AT501653B1 - Substrat-reinigungsverfahren, substrat-reinigungsvorrichtung und computer-lesbares aufzeichnungsmedium - Google Patents

Abstract

Zum Reinigen eines Substrats wird dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche in der Mitte Reinwasser als Spülflüssigkeit zugeführt, wonach ein Schleudertrocknen durchgeführt wird, bei dem dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche Reinwasser zugeführt wird, wobei die Reinwasser-Zufuhr beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen im Vergleich zu jener, beim vorhergehenden Spülen ohne sie zu stoppen reduziert wird, das Reinwasser beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen noch in der Mitte des Substrats zugeführt wird und dann, beim Durchführen des Schleudertrocknens, die Reinwasser-Zuführstelle am Substrat von der Mitte nach außen bewegt und ein Wasserfilm außerhalb der von der Mitte wegbewegten Reinwasser-Zuführstelle gebildet wird, wobei die Geschwindigkeit der Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen im äußeren Umfangsbereich des Substrats erhöht wird.

Description

österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15

Beschreibung [0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Reinigungsvorrichtung zum Reinigen eines Substrats, wobei die Bildung von Wasserzeichen auf der Oberfläche eines zu behandelnden Substrats, wie eines Halbleiter-Wafers oder Glas-Substrats für FPD (Flat Panel Display - Flachbildanzeige) unterdrückt werden sollen, sowie ein Computerlesbares Aufzeichnungsmedium, enthaltend ein auf einem Computer abarbeitbares Programm, das beim Abarbeiten auf einem Computer diesen Computer veranlasst, eine Substrat-Reinigungsvorrichtung zur Ausführung des vorliegenden Verfahrens zu steuern.

[0002] Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen wird, da beispielsweise die Oberfläche eines Halbleiter-Wafers immer sauber gehalten werden sollte, ein Reinigungsverfahren am Halbleiter-Wafer durchgeführt. Als typisches Beispiel für ein Einzel-Wafer-Reinigungsverfahren zur Bearbeitung jeweils eines Halbleiter-Wafers nach dem anderen ist es bekannt, eine chemische Reinigungsflüssigkeit dem in einem Schleuderspannrahmen gehaltenen Halbleiter-Wafer zuzuführen, wonach eine Spülflüssigkeit, nämlich Reinwasser, zum Abspülen der Reinigungsflüssigkeit dem Halbleiter-Wafer zugeführt (Spülprozess) und der Halbleiter-Wafer weiter mit hoher Geschwindigkeit gedreht wird, um das Reinwasser vom Halbleiter-Wafer abzuschleudern (Schleudertrocknen).

[0003] Bei einem derartigen Verfahren besteht das Problem, dass sich durch Adhäsion eines beim Schleudertrocknen entstehenden Reinwassernebels an der trockenen Oberfläche des Halbleiter-Wafers od. dgl. auf dieser Oberfläche Wasserzeichen bilden.

[0004] Um die Bildung von solchen Wasserzeichen zu unterdrücken, offenbart die JP H4-287922 A ein Substrat-Reinigungsverfahren, bei dem im Reinigungsschritt die Reinigungsflüssigkeit von schräg oben zur Oberfläche des zu bearbeitenden Substrats zugeführt wird, wonach im Spülschritt Reinwasser von schräg oben zur Oberfläche des Substrats zugeführt wird; anschließend wird beim Schleudertrocknen das Substrat mit hoher Geschwindigkeit zum Abschleudern der Flüssigkeit gedreht, wobei die Endperiode des Spülschritts und die Startperiode des Schleudertrocknens einander überlappen und während dieses Überlappungszeitraums sowie beim Schleudertrocknen ein Stickstoffgas dem mittigen Bereich des Substrats zugeführt wird.

[0005] Die JP 2001-53051 A offenbart ein Substrat-Trocknungsverfahren, bei dem nach einem Spülprozess ein inaktives Gas auf den Mittenbereich des Substrats gesprüht wird, Reinwasser auf den äußeren Umfangsbereich des Substrats gesprüht wird und die Sprühposition des inaktiven Gases sowie die Sprühposition des Reinwassers am Substrat in radialer Richtung nach außen bewegt werden.

[0006] Mit Fortgang des Herstellungprozesses entsteht jedoch auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers ein Muster aus einer Mischung von einer hydrophilen Oberfläche (z.B. einer durch ein vorheriges Verfahren gebildeten Si02-Oberfläche) und einer hydrophoben Oberfläche (z.B. einer blanken Si-Oberfläche). Weil sich die hydrophile Oberfläche und die hydrophobe Oberfläche hinsichtlich der Wasser-Abschleudergeschwindkeit zum Zeitpunkt des Schleudertrocknens voneinander unterscheiden, gibt es bei diesem bekannten Schleudertrocknungsverfahren Schwierigkeiten bei der Vermeidung der Bildung von Wasserzeichen.

[0007] Aus der US 2002/0130106 A1 ist es weiters bekannt, beim Entfernen einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines rotierenden Substrats noch während der Zufuhr von Flüssigkeit der Substrat-Oberfläche ein Gas zuzuführen, welches sich zumindest teilweise mit der Flüssigkeit vermischt; angestrebt wird dabei eine Mischung mit einer Oberflächenspannung, die niedriger ist als jene der Flüssigkeit selbst. Bei dieser auf dem Zuführen von Gas beruhenden Technik dient die fortgesetzte Zufuhr der Flüssigkeit (insbesondere von Reinwasser) dazu zu verhindern, dass der hydrophobe Teil des Substrats zu früh trocknet. Mehr im Einzelnen wird die Flüssigkeit im Bereich der Mitte des Substrats zugeführt, und nahe der Flüssigkeitszufuhr erfolgt die Gaszufuhr. Die Flüssigkeitszufuhr-Stelle wird sodann geringfügig radial auswärts bewegt, und es bildet sich eine Flüssigkeits-Dampf-Grenze, die dann zum Rand des Substrats hin ver- 1/25 österreichisches Patentamt AT501 653B1 2010-04-15 schoben wird, indem sowohl die Stelle der Flüssigkeitszufuhr als auch die Stelle der Gaszufuhr zum Substratrand hin verschoben werden. Diese Verfahrensführung mit der Überwachung der Flüssigkeits-Dampf-Grenze ist jedoch eher kompliziert.

[0008] In JP 2003-031545 A wird vorgeschlagen, beim Trocknen eines Substrats, auf dem sich ein Flüssigkeitsfilm befindet, Stickstoff auf das Substrat in dessen Mitte zu blasen, um ein Loch im Flüssigkeitsfilm zu bilden. Die Drehzahl des Substrats wird danach erhöht, und die Stickstoff-Zufuhr wird fortgesetzt, um das Loch im Flüssigkeitsfilm zu vergrößern und Richtung Rand des Substrats auszudehnen, wobei die Flüssigkeit radial auswärts gedrückt wird.

[0009] Aus der JP 2003-197590 A ist es bekannt, die Drehzahl eines Substrats während der Trocknung auf einen vorgegebenen Wert, z.B. 300 Upm, einzustellen und einen Arm mit einer Düse, mit der Reinwasser dem Substrat zugeführt wird, mit konstanter Geschwindigkeit von der Mitte zum Rand des Substrats zu bewegen.

[0010] In der US 2003/0084925 A1 ist schließlich eine Technik zum Reinigen eines Substrats geoffenbart, bei dem eine Reinigungsflüssigkeit auf das Substrat gebracht und ein Flüssigkeitsfilm gebildet wird, wonach ein Reinigungsnebel, der durch Mischen eines weiteren Reinigungsmittels und eines unter Druck gesetzten Gases gebildet wird, dem Substrat bzw. dem darauf gebildeten Flüssigkeitsfilm zugeführt wird.

[0011] Es ist nun Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Reinigen eines Substrats vorzuschlagen, wobei die Bildung von Wasserzeichen auf der Substrat-Oberfläche zuverlässig vermieden werden soll. Weiters ist es ein Ziel der Erfindung, ein Computer-lesbares Aufzeichnungsmedium zur Durchführung eines derartigen Verfahrens zum Reinigen eines Substrats zur Verfügung zu stellen.

[0012] Zur Lösung der gestellten Aufgabe sieht die Erfindung ein Verfahren bzw. eine Substrat-Reinigungsvorrichtung wie in den unabhängigen Ansprüchen angegeben vor. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Überdies stellt die Erfindung ein geeignetes Computer-lesbares Aufzeichnungsmedium zur Verfügung, das ein auf einem Computer abarbeitbares Programm enthält, welches hierbei den Computer veranlasst, eine Substrat-Reinigungsvorrichtung gemäß der Erfindung zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zu steuern.

[0013] Beim vorliegenden Verfahren zum Reinigen eines Substrats wird ein Spülen durchgeführt, wobei dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche in der Mitte Reinwasser als Spülflüssigkeit zugeführt wird, wonach ein Schleudertrocknen des Substrats durchgeführt wird, bei dem, dem Substrat während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche Reinwasser zugeführt wird, wobei die Reinwasser-Zufuhr beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen im Vergleich zu jener beim vorhergehenden Spülen ohne sie zu stoppen gleich zu jener beim vorhergehenden Spülen ohne sie zu stoppen reduziert wird, das Reinwasser beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen noch in der Mitte des Substrats zugeführt wird und dann, beim Durchführen des Schleudertrocknens, die Reinwasser-Zuführstelle am Substrat von der Mitte nach außen bewegt und ein Wasserfilm außerhalb der von der Mitte wegbewegten Reinwasser-Zuführstelle gebildet wird, wobei die Geschwindigkeit der Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen im äußeren Umfangsbereich des Substrats erhöht wird. Durch die hierbei vorgesehene Reduktion der Zuführmenge von Reinwasser beim Übergehen vom Spülschritt zum Schleu-dertrocknungs-schritt wird unter anderem der Vorteil erzielt, dass die Bildung von Tröpfchen oder von Nebel beim Schleudertrocknen aufgrund des dünneren Flüssigkeitsfilms vermieden wird, was in weiterer Folge die Bildung von Wassermarken oderdergl. vermeiden hilft. Überdies kann das Trocknen beschleunigt werden. Nichtsdestoweniger wird zu Beginn, im Spülschritt, die Zufuhr einer adäquaten Menge von Reinwasser zum Substrat zwecks Erzielung einer hohen Spülleistung ermöglicht. Durch die Erhöhung der Geschwindigkeit der Reinwasser-Zuführstelle im äußeren Umfangsbereich des Substrats können kurze Prozesszeiten erzielt werden, wobei nichtsdestoweniger die gewünschte Vermeidung von Wasserzeichen erzielt wird. 2/25 österreichisches Patentamt AT501 653B1 2010-04-15 [0014] Da es für die Zentrifugalkraft schwierig ist, auf Reinwasser im mittleren Bereich des Substrats zu wirken, und das Trocknen an und für sich schwierig ist, wird vorzugsweise derart vorgegangen, dass die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle nach außen vorübergehend gestoppt wird, wenn die Reinwasser-Zuführstelle eine Position in einem vorherbestimmten Abstand von der Mitte des Substrats erreicht, und ein Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf das Sprühen des Stickstoffgases gestoppt und die Reinwasser-Zuführstelle vom Substrat weiter nach außen bewegt wird.

[0015] Weiters besteht hier eine vorteilhafte Ausführungsvariante darin, dass die Reinwasser-Zuführstelle rasch in eine Position 10 bis 15 mm von der Mitte des Substrats entfernt bewegt wird, wo die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle vorübergehend gestoppt, und das Stickstoffgas eine vorherbestimmte Zeit lang auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf das Sprühen des Stickstoffgases gestoppt und die Reinwasser-Zuführstelle mit einer Geschwindigkeit von höchstens 3 mm/s wieder vom Substrat nach außen bewegt wird.

[0016] Andererseits ist es vorteilhaft, wenn nach Verschieben der Reinwasser-Zuführstelle um einen vorherbestimmten Abstand weg von der Mitte des Substrats ein Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf die Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen bewegt wird, während Stickstoffgas auf das Substrat gesprüht wird. Darüber hinaus wird, da in einem äußeren Bereich des Substrats eine wesentliche Zentrifugalkraft auf das Reinwasser wirkt, vorzugsweise vorgesehen, dass beim Bewegen der Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen nur das Sprühen des Stickstoffgases gestoppt wird.

[0017] Bevorzugt wird beim Spülen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 100 Upm und höchstens 1000 Upm eingestellt; beim Schleudertrocknen wird die Drehzahl des Substrats auf mindestens 800 Upm und höchstens 2500 Upm eingestellt. Wenn ein Stickstoffgas auf den mittleren Bereich des Substrats gesprüht und die Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen bewegt wird, braucht die Drehzahl des Substrats nur auf (mindestens) 800 Upm eingestellt werden. Vom Gesichtspunkt der Verhinderung einer Bildung von Teilchen oder Wasserzeichen aufgrund von Vernebelung oder Reinwasserspritzern beträgt die Drehzahl höchstens 2500 Upm.

[0018] Vor allem, wenn dem Substrat zum Zeitpunkt des Schleudertrocknens kein Stickstoffgas zugeführt wird, kann die Drehzahl des Substrats beim Schleudertrocknen höher als beim Spülen eingestellt werden. Insbesondere wird vorzugsweise beim Spülen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 100 Upm und höchstens 1000 Upm und beim Schleudertrocknen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 1500 Upm und höchstens 2500 Upm eingestellt.

[0019] Besonders vorteilhaft ist die Anwendung des vorliegenden Verfahrens bei Vorhandensein einer Mischung einer hydrophoben Oberfläche und einer hydrophilen Oberfläche auf der Oberfläche des Substrats; an sich kann das Verfahren aber auch dann angewendet werden, wenn die Oberfläche des Substrats nur eine hydrophobe Oberfläche oder nur eine hydrophile Oberfläche ist.

[0020] In entsprechender Weise ist eine Substrat-Reinigungsvorrichtung zum Reinigen eines Substrats vorgesehen, mit: [0021] - einer Schleuderspanneinrichtung zur Halterung und Drehung eines zu bearbeitenden Substrats in einer im Wesentlichen horizontalen Lage; [0022] - einer Reinwasser-Zuführeinrichtung mit. einer Zuführdüse zur Abgabe von Reinwasser als Spülflüssigkeit an eine Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung gehaltenen Substrats; [0023] - einem Antriebsmechanismus zum Durchführen einer Überstreichbewegung der Zuführdüse zwischen einer Position oberhalb der Mitte des Substrats und einer Position oberhalb des Außenrands desselben; und [0024] - einem Steuerteil zur Steuerung der Schleuderspanneinrichtung, der Reinwasser- 3/25 österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15

Zuführeinrichtung und des Antriebsmechanismus, welcher Steuerteil eingerichtet ist, um zum Spülen dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche in der Mitte Reinwasser zuzuführen, und um zum Schleudertrocknen dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche Reinwasser zuzuführen, wobei der Steuerteil weiters eingerichtet ist, um die Reinwasser-Zufuhr beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen im Vergleich zu jener beim vorhergehenden Spülen ohne sie zu stoppen zu reduzieren, wobei die Reinwasser-Zuführstelle auf dem Substrat beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen noch in der Mitte des Substrats vorgesehen ist und dann, zum Durchführen des Schleudertrocknens, von der Mitte nach außen bewegt wird, wobei ein Flüssigkeitsfilm außerhalb der von der Mitte wegbewegten Reinwasser-Zuführstelle gebildet wird, wobei der Steuerteil beim Schleudertrocknen die Geschwindigkeit zum Bewegen der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen in einem äußeren Umfangsbereich des Substrats höher einstellt als in der Mitte desselben.

[0025] Zur Durchführung des Schleudertrocknens unter Verwendung eines Stickstoffgases weist die Substrat-Reinigungsvorrichtung vorzugsweise weiters eine Gaszufuhreinrichtung mit einer Gasdüse zum Sprühen eines Stickstoffgases auf die Mitte der Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung gehaltenen Substrats auf, wobei der Steuerteil die Gaszuführein-richtung derart steuert, dass beim Schleudertrocknen die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle vorübergehend gestoppt wird, wenn die Reinwasser-Zuführstelle eine Position in einem vorherbestimmten Abstand von der Mitte des Substrats erreicht, und Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf nach Stoppen des Sprühens des Stickstoffgases die Reinwasser-Zuführstelle vom Substrat weiter nach außen bewegt wird.

[0026] Vorzugsweise ist hier weiters vorgesehen, dass der Steuerteil beim Schleudertrocknen die Reinwasser-Zuführstelle rasch in eine Position 10 bis 15 mm von der Mitte des Substrats entfernt steuert, dort die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle stoppt, anschließend Stickstoffgas eine vorbestimmte Zeit lang auf die Mitte des Substrats sprüht, dann das Sprühen des Stickstoffgases stoppt und die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle mit einer Geschwindigkeit von höchstens 3 mm/s weiter nach außen veranlasst.

[0027] Andererseits zeichnet sich eine vorteilhafte Ausführungsvariante der Reinigungsvorrichtung aus durch eine Gaszuführeinrichtung mit einer Gasdüse zum Sprühen von Stickstoffgas auf die Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung gehaltenen Substrats und durch einen Gasdüsen-Antriebsmechanismus zum Durchführen einer Überstreichbewegung der Gasdüse über das Substrat, wobei der Steuerteil die Gaszuführeinrichtung und den Gasdüsen-Antriebsmechanismus derart steuert, dass beim Schleudertrocknen nach Verschieben der Reinwasser-Zuführstelle um einen vorherbestimmten Abstand weg von der Mitte des Substrats Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf die Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen bewegt wird, während Stickstoffgas auf das Substrat gesprüht wird. Auch in diesem Fall ist es möglich, das Substrat gleichmäßig zu bearbeiten.

[0028] Von Vorteil ist es auch, wenn der Steuerteil beim Schleudertrocknen nur das Sprühen des Stickstoffgases stoppt, während die Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen bewegt wird.

[0029] Weiters ist eine vorteilhafte Ausführungsform der Reinigungsvorrichtung gekennzeichnet durch eine Gaszuführeinrichtung mit einer Gasdüse zum Sprühen von Stickstoffgas auf die Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung gehaltenen Substrats, wobei die Gasdüse durch den Reinwasserdüsen-Antriebsmechanismus in einem bestimmten Abstand von der Reinwasser-Zuführdüse gehalten ist und der Steuerteil die Gaszuführeinrichtung derart steuert, dass beim Schleudertrocknen nach Verschieben der Stelle der Reinwasser-Zufuhr zum Substrat um einen vorherbestimmten Abstand weg von der Mitte des Substrats Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf die Stickstoffgas-Sprühstelle und die Reinwasser-Zuführstelle gleichzeitig von der Mitte des Substrats nach außen bewegt werden, während Stickstoffgas auf das Substrat gesprüht wird. 4/25 österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15 [0030] Bei. der vorliegenden Technik ist es bei Vorhandensein einer Mischung aus einer hydrophoben Oberfläche und einer hydrophilen Oberfläche möglich, den Unterschied zwischen der Trocknungszeit für die hydrophobe Oberfläche und der Trocknungszeit für die hydrophile Oberfläche zu verringern, so dass eine Substrat-Reinigung mit hoher Präzision durchgeführt werden kann, bei der die Bildung von Wasserzeichen unterdrückt wird.

[0031] Die Erfindung wird nachfolgend anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen sowie unter Bezugnahme auf die Zeichnung noch weiter erläutert. Es zeigen: [0032] Fig. 1 schematisch, teilweise in einem vertikalen Schnitt, einen Aufbau einer Substrat-

Reinigungsvorrichtung; [0033] Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf diese Substrat-Reinigungsvorrichtung; [0034] Fig. 3 in einem schematischen Diagramm ein Steuersystem dieser Substrat-Reini gungsvorrichtung; [0035] Fig. 4 ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung eines Reinigungsverfahrens; [0036] die Fig. 5 bis 7 schematisch Wafer-Trocknungsprozesse gemäß herkömmlichen Schleu dertrocknungsverfahren; [0037] Fig. 8 schematisch ein Beispiel für einen Wafer-Trocknungsprozess durch Schleuder trocknen gemäß dem erfindungsgemäßen Reinigungsverfahren; [0038] Fig. 9 eine schematische Draufsicht auf eine gegenüber Fig. 2 modifizierte Substrat-

Reinigungsvorrichtung; [0039] Fig. 10 ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung eines weiteren Reinigungsverfah rens; und [0040] Fig. 11 eine schematische Draufsicht auf noch eine andere Substrat-Reinigungs vorrichtung.

[0041] In Fig. 1 ist schematisch der Aufbau einer Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 zur Reinigung eines Halbleiter-Wafers, teilweise in einem vertikalen Schnitt, gezeigt, wobei Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf diese Reinigungsvorrichtung 10 veranschaulicht.

[0042] Die wesentlichen Teile der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 sind in einem Gehäuse 50 untergebracht, das in Fig. 1 und Fig. 2 nur zum Teil gezeigt ist. Ein ringförmiges Gefäß CP ist etwa in der Mitte des Gehäuses 50 angeordnet, und im Gefäß CP ist eine Schleuderspanneinrichtung 51 vorgesehen. Als Schleuderspanneinrichtung 51 wird vorzugsweise ein Spannrahmen, in dem ein Wafer W unter Vakuum eingespannt und festgehalten wird, oder ein so genannter mechanischer Spannrahmen, bei dem die Stirnseiten des Wafers W mechanisch festgehalten werden, verwendet; der Spannrahmen wird durch einen Antriebsmotor 52 in Drehung versetzt, während er den Wafer W festhält. Eine Ableitung 53 zum Ableiten von Reinigungsflüssigkeit und Reinwasser ist im Boden des Gefäßes CP vorgesehen, und ein Fenster 56, durch das ein Wafer von außen nach innen bzw. wieder nach außen befördert wird, ist in der vertikalen Wand des Gehäuses 50 der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 vorgesehen.

[0043] Eine Prozessflüssigkeits-Zuführdüse 61, die Reinigungsflüssigkeit und Reinwasser der Oberfläche des Wafers W zuführt, ist im Wesentlichen zylinderförmig ausgebildet und von einer Düsenhalterung 63 mit ihrer Längsachse annähernd vertikal gehalten. Die Reinigungsflüssigkeit oder das Reinwasser wird der Zuführdüse 61 von einer Reinigungsflüssigkeits-Zuführ-einrichtung 64 bzw. von einer Reinwasser-Zuführeinrichtung 65 selektiv zugeführt, welche so aufgebaut sind, dass sie die Durchflussmenge durch Einstellung des Öffnens und Schließens eines Ventils verändern können. Somit dient die Zuführdüse 61 zur Zuführung von Reinigungsflüssigkeit und von Reinwasser zum Wafer W. Als Zuführdüse 61 wird vorzugsweise eine so genannte gerade Düse verwendet. Die Düsenhalterung 63 ist am distalen Endteil eines Abtastarms 67 angebracht.

[0044] Der Abtastarm 67 ist am oberen Ende eines vertikalen Stützelements 69 befestigt, wel- 5/25 österreichisches Patentamt AT501 653B1 2010-04-15 ches auf einer Führungsschiene 68 angeordnet ist, die auf der Bodenplatte des Gehäuses 50 in einer Richtung (Y-Richtung) verlegt ist. Das vertikale Stützelement 69 kann durch einen Y-Achsen-Antriebsmechanismus 77 horizontal bewegt werden und besitzt eine Z-Achsen-Antriebseinrichtung 78 zum Heben und Senken des Abtastarms 67. Die Zuführdüse 61 ist daher oberhalb des Wafers W in der Y-Richtung beweglich und durch das obere Ende des Gefäßes CP aus dem Gefäß CP zurückziehbar (Z-Bewegung).

[0045] Eine Gasdüse 62, die Stickstoffgas (N2-Gas) auf die Oberfläche des Wafers W sprüht, ist ebenfalls annähernd zylinderförmig gestaltet und mit ihrer Längsachse annähernd vertikal über der Mitte des vom Schleuderspannrahmen 51 gehaltenen Wafers W angeordnet. Die Gasdüse 62 ist durch eine Hubeinrichtung 79 heb- und senkbar. Eine N2-Gaszüführeinrichtung 66 führt der Gasdüse 62 N2-Gas zu.

[0046] Eine zylindrische Abschirmung 54 ist derart an der Gasdüse 62 angebracht, dass sie das distale Ende derselben überdeckt. Wäre keine Abschirmung 54 angebracht, so würde das von der Gasdüse versprühte N2-Gas auf einen Punkt des Wafers W konzentriert aufgebracht, wodurch sich ein Reinwassernebel vom Wafer W nach oben ausbreiten würde. Zu diesem Zeitpunkt wird die Fallgeschwindigkeit des Nebels rund um das von der Gasdüse 62 versprühte N2-Gas langsamer, wodurch das Problem entsteht, dass der Nebel auf trockene Bereiche des Wafers W fällt und sich darauf Teilchen bilden. Durch Vorsehen der Abschirmung 54 trifft das von der Gasdüse 62 außerhalb versprühte N2-Gas auf die Abschirmung 54 und fließt ab, so dass der Nebel auf einen ungetrockneten Reinwasserbereich des Wafers W fällt, von dem das Reinwasser später entfernt wird, wodurch die Bildung von Teilchen unterdrückt wird.

[0047] Beträgt der Außendurchmesser der Gasdüse 62 zum Beispiel 6 mm (Innendurchmesser: 4 mm), dann ist der Innendurchmesser der Abschirmung 54 vorzugsweise 10 mm bis 20 mm. Vorzugsweise sind die Abschirmung 54 und die Gasdüse 62 unabhängig voneinander hebbar, so dass der vertikale Abstand zwischen dem distalen Ende der Gasdüse 62 und dem distalen Ende der Abschirmung 54 entsprechend eingestellt werden kann. Auf diese Weise lässt sich der Fortschritt der Trocknung des Wafers W steuern.

[0048] Fig. 3 zeigt schematisch den Aufbau eines Steuersystems der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10. Ein Steuerteil 11 (ein Computer) zur Steuerung der Bearbeitung des Wafers W durch die Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 enthält eine Prozesssteuerung (CPU) 12, einen Datenein-/-ausgabe-Teil 13 mit einer Tastatur für eine Bedienungsperson zur Eingabe von Befehlen zwecks Festlegung von Bedingungen etc. für die Reinigung des Wafers W, eine Anzeige od. dgl. zur Sicht-Anzeige der Ergebnisse von Rechenoperationen durch die Prozesssteuerung (CPU) 12, des Status des Fortschritts des Reinigungsprozesses und dgl., sowie einen Speicherteil 14, wo Programme und Anweisungen für die Steuerung der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10, mit ausgeführten Prozessen in Zusammenhang stehende Daten etc. aufgezeichnet werden.

[0049] Im Speicherteil 14 sind insbesondere Verarbeitungsprogramme 15 zur Ermöglichung der Abwicklung der Operationssteuerung verschiedener zur Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 gehörender Antriebseinrichtungen durch die Prozesssteuerung (CPU) 12, zur Durchführung einer Reihe von Prozessen einschließlich eines Reinigens mit einer Reinigungsflüssigkeit, eines Spülens mit Reinwasser und eines Schleudertrocknens, wie später noch detailliert beschrieben wird, sowie mit Zeitzuordnung in einer Reihe von Prozessen aufgezeichnete Anweisungen 16 abgelegt, z.B. betreffend die Zuführmenge von Reinigungsflüssigkeit, von Reinwasser oder N2-Gas, die Abtastgeschwindigkeit des Abtastarms 67 und dgl. Diese Verarbeitungsprogramme 15 und Anweisungen 16 können in verschiedenen Speichermedien, beispielsweise einem fixen Speichermedium, wie einer Festplatte (HD) oder einem Speicher (RAM od. dgl.), oder einem tragbaren Typ, wie einer CD-ROM (oder CD-R od. dgl.), DVD-ROM (oder DVD-R od. dgl.) oder MO(magnetooptischen) -Platte, aufgezeichnet werden, u.zw. derart, dass sie von der Prozesssteuerung (CPU) 12 lesbar sind.

[0050] Der Speicherteil 14 kann Daten 17 über Prozesse aufzeichnen, die von der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 ausgeführt werden, z.B. Daten 17 über die Losnummer von Wafers 6/25 österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15 W, eine durchgeführte Prozessanweisung, Prozessdaten, ob eine Betriebsstörung in diversen Einrichtungen während des Prozesses auftritt und dgl. Solche Daten 17 können auf verschiedenartige tragbare Speichermedien, wie CD-R und MO-Platten, kopiert oder übertragen werden.

[0051] Gemäß dem Verarbeitungsprogramm 15 und der Anweisung 16 sendet die Prozesssteuerung (CPU) 12 an verschiedene Einrichtungen verschiedene Steuersignale betreffend die Einspannung/Freigabe eines Wafers W durch den Schleuderspannrahmen 51, die Steuerung der Drehzahl des Motors 52, den Abtastvorgang durch den Y-Achsen-Antriebsmechanismus 77, den Hubvorgang durch die Z-Achsen-Antriebseinrichtung 78, den Start und Stopp der Zufuhr von Reinwasser und die Steuerung der Durchflussmenge von Reinwasser aus der Reinwasser-Zuführeinrichtung 65, den Start und Stopp der Zufuhr von N2-Gas aus der Gaszuführeinrichtung 66 usw. Bevorzugt ist eine Ausbildung, bei einer bidirektionellen Kommunikation zur Zuführung von Daten, die die Abwicklung der Operationen verschiedener die Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 bildender Einrichtungen anzeigen, von den Einrichtungen zurück zur Prozesssteuerung (CPU) 12 stattfindet. Fig. 3 zeigt nur die wichtigsten Einrichtungen od. dgl., aber nicht alle Einrichtungen, die von der Prozesssteuerung (CPU) 12 gesteuert werden.

[0052] Als nächstes wird ein Substrat-Reinigungsverfahren für Wafers W unter Verwendung der wie oben ausgeführt ausgebildeten Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 beschrieben. Fig. 4 zeigt ein Ablaufdiagramm für Reinigungsschritte wie nachstehend beschrieben.

[0053] Zuerst wird gemäß Fig. 1 der Wafer W vom Schleuderspannrahmen 51 im Wesentlichen horizontal gehalten und die Höhe des Wafers W eingestellt (Schritt 1). Die Zuführdüse 61 ist über der Mitte des Wafers W angeordnet, eine vorherbestimmte Menge Reinigungsflüssigkeit wird der Oberfläche des Wafers W zugeführt, während der Wafer W mit einer vorherbestimmten Anzahl von Umdrehungen gedreht wird, und der Wafer W wird während einer vorherbestimmten Zeitdauer behandelt (Schritt 2). Im Prozess kann die Reinigungsflüssigkeit in Schritt 2 der Oberfläche des in einen stationären Zustand versetzten Wafers W zugeführt werden, wodurch sich Pfützen bilden, und nach Verstreichen einer vorherbestimmten Zeit kann Reinigungsflüssigkeit unter Drehen des Wafers W zur Oberfläche des Wafers W weiter zugeführt werden.

[0054] Danach wird unter Drehung des Wafers W mit einer vorherbestimmten Anzahl von Umdrehungen (z.B. 100 Upm bis 1000 Upm) Reinwasser aus der Zuführdüse 61 mit einer vorherbestimmten Durchflussmenge (z.B. 1 l/min) in die Nähe der Mitte des Wafers W zur Spülung des Wafers W zugeführt (Schritt 3). Im Spülprozess kann die Zuführdüse 61 in der Y-Richtung über den Wafer W streichen.

[0055] Am Ende eines derartigen Spülprozesses wird bei über der Mitte des Wafers W platzierter Zuführdüse 61 die Zuführmenge von Reinwasser zum Wafer W (d.h. die Ausflussmenge von Reinwasser aus der Zuführdüse 51) auf beispielsweise 20 bis 50 ml/min reduziert (Schritt 4), worauf die Reinwasser-Zufuhrstelle (d.h. die Position der Zuführdüse 61) von der Mitte des Wafers W mit einer vorherbestimmten Geschwindigkeit nach außen bewegt wird (Schritt 5).

[0056] Der Grund, warum die Zufuhrmenge von Reinwasser zum Wafer W in Schritt 4 reduziert wird, ist folgender. Bevorzugt wird die Zufuhrmenge von Reinwasser zum Wafer W zum Zeitpunkt des Spülprozesses zwecks Verbesserung der Spülleistung erhöht. Wird jedoch die Überstreichbewegung der Zuführdüse 61 bei unveränderter Durchflussmenge begonnen, dann ist der auf dem Wafer W gebildete Flüssigkeitsfilm dick, so dass vom Wafer W abgeschleudertes Reinwasser vom Gefäß CP zurückprallt, was zur Bildung von Tröpfchen oder von Nebel und damit zur Bildung von Teilchen, oder Wasserzeichen führen würde. Eine Reduktion der Zuführmenge von Reinwasser zwecks Ausbildung eines dünnen Flüssigkeitsfilms hemmt ein derartiges Zurückprallen, wodurch die Bildung von Teilchen oder Wasserzeichen unterdrückt wird. Dadurch kann das Trocknen beschleunigt werden.

[0057] Das Schleudertrocknen in Schritt 4 und 5 ist beendet, sobald die Zufuhr von Reinwasser zum Wafer W gestoppt wird, wenn sich die Reinwasser-Zuführstelle vom Umfang des Wafers W entfernt. Danach kann der Wafer W jedoch noch über einen vorherbestimmten Zeitraum rotiert 7/25 österreichisches Patentamt AT501 653B1 2010-04-15 werden. Der Wafer W, dessen Schleudertrocknen beendet ist, wird vom Schleuderspannrahmen 51 zu einer Vorrichtung transferiert, die den nächsten Prozess ausführt (Schritt 6).

[0058] Es folgt nun eine detailliertere Beschreibung des Schleudertrocknens gemäß Schritt 4 und 5 in Fig. 4. In Fig. 5 bis 8 sind Diagramme gezeigt, die herkömmliche Schleudertrocknungsverfahren (Fig. 5 bis 7) und das Schleudertrocknen gemäß Schritt 4 und 5 (s. Fig. 8) im gegenseitigen Vergleich veranschaulichen.

[0059] Fig. 5 veranschaulicht beispielhaft einen herkömmlichen Schleudertrocknungsprozess für einen Wafer W, welcher eine über die gesamte Oberfläche ausgebildete hydrophile Si02-Schicht 21 aufweist. Im linken Teil der Fig. 5 sind der Mitte des Wafers W zugeführtes Reinwasser und eine Reinwasserpfütze 22 auf der Oberfläche des Wafers W zu sehen. Im rechten Teil der Fig. 5 ist der anfängliche Zustand dargestellt, in dem die Zufuhr von Reinwasser zum Wafer W gestoppt und der Wafer W mit einer vorherbestimmten Drehzahl rotiert wird. Ist die gesamte Oberfläche des Wafers W hydrophil, bewegt sich das Reinwasser 22 auf dem Wafer W aufgrund der Zentrifugalkraft langsam von der Mitte des Wafers W nach außen und lässt dabei einen dünnen Flüssigkeitsfilm (nicht dargestellt) auf der Oberfläche des Wafers W zurück, so dass die Oberfläche des Wafers W langsam von der Mitte nach außen trocknet.

[0060] Fig. 6 ist ein Schema, das beispielhaft ein Schleudertrocknen bei einem Wafer W (blanker Wafer) mit hydrophober Oberfläche veranschaulicht. Im linken Teil der Fig. 6 sind der Mitte des Wafers W zugeführtes Reinwasser und eine Reinwasserpfütze 22 auf der Oberfläche des Wafers W zu. sehen. Im rechten Teil der Fig. 6 ist der anfängliche Zustand dargestellt, in dem die Zufuhr von Reinwasser zum Wafer W gestoppt und der Wafer W mit einer vorherbestimmten Drehzahl rotiert wird. Da das Reinwasser auf der hydrophoben Oberfläche abgestoßen wird, wird das Reinwasser auf der Oberfläche des Wafers W durch die Luftbewegung aufgrund der Zentrifugalkraft weggeschleudert, so dass die gesamte Oberfläche des Wafers W sofort trocknet. Das bedeutet, dass die hydrophobe Oberfläche bei derselben Drehzahl des Wafers W schneller trocknet als die hydrophile Oberfläche.

[0061] Fig. 7 ist ein Schema, das beispielhaft ein herkömmliches Schleudertrocknen bei einem Wafer W veranschaulicht, der eine Mischung aus hydrophiler Oberfläche 23 und hydrophober Oberfläche 24 aufweist. Im linken Teil der Fig. 7 sind der Mitte des Wafers W zugeführtes Reinwasser und eine Reinwasserpfütze 22 auf der Oberfläche des Wafers W zu sehen. Im rechten Teil der Fig. 7 ist der anfängliche Zustand dargestellt, in dem die Zufuhr von Reinwasser zum Wafer W gestoppt und der Wafer W mit einer vorherbestimmten Drehzahl rotiert wird. Da bei gleicher Anzahl von Umdrehungen des Wafers W ein Unterschied in der Trocknungszeit zwischen der hydrophilen Oberfläche und der hydrophoben Oberfläche besteht, wie oben ausgeführt, bewirkt die Mischung aus hydrophiler Oberfläche 23 und hydrophober Oberfläche 24 auf dem Wafer W, dass die hydrophobe Oberfläche 24 zuerst trocknet und das Reinwasser auf der hydrophilen Oberfläche 23 verbleibt. Es scheint, als würde das auf der hydrophilen Oberfläche 23 verbleibende Reinwasser 22 auf der getrockneten hydrophoben Oberfläche 24 anhaften, wenn sich das Reinwasser 22 aufgrund der Zentrifugalkraft nach außen bewegt, wodurch sich Wasserzeichen bilden.

[0062] Fig. 8 ist ein Schema, das beispielhaft das Schleudertrocknen eines Wafers W mit einer Mischung aus hydrophiler Oberfläche 23 und hydrophober Oberfläche 24, nun jedoch gemäß dem Verfahren von Fig. 4, Schritt 4 und 5, veranschaulicht. Im linken Teil der Fig. 8 sind zur Mitte des Wafers W zugeführtes Reinwasser und eine Reinwasserpfütze 22 auf der Oberfläche des Wafers W zu sehen. Im rechten Teil der Fig. 8 ist der Zustand des Wafers W dargestellt, wenn die Reinwasser-Zufuhr zum Wafer W reduziert und die Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Wafers W nach außen bewegt wird.

[0063] Wie im rechten Teil der Fig. 8 gezeigt, wird bei diesem Schleudertrocknen gemäß Schritt 4 und 5 in Fig. 4 ein Reinwasser-Flüssigkeitsfilm 22 im Wesentlichen radial, außerhalb von der Reinwasser-Zuführstelle (Zuführdüse-61) gebildet und die Fläche, wo sich der Flüssigkeitsfilm bildet, mit zunehmender Verlagerung der Position der Zuführdüse 61 nach außerhalb des Wafers W immer schmäler. Das bedeutet, dass der Wafer W langsam von seiner Mitte nach außen 8/25 österreichisches Patentamt AT501 653B1 2010-04-15 trocknen kann. Auch wenn eine Mischung aus hydrophiler Oberfläche 23 und hydrophober Oberfläche 24 auf dem Wafer W vorhanden ist, verringert sich daher der Unterschied in der Trocknungszeit zwischen der hydrophilen Oberfläche 23 und der hydrophoben Oberfläche 24, wodurch die Bildung von Wasserzeichen unterdrückt wird.

[0064] Beim Schleudertrocknen gemäß Schritt 4 und 5 in Fig. 4 wird die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise höher eingestellt als zum Zeitpunkt des Spülens. Beispielsweise kann die Drehzahl des Wafers W beim Spülen zwischen 100 Upm und 1000 Upm eingestellt werden, wogegen die Drehzahl des Wafers W beim Schleudertrocknen vorzugsweise zwischen 1500 Upm und 2500 Upm eingestellt wird. Dies deshalb, weil die Trocknungszeiten, wenn die Drehzahl des Wafers W zu gering ist, für die hydrophile Oberfläche und die hydrophobe Oberfläche unterschiedlich sind, was das Problem mit sich bringt, dass leicht Wasserzeichen gebildet werden; bei einer hohen Drehzahl des Wafers W bilden sich Wirbel um den Wafer W herum, und ein vom Wafer W zerstäubter Reinwassernebel wird von den Wirbeln mitgerissen und setzt sich wieder auf dem bereits getrockneten Abschnitt des Wafers W ab, wodurch sich Wasserzeichen bilden können.

[0065] Die Geschwindigkeit, mit der die Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Wafers W nach außen bewegt wird, d.h. die Überstreichgeschwindigkeit der Zuführdüse 61 kann entsprechend der Drehzahl des Wafers W verändert werden, um die Bildung von Wasserzeichen zu vermeiden. Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse einer Überprüfung der Stellen, an denen ein Interferenzstreifen im inneren Abschnitt des Flüssigkeitsfilms verschwindet, der sich auf dem Wafer W bildet, wenn die Zuführdüse 61 vom Zentrum des Wafers W mit konstanter Geschwindigkeit (1 bis 4 mm/s) nach außen streicht, während der Wafer W mit einem Durchmesser von 300 mm mit einer konstanten Drehzahl gedreht und Reinwasser dem Wafer W aus der Zuführdüse 61 mit 50 ml/min zugeführt wird.

[0066] Tabelle 1

Anzahl von Umdrehungen Upm) 1600 1800 2000 2200 2500 Düsenüberstreichge-schwindigkeit (mm/s) 1 40mm 35mm 30mm 25mm 20mm 2 80mm 70mm 60mm 50mm 40mm 3 NG* NG 12.0mm 100mm 80mm 4 NG NG NG NG NG

[0067] *NG: ein Interferenzstreifen verschwand nicht, während die Prozessflüssigkeitsdüse zum Randbereich des Wafers hinaus bewegt wurde [0068] Tabelle 1 zeigt, dass bei einer Drehzahl des Wafers W von 1600 Upm und bei von der Mitte des Wafers W mit 1 mm/s nach außen streichender Zuführdüse 61 ein Interferenzstreifen an einer Stelle verschwand, an der die Zuführdüse 61 von der Mitte des Wafers W 40 mm entfernt war, worauf keine Bildung eines Interferenzstreifens bemerkt wurde, während die Zuführdüse 61 zum Rand des Wafers W bewegt wurde. Aus Tabelle 1 ist ersichtlich, dass bei einem Überstreichen durch die Zuführdüse 61 mit 2 mm/s ein Interferenzstreifen an einer Stelle verschwand, an der sich die Zuführdüse 61 von der Mitte des Wafers W 80 mm entfernt befand, worauf keine Bildung eines Interferenzstreifens bemerkt wurde. Bei einer Abtastbewegung der Zuführdüse 61 mit 3 mm/s oder 4 mm/ s wurde hingegen immer ein Interferenzstreifen beobachtet, bis die Zuführdüse 61 den Randbereich des Wafers W erreichte. Das bedeutet, dass unter diesen Bedingungen der Interferenzstreifen vom Anfang bis zum Ende nicht verschwand und die Bildung von Wasserzeichen nicht unterdrückt werden konnte.

[0069] Aus Tabelle 1 ist erkennbar, dass bei konstanter Überstreichgeschwindigkeit der Zuführ-düse 61 die Stelle, an der ein Interferenzstreifen verschwindet, näher zum Zentrum des Wafers W rückt, wenn die Drehzahl des Wafers W erhöht wird, wogegen sich die Stelle, an der ein Interferenzstreifen verschwindet, bei einer konstanten Drehzahl des Wafers W der Mitte des Wafers W nähert, wenn die Geschwindigkeit der Zuführdüse 61 niedrig ist. Daraus geht hervor, dass die Bildung eines Interferenzstreifens bei einer hohen Drehzahl des Wafers W und einer 9/25 österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15 niedrigen Überstreichgeschwindigkeit der Zuführdüse 61 unterdrückt werden kann.

[0070] Wird der Wafer W jedoch von der Zuführdüse 61 zur Gänze mit einer Geschwindigkeit von beispielsweise 1 mm/s überstrichen, dann verlängert, sich die Prozesszeit und sinkt die Produktivität. Wird die Drehzahl des Wafers W konstant eingestellt, kann die Prozesszeit daher verkürzt werden, indem die Geschwindigkeit der Zuführdüse 61 im äußeren Randbereich des Wafers W gegenüber jener im mittleren Bereich erhöht wird. Beträgt die Drehzahl des Wafers W (0 300 mm) zum Beispiel 2500 Upm, kann die Geschwindigkeit der Zuführdüse 61 auf 1 mm/s innerhalb eines Radius von 40 mm vom Mittelpunkt des Wafers W, auf 2 mm/s von einem Radius von 40 mm bis zu einem Radius von 80 mm und auf 3 mm/s von einem Radius von 80 mm bis zum Randbereich (Radius: 150 mm) eingestellt werden.

[0071] Anstelle eines Verlangsamens der Bewegung der Zuführdüse 61 vom Zentrum des Wafers W nach außen wird zweckmäßig ein rasches Bewegen der Zuführdüse 61 (z.B. 80 mm/s) in eine Position 10 bis 15 mm vom Zentrum des Wafers W entfernt, ein anschließendes rasches Sprühen eines N2-Gases aus der Gasdüse 62 auf den mittleren Bereich des Wafers W, zwecks Beschleunigung des Trocknens im mittleren Bereich des Wafers W, und ein Bewegen der Sprühdüse 61 von dort zum Randbereich des Wafers W mit einer Geschwindigkeit von höchstens 3 mm/s verwendet, weil damit die Bildung von Wasserzeichen im mittleren Bereich des Wafers W weiter unterdrückt werden kann. Auch wenn mit der Bewegung der Zuführdüse 61 zum Rand des Wafers W vorzugsweise nach Beendigung des Sprühens des N2-Gases auf den mittleren Bereich des Wafers W begonnen wird, kann die Bewegung noch während des Sprühens des N2-Gases eingeleitet werden.

[0072] In Fig. 9 ist eine modifizierte Substrat-Reinigungsvorrichtung 10' in schematischer Draufsicht gezeigt. Diese Substrat-Reinigungsvorrichtung 10' weist eine derartige Struktur auf, dass die Zuführdüse 61, die eine chemische Flüssigkeit und Reinwasser selektiv zu einem Wafer W zuführt, eine Reinwasserdüse 61a, die Reinwasser zum Wafer W zum Zeitpunkt des Schleudertrocknens zuführt, und eine Gasdüse 62, die ein N2-Gas auf den Wafer W sprüht, auf einer Düsenhalterung 63' angeordnet sind, welche am distalen Ende eines Abtastarms 67 angebracht ist. Da der sonstige Aufbau, mit Ausnahme der Düsen-Anordnung, gleich wie bei der zuvor beschriebenen Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 ist, wird dieser hier nicht näher erläutert.

[0073] Wie oben beschrieben, wird beim Reinigen eines Wafers W mit Hilfe der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen die Menge des dem Wafer W zuzuführenden Reinwassers von beispielsweise 1 l/min auf 20 bis 50 ml/min reduziert, wobei es sein kann, dass die Zuführdüse 61, sofern sie für die große Abgabemenge von Reinwasser zum Zeitpunkt des Spülprozesses ausgelegt ist, aufgrund der Beziehung zwischen Rohrdurchmesser und Düsendurchmesser keine beständige Zufuhr von Reinwasser gewährleistet, wenn die Abgabemenge von Reinwasser zum Zeitpunkt des Schleudertrocknens reduziert wird. Zur Überwindung dieses Problems ist es bei der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10' möglich, in einem eine Reinigungsflüssigkeit verwendenden Prozess und im Spülprozess Reinwasser aus der Prozessflüssigkeitsdüse 61 dem Wafer W zuzuführen und zum Zeitpunkt des Schleudertrocknens Reinwasser aus der Reinwasserdüse 61a dem Wafer W zuzuführen.

[0074] In der Düsenhalterung 63' sind die Zuführdüse 61 und die Reinwasserdüse 61a nahe beieinander angeordnet, und die Reinwasserdüse 61a und das N2-Gas werden in einem bestimmten Abstand voneinander gehalten.

[0075] Fig. 10 zeigt ein Ablaufdiagramm, das ein erstes Reinigungsverfahren für ein Substrat (Wafer W) unter Verwendung der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10' veranschaulicht. Bei diesem Verfahren werden sowohl die Sprühstelle des N2-Gases als auch die Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Wafers W nach außen bewegt. Somit werden Schritte 11 bis 13 ausgeführt, die identisch mit den vorstehend unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschriebenen Schritten 1 bis 3 sind. Danach wird am Ende des Spülens in Schritt 13 die Zufuhr von Reinwasser zum Wafer W aus der Reinwasserdüse 61a (z.B. 20 bis 50 ml/min) eingeleitet, während die Zufuhr von Reinwasser zum Zentrum des Wafers W aus der Zuführdüse 61 (z.B. 1 l/min) 10/25 österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15 (Schritt 14) aufrecht erhalten wird.

[0076] Dann wird, nach Lenken des Abtastarms 67 in Richtung +Y (siehe Fig. 9) derart, dass die Reinwasserdüse 61a oberhalb des Zentrums des Wafers W in Position gelangt, die Zufuhr von Reinwasser zum Wafer W aus der Zuführdüse 61 gestoppt (Schritt 15). Anschließend wird die Drehzahl des Wafers W auf 800 Upm oder mehr eingestellt (Schritt 16). Der Grund, warum die Drehzahl des Wafers W auf diese Weise reduziert wird, besteht darin, dass in den nachfolgenden Schritten die Gasdüse 62 und die Reinwasserdüse 61a beide über den Wafer W bewegt werden, während das N2-Gas aus der Gasdüse 62 auf den Wafer W gesprüht wird, wodurch die Trocknung des Wafers W mit dem N2-Gas beschleunigt werden kann.

[0077] Sobald die Drehzahl des Wafers W eingestellt ist, bewegt sich der Abtastarm 67 mit einer vorherbestimmten Geschwindigkeit in Richtung +Y (d.h. zur Außenseite des Wafers W), während Reinwasser aus der Reinwasserdüse 61 zugeführt wird (Schritt 17). Sobald die Gasdüse 62 auf diese Weise über den Mittelbereich des Wafers W gelangt, wird der Antrieb des Abtastarms 67 vorübergehend gestoppt und N2-Gas aus der Gasdüse 62 auf den Mittelteil des Wafers W gesprüht, wodurch eine gleichmäßige Trocknung im mittleren Bereich des Wafers W beschleunigt wird (Schritt 18).

[0078] Nachdem eine vorherbestimmte Zeit lang N2-Gas auf den Mittelteil des Wafers W gesprüht worden ist, wird der Abtastarm 67 wieder in Richtung +Y gelenkt, um gleichzeitig die Reinwasserdüse 61a und die Gasdüse 62 zu bewegen, während N2-Gas aus der Gasdüse 62 auf den Wafer W gesprüht wird (Schritt 19). Mit einem derartigen Verfahren ist es möglich, die Trocknung unter Verringerung des Unterschieds zwischen den Trocknungszeiten der hydrophilen Oberfläche und der hydrophoben Oberfläche allmählich von der Mitte des Wafers W nach außen fortschreiten zu lassen, so dass nach und nach die gesamte Oberfläche des Wafers W trocknen kann.

[0079] Auch bei Verwendung der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10' ist es möglich, zum Zeitpunkt des Überstreichens der Gasdüse 62 kein N2-Gas auf den Wafer W zu sprühen, in welchem Fall die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 1500 Upm oder mehr eingestellt wird.

[0080] Im Allgemeinen wirkt bei der Zufuhr von Reinwasser zu einem rotierenden Wafer W die Zentrifugalkraft ausreichend stark auf das zugeführte Reinwasser in einem äußeren Bereich des Wafers W, so dass die Trocknung voranschreitet. Dabei ist es bei der Bearbeitung des Wafers W unter Verwendung der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10' möglich, ein Stoppen des Sprühens von N2-Gas auf den Wafer W oder ein Reduzieren der Menge von N2-Gas vorzusehen, wenn sich die Gasdüse 62 dem äußeren Umfangsbereich des Wafers W nähert. Es ist auch möglich, das Sprühen des N2-Gases zum Wafer W aus der Gasdüse 62 nur zum mittleren Bereich des Wafers W, wie mit der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10, vorzunehmen. Weiters ist es möglich, den Abtastarm 67 in Richtung +Y mit einer vorherbestimmten Geschwindigkeit derart zu bewegen, dass sich die Zuführdüse 61 vom Zentrum des Wafers W nach außen bewegt und mit dem Sprühen von N2-Gas auf den Wafer W dann begonnen wird, wenn die Gasdüse 62 die Mitte des Wafers W erreicht, wobei aber die Bewegung des Abtastarms 67 nicht gestoppt wird.

[0081] Bei der Durchführung eines Prozesses ähnlich dem zuvor beschriebenen Schleudertrocknen wird die Zuführdüse 61 rasch in eine Position 10 bis 15 mm entfernt vom Zentrum des Wafers W bewegt, dann wird sofort N2-Gas zum mittleren Bereich des Wafers W gesprüht und die Zuführdüse 61, bei Verwendung der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10', von dort mit einer Geschwindigkeit von höchstens 3 mm/s zum Randbereich des Wafers W bewegt, wobei die Gasdüse 62 veranlasst werden kann, die Mitte des Wafers W zur selben Zeit zu erreichen, wie die Reinwasserdüse 61a rasch zu einer vorherbestimmten Position bewegt wird, wenn der Abstand zwischen der Reinwasserdüse 61a und der Gasdüse 62 zuvor auf 10 bis 15 mm eingestellt wird.

[0082] Als nächstes wird noch eine andere Substrat-Reinigungsvorrichtung 10" anhand der Fig. 11 erläutert. Diese Substrat-Reinigungsvorrichtung 10" entspricht der Substrat-Reinigungsvor- 11 /25

Claims (19)

1. österreichisches Patentamt AT501 653B1 2010-04-15 richtung 10', deren Aufbau so modifiziert wurde, dass sich die (Reinigungsflüssigkeits-)Zuführ-düse 61, die Reinwasserdüse 61a und die Gasdüse 62 unabhängig voneinander zwischen dem Zentrum eines Wafers W und dem Randbereich desselben bewegen können, wobei die anderen Teile gleich aufgebaut sind wie jene der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10'. [0083] In der Substrat-Reinigungsvorrichtung 10" ist die Gasdüse 62 an einem Düsenhalterungselement 63" befestigt, das am distalen Ende eines drehbaren Abtastarms 67' angeordnet ist. Beim Schleudertrocknen eines Wafers W liegt die Gasdüse 62, wenn die Reinwasserdüse 61a von der Mitte des Wafers W nach außen bewegt wird, immer in einem Bereich innerhalb des Umfangs (was einen Kreis rund um den Drehmittelpunkt des Wafers W angibt), in dem die Reinwasserdüse 61a positioniert ist, und bei Bewegen der Reinwasserdüse 61a relativ zum Wafer W nach außen wird die Gasdüse 62 vom Wafer W nach außen bewegt. [0084] Die Substrat-Reinigungsvorrichtung 10" kann dahingehend modifiziert werden, dass die Gasdüse 62 unabhängig von der Reinwasserdüse 61a in der Y-Richtung linear durch die Mitte des Wafers W abtasten, kann. Dabei kann die Gasdüse 62 derart bewegt werden, dass sie der Reinwasserdüse 61a folgt, oder sie kann in eine zur Reinwasserdüse 61a entgegengesetzte Richtung bewegt werden. Bei Verwendung einer Konstruktion, bei der sich die Reinwasserdüse 61a und die Gasdüse 62 unabhängig voneinander bewegen können, kann ein Unterschied zwischen der Geschwindigkeit der Reinwasserdüse 61a und jener der Gasdüse 62 vorgesehen werden. [0085] Wenn vorstehend bevorzugte Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Substrat-Reinigungsverfahrens erläutert worden sind, ist die Erfindung nicht auf diese beschränkt. Auch wenn die dargestellte Zuführdüse 61 in der vorstehenden Beschreibung derart aufgebaut ist, dass sie selektiv Reinigungsflüssigkeit oder Reinwasser dem Wafer W zuführen kann, kann die Substrat-Reinigungsvorrichtung eine Düse zur ausschließlichen Zufuhr von Reinigungsflüssigkeit und eine Düse zur ausschließlichen Zufuhr von Reinwasser getrennt aufweisen. Vorzugsweise ist die Substrat-Reinigungsvorrichtung 10 ebenso wie die Substrat-Reinigungsvorrichtung 10' mit einer Reinwasserdüse versehen, die zum Zeitpunkt der Schleudertrocknung zusätzlich zur Zuführdüse 61 Reinwasser zum Wafer W zuführt. Dabei kann die Reinwasserdüse an der Düsenhalterung 63 vorgesehen oder derart aufgebaut sein, dass sie unabhängig von der Zuführdüse 61 aktivierbar ist. Weiters kann die Zuführdüse 61, auch wenn sie derart aufgebaut ist, dass sie in Richtung der Y-Achse beweglich ist, beispielsweise eine Einrichtung aufweisen, die um eine vorherbestimmte Drehachse schwenkt und dabei einen Bogen zwischen der Mitte des Wafers W und dem Umfang zieht. [0086] Zwar ist die Wirkung des erfindungsgemäßen Substrat-Reinigungsverfahrens zur Unterdrückung der Ausbildung von Wasserzeichen auf besonders markante Weise dann erzielbar, wenn eine Mischung aus hydrophober Oberfläche und hydrophiler Oberfläche auf der Oberfläche eines zu bearbeitenden Substrats vorhanden ist, doch kann die Wirkung natürlich auch dann erreicht werden, wenn die Oberfläche des Substrats nur hydrophob oder nur hydrophil ist. Das Substrat ist nicht auf Halbleiter-Wafer beschränkt, sondern kann auch ein Glassubstrat für FPD oder ein Keramiksubstrat od. dgl. sein. Patentansprüche 1. Verfahren zum Reinigen eines Substrats, bei welchem ein Spülen durchgeführt wird, wobei dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche in der Mitte Reinwasser als Spülflüssigkeit zugeführt wird, wonach ein Schleudertrocknen des Substrats durchgeführt wird, bei dem, dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche Reinwasser zugeführt wird, wobei die Reinwasser-Zufuhr beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen im Vergleich zu jener beim vorhergehenden Spülen ohne sie zu stoppen reduziert wird, das Reinwasser beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen noch in der Mitte des Substrats zugeführt wird und dann, beim Durchführen des Schleudertrocknens, die Reinwasser-Zuführstelle am Substrat von der Mitte nach außen bewegt und ein Wasserfilm außerhalb der von der Mitte wegbeweg- 12/25 österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15 ten Reinwasser-Zuführstelle gebildet wird, wobei die Geschwindigkeit der Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen im äußeren Umfangsbereich des Substrats erhöht wird.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle nach außen vorübergehend gestoppt wird, wenn die Reinwasser-Zuführstelle eine Position in einem vorherbestimmten Abstand von der Mitte des Substrats erreicht, und ein Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf das Sprühen des Stickstoffgases gestoppt und die Reinwasser-Zuführstelle vom Substrat weiter nach außen bewegt wird.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinwasser-Zuführstelle rasch in eine Position 10 bis 15 mm von der Mitte des Substrats entfernt bewegt wird, wo die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle vorübergehend gestoppt, und das Stickstoffgas eine vorherbestimmte Zeit lang auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf das Sprühen des Stickstoffgases gestoppt und die Reinwasser-Zuführstelle mit einer Geschwindigkeit von höchstens 3 mm/s wieder vom Substrat nach außen bewegt wird.
4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach Verschieben der Reinwasser-Zuführstelle um einen vorherbestimmten Abstand weg von der Mitte des Substrats ein Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf die Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen bewegt wird, während Stickstoffgas auf das Substrat gesprüht wird.
5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bewegen der Stick-stoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen nur das Sprühen des Stickstoffgases gestoppt wird.
6. 6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass beim Spülen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 100 Upm und höchstens 1000 Upm eingestellt wird und beim Schleudertrocknen die Drehzahl des Substrats auf mindestens 800 Upm und höchstens 2500 Upm eingestellt wird.
7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Drehzahl des Substrats beim Schleudertrocknen höher eingestellt wird als beim Spülen.
8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass beim Spülen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 100 Upm und höchstens 1000 Upm und beim Schleudertrocknen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 1500 Upm und höchstens 2500 Upm eingestellt wird.
9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mischung aus einer hydrophoben Oberfläche und einer hydrophilen Oberfläche auf der Oberfläche des Substrats vorhanden ist.
10. 10. Reinigungsvorrichtung (10) zum Reinigen eines Substrats mit - einer Schleuderspanneinrichtung (51) zur Halterung und Drehung des zu bearbeitenden Substrats in einer im Wesentlichen horizontalen Lage; - einer Reinwasser-Zuführeinrichtung (65) mit einer Zuführdüse (61) zur Abgabe von Reinwasser als Spülflüssigkeit an eine Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung (51) gehaltenen Substrats; - einem Antriebsmechanismus (77) zum Durchführen einer Überstreichbewegung der Zuführdüse (61) zwischen einer Position oberhalb der Mitte des Substrats und einer Position oberhalb des Außenrands desselben; und - einem Steuerteil (11) zur Steuerung der Schleuderspanneinrichtung (51), der Reinwasser-Zuführeinrichtung (65) und des Antriebsmechanismus (77), welcher Steuerteil eingerichtet ist, um zum Spülen dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche in der Mitte Reinwasser zuzuführen, und um zum Schleudertrocknen dem Substrat, während es in horizontaler Lage gedreht wird, an seiner Oberfläche Reinwasser zu- 13/25 österreichisches Patentamt AT501 653 B1 2010-04-15 zuführen, wobei der Steuerteil (11) weiters eingerichtet ist, um die Reinwasser-Zufuhr beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen im Vergleich zu jener beim vorhergehenden Spülen ohne sie zu stoppen zu reduzieren, wobei die Reinwasser-Zuführstelle auf dem Substrat beim Übergang vom Spülen zum Schleudertrocknen noch in der Mitte des Substrats vorgesehen ist und dann, zum Durchführen des Schleudertrocknens, von der Mitte nach außen bewegt wird, wobei ein Flüssigkeitsfilm außerhalb der von der Mitte wegbewegten Reinwasser-Zuführstelle gebildet wird, wobei der Steuerteil (11) beim Schleudertrocknen die Geschwindigkeit zum Bewegen der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen in einem äußeren Umfangsbereich des Substrats höher einstellt als in der Mitte desselben.
11. 11. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Gaszuführeinrich-tung (66) mit einer Gasdüse (62) zum Sprühen eines Stickstoffgases auf die Mitte der Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung (51) gehaltenen Substrats, wobei der Steuerteil (11) die Gaszuführeinrichtung (66) derart steuert, dass beim Schleudertrocknen die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle vorübergehend gestoppt wird, wenn die Reinwasser-Zuführstelle eine Position in einem vorherbestimmten Abstand von der Mitte des Substrats erreicht, und Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf nach Stoppen des Sprühens des Stickstoffgases die Reinwasser-Zuführstelle vom Substrat weiter nach außen bewegt wird.
12. 12. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerteil (11) beim Schleudertrocknen die Reinwasser-Zuführstelle rasch in eine Position 10 bis 15 mm von der Mitte des Substrats entfernt steuert, dort die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle stoppt, anschließend Stickstoffgas eine vorbestimmte Zeit lang auf die Mitte des Substrats sprüht, dann das Sprühen des Stickstoffgases stoppt und die Bewegung der Reinwasser-Zuführstelle mit einer Geschwindigkeit von höchstens 3 mm/s weiter nach außen veranlasst.
13. 13. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Gaszuführeinrichtung (66) mit einer Gasdüse (62) zum Sprühen von Stickstoffgas auf die Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung (51) gehaltenen Substrats und durch einen Gasdüsen-Antriebsmechanismus (67, 68, 69; 67') zum Durchführen einer Überstreichbewegung der Gasdüse (62) über das Substrat, wobei der Steuerteil (11) die Gaszuführeinrichtung (66) und den Gasdüsen-Antriebsmechanismus (67, 68, 69; 67') derart steuert, dass beim Schleudertrocknen nach Verschieben der Reinwasser-Zuführstelle um einen vorherbestimmten Abstand weg von der Mitte des Substrats Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf die Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen bewegt wird, während Stickstoffgas auf das Substrat gesprüht wird.
14. 14. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerteil beim Schleudertrocknen nur das Sprühen des Stickstoffgases stoppt, während die Stickstoffgas-Sprühstelle zusammen mit der Reinwasser-Zuführstelle von der Mitte des Substrats nach außen bewegt wird.
15. 15. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Gaszuführeinrichtung (66) mit einer Gasdüse (62) zum Sprühen von Stickstoffgas auf die Oberfläche des von der Schleuderspanneinrichtung (51) gehaltenen Substrats, wobei die Gasdüse (62) durch den Reinwasserdüsen-Antriebsmechanismus (67, 68, 69; 77) in einem bestimmten Abstand von der Reinwasser-Zuführdüse (61) gehalten ist und der Steuerteil (11) die Gaszuführeinrichtung (66) derart steuert, dass beim Schleudertrocknen nach Verschieben der Stelle der Reinwasser-Zufuhr zum Substrat um einen vorherbestimmten Abstand weg von der Mitte des Substrats Stickstoffgas auf die Mitte des Substrats gesprüht wird, worauf die Stickstoffgas-Sprühstelle und die Reinwasser-Zuführstelle gleichzeitig von der Mitte des Substrats nach außen bewegt werden, während Stickstoffgas auf das Substrat gesprüht wird. 14/25 österreichisches Patentamt AT501 653B1 2010-04-15
16. 16. Reinigungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerteil (11) beim Spülen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 100 Upm und höchstens 1000 Upm und beim Schleudertrocknen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 800 Upm und höchstens 2500 Upm einstellt.
17. 17. Reinigungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerteil (11) die Drehzahl des Substrats während des Schleudertrocknens höher einstellt als die Drehzahl des Substrats während des Spülens.
18. 18. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerteil (11) beim Spülen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 100 Upm und höchstens 1000 Upm und beim Schleudertrocknen eine Drehzahl des Substrats von mindestens 1500 Upm und höchstens 2500 Upm einstellt.
19. 19. Computer-lesbares Aufzeichnungsmedium enthaltend ein auf einem Computer abarbeitbares Programm (15, 16), das beim Arbeiten auf einem Computer diesen Computer veranlasst, eine Substrat-Reinigungsvorrichtung (10) zur Ausführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9 zu steuern. Hierzu 10 Blatt Zeichnungen 15/25