AT292786B - Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung

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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
    • H10P14/6324—
    • H10P14/6304—
    • H10P14/69215—
    • H10P50/282—
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DE1967S0110710 DE1644012B2 (de) 1967-05-07 1967-05-07 Verfahren zum eindiffundieren von dotierungsstoff aus der gasphase in eine lokal mit einer siliciumnitridschicht maskierte halbleiteroberflaeche

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EP0072603B1 (de) * 1978-06-14 1986-10-01 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Isolierschicht aus Siliziumdioxid, die mit einer Schicht aus Siliziumoxynitrid bedeckt ist
EP0154670B1 (de) * 1978-06-14 1991-05-08 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Isolierschicht
JPS5621372A (en) * 1979-07-31 1981-02-27 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
FR2675824B1 (fr) * 1991-04-26 1994-02-04 Alice Izrael Procede de traitement de la surface gravee d'un corps semi conducteur ou semi-isolant, circuits integres obtenus selon un tel procede et appareil d'oxydation anodique pour mettre en óoeuvre un tel procede.
DE102015102454A1 (de) 2015-02-20 2016-08-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Strukturierung einer Nitridschicht, strukturierte Dielektrikumschicht, optoelektronisches Bauelement, Ätzverfahren zum Ätzen von Schichten und Umgebungssensor

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FR1573470A (de) 1969-07-04
CH484700A (de) 1970-01-31
DE1644012B2 (de) 1976-08-12
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NL6809330A (de) 1969-01-09
SE337361B (de) 1971-08-09
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