AT256940B - Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen, kristallinen Schicht, insbesondere Halbleiterschicht - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen, kristallinen Schicht, insbesondere Halbleiterschicht

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3635683A (en) * 1968-06-05 1972-01-18 Texas Instruments Inc Method of crystal growth by vapor deposition
US3696779A (en) * 1969-12-29 1972-10-10 Kokusai Electric Co Ltd Vapor growth device
DE2033444C3 (de) * 1970-07-06 1979-02-15 Siemens Ag Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial
US4062318A (en) * 1976-11-19 1977-12-13 Rca Corporation Apparatus for chemical vapor deposition
GB2169003B (en) * 1984-11-16 1987-12-31 Sony Corp Chemical vapour deposition
US4649859A (en) * 1985-02-19 1987-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Reactor design for uniform chemical vapor deposition-grown films without substrate rotation
US5414927A (en) * 1993-03-30 1995-05-16 Union Oil Co Furnace elements made from graphite sheets
EP1060301B1 (de) * 1998-02-24 2003-01-22 Aixtron AG Anordnung für die obere wandung eines reaktors für epitaxisches wachstum
KR100319891B1 (ko) * 1999-06-29 2002-01-10 윤종용 웨이퍼용 열처리 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2631948A (en) * 1949-05-23 1953-03-17 Ohio Commw Eng Co Method and apparatus for gas plating
US2887088A (en) * 1954-08-16 1959-05-19 Ohio Commw Eng Co Apparatus for gaseous metal plating fibers
NL238464A (de) * 1958-05-29
NL256255A (de) * 1959-11-02
NL270518A (de) * 1960-11-30
NL271345A (de) * 1960-11-30
US3233578A (en) * 1962-04-23 1966-02-08 Capita Emil Robert Apparatus for vapor plating
US3301213A (en) * 1962-10-23 1967-01-31 Ibm Epitaxial reactor apparatus
US3381114A (en) * 1963-12-28 1968-04-30 Nippon Electric Co Device for manufacturing epitaxial crystals

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NL6517274A (de) 1966-08-01
US3472684A (en) 1969-10-14

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