CN112951695B - 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备 - Google Patents

冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112951695B
CN112951695B CN201911174960.9A CN201911174960A CN112951695B CN 112951695 B CN112951695 B CN 112951695B CN 201911174960 A CN201911174960 A CN 201911174960A CN 112951695 B CN112951695 B CN 112951695B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cooling
substrate
cooling tube
resistance
radio frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911174960.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112951695A (zh
Inventor
龚岳俊
黄允文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Original Assignee
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai filed Critical Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority to CN201911174960.9A priority Critical patent/CN112951695B/zh
Priority to TW109135593A priority patent/TWI735351B/zh
Publication of CN112951695A publication Critical patent/CN112951695A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112951695B publication Critical patent/CN112951695B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Abstract

本发明涉及一种具有释放静电功能的冷却装置及冷却管组件。所述冷却装置包括基板、射频屏蔽板、冷却管连接器、高电阻冷却管及金属冷却管。基板中设置有冷却通道。射频屏蔽板设置在基板的下方。冷却管连接器设置在射频屏蔽板中，在射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与基板中的冷却通道连接，高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。金属冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接，金属冷却管的另一端接地。本发明通过高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象，另一方面通过冷却管接地而将静电电荷导走，从而降低静电吸盘失效的机率，并提高晶圆移动的安全性。

Description

冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备
技术领域
本发明涉及半导体领域的装置，特别涉及一种具有释放静电功能的冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备。
背景技术
请参阅图1，其为用于等离子体处理设备的冷却装置的示意图。如图所示，基板10上为静电吸盘(electrostatic chuck,ESC)20，静电吸盘20与基板10统称为静电吸盘装置。静电吸盘上承载基片。等离子体刻蚀基片时，会在基片上产生大量热量，因此，需对基片进行降温处理。通常，在基板10中设置冷却通道，通过水或热传导液在冷却通道中的循环流动来达到冷却静电吸盘20进而冷却基片的目的。
现有技术中通过绝缘橡胶软管30与基板10中的冷却通道连接以提供和回收冷却液体，当液体流经并且刮擦软管30内壁时，内壁易积累电荷，这些电荷与射频(RF)杆之间会产生放电现象，从而导致软管30损坏而漏液。同时，冷却通道的内壁上也会积累电荷，这些电荷会在静电夹盘上感应出相反极性的电荷，从而干扰静电吸盘对基片的吸附力，影响晶圆移动的安全性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有释放静电功能的冷却装置及冷却管组件，用以解决前述背景技术中所面临的问题。
为了达到上述目的，本发明的第一技术方案是提供一种具有释放静电功能的冷却装置，其包括基板、射频屏蔽板、冷却管连接器、高电阻冷却管及金属冷却管。基板中设置有冷却通道。射频屏蔽板设置在基板的下方。冷却管连接器设置在射频屏蔽板中，在射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与基板中的冷却通道连接，高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。金属冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接，金属冷却管的另一端接地。
优选地，基板与射频供电模组连接。
优选地，射频屏蔽板与基板之间可形成射频耦合区域。
优选地，流体在高电阻冷却管、金属冷却管和冷却通道中流动。
优选地，流体可为水或热传导液。
为了达到上述目的，本发明的第二技术方案是提供一种具有释放静电功能的冷却装置，其包括基板、射频屏蔽板、冷却管连接器、高电阻冷却管及第二冷却管。基板中设置有冷却通道。射频屏蔽板设置在基板的下方。冷却管连接器设置在射频屏蔽板中，在射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与基板中的冷却通道连接，高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。第二冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接，第二冷却管中的至少一个的内壁连结金属件，金属件接地。
优选地，基板与射频供电模组连接。
优选地，射频屏蔽板与基板之间可形成射频耦合区域。
优选地，流体在高电阻冷却管、第二冷却管和冷却通道中流动。
优选地，流体可为水或热传导液。
优选地，第二冷却管为非金属冷却管。
为了达到上述目的，本发明的第三技术方案是提供一种具有释放静电功能的冷却管组件，其包括冷却管连接器、高电阻冷却管及金属冷却管。冷却管连接器具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与冷却通道连接，高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。金属冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接，金属冷却管的另一端接地。
为了达到上述目的，本发明的第四技术方案是提供一种等离子体处理设备，该设备包括静电吸盘和上述的具有释放静电功能的冷却装置，静电吸盘设置在基板之上以承载基片，当等离子体对所述基片进行处理时，所述冷却装置对基片进行温度调节。
与现有技术相比，本发明中的连接基板内的冷却通道的冷却管由两部分组成。在基板和射频屏蔽板之间的冷却管是高阻冷却管，该段冷却管处于射频环境中，使用高阻材料制成，用于防止射频电流经该冷却管从射频屏蔽板导出。在射频屏蔽板下方的冷却管由金属制成或者在冷却管中设置接地的金属件，用于将该段冷却管中的电荷导走。因此，一方面，通过高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象，另一方面，通过金属冷却管接地而将静电电荷导走，这也能防止产生电弧，并且降低静电吸盘失效的机率，并提高晶圆移动的安全性。
附图说明
图1是现有技术的冷却装置的示意图；
图2是本发明的具有释放静电功能的冷却装置的第一实施例的示意图；
图3是本发明的具有释放静电功能的冷却装置的第二实施例的示意图；
图4是本发明的具有释放静电功能的冷却装置的第三实施例的示意图。
具体实施方式
为利了解本发明的特征、内容与优点及其所能达成的功效，兹将本发明配合附图，并以实施方式的表达形式详细说明如下，而其中所使用的附图，其主旨仅为示意及辅助说明书之用，未必为本发明实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的附图式的比例与配置关系解读、局限本发明于实际实施上的权利范围。
〈第一实施例〉
请参阅图2，其为本发明的具有释放静电功能的冷却装置的第一实施例的示意图。如图所示，本发明的第一实施例是提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，其包括基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻冷却管140及金属冷却管150。
而，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘(electrostaticchuck,ESC)200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻冷却管140的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻冷却管140的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。金属冷却管150的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，金属冷却管150的另一端接地。上述连接方式通过机械连接固定，例如螺纹式连接、卡扣式连接等。
而，基板110通过射频杆(RF rod)与射频供电模组160连接。其中，射频供电模组160可与交流电供电模组相同；进一步地，射频供电模组160用于输出射频电源。
例如，射频杆的一端连接射频供电端，另一端则分为二连接杆连接基板110相对静电吸盘200的一面。
更进一步地，射频屏蔽板120与基板110之间可形成射频耦合区域。因此，在射频屏蔽板130上方为射频环境，下方为大气环境。高电阻冷却管140处于射频环境中，金属冷却管150在大气环境中。高电阻冷却管140防止射频电流直接从基板110经高电阻冷却管140流至射频屏蔽板120，从而无法向反应腔馈入射频功率。而金属冷却管150通过接地可使得在其中积累的电荷被导走。
而，流体在高电阻冷却管140、金属冷却管150和冷却通道111中流动。
其中，流体可为水(或去离子水)或热传导液，其中，热传导液可为乙二醇、氟化冷却剂(诸如来自3M的或来自Solvay Solexis公司的/>)、或任何其他适合的介电流体(诸如包含全氟化惰性聚醚的介电流体)。
本发明通过高电阻冷却管140的高电阻特性避免因静电电荷而在高电阻冷却管140与射频杆之间产生电弧现象，另一方面，通过金属冷却管150接地而将静电电荷导走。
本实施例再提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，其包括基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管及金属冷却管150。
而，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。金属冷却管150的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，金属冷却管150的另一端接地。
藉此，通过高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管可以承受更高温度及更低温度的特性，从而降低冷却管因在高温或低温应用时发生裂纹而发生漏液的风险。
〈第二实施例〉
请参阅图3，其为本发明的具有释放静电功能的冷却装置的第二实施例的示意图。如图所示，本发明的第二实施例是提供为了达到上述目的，本发明的第二技术方案是提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻冷却管140及非金属冷却管160
而，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻冷却管140的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻冷却管140的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。非金属冷却管170的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，非金属冷却管170中的至少一个的内壁连结金属件180，金属件180接地。其中，金属件180可为金属导线，但并不以此为限。可选地，非金属冷却管170的内壁由导电膜全部或部分地包覆。接地的金属件180与该导电膜电连接以导出积聚的电荷。
从而，通过高电阻冷却管140的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象，另一方面通过金属件180接地而将静电电荷导走。
而，基板110通过射频杆(RF rod)与射频供电模组160连接。其中，射频供电模组160可与交流电供电模组相同；进一步地，射频供电模组160用于输出射频电源。
例如，射频杆的一端连接射频供电端，另一端则分为二连接杆连接基板110相对静电吸盘200的一面。
更进一步地，射频屏蔽板130与基板110之间可形成射频耦合区域。
而，流体在高电阻冷却管140、非金属冷却管170和冷却通道111中流动。
其中，流体可为水(或去离子水)或热传导液，其中，热传导液可为乙二醇、氟化冷却剂(诸如来自3M的或来自Solvay Solexis公司的/>)、或任何其他适合的介电流体(诸如包含全氟化惰性聚醚的介电流体)。
本实施例再提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，其包括基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管及非金属冷却管160。
进一步地，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。非金属冷却管170的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，非金属冷却管170中的至少一个的内壁连结金属件180，金属件180接地。其中，金属件180可为金属导线，但并不以此为限。
藉此，通过高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管可以承受更高温度及更低温度的特性，从而降低冷却管因在高温或低温应用时发生裂纹而发生漏液的风险。
〈第三实施例〉
请参阅图4，其为本发明的具有释放静电功能的冷却装置的第三实施例的示意图。如图所示，本发明的第三实施例是提供为了达到上述目的，本发明的第三技术方案是提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，其包括基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻冷却管140及冷却管190
而，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻冷却管140的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻冷却管140的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。冷却管190的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，冷却管190中的至少一个的内壁连结金属件180，金属件180接地。其中，金属件180可为金属导线，但并不以此为限。
从而，通过高电阻冷却管140的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象，另一方面通过金属件180接地而将静电电荷导走。
而，基板110通过射频杆(RF rod)与射频供电模组160连接。其中，射频供电模组160可与交流电供电模组相同；进一步地，射频供电模组160用于输出射频电源。
例如，射频杆的一端连接射频供电端，另一端则分为二连接杆连接基板110相对静电吸盘200的一面。
更进一步地，射频屏蔽板130与基板110之间可形成射频耦合区域。
而，流体在高电阻冷却管140、冷却管190和冷却通道111中流动。
其中，流体可为水(或去离子水)或热传导液，其中，热传导液可为乙二醇、氟化冷却剂(诸如来自3M的或来自Solvay Solexis公司的/>)、或任何其他适合的介电流体(诸如包含全氟化惰性聚醚的介电流体)。
本实施例再提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，其包括基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管及冷却管190。
而，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。冷却管190的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，冷却管190中的至少一个的内壁连结金属件180，金属件180接地。其中，金属件180可为金属导线，但并不以此为限。
藉此，通过高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管可以承受更高温度及更低温度的特性，从而降低冷却管因在高温或低温应用时发生裂纹而发生漏液的风险。
〈第四实施例〉
本发明的第四实施例是提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，其包括基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻冷却管140及金属接地件。
而，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻冷却管140的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻冷却管140的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。金属接地件的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，金属接地件的另一端接地。其中，金属接地件可为金属导线，但并不以此为限。
而，基板110通过射频杆(RF rod)与射频供电模组160连接。其中，射频供电模组160可与交流电供电模组相同；进一步地，射频供电模组160用于输出射频电源。
例如，射频杆的一端连接射频供电端，另一端则分为二连接杆连接基板110相对静电吸盘200的一面。
更进一步地，射频屏蔽板130与基板110之间可形成射频耦合区域。
而，流体在高电阻冷却管140和冷却通道111中流动。
其中，流体可为水(或去离子水)或热传导液，其中，热传导液可为乙二醇、氟化冷却剂(诸如来自3M的或来自Solvay Solexis公司的/>)、或任何其他适合的介电流体(诸如包含全氟化惰性聚醚的介电流体)。
本实施例再提供一种具有释放静电功能的冷却装置100，其包括基板110、射频屏蔽板120、冷却管连接器130、高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管及金属接地件。
而，基板110中设置有冷却通道111，基板110的上方连接静电吸盘200。射频屏蔽板120设置在基板110的下方。冷却管连接器130设置在射频屏蔽板120中，在射频屏蔽板120的上表面和下表面分别具有冷却管连接器130的第一端131和第二端132。高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的一端与基板110中的冷却通道111连接，高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。金属接地件的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，金属接地件的另一端接地。其中，金属接地件可为金属导线，但并不以此为限。
藉此，通过高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管可以承受更高温度及更低温度的特性，从而降低冷却管因在高温或低温应用时发生裂纹而发生漏液的风险。
〈第五实施例〉
本发明的具有释放静电功能的冷却管组件500，其包括冷却管连接器130、高电阻冷却管140及金属冷却管150。
而，冷却管连接器130具有第一端131和第二端132。高电阻冷却管140的一端冷却通道连接，高电阻冷却管140的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。金属冷却管150的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，金属冷却管150的另一端接地。
从而，通过高电阻冷却管140的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象，另一方面通过金属冷却管150接地而将静电电荷导走。
本实施例再提供一种具有释放静电功能的冷却管组件500，其包括冷却管连接器130、高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管及金属冷却管150。
而，冷却管连接器130具有第一端131和第二端132。高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的一端与冷却通道连接，高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器130的第一端131连接。金属冷却管150的一端与冷却管连接器130的第二端132连接，金属冷却管150的另一端接地。
藉此，通过高电阻且耐高温/低温的高电阻冷却管可以承受更高温度及更低温度的特性，从而降低冷却管因在高温或低温应用时发生裂纹而发生漏液的风险。
〈第六实施例〉
本发明的第六实施例提供了一种等离子体处理设备，该设备包括静电吸盘200和上述的具有释放静电功能的冷却装置100，静电吸盘200设置在基板110之上以承载基片，当等离子体对所述基片进行处理时，所述冷却装置100对基片进行温度调节。
与现有技术相比，本发明在基板和射频屏蔽板之间的冷却管是高阻冷却管，该段冷却管处于射频环境中，使用高阻材料制成，用于防止射频电流经该冷却管从射频屏蔽板导出，在射频屏蔽板下方的冷却管由金属制成或者在冷却管中设置接地的金属件，用于将该段冷却管中的电荷导走。因此，一方面，通过高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象，另一方面，通过金属冷却管接地而将静电电荷导走，这也能防止产生电弧，并且降低静电吸盘失效的机率，并提高晶圆移动的安全性。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，包括：
基板，其中设置有冷却通道；
射频屏蔽板，设置在所述基板的下方；
冷却管连接器，设置在所述射频屏蔽板中，在所述射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有所述冷却管连接器的第一端和第二端；
高电阻冷却管，所述高电阻冷却管的一端与所述基板中的所述冷却通道连接，所述高电阻冷却管的另一端与所述冷却管连接器的第一端连接；通过所述高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象；以及
金属冷却管，所述金属冷却管的一端与所述冷却管连接器的第二端连接，所述金属冷却管的另一端接地。
2.如权利要求1所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，所述基板与射频供电模组连接。
3.如权利要求2所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，所述射频屏蔽板与所述基板之间形成射频耦合区域。
4.如权利要求1所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，流体在所述高电阻冷却管、所述金属冷却管和所述冷却通道中流动。
5.如权利要求4所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，所述流体为水或热传导液。
6.一种具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，包括：
基板，其中设置有冷却通道；
射频屏蔽板，设置在所述基板的下方；
冷却管连接器，设置在所述射频屏蔽板中，在所述射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有所述冷却管连接器的第一端和第二端；
高电阻冷却管，所述高电阻冷却管的一端与所述基板中的所述冷却通道连接，所述高电阻冷却管的另一端与所述冷却管连接器的第一端连接；通过所述高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象；以及
第二冷却管，所述第二冷却管的一端与所述冷却管连接器的第二端连接，所述第二冷却管中的至少一个的内壁连结金属件，所述金属件接地。
7.如权利要求6所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，所述基板与射频供电模组连接。
8.如权利要求7所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，所述射频屏蔽板与所述基板之间形成射频耦合区域。
9.如权利要求6所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，流体在所述高电阻冷却管、所述第二冷却管和所述冷却通道中流动。
10.如权利要求9所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，所述流体为水或热传导液。
11.如权利要求6-10中的任一项所述的具有释放静电功能的冷却装置，其特征在于，所述第二冷却管为非金属冷却管。
12.一种具有释放静电功能的冷却管组件，其特征在于，包括：
冷却管连接器，具有第一端和第二端；
高电阻冷却管，所述高电阻冷却管的一端与冷却通道连接，所述高电阻冷却管的另一端与所述冷却管连接器的第一端连接；通过所述高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象；以及
金属冷却管，所述金属冷却管的一端与所述冷却管连接器的第二端连接，所述金属冷却管的另一端接地。
13.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：静电吸盘和权利要求1-10任意一项所述的具有释放静电功能的冷却装置，静电吸盘设置在基板之上以承载基片，当等离子体对所述基片进行处理时，所述冷却装置对基片进行温度调节。
CN201911174960.9A 2019-11-26 2019-11-26 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备 Active CN112951695B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911174960.9A CN112951695B (zh) 2019-11-26 2019-11-26 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备
TW109135593A TWI735351B (zh) 2019-11-26 2020-10-14 具有釋放靜電功能的冷卻管組件、冷卻裝置和電漿處理設備

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911174960.9A CN112951695B (zh) 2019-11-26 2019-11-26 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112951695A CN112951695A (zh) 2021-06-11
CN112951695B true CN112951695B (zh) 2023-09-29

Family

ID=76225247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911174960.9A Active CN112951695B (zh) 2019-11-26 2019-11-26 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN112951695B (zh)
TW (1) TWI735351B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050004331A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 주성엔지니어링(주) 높은 표면 저항을 가지는 냉각 관
KR20060007663A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP2006286733A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Tokyo Electron Ltd 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム
CN101373731A (zh) * 2008-10-21 2009-02-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘装置及其温度控制方法
CN101866826A (zh) * 2010-04-29 2010-10-20 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于真空处理系统的流体传输装置
CN102918641A (zh) * 2010-05-24 2013-02-06 朗姆研究公司 用于半导体衬底支撑件的温度控制的装置和方法
CN103843129A (zh) * 2011-09-30 2014-06-04 应用材料公司 具有温度控制的静电夹具
CN109994355A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040027781A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Hiroji Hanawa Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling
US20060172542A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance
JP2013062317A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 基板冷却機構および基板冷却方法ならびに熱処理装置
US9668373B2 (en) * 2013-03-15 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Substrate support chuck cooling for deposition chamber
WO2019204124A1 (en) * 2018-04-20 2019-10-24 Applied Materials, Inc. Ceramic wafer heater with integrated pressurized helium cooling

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050004331A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 주성엔지니어링(주) 높은 표면 저항을 가지는 냉각 관
KR20060007663A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP2006286733A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Tokyo Electron Ltd 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム
CN101373731A (zh) * 2008-10-21 2009-02-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘装置及其温度控制方法
CN101866826A (zh) * 2010-04-29 2010-10-20 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于真空处理系统的流体传输装置
CN102918641A (zh) * 2010-05-24 2013-02-06 朗姆研究公司 用于半导体衬底支撑件的温度控制的装置和方法
CN103843129A (zh) * 2011-09-30 2014-06-04 应用材料公司 具有温度控制的静电夹具
CN109994355A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器

Also Published As

Publication number Publication date
TW202121647A (zh) 2021-06-01
TWI735351B (zh) 2021-08-01
CN112951695A (zh) 2021-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101950330B1 (ko) 대칭적 피드 구조를 갖는 기판 지지체
JP4468194B2 (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US10049858B2 (en) System and method for protection of vacuum seals in plasma processing systems
KR20230065355A (ko) 정전적으로 클램핑된 에지 링
KR20170116195A (ko) 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드
JP4788504B2 (ja) プラズマ処理装置の給電構造
CN112951695B (zh) 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备
WO2019181776A1 (ja) アンテナ及びプラズマ処理装置
JP2018156929A (ja) プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造
KR20220027091A (ko) 심리스 전기 도관
CN112992634B (zh) 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备
JP2017516717A (ja) 電力供給ユニット
WO2019177037A1 (ja) アンテナ及びプラズマ処理装置
CN112863983B (zh) 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备
KR20180034840A (ko) 기판 지지 어셈블리
CN102810770B (zh) 实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件
CN219106071U (zh) 静电释放装置和等离子体处理设备
CN209811889U (zh) 一种射频离子源
JP2010232419A (ja) 静電チャック用給電コネクタおよびこれを用いた静電チャック装置
CN117316747A (zh) 一种下电极组件及等离子体处理设备
JP4574174B2 (ja) プラズマ処理装置及び電極
JP2023104552A (ja) アンテナ及びプラズマ処理装置
TW201332008A (zh) 實現等離子體刻蝕腔體彈性接觸的連接器件
CN115206751A (zh) 一种闸流管油箱结构
CN113053713A (zh) 等离子体处理设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant