AT269948B - Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial - Google Patents
Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus HalbleitermaterialInfo
- Publication number
- AT269948B AT269948B AT840467A AT840467A AT269948B AT 269948 B AT269948 B AT 269948B AT 840467 A AT840467 A AT 840467A AT 840467 A AT840467 A AT 840467A AT 269948 B AT269948 B AT 269948B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- semiconductor material
- crystalline layer
- particular made
- epitaxial deposition
- epitaxial
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES94785A DE1262244B (de) | 1964-12-23 | 1964-12-23 | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT269948B true AT269948B (de) | 1969-04-10 |
Family
ID=7518937
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT1150065A AT263082B (de) | 1964-12-23 | 1965-12-21 | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial, auf als Substrat dienende, erhitzte Halbleiterkristalle, insbesondere Halbleiterscheiben |
AT840467A AT269948B (de) | 1964-12-23 | 1965-12-21 | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial |
AT06860/68A AT278096B (de) | 1964-12-23 | 1965-12-21 | Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT1150065A AT263082B (de) | 1964-12-23 | 1965-12-21 | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial, auf als Substrat dienende, erhitzte Halbleiterkristalle, insbesondere Halbleiterscheiben |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT06860/68A AT278096B (de) | 1964-12-23 | 1965-12-21 | Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3486933A (de) |
AT (3) | AT263082B (de) |
CH (1) | CH451886A (de) |
DE (1) | DE1262244B (de) |
FR (1) | FR1461829A (de) |
GB (1) | GB1124328A (de) |
NL (1) | NL6515706A (de) |
SE (1) | SE334865B (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1900116C3 (de) * | 1969-01-02 | 1978-10-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen hxxochreiner, aus Silicium bestehender einkristalliner Schichten |
US4020791A (en) * | 1969-06-30 | 1977-05-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for indiffusing dopants into semiconductor material |
US4496609A (en) * | 1969-10-15 | 1985-01-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor |
DE2033444C3 (de) * | 1970-07-06 | 1979-02-15 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial |
NL7209297A (de) * | 1972-07-01 | 1974-01-03 | ||
DE2908288B1 (de) * | 1979-03-03 | 1980-01-17 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Glocke aus Quarzglas fuer halbleitertechnologische Zwecke |
US5414927A (en) * | 1993-03-30 | 1995-05-16 | Union Oil Co | Furnace elements made from graphite sheets |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1048638B (de) * | 1957-07-02 | 1959-01-15 | Siemens &. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion |
NL238464A (de) * | 1958-05-29 | |||
NL256255A (de) * | 1959-11-02 | |||
US3096209A (en) * | 1960-05-18 | 1963-07-02 | Ibm | Formation of semiconductor bodies |
BE607571A (de) * | 1960-09-09 | |||
NL270516A (de) * | 1960-11-30 | |||
NL271345A (de) * | 1960-11-30 | |||
US3243323A (en) * | 1962-06-11 | 1966-03-29 | Motorola Inc | Gas etching |
US3177100A (en) * | 1963-09-09 | 1965-04-06 | Rca Corp | Depositing epitaxial layer of silicon from a vapor mixture of sih4 and h3 |
US3381114A (en) * | 1963-12-28 | 1968-04-30 | Nippon Electric Co | Device for manufacturing epitaxial crystals |
-
1964
- 1964-12-23 DE DES94785A patent/DE1262244B/de not_active Withdrawn
-
1965
- 1965-12-02 NL NL6515706A patent/NL6515706A/xx unknown
- 1965-12-20 FR FR42978A patent/FR1461829A/fr not_active Expired
- 1965-12-21 AT AT1150065A patent/AT263082B/de active
- 1965-12-21 AT AT840467A patent/AT269948B/de active
- 1965-12-21 GB GB54236/65A patent/GB1124328A/en not_active Expired
- 1965-12-21 US US515304A patent/US3486933A/en not_active Expired - Lifetime
- 1965-12-21 AT AT06860/68A patent/AT278096B/de not_active IP Right Cessation
- 1965-12-21 CH CH1763665A patent/CH451886A/de unknown
- 1965-12-22 SE SE16700/65A patent/SE334865B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1124328A (en) | 1968-08-21 |
CH451886A (de) | 1968-05-15 |
SE334865B (de) | 1971-05-10 |
FR1461829A (fr) | 1966-12-09 |
AT263082B (de) | 1968-07-10 |
NL6515706A (de) | 1966-06-24 |
DE1262244B (de) | 1968-03-07 |
US3486933A (en) | 1969-12-30 |
AT278096B (de) | 1970-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AT261004B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
CH533907A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
CH532959A (de) | Verfahren zum Kristallisieren einer binären Halbleiterverbindung | |
AT251670B (de) | Ziehdüse zum gerichteten Ziehen von Halbleiterkristallen aus einer Schmelze | |
FI45095C (fi) | Menetelmä polyolefiinin sitomiseksi alustaan piiyhdisteiden avulla. | |
CH506187A (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial | |
AT269948B (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial | |
AT259021B (de) | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden eines nach dem Diamantgitter oder nach dem Zinkblendegitter kristallisierenden Halbleiters | |
CH423999A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
AT256940B (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen, kristallinen Schicht, insbesondere Halbleiterschicht | |
CH525027A (de) | Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer Halbleiterverbindung | |
CH468083A (de) | Verfahren zum formändernden Bearbeiten eines kristallinen Körpers aus Halbleitermaterial, insbesondere eines Siliziumeinkristalls | |
CH464154A (de) | Verfahren zum epitaktischen Züchten einer kristallinen Halbleiterschicht aus der Dampfphase | |
CH541353A (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial durch Flüssigphasenepitaxie aus mindestens zwei Lösungen | |
CH420390A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen aus Siliziumkarbid | |
AT260308B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Mesa | |
CH476515A (de) | Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial | |
AT262382B (de) | Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Aufwachsschichten aus binären, halbleitenden Verbindungen | |
CH545177A (de) | Vorrichtung zum Schneiden von Halbleiterstäben, insbesondere Siliciumstäben, in Scheiben | |
CH510574A (de) | Vorrichtung zum selbsttätigen Auflösen einer aus mehreren Reihen von Gegenständen bestehenden Schicht | |
CH430666A (de) | Vorrichtung zum pyrolytischen Abscheiden von Halbleitermaterial | |
CH408223A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
CH489342A (de) | Vorrichtung zum Schneiden einer sich bewegenden Bahn aus dünnem, biegsamem Material | |
CH374428A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit wenigstens einer aluminiumhaltigen Elektrode | |
AT261679B (de) | Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen |