JP2013055165A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室内にて前記基板を支持する基板支持部と、
   前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、
   前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、
   前記基板支持部の内部に設けられる複数のインピーダンス電極と、
   前記複数のインピーダンス電極の少なくとも一つに対して設けられた基板電位分布調整部と、
   前記処理室内を排気する排気部と、
   少なくとも前記ガス供給部、前記プラズマ生成部及び前記基板電位分布調整部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   少なくとも前記ガス供給部により供給した処理ガスを前記プラズマ生成部により励起し、励起した処理ガスを前記基板に供給して処理する際に、前記基板の処理面の電位分布を前記基板電位分布調整部をそれぞれ制御して調整する
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板電位分布調整部は、前記複数のインピーダンス電極に対してそれぞれ設けられ、対応する前記インピーダンス電極のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部をそれぞれ備える
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板電位分布調整部は、対応する前記インピーダンス電極と前記基板支持部に支持された前記基板との間の距離を調整する位置調整機構を備える
   請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記基板電位分布調整部は、前記複数のインピーダンス電極に対してそれぞれ設けられ、対応する前記インピーダンス電極のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部、又は対応する前記インピーダンス電極と前記基板支持部に支持された前記基板との間の距離を調整する位置調整機構、の少なくともいずれかを備える
   請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記複数のインピーダンス電極の一つは円盤状に形成され、
   前記円盤状のインピーダンス電極以外の他のインピーダンス電極は環状に形成され、
   前記環状のインピーダンス電極は少なくとも前記円盤状のインピーダンス電極の周囲を囲うように設けられる
   請求項１乃至４の少なくともいずれかに記載の基板処理装置。
6. 処理室内に基板を搬入し、内部に複数のインピーダンス電極が設けられた基板支持部により前記基板を支持する工程と、
   排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、
   前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ生成部で励起し、励起した前記処理ガスを前記基板に供給して前記基板を処理する工程と、
   プラズマ処理した前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、
   前記基板を処理する工程では、
   前記複数のインピーダンス電極のそれぞれのインピーダンス、若しくは前記複数のインピーダンス電極の少なくとも一つと前記基板との間の距離、の少なくともいずれかを調整することにより、前記基板の処理面の電位分布を制御する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。