CH458299A - Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen HalbleiterschichtInfo
- Publication number
- CH458299A CH458299A CH221264A CH221264A CH458299A CH 458299 A CH458299 A CH 458299A CH 221264 A CH221264 A CH 221264A CH 221264 A CH221264 A CH 221264A CH 458299 A CH458299 A CH 458299A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- producing
- semiconductor layer
- monocrystalline semiconductor
- monocrystalline
- layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0236—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a reactive gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/006—Apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES85119A DE1289829B (de) | 1963-05-09 | 1963-05-09 | Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht durch Abscheidung aus einem Reaktionsgas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH458299A true CH458299A (de) | 1968-06-30 |
Family
ID=7512168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH221264A CH458299A (de) | 1963-05-09 | 1964-02-24 | Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3341374A (de) |
CH (1) | CH458299A (de) |
DE (1) | DE1289829B (de) |
GB (1) | GB1062284A (de) |
NL (1) | NL6402823A (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3428500A (en) * | 1964-04-25 | 1969-02-18 | Fujitsu Ltd | Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side |
DE1287047B (de) * | 1965-02-18 | 1969-01-16 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht |
US3725135A (en) * | 1968-10-09 | 1973-04-03 | Honeywell Inc | PROCESS FOR PREPARING EPITAXIAL LAYERS OF Hg{11 {118 {11 Cd{11 Te |
US4033286A (en) * | 1976-07-12 | 1977-07-05 | California Institute Of Technology | Chemical vapor deposition reactor |
JP2585470B2 (ja) * | 1991-01-14 | 1997-02-26 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体押出用口金の製造方法 |
JP3444327B2 (ja) * | 1996-03-04 | 2003-09-08 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶薄膜の製造方法 |
CN109444331B (zh) * | 2018-09-30 | 2020-08-28 | 中国科学技术大学 | 一种超高真空加热装置及其加热方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE943422C (de) * | 1949-04-02 | 1956-05-17 | Licentia Gmbh | Gesteuerter Trockengleichrichter, insbesondere mit Germanium, Silizium oder Siliziumkarbid als halbleitender Substanz |
NL268294A (de) * | 1960-10-10 | |||
US3148094A (en) * | 1961-03-13 | 1964-09-08 | Texas Instruments Inc | Method of producing junctions by a relocation process |
US3172792A (en) * | 1961-07-05 | 1965-03-09 | Epitaxial deposition in a vacuum onto semiconductor wafers through an in- teracttgn between the wafer and the support material | |
US3140965A (en) * | 1961-07-22 | 1964-07-14 | Siemens Ag | Vapor deposition onto stacked semiconductor wafers followed by particular cooling |
NL296876A (de) * | 1962-08-23 | |||
FR1374096A (fr) * | 1962-11-15 | 1964-10-02 | Siemens Ag | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur |
-
1963
- 1963-05-09 DE DES85119A patent/DE1289829B/de active Pending
-
1964
- 1964-02-24 CH CH221264A patent/CH458299A/de unknown
- 1964-03-17 NL NL6402823A patent/NL6402823A/xx unknown
- 1964-05-07 US US365573A patent/US3341374A/en not_active Expired - Lifetime
- 1964-05-08 GB GB19168/64A patent/GB1062284A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1062284A (en) | 1967-03-22 |
DE1289829B (de) | 1969-02-27 |
US3341374A (en) | 1967-09-12 |
NL6402823A (de) | 1964-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CH505473A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
CH415856A (de) | Verfahren zum Herstellen eines pn-Übergangs in einer Halbleiteranordnung | |
AT252314B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Quarzkristall-Bauelementes | |
CH423728A (de) | Verfahren zum Herstellen von pn-Übergängen in Silizium | |
CH432656A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
AT348023B (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiter- anordnung aus silizium | |
CH516227A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Sperrschicht-Halbleitervorrichtung | |
CH403436A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
CH420072A (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben | |
CH458299A (de) | Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht | |
CH516476A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kristalls einer Halbleiterverbindung | |
CH525027A (de) | Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer Halbleiterverbindung | |
AT256940B (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen, kristallinen Schicht, insbesondere Halbleiterschicht | |
CH416575A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
AT278096B (de) | Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht | |
DE1800347B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
CH444828A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
CH468721A (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen | |
AT292786B (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
CH408223A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
CH452708A (de) | Verfahren zum Herstellen einer aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Halbleitervorrichtung | |
CH474859A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
CH408608A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Lötverbindung | |
CH421303A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
CH408876A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |