DE1048638B - Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion

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DE1048638B DENDAT1048638D DE1048638DA DE1048638B DE 1048638 B DE1048638 B DE 1048638B DE NDAT1048638 D DENDAT1048638 D DE NDAT1048638D DE 1048638D A DE1048638D A DE 1048638DA DE 1048638 B DE1048638 B DE 1048638B
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion Bei dem an sich bekannten Verfahren, Halbleiterkristalle durch Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase auf einen erhitzten Trägerkristall aus dem gleichen Stoff herzustellen, bereitete die unmittelbare Erzeugung von Einkristallen bislang große Schwierigkeiten. Der Grund hierfür liegt in einer Anzahl von Störungen, die man bisher nur teilweise erkannt hat und die ein organisches Verwachsen des abgeschiedenen Materials zu einer monokristallinen Phase erschweren bzw. unmöglich machen. Insbesondere bei den für die Herstellung von Siliziumeinkristallen erforderlichen hohen Temperaturen fallen diese Störungen besonders ins Gewicht, so daß es bisher unmöglich war, einwandfreie Siliziumeinkristalle bei Anwendung des genannten Verfahrens zu erhalten. Es ist Aufgabe der Erfindung, diese Störungen zu beseitigen und einen Weg anzugeben, der bei Anwendung des genannten Verfahrens zu störungsfreien Halbleitereinkristallen, insbesondere zu einwandfreien Siliziumeinkristallen, führt.
  • Bei Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkörper ist es bereits bekannt, daß über den in einer Kammer eingebrachten Körper ein Germaniumhalogenid in Gasform geleitet wird, wobei die Kammer nebst Inhalt derart erhitzt wird, daß eine thermische Zersetzung des Halogenids stattfindet. Darüber hinaus ist es bei Verfahren zur Herstellung von Germaniumniederschlägen durch thermische Zersetzung von gas- oder dampfförmigen Verbindungen, die Verunreinigungen mit oberhalb oder unterhalb der Dissoziationstemperatur der Germaniumverbindungen liegenden Dissoziationstemperaturen enthalten, bekannt, daß die Verunreinigungen durch fraktionierte Dissoziation abgeschieden werden, wobei die Temperatur für die Zersetzung für die Germaniumverbindung an der unteren Grenze der optimalen Temperatur oder niedriger gewählt wird.
  • Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen für Halbleiteranordnungen, z. B. Richtleiter, Transistoren, insbesondere von Silizium durch Abscheidung von reinstem mit oder ohne Dotierungszusätzen versehenem Halbleitermaterial auf einen erhitzten, aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehenden, einkristallinen Trägerkörper durch thermische Zersetzung oder Reduktion. Gemäß der Erfindung ist vorgesehen, daß zur Vermeidung von Wachstumsunregelmäßigkeiten (Warzen und Rillen) die - z. B. durch Ätzen - freigelegte Oberflächenstruktur des monokristallinen Trägerkörpers auf eine Temperatur erhitzt wird, die unterhalb der Temperatur liegt, bei der Maximalabscheidung des Halbleiterstoffes bei der gewählten Reaktion auf den Trägerkörper erfolgt, daß ferner das Reaktionsgas die Oberflache des Trägerkörpers turbulent umströmt und daß die bei der gewählten Arbeitstemperatur und gewählten Reaktion erfolgende . Abscheidegeschwindigkeit in an sich bekannter Weise so eingestellt wird, daß eine Übersättigung des Trägers mit dem anfallenden Halbleitermaterial vermieden wird.
  • Wie bei den der Erfindung zugrunde liegenden Untersuchungen festgestellt wurde, steigt die Kurve der in der Zeiteinheit auf einen erhitzten Siliziumträgerkörper abgeschiedenen Siliziummenge zunächst mit wachsender Oberflächentemperatur T0 des Trägers an, durchläuft bei einer Temperatur Tmax ein mehr oder minder flaches Maximum, unm oberhalb dieser Temperatur Tmax beständig abzunehmen. Dieser qualitative Verlauf der Abscheidungsgeschwindigkeit eines Stoffes aus der Gasphase auf einen aus dem gleichen Material bestehenden Trägerkörper von der Oberfl<ichentemperatur des Trägers ist auch bei anderen Halbleiterstoffen festzustellen, gleichgültig welchen Halbleiterstoff man herstellt und welche gasförmigen Ausgangsverbindungen man benutzt. Der quantitative Verlauf ist aber bei ein und demselben Halbleiterstoff von der Art der als Ausgangsmaterial verwendeten gasförmigen Verbindung des Halbleiters abhängig, so daß unterschiedliche Ausgangsstoffe zu einem unterschiedlichen Tmax und zu einem verschieden starken Anstieg und Abfall der Kurve der Abscheidungsgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Temperatur To der Oberfläche des Trägerkörpers und zii verschiedenen, einem bestimmten Temperaturwert T,) zulgeordneteti Ahscheicle@eschiviu@li;#keitei@ Eiihren. Befindet sich die Oberfläche des Trägerkörpers in einem Zustand, der den Einbau des abgeschiedenen Halbleitermaterials in einkristalliner Form erlaubt, so wird dieses, falls alle Störungen sorgfältig vermieden sind, auch monokristallin eingebaut. Treten aber Störungen auf, so wird das monokristalline Wachstum beeinträchtigt, so daß der Kristall polykristallin weiterwächst. Derartig polykristallin entartete Halbleiterkristalle erfordern ein Umschmelzen, z. B. durch ein Zonenschmelzverfahren, um eine Rekristallisation zur monokristallinen Phase zu erreichen, ein Nachteil, der bei Anwendung der gemäß der Erfindung gegebenen Lehre entfällt.
  • Bei dem der Erfindung zugrunde liegenden Verfahren liefert der - z. B. durch Stromdurchgang oder durch HF-Induktion - erhitzte Träger die für den Ablauf der Reaktion erforderliche Energie, #o daß die Oberflächentemperatur T0 des Trägers gleich der Reaktionstemperatur ist und das freie Halbleitermaterial vorzugsweise unmittelbar an der Oberfläche des Trägerkristalls bzw. in der dieser Oberfläche unmittelbar benachbarten Gasschicht erzeugt wird. Unterschiedliche Erwärmung der Oberfläche des Trägerkristalls führt zu unterschiedlichen Abscheidungsgeschwindigkeiten und damit zu unterschiedlichem Kristallwachstum. Hierin liegt eine wesentliche, die organische Einkristallbildung störende -Erscheinung, da die rascher wachsenden Oberflächettteile mit den langsamer wachsenden nicht mehr zu einer organischen Einkristallstruktur zusammenfinden können. Eine weitere, die Einkristallbildung störende Erscheinung bilden lokale Verarmungen an reaktionsfältigem Gas an der Oberfläche des Trägers. Das bedeutet wiederum, daß einzelne Stellen der Oberfläche langsamer als die benachbarten wachset. Eine dritte, (las einkristalline Wachstum behindernde Ursache bilden Verunreinigungen und andere Inhontogenitäten der Oberfläche des Trägerkörpers. Wie man bereits erkannt hat, ist es deshalb notwendig, zunächst die Oberfläche des Trägerkristalls gründlich zu säubern und die monokristalline Struktur an der Oberfläche sorgfältig freizulegen. Eine letzte, die Einkristallbildung störende Ursache liegt vor. wenn (las aus der Gasphase abgeschiedene Halbleitermaterial im Übermaß anfällt; daß also mit anderen Worten die Oberfläche des Trägers mit dem abgcsc.hic(denen Material übersättigt wird und dieses daher Licht mehr vollständig monokristallin aufnehmen kann.
  • Diese die Einkristallbildung störenden Ursachen werden bei Anwendung der Maßnahmen gemäß der Erfindung mit Sicherheit vermieden. Hierzu ist zueine sorgfältige Präparierung der Oberfläche des einkristallinen Trägerkörpers erforderlich. Maßnahmen zur Freilegung der monokristallinen Oberflächelnstruktur sind all sich bekannt; z. B. kann dies nach mechanischer Vorbehandlung durch Abschleifen und Polieren vier Oberfläche, durch chemisches oder elektrochemisches Ätzen mnit einer Ätzflüssigkeit erfolgen. Auch durch Anwendung einer Glimmentladung oder eines Kathodenzerstäubungsverfahrens oder durch Abdampfen der oberflächennahen Kristallschichten kann der Träger für die monokristalline Aufnahme von Halbleitermaterial vorbereitet werden. Schließlich kann man auch den gegebenenfalls erhitzten Trägerkristall durch Behandlung mit gegebenenfalls heißem Chlorgas, Chlorwasserstoffgas od. dgl. abätzen.
  • Der so vorbereitete Trägerkristall wird nun in einler turbulent Ihn umströmenden Atmosphäre aus dem gereinigten Reaktionsgas - bzw. Gemisch von gereinigten Reaktionsgasen - auf eine Temperatur To erhitzt, die unterhalb der Temperatur Tmax liegt, bei der die Maximalabscheidung des Halbleiterstoffes aus der Gasphase auf den Träger erfolgt. Durch diese Wahl der Arbeitstemperatur - d. h. der Oberflächentemperatur T0 des monokristallinen Trägers - und die turbulente Umströmung wird eine, sich über die gesamte Oberfläche des Trägers erstreckende gleichmäßige Abscheidung von Halbleitermaterial bewirkt, ohne daß sich Unregelmäßigkeiten im Wachstum, vor allem in Form von warzenartigen Ausstülpungen oder von rillenartigen Vertiefungen, ausbilden können. Solche Unregelmäßigkeiten an der Oberfläche des sich bildenden Einkristalls führen zu einer polykristallinen Entartung des Kristalls und schienen bisher unvermeidbar zu sein. Das Auftreten von warzenartigen Ausstülpungen an der Oberfläche des wachsenden Kristalls ist stets ein Anzeichen dafür, daß die Temperatur To der Oberfläche des Trägers zu hoch gewählt wurde und oberhalb des Wertes von Tuea der gewählten Reaktion liegt. Da in diesem Temperaturbereich die Abscheidungsgeschwindigkeit und damit die Abscheidungsmenge mit steigender Oberflächentemperatur To sinkt, wird an einer kälteren Stelle der Oberfläche des Trägerkörpers mehr Material abgeschieden als an den heißeren benachbarten Stellen, so daß dort ein verstärktes Wachstum des Kristalls einsetzt. Durch die mit dem stärkeren Wachstum verbundene Vergrößerung der Oberfläche an solchen Stellen wird durch erhöhte Wärmeabgabe die Temperatur langsam immer weiter bis zur Temperatur Tmax erniedrigt und dabei die lokale Materialabscheidung ständig verstärkt. (Von geringerer Bedeutung ist eine zweite im gleichen Sinne wirkende Abkühlungsursache solcher Stellen, nämlich der durch die verstärkte Materialabscheidung bedingte erhöhte Wärmeverbrauch der Reaktion an einer solchen kälteren Stelle.) Es kommt also zur Bildung einer Warze. Die Wachstumsrichtung und -geschwindigkeit in der Warze weichen aber von Wachstumsrichtung und -geschwindigkeit der benachbarten Oberflächenteile ab, so daß die Warze nicht mehr monokristallin in das übrige Kristallgefüge eingebaut werden kann.
  • Anders liegen die Verhältnisse wenn - wie gemäß der Erfindung vorgesehen - die Temperatur To der Oberfläche des Trägerkristalls unterhalb von Tmax liegt. In diesem Temperaturbereich findet zwar an kälteren Stellen zunächst ein gegenüber der Umgebung verlangsamtes Kristallwachstum statt, so (laß zunächst eine winzige Grube entsteht. Diese verliert jedoch infolge Altstrahlung und Konvektion weniger Wärme als die Umgebung, so daß sich ihre Temperatur wieder der Temperatur der benachbarten Oberfläche angleicht. Der Abscheidungsvorgang stabilisiert sich also in dem genannten Temperaturbereich von selbst.
  • Während sich durch Fehlanpassung der Temperatur bewirkte Störungen in Form von Warzenbildung bemerkbar machen, führt eine lokale Verarmung an reaktionsfähigem Gas zu Oberflächenstörungen in Form von Gruben oller Rillen; vor allem in Form von Querrillen. Diese Störungen Nverden finit Sicherlteit vermieden, wenn - wie e# gemäß der Erfindung vorgesehen ist - das @eaktio,tt"gas die Oberfläche des Trägerkristalls turbulent umströmt. Eine laminare Gasströmung ist dagegen, wie Versuche gezeigt haben, nicht ausreichend. Turbulenz des Reaktionsgases läßt sich bequem erzeugen, z. B. wenn lnan (las Gas mit genügend hoher Ge<chwinlligkcit in den Reaktionsraum einströmen läßt oder im Reaktionsraum mittels eines Rührwerkes durcheinanderwirbelt. Auch ein starkes Temperaturgefälle oder ein elektrischer Wind bewirken Turbulenz.
  • Die der Erfindung zugrunde liegenden Untersuchungen haben gezeigt, daß eine störungsfrei saubere Oberfläche des Trägers, Turbulenz der Reaktionsgase und die Wahl einer Arbeitstemperatur T0<Tmax nicht immer ausreichend sind, um wirklich einwandfreie Siliziumeinkristalle zu erhalten. Überschreitet nämlich die Erzeugung an freiem Halbleiterstoff einen bestimmten, von der gewählten Reaktion (insbesondere von den Ausgangsstoffen) und der Arbeitstemperatur To abhängigen Wert, so kann die Oberfläche des Trägers das abgeschiedene Material nicht mehr voll in monokristalliner Form aufnehmen, so daß sich dieses teilweise polykristallin abscheidet. Es ergibt sich somit die weitere Forderung gemäß der Erfindung, die bei der gewählten Arbeitstemperatur und der gewählten Reaktion erfolgende Abscheidegeschwindigkeit so einzustellen, daß eine Übersättigung des Trägers mit dem anfallenden Halbleitermaterial vermieden ist.
  • Wie festgestellt, hängt die Abscheidegeschwindigkeit eines bestimmten Halbleitermaterials auf den Träger nicht nur von der Oberflächentemperatur T0, sondern auch von der Wahl der gasförmigen Ausgangsverbindung ab. So kann es vorkommen, daß bei Verwendung von bestimmten Ausgangsstoffen der Träger sehr hoch erhitzt werden kann, ohne daß seine Aufnahmefähigkeit für <las aus der Gasphase abgeschiedene Halbleitermaterial überschritten wird, während der Träger bei anderen Ausgangsverbindungen desselben Halbleiters bereits bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen übersättigt wird. In <diesem Falle muß gemäß einer Fortbildung des Erfindungsgedankens zur Vermeidung einer Übersättigung der Oberfläche des Trägers die molekulare Konzentration der gasförmigen Halbleiterverbindung z. B. durch Verdünnung mit einem gereinigten reduzierenden oder inerten Gas, wie Wasserstoff, Helium, Argon usw., oder durch Verminderung des Gasdruckes verringert werden.
  • Die Ermittlung des Wertes der bei einer Arbeitstemperatur To zulässigen maximalen Abscheidegeschwindigkeit muß von Fall zu Fall empirisch durchgeführt werden. So wurde beispielsweise festgestellt, daß zur Herstellung von Siliziumeinkristallen aus Siliziumtetrachlorid (Si C14) oder Silicochloroform (Si H C13) bei einer im Einklang mit den Forderungen gemäß der Erfindung stehenden günstigen Arbeitstemperatur von 950° C die spezifische Albscheideeeschwindigkeit nichtgrößer als 10 mg/h ₧ cm= sein darf, um eine ungestörte Einkristallbildung zu ermöglichen. Demgemäß wird zur Herstellung von Siliziumeinkristallen aus Si C14 und/oder Si H Cl.3 bei einer Arbeitstemperatur von 950° C die spezifische Abscheidegeschwindigkeit auf einen Wert von höchstens gleich 10 mg/h ₧ cm2 gehalten. Bei der Verwendung von Dichlorsilan (Si H2C12) kann dagegen die Arbeitstemperatur bis zum Schmelzpunkt des Trä gers gesteigert werden, ohne daß eine Übersättigung des Trägers erfolgt. Die Verwendung von SiH2C12 ist aber noch aus einem weiteren Grunde vorteilhaft.
  • Gemäß eitler anderen Fortbildung der Erfindung ist nämlich zur Erzielung einer hohen Beweglichkeit der Oberfläche des Trägers für die monokristalline Aufnahme des aus der Gasphase anfallenden Halbleiternaterials die Temperatur der Trägeroberfläche möglichst hoch zu wählen. Je höher nämlich T0 ist, desto größer ist die Wahrscheinlichkeit für den organischen Einbau des abgeschiedenen Halbleitermaterials in monokristalliner Phase, sofern die Aufnahmefähigkeit der Oberfläche des Trägers nicht überschritten wird. Dabei ist es besonders wichtig; daß die Bildung des freien Halbleiterstoffes möglichst all der Oberfläche des Trägers erfolgt, da die aus der Halbleiterverbindung abgeschiedenen Halbleiteratome in statu nascendi leichter in das Gitter des Trägers eingebaut werden als bereits zu größeren Komplexen zusammengeschlossene, in den von dem Träger entfernteren Schichten der Reaktionsatmosphäre in Freiheit gesetzte Halbleiteratome. Diese für den Einbau des abgeschiedenen Halbleitermaterials in monokristalliner Form günstigen Effekte werden durch eine hohe Temperatur der Oberfläche des Trägers gesteigert. Da es nun beim Si H2 Cl2 als Ausgangsverbindung möglich ist, wegen der diesem Stoff eigenen hohen, noch über dem Schmelzpunkt von Silizium liegenden Temperatur TmaX den Träger bis zum Schmelzpunkt des Siliziums zu erhitzen, ohne daß gegen die Grundforderung T0<Tmax verstoßen wird, dient gemäß der Erfindung bei der Herstellung von Siliziumeinkristallen besonders vorteilhaft Dichlorsilan als Ausgangsverbindung, wobei der monokristalline Träger bis unterhalb des Schmelzpunktes des Siliziums erhitzt wird.
  • Das vorliegend beschriebene Zerfahren läßt sich gegebenenfalls auch mit Dotierungsmaßnahmen verknüpfen. Dabei werden zur Dotierung des entstehenden Halbleiterkristalls dem Reaktionsgas (gasförmige) Dotierungsstoffe, gegebenenfalls in Form von reinsten gasförmigen, sich bei der gewählten Arbeitstemperatur zersetzenden Verbindungen zugesetzt. Wegen der geringen zur Dotierung benötigten Konzentrationen an Fremdstoffen hat eine solche Maßnahme keinen Einfluß auf die Einkristallbildung.
  • Eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens zur Herstellung voll Siliziumeinkristallen ist in der Zeichnung beispielsweise dargestellt. Gereinigte Wasserstoffgas (z. B. 0,15 I H2/min) strömt durch ein eine auf verhältnismäßig niedriger Temperatur (z. B 6 his 8° C) befindliche, flüssige, hochreine Silizium verbindung, z. B. Si H C1.3 oder Si Cl4, enthaltende< Verdampfungsgefäß l' und transportiert eine der Strömungsgeschwindigkeit entsprechende Menge der Halbleiterverbindung in ein Reaktionsgefäß R, in dem sich mindestens ein auf Reaktionstemperatur erhitzter monokristalliner Trägerkörper S aus Silizium befindet. Zweckmäßigerweise wird dieser durch elektrischen Stromfluß oder durch Hochfrequenzinduktion nach erfolgter Vorerwärmung atzt Reaktionstemperatur (z. B. 950° C) gebracht. Zur Erzeugung einer turbulenten Strömung des Reaktionsgases strömt das Reaktionsgemisch aus der Öffnung D in den Reaktionsraum R turbulent ein. Gegebenenfalls kann statt dessen ein mechanischer Gaswirbler vorgeselhen sein oder die. Außenwand des Reaktionsgefäßes auf einer bedeutend niedrigeren Temperatur als der Trägerkristall gehalten sein oder - zwecks Erzeugung eine; elektrischen Windes - der Trägerkristall gegen die leitende Außenwand des Reaktionsgefäßes mit Wechsel oder Gleichspannung beaufschlagt sein. Die verbrauchten Abgase verlassen das Reaktionsgefäß an der mit A bezeichneten Stelle.
  • Für das vorliegend beschriebene Verfahren ist e. eleicltgültig, oft man als Trägerkristall eine <lünnc Einkristallseele verwendet, die dann allseitig mit dem abgeschiedenen Halbleitermaterial umkleidet wird. oder ob die Ab,cheidung nur auf einer lwsonrlers groß ausgebildeten Fläche eines Trägerkristalls stattfindet, aus welcher der zu erzeugende Einkristall nach Maßgabe der Abscheidung herauswächst. Es gelingt durch Anwendung dieser Maßnahme, in jedem Falle einwandfreie, insbesondere spannungsfreie Halbleitereinkristalle, selbst bei einem so schwierigen Material wie Silizium, herzustellen, die den aus der Schmelze gezogenen Einkristallen zumindest gleichwertig, meist jedoch sogar überlegen sind, wie durch die Zahl der pro cm2 vorhandenen Ätzgruben nachgewiesen werden kann, die bei aus der Gasphase nach diesem Verfahren hergestellten Halbleitereinkristallen stets wesentlich geringer ist als bei nach anderen Verfahren hergestellten Halbleiterkristallen. Diesen Verfahren gegenüber bietet das Verfahren gemäß der Erfindung den Vorteil größtmöglicher technischer Einfachheit sowohl bezüglich der erforderlichen Apparatur als auch im Hinblick auf die Durchführung desselben. Die Kristalle bleiben während des Verfahrens sich selbst überlassen. Dadurch wird wiederum eine Vergrößerung der Fertigungskapazität erreicht. Die nach diesem Verfahren erhaltenen Halbleitereinkristalle werden ohne vorheriges Umschmelzen zerschnitten und gegebenenfalls nach einer Oberflächenbehandlung zu Richtleitern, Transistoren usw. weiterverarbeitet.
  • Dieses Verfahren kann sinngemäß auch zur Herstellung von Halbleitereinkristallen aus Si C, AIIIBV-Verbindungen und AII BVI-Verbindungen (z. B. Cd S) übertragen werden. Dabei müssen die Konzentrationen der gasförmigen Ausgangskomponenten und die Arbeitstemperaturen entsprechend den Weisungen der Erfindung einzeln eingestellt werden.

Claims (10)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen für Halbleiteranordnungen, z. B. Richtleiter, Transistoren, insbesondere Silizium, durch Abscheidung von reinstem, mit oder ohne Dotierungszusätzen versehenem Halbleitermaterial auf einen erhitzten, aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehenden, einkristallinen Trägerkörper durch thermische Zersetzung oder Reduktion, dadurch gekennzeichnet, daß zur Vermeidung von Wachstumsunregeltmäßigkeiten (wie Warzen oder Rillen) die - z. B. durch Ätzen - freigelegte Oberflächenstruktur des monokristallinen Trägerkörpers auf eine Temperatur erhitzt wird, die unterhalb der Temperatur liegt, bei der die Maximalabscheidung des Halbleiterstoffes bei der gewählten Reaktion auf den Trägerkörper erfolgt, daß ferner das Reaktionsgas die Oberfläche des Trägerkörpers turbulent umströmt und daß die bei der gewählten Arbeitstemperatur und gewählten Reaktion erfolgende Abscheidegeschwindigkeit in an sich bekannter Weise so eingestellt wird, daß eine Übersättigung des Trägers mit dem anfallenden Halbleitermaterial vermieden wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die molekulare Konzentration der gasförmigen Halbleiterverbindung z. B. durch Verdünnung mit einem gereinigten reduzierenden oder inerten Gas, wie Wasserstoff, Helium, Argon usw., oder durch Verminderung des Gasdruckes verringert wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von Siliziumeinkristallen aus Siliziumtetrachlorid und/oder Silicochloroform bei einer Arbeitstemperatur von 950° C die spezifische Abscheidegeschwindigkeit auf einen Wert höchstens gleich 10 mg/h ₧ cm2' gehalten wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von Siliziumeinkristallen als Ausgangsverbindung Dichlorsilan dient und der monokristalline Träger auf eine Temperatur bis zum Schmelzpunkt des Siliziums erhitzt wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Dotierung der entstehenden Halbleitereinkristalle dem Reaktionsgas gasförmige Dotierungsstoffe, gegebenenfalls in Form von gasförmigen, sich bei der gewählten Arbeitstemperatur unter Abscheidung des Dotierungsstoffes zersetzenden Verbindungen, zugesetzt werden.
  6. 6. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verdampfungsgefäß vorgesehen ist, in dem sich eine auf einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur gehaltene flüssige hochreine Halbleiterverbindung, z. B. Siliziumtetrachlorid oder Silicochloroform, befindet, und das Verdampfungsgefäß durchströmendes gereinigtes Wasserstoffgas eine der Strömungsgeschwindigkeit entsprechende Menge der Halbleiterverbindung in ein mindestens einen auf Reaktionstemperatur erhitzten monokristallinen Trägerkörper aus Silizium enthaltendes Reaktionsgefäß transportiert.
  7. 7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß in der Wandung des Reaktionsgefäßes solch eine Öffnung vorgesehen ist, die das Reaktionsgemisch in den Reaktionsraum turbulent einströmen läßt.
  8. 8. Anordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß im Reaktionsraum ein mechanischer Gaswirbler vorgesehen ist.
  9. 9. Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis B. dadurch gekennzeichnet, daß die Außenwand des Reaktionsgefäßes auf eine bedeutend niedrigere Temperatur als der Trägerkristall gehalten ist.
  10. 10. Anordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Trägerkristall und der leitenden Außenwand des Reaktionsgefäßes eine Wechsel- oder Gleichspannung zwecks Erzeugung eines elektrischen `Windes vorgesehen ist. In Betracht gezogene 896 147, Deutsche Patentschriften Nr. 897 65 160, 927 rrey-V'hitmcr, »Crystal rectifiers«, New Th Y ork, 194S, S. 302.
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