CH476515A - Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial

Info

Publication number
CH476515A
CH476515A CH151566A CH151566A CH476515A CH 476515 A CH476515 A CH 476515A CH 151566 A CH151566 A CH 151566A CH 151566 A CH151566 A CH 151566A CH 476515 A CH476515 A CH 476515A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
depositing
semiconductor material
monocrystalline layer
monocrystalline
layer
Prior art date
Application number
CH151566A
Other languages
English (en)
Inventor
Sirtl Erhard Dr Dipl-Chem
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH476515A publication Critical patent/CH476515A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
CH151566A 1965-02-05 1966-02-03 Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial CH476515A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0095337 1965-02-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH476515A true CH476515A (de) 1969-08-15

Family

ID=7519300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH151566A CH476515A (de) 1965-02-05 1966-02-03 Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3445300A (de)
AT (1) AT259019B (de)
CH (1) CH476515A (de)
DE (1) DE1544259A1 (de)
GB (1) GB1135111A (de)
NL (1) NL6601149A (de)
SE (1) SE309223B (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3941647A (en) * 1973-03-08 1976-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing epitaxially semiconductor layers
DE2843261C2 (de) * 1978-10-04 1983-07-28 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zum Wärmebehandeln von Halbleiterbauelementen

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB778383A (en) * 1953-10-02 1957-07-03 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors
DE1138481C2 (de) * 1961-06-09 1963-05-22 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
NL288035A (de) * 1962-01-24
US3200018A (en) * 1962-01-29 1965-08-10 Hughes Aircraft Co Controlled epitaxial crystal growth by focusing electromagnetic radiation
NL292373A (de) * 1962-07-09
US3297501A (en) * 1963-12-31 1967-01-10 Ibm Process for epitaxial growth of semiconductor single crystals
GB1039748A (en) * 1964-07-25 1966-08-24 Ibm Improvements relating to methods of growing silicon carbide crystals epitaxially
US3354004A (en) * 1964-11-17 1967-11-21 Ibm Method for enhancing efficiency of recovery of semi-conductor material in perturbable disproportionation systems

Also Published As

Publication number Publication date
US3445300A (en) 1969-05-20
AT259019B (de) 1967-12-27
NL6601149A (de) 1966-08-08
SE309223B (de) 1969-03-17
GB1135111A (en) 1968-11-27
DE1544259A1 (de) 1970-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH529223A (de) Verfahren zum Abscheiden einer Schicht aus anorganischem Halbleiter- oder Isoliermaterial auf erhitzte Halbleiterscheiben
CH505473A (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
CH510747A (de) Verfahren zum Abscheiden einer Dünnschicht
CH532959A (de) Verfahren zum Kristallisieren einer binären Halbleiterverbindung
CH475367A (de) Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus texturlosem, polykristallinem Silicium
CH516227A (de) Verfahren zum Herstellen einer Sperrschicht-Halbleitervorrichtung
CH540993A (de) Verfahren zum Erzeugen einer Oxydschicht auf einem Silizium-Substrat
CH542936A (de) Verfahren zum Überziehen von Halbleiterscheiben mit einer gleichmässigen Schicht aus SiO2
AT247095B (de) Verfahren zum Aufbringen einer Schicht aus kristallinem Polyolefin auf die Oberfläche einer Metallgrundlage
CH440230A (de) Verfahren zur Herstellung einer dotierten Schicht an der Oberfläche eines Halbleiterkristalls
CH457374A (de) Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht von kristallinem Material
CH497793A (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium- oder Germaniumstickstoff- Verbindung an der Oberfläche einer Halbleiterkristalls
CH399588A (de) Verfahren zum Bestimmen des spezifischen Widerstandes einer dünnen Halbleiterschicht
AT310252B (de) Verfahren zum Herstellen eines Magnesium-Aluminium-Spinellsubstrates zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterialschichten
CH525027A (de) Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer Halbleiterverbindung
AT278096B (de) Verfahren zum epitaktischen abschneiden einer halbleiterschicht
AT306794B (de) Verfahren zum selektiven Abscheiden gleichmäßig dicker Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente
CH458299A (de) Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht
CH476515A (de) Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial
AT264953B (de) Verfahren zum Aufdampfen dünner Schichten
CH465562A (de) Verfahren zum Abscheiden von kristallinem Halbleitermaterial aus der Gasphase
DE1800347B2 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
CH452708A (de) Verfahren zum Herstellen einer aus gegeneinander isolierten Halbleiterbereichen bestehenden Halbleitervorrichtung
CH532128A (de) Verfahren zum Aufdampfen einer dünnen Schicht
AT292786B (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased