JP2011009351A5 - - Google Patents
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上記目的を達成するために、本発明は、真空排気手段により排気された真空容器と、真空容器にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成するための高周波電力供給手段と、被処理基板及びこの基板の外周部に配置されたフォーカスリングとをその上方に載せる基板ステージと、前記基板ステージに高周波バイアス電力を印加する高周波バイアス電源と、前記高周波バイアス電源から出力された電力の一部をフォーカスリングに分配して印加する電力分配手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記フォーカスリングの下面に面しフォーカスリングの下方でリング状に配置されその内部に熱伝達ガスが導入される溝と、前記フォーカスリングの下方の前記基板ステージの内部に同心状に配置されその内部に冷媒が供給されて循環する通路とを有し、
前記フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間を記憶する記憶媒体と、
この記憶された印加時間に応じて、前記フォーカスリングへの高周波電力の分配を変えるように前記電力分配手段を制御すると共に、前記熱伝達ガスの圧力と前記冷媒の温度の少なくとも一方を制御する制御手段とを設けたことを特徴とする。
前記フォーカスリングの下面に面しフォーカスリングの下方でリング状に配置されその内部に熱伝達ガスが導入される溝と、前記フォーカスリングの下方の前記基板ステージの内部に同心状に配置されその内部に冷媒が供給されて循環する通路とを有し、
前記フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間を記憶する記憶媒体と、
この記憶された印加時間に応じて、前記フォーカスリングへの高周波電力の分配を変えるように前記電力分配手段を制御すると共に、前記熱伝達ガスの圧力と前記冷媒の温度の少なくとも一方を制御する制御手段とを設けたことを特徴とする。
また、本発明は、
真空容器内にガスを供給して基板ステージの上面に載置された被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記基板ステージには、前記プラズマ生成用高周波電力とは異なる所定の高周波バイアス電力が高周波バイアス電源より印加され、
前記被処理基板が載置される前記基板ステージの上面の周辺に配置されたフォーカスリングには、前記高周波バイアス電源より出力された前記高周波バイアス電力が電力分配手段によって分配されて印加され、
前記プラズマ処理における前記フォーカスリングに印加される前記高周波バイアス電力の大きさを当該フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間に応じて、前記電力分配手段により調整する一方、
前記基板ステージに印加する前記高周波バイアス電力を前記高周波バイアス電源の出力で調整し、
前記フォーカスリングに印加する前記高周波バイアス電力に応じて、前記フォーカスリングの温度を所定の値となるように調整することを特徴とする。
真空容器内にガスを供給して基板ステージの上面に載置された被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記基板ステージには、前記プラズマ生成用高周波電力とは異なる所定の高周波バイアス電力が高周波バイアス電源より印加され、
前記被処理基板が載置される前記基板ステージの上面の周辺に配置されたフォーカスリングには、前記高周波バイアス電源より出力された前記高周波バイアス電力が電力分配手段によって分配されて印加され、
前記プラズマ処理における前記フォーカスリングに印加される前記高周波バイアス電力の大きさを当該フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間に応じて、前記電力分配手段により調整する一方、
前記基板ステージに印加する前記高周波バイアス電力を前記高周波バイアス電源の出力で調整し、
前記フォーカスリングに印加する前記高周波バイアス電力に応じて、前記フォーカスリングの温度を所定の値となるように調整することを特徴とする。
Claims (7)
- 真空排気手段により排気された真空容器と、真空容器にガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成するための高周波電源と、被処理基板及びこの基板の外周部に配置されたフォーカスリングとをその上方に載せる基板ステージと、前記基板ステージに高周波バイアス電力を印加する高周波バイアス電源と、前記高周波バイアス電源から出力された高周波バイアス電力の一部を前記フォーカスリングに分配して印加する電力分配手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記フォーカスリングの下面に面しフォーカスリングの下方でリング状に配置されその内部に熱伝達ガスが導入される溝と、前記フォーカスリングの下方の前記基板ステージの内部に同心状に配置されその内部に冷媒が供給されて循環する通路とを有し、
前記フォーカスリングのへの高周波バイアス電力の印加時間を記憶する記憶媒体と、
この記憶された印加時間に応じて、前記フォーカスリングへの高周波電力の分配を変えるように前記電力分配手段を制御すると共に、前記熱伝達ガスの圧力と前記冷媒の温度の少なくとも一方を制御する制御手段とを設けたことを特徴としたプラズマ処理装置。 - 請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記フォーカスリングの下部に静電吸着層と電極層及び絶縁層を一体で形成し、前記静電吸着層とフォーカスリングとの間に前記熱伝達ガス溝を形成したことを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記フォーカスリングの下部に電極リングと、その下部に絶縁リングを備え、前記絶縁リングの上面に溶射により静電吸着層を形成し、前記フォーカスリング下面と前記静電吸着層の上面との間、前記電極リング下面と前記絶縁リング上面との間、および前記絶縁リング下面と基板ステージの基材外周部の上面との間に、熱伝達ガスを介在させることを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、熱伝達ガスの圧力を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、前記フォーカスリング下部に流す冷媒の温度を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
- 請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記制御手段は前記フォーカスリングに分配する電力に対応して、熱伝達ガスの圧力とフォーカスリング下部に流す冷媒の温度を制御することを特徴としたプラズマ処理装置。
- 真空容器内にガスを供給して基板ステージの上面に載置された被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記基板ステージには、前記プラズマ生成用高周波電源とは異なる所定の高周波バイアス電力が高周波バイアス電源より印加され、
前記被処理基板が載置される前記基板ステージの上面の周辺に配置されたフォーカスリングには、前記高周波バイアス電源より出力された前記高周波バイアス電力が電力分配手段によって分配されて印加され、
前記プラズマ処理における前記フォーカスリングに印加される前記高周波バイアス電力の大きさを当該フォーカスリングへの高周波バイアス電力の印加時間に応じて、前記電力分配手段により調整する一方、
前記基板ステージに印加する前記高周波バイアス電力を前記高周波バイアス電源の出力で調整し、
前記フォーカスリングに印加する前記高周波バイアス電力に応じて、前記フォーカスリングの温度を所定の値となるように調整することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009149772A JP5357639B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US12/538,201 US20100326957A1 (en) | 2009-06-24 | 2009-08-10 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR1020090074177A KR101066974B1 (ko) | 2009-06-24 | 2009-08-12 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009149772A JP5357639B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011009351A JP2011009351A (ja) | 2011-01-13 |
| JP2011009351A5 true JP2011009351A5 (ja) | 2012-07-05 |
| JP5357639B2 JP5357639B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=43379587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009149772A Expired - Fee Related JP5357639B2 (ja) | 2009-06-24 | 2009-06-24 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100326957A1 (ja) |
| JP (1) | JP5357639B2 (ja) |
| KR (1) | KR101066974B1 (ja) |
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| JP7039688B2 (ja) | 2019-02-08 | 2022-03-22 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
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- 2009-06-24 JP JP2009149772A patent/JP5357639B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-10 US US12/538,201 patent/US20100326957A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-12 KR KR1020090074177A patent/KR101066974B1/ko active IP Right Grant
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