CN109994355B - 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，导电基座外侧壁涂覆有至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层，一个由绝缘材料制成的耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，还包括一个环形电极位于所述耦合环上方和聚焦环的下方，一导线第一端电连接到所述基座，第二端连接到所述环形电极，一可变电容串联在所述导线上。

Description

一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子等离子反应器。
背景技术
半导体芯片被日益广泛的应用到各种电子设备中，其中半导体芯片加工过程需要用到大量等离子处理器，这些处理器会对待处理的基片进行等离子刻蚀、化学气相沉积等工艺。图1a是一个典型的用于等离子刻蚀的处理器，该处理器包括反应腔10，反应腔顶部包括一个绝缘材料窗，绝缘材料窗上方设置有电感线圈7，电感线圈7通过一个射频匹配器8连接到一个高频(13MHz及以上)射频电源6，还包括至少一个反应气体源11经过阀门95和气体喷头90将反应气体送入反应腔中，以形成等离子体对基片进行刻蚀。反应腔10内部下方包括一个基座20，基座通过一个偏置射频功率匹配器连接到一个偏置射频源4，其中偏置射频源输出的低频射频频率一般低于2MHz。反应腔10底部还包括一个排气装置排出气体，维持反应腔内低压，一个阀门95通过调节阀门开度调节内部气压大小。基座20通常由铝合金进行表面阳极氧化制成，或者在铝合金表面涂覆一层绝缘的耐腐蚀材料层，以避免被反应腔内的刻蚀气体腐蚀，造成颗粒污染等一系列问题。基座上表面设置有一个静电夹盘21用于固定基片22到静电夹盘上表面。基座下部外围还包括一个突出的台阶部，台阶部上设置有耦合环25，通过对耦合环125的材料和形状尺寸的选择，改变基片边缘区域耦合的射频能量分布。耦合环25上方设置有一个聚焦环23，其中聚焦环23内壁围绕并紧贴基片22，而且聚焦环23的上表面暴露到上方的等离子体。在等离子处理过程中偏置射频功率被用来控制形成在基片上表面的和聚焦环上表面的鞘层厚度，鞘层的厚度决定了等离子体中的离子入射到基片的能量和方向。如果基片边缘区域和聚焦环的鞘层不连续分布的话会造成基片边缘区域刻蚀速率和刻蚀方向(edge tilting)与基片中心区域的差别，降低基片加工均匀性，影响最终芯片的良率。
由于聚焦环23是长期保留在充满刻蚀气体的等离子体中的，所以在进行一定长度的等离子处理后聚焦环23表面材料必然会被腐蚀，因此聚焦环上表面的高度会随之下降，下降的高度会严重影响基片边缘区域鞘层的分布和形态，为了抵消这种长期工作中产生的等离子处理效果漂移，需要设计对应的补偿机构或方法。部分现有技术中将耦合环25或者聚焦环内部设为环形空腔，将绝缘液体通入这个空腔中，通过调节绝缘液体的量或者成分来改变偏置射频功率分布到聚焦环上方的功率大小，从而补偿聚焦环高度变化代理的处理效果漂移。这种方法需要在反应腔内设置绝缘液供应管路，零部件内部还需要保持气密的情况下设置空腔，介电液位的高度也很难测量，所以在工程应用中使得部件结构更复杂成本更高，而且很难对电场分布进行精确的微量调整。还有部分现有技术在反应腔内设置机械驱动装置，驱动耦合环25或者聚焦环23可以微量上下运动，以改变基片边缘区域的电场分布，但是这种方法由于存在运动部件会带来颗粒污染的问题，而且运动的耦合环25和聚焦环23的精确定位也是很大的问题，1mm以下的位置偏移都会导致基片上处理效果的不均匀分布。上述两种现有技术中的调节方法不仅存在各自的问题，而且还存在一个最严重的缺陷，上述调节方法对耦合到聚焦环23的低频射频功率的影响很小，也就是必须进行大幅度的调节才能有效改善功率分配。如图1b所示，输入的低频射频功率P0经过基座20与基片22之间的等效电容C11耦合P1’功率到基片，同时经过基座20到耦合环25和聚焦环23的等效电容C12耦合P2’到聚焦环23。其中C12的值非常小，而且很难调节，所以P2’会远小于P1’且功率比例很难调。为了增加C12可以选择铝、碳化硅等高导电性的材料制造耦合环25，但是这种选择一种材料来补偿的方法只能补偿一段时间，无法动态的补偿由于聚焦环损耗带来的处理效果漂移。
所以业内需要开发一种新的调节装置，来微量精密调节低频射频功率在基片中心和基片边缘区域的射频功率分布，从而改善基片处理工艺的均匀性。最佳的，该调节装置需要结构简单、成本低廉，能够应用于各种等离子处理装置。
发明内容
本发明提供了一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，一个耦合环围绕在导电基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，还包括一个环形电极位于所述耦合环上方，一导电连接部，所述导电连接部包括至少一根导线，所述导线的第一端电连接到所述导电基座或者电连接到与所述导电基座电耦合的一导电部，所述导线的第二端电连接到所述环形电极，一可变阻抗装置串联在所述导线上，所述导电基座下方包括气密隔板，所述可变阻抗装置安装在所述气密隔板下方和反应腔底壁上方的安装空间中，所述可变阻抗装置包括多个具有预设容值的电容和多个开关，通过所述多个开关的切换可以使得所述可变阻抗装置具有不同的电容值。
本发明还提供了一种另一种实施例：具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，一个耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，所述聚焦环由导体或者半导体材料制成，还包括至少一根导线，所述导线的第一端电连接到所述导电基座或者电连接到与所述导电基座电耦合的一导电部，述导线的第二端电连接到所述聚焦环，一可变阻抗装置串联在所述导线上，所述导电基座下方包括气密隔板，所述可变阻抗装置安装在所述气密隔板下方和反应腔底壁上方的安装空间中，所述可变阻抗装置包括多个具有预设容值的电容和多个开关，通过所述多个开关的切换可以使得所述可变阻抗装置具有不同的电容值。
上述两个实施例中的导电基座外围下方包括一台阶部，所述导电部位于所述导电基座的台阶部上方，所述耦合环由绝缘材料制成且设置在所述导电部上方，所述导电基座外侧壁包括至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层。
上述两个实施例中的低频射频电源输出的射频信号的频率小于2Mhz。
上述聚焦环由绝缘材料制成，所述环形电极埋设于聚焦环内，或者环形电极埋设于所述耦合环内上半部。
上述两个实施例中的多个电容和多个开关设置在PCB电路板上。最佳的，所述所述多个电容具有不同的容值，所述多个开关为气动开关。
本发明还提供了一种应用于上述两种等离子反应器的低频射频功率分布调节方法，包括步骤：基片刻蚀效果监测步骤：检测基片边缘区域的刻蚀效果，如果基片边缘刻蚀孔倾斜角度在预设角度范围内，则继续执行基片刻蚀效果检测步骤，如果基片边缘刻蚀孔倾斜超过预设角度，则进入可变阻抗装置调整步骤；可变阻抗调整步骤：调整所述多个开关的开关状态，使得被输送到基片边缘聚焦环的低频射频功率改变，并再次进入基片刻蚀效果监测步骤。
附图说明
图1a为现有技术等离子处理器示意图；
图1b为现有技术等离子处理器中低频射频功率分布示意图；
图2a是本发明等离子处理器示意图；
图2b是本发明等离子处理器中低频射频功率分布示意图；
图3是本发明等离子处理器另一实施例的示意图；
图4是本发明等离子处理器第三实施例的示意图；
图5是本发明等离子处理器第四实施例的示意图；
图6a是本发明等离子处理器中可变电容的电路结构示意图；
图6b是本发明等离子处理器中可变电容的实际形状示意图。
具体实施方式
以下结合附图2a和图2b，进一步说明本发明的具体实施例。
经过发明人研究发现，当高频的射频功率被输入基座120时射频功率能够轻易的耦合到聚焦环处，因为对于高频信号来说基座120表面的很薄(几十微米)绝缘耐腐蚀层和耦合环125阻抗很小。但是对于低频射频信号来说，较低的频率导致同样的绝缘层和耦合环125形成很大的阻抗，这一阻抗导致只有很少的低频射频能量能耦合到聚焦环123，即使采用各种手段调节耦合环与聚焦环的介电常数、位置，最终可调的范围仍然有限。因为基座120侧壁的绝缘耐腐蚀层必不可少，而且耦合环通常选择绝缘材料，如氧化铝或者氧化硅材料制成，所以在现有硬件结构下无法将低频射频功率可调的分配到基片边缘的聚焦环123上。其中耦合环也可以选择高导电材料制成，但是这种耦合环只能在短时间内取得较好的刻蚀效果，时间一长仍然无法补偿聚焦环损耗带来的处理效果漂移。而且高导电性的耦合环除了影响低频射频功率的分布也会同时影响高频射频功率的分布，也就影响了等离子浓度的分布，所以为了聚焦环上方鞘层厚度的调整反而造成等离子浓度分布不均匀，也无法改善整体的等离子处理效果。聚焦环123通常是由石英、氧化铝等绝缘材料或者碳化硅、硅等半导体材料制成，以避免等离子处理过程中产生的颗粒污染基片，同时提供足够的导电性。
基于这一发现，本发明提出了如图2a所示的一种新的等离子处理腔，其基本结构与图1a所示的现有技术相同，主要区别在于将低频射频功率利用一导电连接部，其中导电连接部典型是一根导线，所述导线直接引导到耦合环上方、聚焦环的下方，同时导线上还串联有一个可变电容124。如图2a所示，一个环形电极127设置在耦合环125上方，聚焦环设置在环形电极上，导线的第一端与环形电极127直接电连接，另一端与基座120直接电连接，导线中间还串联有一个可变电容124，通过调节可变电容124的电容值来调节输送到聚焦环的低频射频功率。环形电极127可以是任何导电材料制成的，如铝、石墨等，只要能提供良好导电性的材料均可。本发明的可变电容可以设置在导电基座120下方的真空空间中，最佳的可以将可变电容124设置到反应腔内气密隔板128下方的大气环境中，只要使导线两端穿过气密隔板128就可以了，设置在大气环境的可变电容更容易散热也更容易维护。反应腔壁100由接地金属组成，接地金属包围形成电场屏蔽空间，只要本发明可变电容124在反应腔的电场屏蔽空间内，即使是在气密隔板128下方的大气环境中仍然可以避免可变电容124向外部环境辐射低频电场。气密隔板128下方包括一个安装空间，由支撑侧壁129、气密隔板128、反应腔底壁围绕而成，在安装空间内安装着等离子处理腔处理所需的各种硬件，这些硬件处于大气环境下，但是暴露于射频功率中。相对必须在真空反应腔内设置液体进出管道和机械驱动装置的现有技术而言。本发明的不仅可变电容体积小且成本低，而且安装结构简单。
本发明中的气密隔板128上还设置有大量的穿孔，使得各种气、液、电管线能够从大气环境穿过进入基座120中发挥各自的功效。比如用于冷却液流通的管道，从反应腔外的冷却液容器60中穿过气密隔板128进入基座120中的冷却液通道，这些均匀分布的冷却液通道使得基座维持在最佳的温度。射频电源40输出的射频功率经过匹配器50中匹配电路的阻抗调节，使得射频功率通过一根电缆穿过气密隔板128进入基座120。高压直流电源输出的高压电也需要经过导线穿设到静电夹盘121中的电极，使得待处理晶圆122倍牢牢固定在静电夹盘上。此外用于冷却晶圆122背面的冷却气体(氦气)管道也需要穿过气密隔板下方空间，基座120上方设置的加热器中需要接受加热电功率，所以也需要设置加热器导线，同时还要设置探测加热器内温度的探测器，并将探测到的不同区域的温度信号通过导线传输到外部大气环境中的控制器。在完成对晶圆122处理后还需要抬起晶圆，所以还需要在基座或者气密隔板128下方设置多个举升脚(lift pin)。上述各种必要的机构都需要占用各自的空间，所以本发明所述的可变电容124允许占用的空间非常有限。匹配器50中的核心器件可变电容通常是一个真空电容，需要一个集成的电机来驱动导电部件进行精确的位置移动，使得电容在很大范围内连续可调，以匹配等离子处理腔中不断变化的阻抗值。所以匹配器中的可变电容需要很大的体积很高的成本，只能放置在反应腔100外。本发明中的可变电容124平时并不需要频繁的改变电容值，只有经过长时间的等离子处理引起聚焦环123的属性发生漂移后才需要调节可变电容124来进行补偿，所以本发明的可变电容124不需要在很大的范围内连续可调，只需要间隔一段时间后调整一定数值的电容，改善等离子处理效果均一性。
基于本发明可变电容的应用环境，是应用于狭窄的安装空间，功能是间隔一段时间后少量调整电容值，本发明提出了如图6a所示的可变电容电路124。本发明的可变电容电路124中包括多个具有固定容值的电容C1-C4，各自具有50pf、100pf、200pf和400pf的容值。每个电容C1-C4上还串联着一个开关RL1-RL4，这些电容和开关串联形成的多个支路互相并联，第二端TP-2电连接到基座120，第一端TP-1连接到导电环127。通过改变开关RL1-RL4的断开或闭合的状态可以改变可变电容电路124的输出电容值，使得可变电容电路124的输出电容在50pf-750pf之间可变，每个容值变化的步长为50pf。每个电容C1-C4的容值除了上述数值选择外也可以是其它数值，比如20pf-200pf，可以根据际聚焦环发生腐蚀所需要补偿的电容值的需求选择。固定电容的数量除了可以是四个也可以是其它数量，比如5个或是3个，只要能多级调整可变电容电路124的电容就可以满足本发明需求。上述可变电容电路是由多个支路并联而成，本发明也可以设置串联支路，比如C3和C4互相串联后连接在第一端和第二端之间，一个旁路开关并联在C4两端，旁路开关闭合时只有C3电容起作用，旁路开关断开时C3和C4的串联电容接入整个可变电容电路124。本发明可变电容电路124也可以是任何串并联组合形成的可变电容网络，只要控制其中的开关就能够实现对整个电容网络电容值的调节。
上述多个固定电容C1-C4和开关RL1-RL4可以安装在一块PCB电路板上，以节约空间，如图6b所示为安装在PCB板上的可变电容124，其中正面视图中包括多个电容和开关，还包括一个驱动器201，背面视图显示了不同元器件的电连接方式。通过简单的几个固定电容和开关集成在一个PCB板上可以使得本发明的可变电容电路的体积小于6cm，远远小于现有技术中真空可变电容的体积和成本。
本发明中的可变电容由于位于射频功率辐射区域内，所以如果上述开关RL1-RL4是通过电信号驱动的话，输入的控制驱动信号为电信号，需要进一步设置一个滤波器，以防止射频功率通过驱动控制的信号线向反应腔外传导。最佳的是选择上述开关RL1-RL4为气动(Pneumatic)开关，每个气动开关通过一个中空绝缘管道接收气压形式的开关信号，该中空绝缘管道穿过底部的反应腔底壁或者支撑侧壁129与外部控制器相连接，控制器输出的开关控制信号转化为气压信号经过上述绝缘管道的传输控制信号，使得开关动作，最终改变可变电容电路的电容值。由于绝缘管道中没有导体，所以不需要率波器等额外辅助装置，可以进一步节省空间降低成本。
如图2b所示为本发明的等效电路图和射频功率分布图，本发明中耦合到中心基片的等效电容C21仍然很大，所以主要功率能够耦合到基片，基座120经过侧壁耐腐蚀绝缘层和耦合环125到聚焦环123的等效电容C22亦然很小，无法传输较大功率的射频功率。可变电容124不是通过传统的耦合的方式传递射频功率，而是通过直接电连接的方式将基座120中的射频功率直接引导到了目标聚焦环123的下表面处，所以绕过了严重影响低频射频功率耦合的阻抗。其中可变电容124可以根据需要自行选择取值范围和调节范围，所以本发明的可变电容124通过简单的调节容值就可以有效的调节输送到聚焦环123的低频射频功率。当反应腔处于初始状态时可变电容处于初始值，进行长时间的等离子处理后，检测到基片边缘区域的处理效果与中心不同，控制器可以根据设定参数，实时自动改变可变电容的数值，使得更多低频射频功率被输送到基片边缘的聚焦环，进而抬高聚焦环处的鞘层，使得基片边缘到聚焦环上方具有相同高度的鞘层，改善刻蚀均一性。其中处理效果中最典型的是基片边缘区域刻蚀孔的倾斜度(edge tilting)，一旦聚焦环上表面没损耗导致高度下降，相应的会使得边缘区域的鞘层降低，因此基片边缘区域的刻蚀孔会出现倾斜向内方向的倾斜角度。继续检测基片处理的效果，直到处理效果的均一性再次偏移超出预设的阈值，根据检测到的数据再次调整可变电容的容值。这样本发明就可以在长期不更换聚焦环的情况下，只需要改变可变电容的参数设定而不需要真空环境中的液体管道或机械驱动装置就能长期保持等离子效果的稳定。
本发明除了可以应用于图1-2所示的电感耦合等离子处理器外(ICP)，也可以应用于电容耦合等离子处理器(CCP)，电容耦合处理器的反应腔顶部不是绝缘材料窗而是一个导电的上电极，上电极呈扁平的喷淋头状，反应气体通过上电极被送入下方的反应区域。高频射频射频功率(13Mhz以上，如27MHz、60MHz等)可以被输送到作为下电极的基座120，此时上电极电接地，也可以将上述高频射频功率输送到上电极。在电容耦合等离子反应器中耦合环和聚焦环的介电参数会同时影响高频和低频射频功率的分布，通过本发明设置的导电路径可以使得高频射频功率主要通过耦合的方式将射频功率输送到聚焦环123，低频功率一部分通过耦合环125耦合到聚焦环123，另一部分可调的功率通过直接导通的方式将低频射频功率输送到聚焦环123，所以本发明还具有分别单独调控高频和低频射频功率的作用，能够更精确的调整基片上表面中心到边缘的等离子浓度分布(高频功率主导)和鞘层分布(低频功率主导)。
本发明能够在现有技术中原有耦合环耦合低频射频能量之外，补充设置一个，结构简单，功率可调的低频射频能量供应电路。下电极通过耦合环耦合到聚焦环的等效电容C22和本发明添加的可变电容124共同决定分配到聚焦环的低频射频功率大小。其中最佳的可以选择绝缘材料制成耦合环，这样C22较小，加上可变电容124可以使得电容调节范围更大。如果耦合环125采用高导电材料制成也能实现本发明效果，只是C22加124的等效电容的调节范围略微不同。
介电材料层对低频射频信号的阻抗很大，即使的很薄的耐等离子腐蚀涂层(Al2O3、Y2O3等组成)也会明显影响低频射频功率耦合到基片边缘聚焦环的功率。当基座120侧壁的绝缘层和耦合环的材料厚度、成分不同时，对应的射频频率也会不同。特别是厚度更厚时，或者耦合环介电系数更高时，相应的会使得更高频率值的低频功率无法有效输送到聚焦环。所以本发明中的低频射频信号通常是低于2Mhz的，特别是低于1Mhz如400KHz时效果最明显。但是只要应用场合需要，高于2Mhz的射频信号如13MHz也可以采用本发明的绕接导线的结构使得低频射频功率被有效且可调的输送到聚焦环。
如图3所示，本发明还提供另一个实施例，基本结构与图2a所示的第一个实施例相同，主要的区别在于，可变电容124除了通过导线直接连接到下电极120以外，也可以是连接到一个位于下电极120的台阶部上表面之上和耦合环125之下的由导体材料制成的导电部129，下电极的低频射频功率通过耦合越过台阶部上表面的绝缘材料层输入到导电部129，再通过导线和可变电容124将低频功率输送到环形电极127。其中导电部可以是环形也可以是多个分离的导体，环绕下电极侧壁。在等离子处理装置中输入到下电极的电场主要是向上耦合到反应腔顶部，所以现有技术中从下电极横向耦合到聚焦环123的等效电容C12很小，本发明中导电部129是水平方向延伸的导体，从下电极台阶部向上的电场线能够大量穿过台阶部顶表面的绝缘耐腐蚀材料层到达导电部，所以等效电容远大于现有技术中的C12。所以本发明第二实施例通过在台阶部顶表面设置电场耦合的导电部129，可以将低频电场引导到位于耦合环125上方的环形电极127，从而能够调节基片边缘区域的低频射频能量大小。
本发明的导线下端可以直接电连接导电基座120，也可以是耦合到导电基座的上述导电部129。另一方面，导线的上端除了连接到位于耦合环125和聚焦环123之间的环形电极，环形电极也可以埋设入聚焦环123中，或者如图5所示实施例中，环形电极127’埋设入绝缘材料制成的耦合环125的上半部中，这样虽然从下电极120耦合到聚焦环123的等效电容小于图2a所示可变电容124的值，但也远大于图1所示的现有技术中的C12，所以也能实现本发明目的。如图4所示的实施例，当聚焦环123’采用导体或者半导体材料(硅、碳化硅、铝等)制成时，聚焦环123’本身就可以作为本发明的环形电极，所以此时导线的上端可以直接连接到聚焦环123’。
此外本发明所述跨接的导电连接部也可以是由多个多根分支导线组成的，最佳的在基座外围均匀对称分布的多根分支导线，使得多根分支导线中每个分支导线与相邻分支导线具有相同的距离并且连接到环形电极不同区域。下面以3根分支导线为例说明本发明的其它实施例，每根分支导线一端连接到环形电极，另一端共同连接到一个可变电容，再通过可变电容上连接的导线连接到基座。或者每根分支导线均两端均连接到导电基座和环形电极，三根分支导线上串联三个独立可调的可变电容，通过调整这三个可变电容使得低频功率能够从三根分支导线上均匀分配到环形电极上。进一步的可以使环形电极分为三段弧形导电片，共同围绕形成环形电极，每个弧形导电片之间存在间隙或隔离部件实现互相电隔离，通过独立调整上述三个可变电容可以分区调整聚焦环上不同区域的鞘层厚度，解决基片边缘环状区域中部分方位的鞘层不均的问题。
本发明中所述的可变电容是最佳实施例，但是其它能够调节低频射频功率阻抗的任何可变阻抗装置，如包括可变电感、电容组成的混合电路或者其它元器件组合而成的电路均可以实现阻抗调节的功能，上述替换属于公知常识，所以不再一一例举。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：
一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，一个耦合环围绕在导电基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，
还包括一个环形电极位于所述耦合环上方，一导电连接部，所述导电连接部包括至少一根导线，所述导线的第一端电连接到所述导电基座或者电连接到与所述导电基座电耦合的一导电部，所述导线的第二端电连接到所述环形电极，一可变阻抗装置串联在所述导线上，
所述导电基座下方包括气密隔板，所述可变阻抗装置安装在所述气密隔板下方和反应腔底壁上方的安装空间中，所述可变阻抗装置包括多个具有预设容值的电容和多个开关，通过所述多个开关的切换可以使得所述可变阻抗装置具有不同的电容值。
2.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述导电基座外围下方包括一台阶部，所述导电部位于所述导电基座的台阶部上方，所述耦合环由绝缘材料制成且设置在所述导电部上方，所述导电基座外侧壁包括至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层。
3.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述低频射频电源输出的射频信号的频率小于2Mhz。
4.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述聚焦环由绝缘材料制成，所述环形电极埋设于聚焦环内。
5.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述环形电极埋设于所述耦合环内上半部。
6.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述多个电容和多个开关设置在PCB电路板上。
7.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述多个电容具有不同的容值，所述多个开关为气动开关。
8.一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：
一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，一个耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，所述聚焦环由导体或者半导体材料制成，
还包括至少一根导线，所述导线的第一端电连接到所述导电基座或者电连接到与所述导电基座电耦合的一导电部，所述导线的第二端电连接到所述聚焦环，一可变阻抗装置串联在所述导线上
所述导电基座下方包括气密隔板，所述可变阻抗装置安装在所述气密隔板下方和反应腔底壁上方的安装空间中，所述可变阻抗装置包括多个具有预设容值的电容和多个开关，通过所述多个开关的切换可以使得所述可变阻抗装置具有不同的电容值。
9.如权利要求8所述的等离子反应器，其特征在于，所述低频射频电源输出的射频信号的频率小于2Mhz。
10.如权利要求8所述的等离子反应器，其特征在于，所述多个电容和多个开关设置在PCB电路板上。
11.如权利要求8所述的等离子反应器，其特征在于，所述多个电容具有不同的容值。
12.如权利要求11所述的等离子反应器，其特征在于，所述多个开关为气动开关。
13.一种应用于权利要求1或8所述的等离子反应器的低频射频功率分布调节方法，包括步骤：
基片刻蚀效果监测步骤：检测基片边缘区域的刻蚀效果，如果基片边缘刻蚀孔倾斜角度在预设角度范围内，则继续执行基片刻蚀效果检测步骤，如果基片边缘刻蚀孔倾斜超过预设角度，则进入可变阻抗装置调整步骤；
可变阻抗调整步骤：调整所述多个开关的开关状态，使得被输送到基片边缘聚焦环的低频射频功率改变，并再次进入基片刻蚀效果监测步骤。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019087977A1 (ja) * 2017-10-30 2019-05-09 日本碍子株式会社 静電チャック及びその製法
CN110896045B (zh) * 2018-09-12 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置
US11955314B2 (en) * 2019-01-09 2024-04-09 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US11361947B2 (en) * 2019-01-09 2022-06-14 Tokyo Electron Limited Apparatus for plasma processing and method of etching
US10784089B2 (en) 2019-02-01 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
CN116844934A (zh) 2019-02-05 2023-10-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN112951695B (zh) * 2019-11-26 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备
CN112992636B (zh) * 2019-12-17 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于等离子体处理设备的射频功率源装置和射频功率分配方法
CN113053713B (zh) * 2019-12-26 2023-03-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备
CN113496862A (zh) * 2020-04-02 2021-10-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体反应器及其射频功率分布调节方法
TW202234461A (zh) * 2020-05-01 2022-09-01 日商東京威力科創股份有限公司 蝕刻裝置及蝕刻方法
CN113972124B (zh) * 2020-07-23 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种接地组件及其等离子体处理装置与工作方法
CN112760609B (zh) * 2020-12-22 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101720501A (zh) * 2007-06-28 2010-06-02 朗姆研究公司 基片处理的方法和装置
CN103227091A (zh) * 2013-04-19 2013-07-31 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
CN103715049A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法
CN104241070A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 中微半导体设备(上海)有限公司 用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6095084A (en) 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US6232236B1 (en) 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
US6478924B1 (en) 2000-03-07 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Plasma chamber support having dual electrodes
US6894245B2 (en) 2000-03-17 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression
US8617351B2 (en) 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
TW506234B (en) 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
US6899787B2 (en) 2001-06-29 2005-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing system with reduced feeding loss, and method for stabilizing the apparatus and system
TWI234417B (en) 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
US7582185B2 (en) 2002-12-26 2009-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Plasma-processing apparatus
US6905984B2 (en) 2003-10-10 2005-06-14 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based contact conductivity electrostatic chuck
US7771562B2 (en) 2003-11-19 2010-08-10 Tokyo Electron Limited Etch system with integrated inductive coupling
JP4704088B2 (ja) * 2005-03-31 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7592961B2 (en) * 2005-10-21 2009-09-22 Sanimina-Sci Corporation Self-tuning radio frequency identification antenna system
US7193168B1 (en) * 2005-11-10 2007-03-20 International Business Machines Corporation Pneumatic switch for non-invasive testing and debug
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5255936B2 (ja) * 2008-07-18 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置
JP2010034416A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5357639B2 (ja) 2009-06-24 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9039864B2 (en) 2009-09-29 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Off-center ground return for RF-powered showerhead
US20120216955A1 (en) 2011-02-25 2012-08-30 Toshiba Materials Co., Ltd. Plasma processing apparatus
US8501499B2 (en) 2011-03-28 2013-08-06 Tokyo Electron Limited Adaptive recipe selector
US10002744B2 (en) 2013-12-17 2018-06-19 Tokyo Electron Limited System and method for controlling plasma density
US10049862B2 (en) 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery
US10163610B2 (en) * 2015-07-13 2018-12-25 Lam Research Corporation Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101720501A (zh) * 2007-06-28 2010-06-02 朗姆研究公司 基片处理的方法和装置
CN103715049A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法
CN103227091A (zh) * 2013-04-19 2013-07-31 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
CN104241070A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 中微半导体设备(上海)有限公司 用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置

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Publication number Publication date
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US11830747B2 (en) 2023-11-28
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