DE896147C - Verfahren zur Herstellung von Germaniumniederschlaegen aus gas- oder dampffoermigen Germaniumverbindungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Germaniumniederschlaegen aus gas- oder dampffoermigen Germaniumverbindungen

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DE896147C
DE896147C DES24329D DES0024329D DE896147C DE 896147 C DE896147 C DE 896147C DE S24329 D DES24329 D DE S24329D DE S0024329 D DES0024329 D DE S0024329D DE 896147 C DE896147 C DE 896147C
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DE
Germany
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germanium
temperature
compounds
impurities
dissociation
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DES24329D
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Fritz Dr Beyerlein
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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    • H10P14/3442N-type

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Description

  • Verfahren zur Herstellung vonCerraaniumniederschlägen aus gas- oder dampfförmigen Germanlumverbindungen Die Herstellung von Germaniumniederschlägen aus gasförmigen Germaniumverbindungen durch thermische Zersetzung an einem erhitzten Körper ist an sich bekannt. Es ist auch bereits vorgeschlagen worden, gasförmige Verunreinigungen durch eine Tieftemperaturrektifikation oder durch die Anwendung ödes Trennrohrverfahrens auszuscheiden. Diese Verfahren sind jedoch relativ umständlich.
  • Das Verfahren zur Herstellung von reinen Germaniumniederschlägen aus gas- oder #dampfförtnigen Germaniumverbindungen durch thermische Zersetzung gemäß Ader Erfindung besteht #darir, daß bei Temperaturen unterhalb der Temperatur der optimalen Dissoziationsgeschwindigkeit der gasförmigen Germaniumverhindüngen durch fraktionierte Dissoziation als Verunreinigungen vorhandene dampf- oder gasförmige Verbindungen anderer Elemente ausgeschieden werden. Das Verfahren der thermischen Zersetzung ist also in zwei oder mehrere unmittelbar aufeinanderfolgende Prozesse aufgeteilt, nämlich in einen oder mehrere Vorprozesse bei niedrigerer Temperatur, bei denen bevorzugt die bei niedrigeren Temperaturen zerfallenden Verunreinigungen, z. B. Arsenverbindungen, gespalten werden, und in einen Hauptprozeß bei höherer Temperatur, bei dem das Germanium niedergesclilagen wird. Sind mit der gasförmigen Germaniumverbindung Verunreinigungen vermischt, die erst bei höheren Teniperaturen eine große Dissoziationsgesch-windigkeit haben, dann empfiehlt es sicl-1, die Temperatur an .der unteren Grenze der optimalen Dissoziationstemperatur der Germaniumverbindung oder etwas niedriger zu wählen. Durch Wahl einer geeigneten Germaniumverbindung, d. h. einer solchen, deren optimale Dissoziationstemperatur möglichst weit von der der entsprechenden Verunreinigungen entfernt liegt, und durch geeignete Wahl der übrigen Versuchsbedingungen (Gasdruck, Konzentration, Vakuum, katalytische Substanzen usw.) kann man erreichen, daß ein Germaniumniederschlag von höchstem Reiliheitswert entsteht. Wählt man z. B. Germaniumwasserstoff als Ausgangsprodukt, so lassen sich durch Einhalten einer niedrigeren Temperatur, z. B. etwa 300', im Vorprozeß Verunreinigun#gen durch 'Arsen ausscheiden. Der eig#nfliche Hauptprozeß, in dem die thermische Zersetzung des Germaniumwasserstoffes erfolgt, wird dann bei höheren Temperaturen oberhalb etwa 340' durchgeführt.
  • Als Unterlage bzw. Träger, auf denen das Germanium, niedergeschlagen wird, kommen wärmebeständige Stoffe in Frage, und zwar sowohl Metalle als auch keramische Stoffe, Quarz od.. dgl. Diese Stoffe müssen- so ausgewählt sein, daß sie beispielsweise unter den Versuchsbedingungen mit ,dem sich niederschlagenden Germanium nicht reagieren oder durch eine chemische Behandlung mit Stoffen, die das Germanium selbst nicht oder nur wenig angreifen -und nicht verunreinigen, wieder herausgelöst werden können. Metallische Unterlagen können z. B. auch durch Kathodenzerstäubung entfernt werden.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur H * erstellugg von Germaniumniederschlägen durch thermische Zersetzung von gas- oder dampfförmigen- - --Germaniumverbindungen, die Verunreinigungen mit oberhalb oder unterhalb 4er Dissoziationstemperatur der Germaniumverbindungen liegenden Dissoziationstemperaturen enthalten ' dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigungen durch fraktionierteDissoziation ausgeschieden -werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i zur Herstellung von Gerrnaniumniederschlägen aus gasförmigen Verbindungen mit Verunreinigungen, deren-, optimale Dissoziationstemperatur oberhalb der der Germaniumverbindung liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur für die Zersetzung der Gerrnaniumverbindung an der unteren Grenze der optimalen Temperatur oder niedriger gewählt wird. 3.' Verfahren nach Anspruch i zur Herstellung von Germaniumniederschlägen aus gasförnii-gen Verbindungen mit Verunreinigungen, deren optimale Dissoziationsternperatur unterhalb der Temperatur für die optimale Dissoziation der Germaniumverbindungen liegt, .dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Verunreingungen bei einer Temperatur abgeschieden wer-den, die unterhalb der optimalen Temperatur für #die Dissoziation der Germaniumverbin-#dungen liegt. 4. Verfahren nach Anspruch i mit Germaniumwassersto-ff als gasförmige Verbindung und Arsenverbindungen als Verunreiniggungen, da-durch gekennzeichnet, daß -durch Einhalten ,einer Temperatur unterhalb der optimalen Dissoziationstemperatur der Germaniumwasserstoffes, z. B. 300', das Arsen in einem Vorprozeß zur Ausscheidung gelangt und anschließend bei einer höheren Temperatur, z. B. oberhalb 340', die Ausscheidung des Germaniums erfolgt.
DES24329D 1951-08-07 1951-08-08 Verfahren zur Herstellung von Germaniumniederschlaegen aus gas- oder dampffoermigen Germaniumverbindungen Expired DE896147C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1048638B (de) * 1957-07-02 1959-01-15 Siemens &. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion
DE1258519B (de) * 1960-02-12 1968-01-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern fuer Halbleiterbauelemente

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1048638B (de) * 1957-07-02 1959-01-15 Siemens &. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion
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