CH451886A - Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht - Google Patents

Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht

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CH451886A
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CH1763665A
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Siemens Ag
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CH1763665A 1964-12-23 1965-12-21 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht CH451886A (de)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1900116C3 (de) * 1969-01-02 1978-10-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen hxxochreiner, aus Silicium bestehender einkristalliner Schichten
US4020791A (en) * 1969-06-30 1977-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus for indiffusing dopants into semiconductor material
US4496609A (en) * 1969-10-15 1985-01-29 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor
DE2033444C3 (de) * 1970-07-06 1979-02-15 Siemens Ag Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial
NL7209297A (de) * 1972-07-01 1974-01-03
DE2908288B1 (de) * 1979-03-03 1980-01-17 Heraeus Schott Quarzschmelze Glocke aus Quarzglas fuer halbleitertechnologische Zwecke
US5414927A (en) * 1993-03-30 1995-05-16 Union Oil Co Furnace elements made from graphite sheets

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1048638B (de) * 1957-07-02 1959-01-15 Siemens &. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion
NL238464A (de) * 1958-05-29
NL256255A (de) * 1959-11-02
US3096209A (en) * 1960-05-18 1963-07-02 Ibm Formation of semiconductor bodies
BE607571A (de) * 1960-09-09
NL270516A (de) * 1960-11-30
NL271345A (de) * 1960-11-30
US3243323A (en) * 1962-06-11 1966-03-29 Motorola Inc Gas etching
US3177100A (en) * 1963-09-09 1965-04-06 Rca Corp Depositing epitaxial layer of silicon from a vapor mixture of sih4 and h3
US3381114A (en) * 1963-12-28 1968-04-30 Nippon Electric Co Device for manufacturing epitaxial crystals

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GB1124328A (en) 1968-08-21
SE334865B (de) 1971-05-10
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AT263082B (de) 1968-07-10
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US3486933A (en) 1969-12-30
AT278096B (de) 1970-01-26

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