的装置和方法等实施例中，显然，各部件或各步骤是可以分解、组合和/或分解后重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本实用新型的等效方案。同时，在上面对本实用新型具体实施例的描述中，针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
最后应说明的是：虽然以上已经详细说明了本实用新型及其优点，但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本实用新型的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且，本实用新型的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本实用新型的公开内容将容易理解，根据本实用新型可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此，所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。
Claims (5)
1.一种圆片级封装工艺用治具，其特征在于，包括：设置有多个真空孔的载片台，真空管路和中空接头；所述真空孔下方设置有真空管路；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通，所述主管路上设置有中空接头，所述中空接头与外部真空系统连接、并通过所述真空管路与所述真空孔连通。
2.根据权利要求1所述的圆片级封装工艺用治具，其特征在于，所述载片台上还设置有多个微型切割槽。
3.根据权利要求2所述的圆片级封装工艺用治具，其特征在于，所述微型切割槽的宽度为30～80um。
4.根据权利要求2所述的圆片级封装工艺用治具，其特征在于，所述多个微型切割槽成矩阵排列。
5.根据权利要求4所述的圆片级封装工艺用治具，其特征在于，相邻所述微型切割槽之间设置有所述真空孔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420046759.9U CN203733770U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 圆片级封装工艺用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420046759.9U CN203733770U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 圆片级封装工艺用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203733770U true CN203733770U (zh) | 2014-07-23 |
Family
ID=51203821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420046759.9U Expired - Lifetime CN203733770U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 圆片级封装工艺用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203733770U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108231648A (zh) * | 2016-12-21 | 2018-06-29 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装及贴片方法 |
| US11043405B2 (en) * | 2019-03-26 | 2021-06-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Particle reduction in semiconductor fabrication |
| CN116372403A (zh) * | 2023-05-10 | 2023-07-04 | 重庆合利众恒科技有限公司 | 一种应用在手机sus加工减少变形的治具及其工艺 |
-
2014
- 2014-01-24 CN CN201420046759.9U patent/CN203733770U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108231648A (zh) * | 2016-12-21 | 2018-06-29 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaAs基LED芯片减薄工艺中的贴片工装及贴片方法 |
| US11043405B2 (en) * | 2019-03-26 | 2021-06-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Particle reduction in semiconductor fabrication |
| CN116372403A (zh) * | 2023-05-10 | 2023-07-04 | 重庆合利众恒科技有限公司 | 一种应用在手机sus加工减少变形的治具及其工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103811396A (zh) | 圆片封装工艺用治具 | |
| CN103441103B (zh) | 晶圆切割方法 | |
| US10438881B2 (en) | Packaging arrangements including high density interconnect bridge | |
| CN203733770U (zh) | 圆片级封装工艺用治具 | |
| US8828803B2 (en) | Resin sealing method for semiconductor chips | |
| CN104064509A (zh) | 晶圆暂时键合及分离的方法 | |
| CN103441104A (zh) | 晶圆切割方法 | |
| CN104752252A (zh) | 表征晶背缺陷的方法 | |
| CN104299950A (zh) | 晶圆级芯片封装结构 | |
| CN101488476B (zh) | 封装方法 | |
| CN102104021A (zh) | 晶片切割方法 | |
| CN104362102A (zh) | 晶圆级芯片规模封装工艺 | |
| US20120009763A1 (en) | Semiconductor chip manufacturing method | |
| CN105742212B (zh) | 将晶片分成裸片的方法 | |
| CN104867809B (zh) | 封装器件的定点研磨方法 | |
| US10304716B1 (en) | Package structure and manufacturing method thereof | |
| JP2018109716A5 (zh) | ||
| US9564376B2 (en) | Semiconductor process | |
| JP6008576B2 (ja) | 表面保護テープの貼着方法 | |
| CN103811357A (zh) | 超薄形圆片级封装制造方法 | |
| TW201729308A (zh) | 晶圓級封裝結構的製造方法 | |
| CN104029112A (zh) | 一种芯片反向工艺的研磨方法 | |
| CN106298493A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| CN203733801U (zh) | 晶圆减薄结构 | |
| CN205845939U (zh) | 用于减薄芯片层的结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 226006 Jiangsu Province, Nantong City Chongchuan District Chongchuan Road No. 288 Patentee after: TONGFU MICROELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 226006 Jiangsu Province, Nantong City Chongchuan District Chongchuan Road No. 288 Patentee before: NANTONG FUJITSU MICROELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140723 |