AT278096B - Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht - Google Patents

Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht

Info

Publication number
AT278096B
AT278096B AT06860/68A AT686068A AT278096B AT 278096 B AT278096 B AT 278096B AT 06860/68 A AT06860/68 A AT 06860/68A AT 686068 A AT686068 A AT 686068A AT 278096 B AT278096 B AT 278096B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
epitactic
cut
semiconductor layer
semiconductor
layer
Prior art date
Application number
AT06860/68A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT278096B publication Critical patent/AT278096B/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
AT06860/68A 1964-12-23 1965-12-21 Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht AT278096B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES94785A DE1262244B (de) 1964-12-23 1964-12-23 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT278096B true AT278096B (de) 1970-01-26

Family

ID=7518937

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT1150065A AT263082B (de) 1964-12-23 1965-12-21 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial, auf als Substrat dienende, erhitzte Halbleiterkristalle, insbesondere Halbleiterscheiben
AT840467A AT269948B (de) 1964-12-23 1965-12-21 Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial
AT06860/68A AT278096B (de) 1964-12-23 1965-12-21 Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT1150065A AT263082B (de) 1964-12-23 1965-12-21 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial, auf als Substrat dienende, erhitzte Halbleiterkristalle, insbesondere Halbleiterscheiben
AT840467A AT269948B (de) 1964-12-23 1965-12-21 Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3486933A (de)
AT (3) AT263082B (de)
CH (1) CH451886A (de)
DE (1) DE1262244B (de)
FR (1) FR1461829A (de)
GB (1) GB1124328A (de)
NL (1) NL6515706A (de)
SE (1) SE334865B (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1900116C3 (de) * 1969-01-02 1978-10-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen hxxochreiner, aus Silicium bestehender einkristalliner Schichten
US4020791A (en) * 1969-06-30 1977-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for indiffusing dopants into semiconductor material
US4496609A (en) * 1969-10-15 1985-01-29 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor
DE2033444C3 (de) * 1970-07-06 1979-02-15 Siemens Ag Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial
NL7209297A (de) * 1972-07-01 1974-01-03
DE2908288B1 (de) * 1979-03-03 1980-01-17 Heraeus Schott Quarzschmelze Glocke aus Quarzglas fuer halbleitertechnologische Zwecke
US5414927A (en) * 1993-03-30 1995-05-16 Union Oil Co Furnace elements made from graphite sheets

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1048638B (de) * 1957-07-02 1959-01-15 Siemens &. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion
NL124690C (de) * 1958-05-29
NL256255A (de) * 1959-11-02
US3096209A (en) * 1960-05-18 1963-07-02 Ibm Formation of semiconductor bodies
NL268241A (de) * 1960-09-09
NL270516A (de) * 1960-11-30
NL271345A (de) * 1960-11-30
US3243323A (en) * 1962-06-11 1966-03-29 Motorola Inc Gas etching
US3177100A (en) * 1963-09-09 1965-04-06 Rca Corp Depositing epitaxial layer of silicon from a vapor mixture of sih4 and h3
US3381114A (en) * 1963-12-28 1968-04-30 Nippon Electric Co Device for manufacturing epitaxial crystals

Also Published As

Publication number Publication date
FR1461829A (fr) 1966-12-09
NL6515706A (de) 1966-06-24
AT269948B (de) 1969-04-10
AT263082B (de) 1968-07-10
GB1124328A (en) 1968-08-21
CH451886A (de) 1968-05-15
DE1262244B (de) 1968-03-07
SE334865B (de) 1971-05-10
US3486933A (en) 1969-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT261004B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH505473A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
CH510747A (de) Verfahren zum Abscheiden einer Dünnschicht
CH532959A (de) Verfahren zum Kristallisieren einer binären Halbleiterverbindung
CH462110A (de) Verfahren zum Verkapseln von Tröpfchen einer Flüssigkeit
CH426943A (de) Verfahren zum Betrieb einer Umlaufspeicheranordnung
CH516227A (de) Verfahren zum Herstellen einer Sperrschicht-Halbleitervorrichtung
CH396224A (de) Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung
AT254367B (de) Verfahren zum Stabilisieren einer organischen Substanz
AT256938B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
AT249116B (de) Verfahren zum Ziehen von einkristallinem Halbleitermaterial
CH403436A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
CH423999A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH399588A (de) Verfahren zum Bestimmen des spezifischen Widerstandes einer dünnen Halbleiterschicht
AT278096B (de) Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht
CH474049A (de) Verfahren zum Interpolieren des Teilungsintervalls einer Teilung
CH457374A (de) Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht von kristallinem Material
CH418466A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH458299A (de) Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht
AT269389B (de) Gießeinrichtung zum Gießen einer Anzahl von Blöcken
CH416575A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1800347B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
AT299309B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH468721A (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen
CH452708A (de) Verfahren zum Herstellen einer aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
ELJ Ceased due to non-payment of the annual fee