AT306794B - Verfahren zum selektiven Abscheiden gleichmäßig dicker Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente - Google Patents

Verfahren zum selektiven Abscheiden gleichmäßig dicker Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente

Info

Publication number
AT306794B
AT306794B AT559469A AT559469A AT306794B AT 306794 B AT306794 B AT 306794B AT 559469 A AT559469 A AT 559469A AT 559469 A AT559469 A AT 559469A AT 306794 B AT306794 B AT 306794B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
semiconductor material
electrical components
layers made
selective deposition
uniformly thick
Prior art date
Application number
AT559469A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT306794B publication Critical patent/AT306794B/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/026Deposition thru hole in mask
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/043Dual dielectric
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/05Etch and refill
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/051Etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
AT559469A 1968-06-14 1969-06-12 Verfahren zum selektiven Abscheiden gleichmäßig dicker Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente AT306794B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19681769605 DE1769605A1 (de) 1968-06-14 1968-06-14 Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial fuer elektrische Bauelemente

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT306794B true AT306794B (de) 1973-04-25

Family

ID=5700202

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT1050569A AT308828B (de) 1968-06-14 1969-06-12 Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente
AT559469A AT306794B (de) 1968-06-14 1969-06-12 Verfahren zum selektiven Abscheiden gleichmäßig dicker Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT1050569A AT308828B (de) 1968-06-14 1969-06-12 Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3653991A (de)
AT (2) AT308828B (de)
CH (1) CH499879A (de)
DE (1) DE1769605A1 (de)
FR (1) FR1595220A (de)
GB (1) GB1229128A (de)
NL (1) NL6908366A (de)
SE (1) SE356439B (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6076652A (en) 1971-04-16 2000-06-20 Texas Instruments Incorporated Assembly line system and apparatus controlling transfer of a workpiece
US3941647A (en) * 1973-03-08 1976-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing epitaxially semiconductor layers
US4349394A (en) * 1979-12-06 1982-09-14 Siemens Corporation Method of making a zener diode utilizing gas-phase epitaxial deposition
US4522662A (en) * 1983-08-12 1985-06-11 Hewlett-Packard Company CVD lateral epitaxial growth of silicon over insulators
GB2183090B (en) * 1985-10-07 1989-09-13 Canon Kk Method for selective formation of deposited film
GB2185758B (en) * 1985-12-28 1990-09-05 Canon Kk Method for forming deposited film
DE3726971A1 (de) * 1987-08-13 1989-02-23 Standard Elektrik Lorenz Ag Methode zur herstellung planarer epitaxieschichten mittels selektiver metallorganischer gasphasenepitaxie (movpe)
US5064684A (en) * 1989-08-02 1991-11-12 Eastman Kodak Company Waveguides, interferometers, and methods of their formation
US20090087967A1 (en) * 2005-11-14 2009-04-02 Todd Michael A Precursors and processes for low temperature selective epitaxial growth

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL256300A (de) * 1959-05-28 1900-01-01
US3296040A (en) * 1962-08-17 1967-01-03 Fairchild Camera Instr Co Epitaxially growing layers of semiconductor through openings in oxide mask
US3345209A (en) * 1964-04-02 1967-10-03 Ibm Growth control of disproportionation process
US3428500A (en) * 1964-04-25 1969-02-18 Fujitsu Ltd Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side
NL6513397A (de) * 1964-11-02 1966-05-03 Siemens Ag
DE1287047B (de) * 1965-02-18 1969-01-16 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht
US3345223A (en) * 1965-09-28 1967-10-03 Ibm Epitaxial deposition of semiconductor materials
US3472689A (en) * 1967-01-19 1969-10-14 Rca Corp Vapor deposition of silicon-nitrogen insulating coatings
GB1147014A (en) * 1967-01-27 1969-04-02 Westinghouse Electric Corp Improvements in diffusion masking

Also Published As

Publication number Publication date
GB1229128A (de) 1971-04-21
DE1769605A1 (de) 1971-07-01
NL6908366A (de) 1969-12-16
CH499879A (de) 1970-11-30
US3653991A (en) 1972-04-04
SE356439B (de) 1973-05-28
FR1595220A (de) 1970-06-08
AT308828B (de) 1973-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT254948B (de) Verfahren zum Kontaktieren vereinzelter Halbleiteranordnungen
CH529223A (de) Verfahren zum Abscheiden einer Schicht aus anorganischem Halbleiter- oder Isoliermaterial auf erhitzte Halbleiterscheiben
DE1918845B2 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen
AT304672B (de) Halteeinrichtung für elektrische Verbinder
CH543596A (de) Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem strömenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem strömenden dotierenden Gas
CH533907A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH475367A (de) Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus texturlosem, polykristallinem Silicium
AT306794B (de) Verfahren zum selektiven Abscheiden gleichmäßig dicker Aufwachsschichten aus Halbleitermaterial für elektrische Bauelemente
AT276487B (de) Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht für Halbleitervorrichtungen und nach diesem Verfahren erhaltene Halbleitervorrichtung
CH445649A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschaltungen
NL171759C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van lichtemitterende halfgeleiderinrichtingen.
AT258364B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
CH457374A (de) Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht von kristallinem Material
CH529221A (de) Verfahren zur Ablagerung einer magnetischen Schicht auf einen drahtförmigen, elektrisch leitenden Träger
CH512824A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
CH431727A (de) Verfahren zur Herstellung von mit ohmschen Kontakten versehenen Halbleitervorrichtungen
CH487505A (de) Verfahren zum Aufbereiten von Halbleiterkristallen für einen Diffusionsprozess
CH482325A (de) Verfahren zur Herstellung von supraleitenden metallischen Leitern
CH485326A (de) Verfahren zum Herstellen elektrisch leitender Schichten für Halbleiterbauelemente
AT262381B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschaltungen
AT307505B (de) Verfahren zum Herstellen epitaktischer Schichten aus elektrisch isolierendem Material unter Verwendung eines aus Halbleitermaterial bestehenden Trägerkörpers
CH519788A (de) Verfahren zum Herstellen von diffundierten Halbleiterbauelementen aus Silicium
AT307506B (de) Verfahren zum Herstellen epitaktischer Halbleiterschichten auf Fremdsubstraten
CH484699A (de) Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Aufwachsschichten aus binären halbleitenden Verbindungen
CH497792A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen

Legal Events

Date Code Title Description
ELJ Ceased due to non-payment of the annual fee