JP2012104579A5 - - Google Patents

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本発明のプラズマ処理装置の一態様は、内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理チャンバー内から排気するための排気機構と、前記処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、前記処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、前記載置台の温度を調節する温調機構と、前記載置台の上面に配設され、前記フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックとを具備し、前記静電チャックの前記吸着用電極は、前記被処理基板と前記フォーカスリングとの境界部分が下方に向けて屈曲された形状とされていることを特徴とする。

Claims (4)

  1. 内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、
    前記処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
    前記処理チャンバー内から排気するための排気機構と、
    前記処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、
    前記処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、
    前記載置台の温度を調節する温調機構と、
    前記載置台の上面に配設され、前記フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックと
    を具備し、
    前記静電チャックの前記吸着用電極は、前記被処理基板と前記フォーカスリングとの境界部分が下方に向けて屈曲された形状とされている
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
    前記静電チャックは、絶縁層の間に前記吸着用電極を介在させた構造を有し、前記絶縁層及び前記吸着用電極は、溶射によって形成されている
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置であって、
    前記プラズマ生成機構は、前記載置台と、当該載置台と対向するよう配設された上部電極との間に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを生成する
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項１〜３いずれか１項記載のプラズマ処理装置であって、
    前記静電チャックの絶縁層がＹ２Ｏ３又はＡｌ２Ｏ３からなる溶射皮膜である
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6496579B2 (ja) * 2015-03-17 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6400771B1 (ja) * 2017-04-11 2018-10-03 株式会社石井表記 ヒータ付き減圧ユニット及び電池製造用装置
KR102511255B1 (ko) * 2017-10-16 2023-03-16 엔지케이 인슐레이터 엘티디 정전 척
JP7101055B2 (ja) 2018-06-12 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、フォーカスリング、支持台、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
JP7134863B2 (ja) * 2018-12-27 2022-09-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US11450545B2 (en) * 2019-04-17 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Capacitively-coupled plasma substrate processing apparatus including a focus ring and a substrate processing method using the same
KR102077976B1 (ko) * 2019-10-15 2020-02-14 주식회사 기가레인 어댑터 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US11972957B2 (en) 2020-07-31 2024-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gas flow accelerator to prevent buildup of processing byproduct in a main pumping line of a semiconductor processing tool

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900702292A (ko) * 1988-05-05 1990-12-06 베흐 에르빈 압축 밀폐된 플러그 커플링
JPH10303288A (ja) 1997-04-26 1998-11-13 Anelva Corp プラズマ処理装置用基板ホルダー
JP4559595B2 (ja) * 2000-07-17 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置及びプラズマ処理装置
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
JP2005520337A (ja) * 2002-03-12 2005-07-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理のための改良された基板ホルダ
TW200416801A (en) 2003-01-07 2004-09-01 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and focus ring
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP4547182B2 (ja) * 2003-04-24 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100512745B1 (ko) * 2003-07-24 2005-09-07 삼성전자주식회사 정전기 척
JP4504061B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
KR20060079335A (ko) * 2004-12-30 2006-07-06 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼의 정전척 장치
US20070283891A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8317969B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP5642531B2 (ja) * 2010-12-22 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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