CN112992634B - 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 - Google Patents
用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112992634B CN112992634B CN201911274926.9A CN201911274926A CN112992634B CN 112992634 B CN112992634 B CN 112992634B CN 201911274926 A CN201911274926 A CN 201911274926A CN 112992634 B CN112992634 B CN 112992634B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plasma processing
- processing apparatus
- cooling
- radio frequency
- field environment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 122
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 6
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 23
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
一种用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备，针对冷却管道中的静电荷累积产生放电对下电极组件造成损害的现象，对冷却管道结构做改进，将冷却管道在射频场内外做出区分，在射频场环境中的冷却管道采用非金属材料制作，位于非射频场环境中的冷却管道具有低阻导电特性。本发明解决了现有高阻冷却管道造成的静电荷累积问题，大幅减小了静电荷累积造成的电学损伤或其他风险。
Description
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备。
背景技术
在半导体制造技术领域，经常需要对待处理基片进行等离子体处理。所述对待处理基片进行等离子体处理的过程需要在等离子体处理设备内进行。
等离子体处理设备一般都包含真空反应腔，真空反应腔内设置有用于承载待处理基片的承载台，所述承载台通常包含基座以及设置在基座上方用于固定基片的静电吸盘。基座连接射频源，真空反应腔内通入反应气体，在射频激励下，反应气体电离生成等离子体，对基片进行处理。在处理过程中基片会发热，为了降低基片的热量，通常在基座内设置冷却管道，采用循环制冷的方式来带走静电吸盘和基片上的热量。基座作为射频高压部件，通常需要与地之间隔离，目的是隔断射频通过直流通路对地的回路，导致射频传输无法进入反应腔而直接对地短路。
由于工作在射频环境中，所以基座中的冷却管道中的导热媒介采用绝缘液体，但绝缘液体在流动过程中会与冷却管道中某些绝缘体摩擦从而产生静电，静电荷会累积到射频高压部件上。而射频高压部件通常是是通过电容方式传导射频，因此对于直流是处于悬浮状态，当静电荷累积在射频高压导体部件时，此射频高压导体部件的电位会急剧升高，当达到某些阈值时，如1-2千伏，会通过电弧的方式击穿脆弱绝缘部件对地放电，导致诸如绝缘液体传输管道和射频隔离磁环等器件发生损坏。
发明内容
本发明提供一种用于等离子体处理设备的射频电极和等离子体处理设备，解决了现有高阻冷却管道造成的静电荷累积问题，大幅减小了静电荷累积造成的电学损伤或其他风险。
为了达到上述目的，本发明提供一种用于等离子体处理设备的下电极组件，包含：
基座，其设置在等离子体处理设备的真空反应腔内，所述基座中具有冷却通道；
静电吸盘，其设置在所述的基座上，静电吸盘上承载待处理基片；
接地部件，其设置在基座下方，所述接地部件和基座之间是射频场环境，所述接地部件下方是非射频场环境；
冷却管道，其一端与所述的基座内的冷却通道连接，另一端与非射频场环境中的冷却液储存设备相连；
在射频场环境中的所述的冷却管道采用非金属材料制作，位于非射频场环境中的冷却管道具有低阻导电特性。
所述非金属材料的阻值是10MΩ-100MΩ。
位于非射频场环境中的冷却管道的阻值是10Ω-1kΩ。
位于非射频场环境中的冷却管道是外侧包覆有导电材料层的管道。
位于非射频场环境中的冷却管道由金属材料制成，在射频场环境中的所述的冷却管道与位于非射频场环境中的冷却管道通过金属连接器连接。
所述接地部件包含：接地环，其设置在等离子体处理设备的真空反应腔内，且与所述反应腔的底壁电连接；以及安装板，其设置在所述反应腔的底壁下方，且与所述反应腔的底壁电连接，所述冷却管道穿过所述安装板。
所述的下电极组件还包含：设置在基座与接地环之间的设备板，所述的冷却通道与冷却管道的连接接头固定在设备板上。
所述的下电极组件还包含：设置在设备板和接地环之间的绝缘板，所述的绝缘板实现设备板与接地环之间的电隔离。
本发明还提供一种等离子体处理设备，包含：
真空反应腔；
进气装置，其设置在所述的真空反应腔的顶部，用于向所述的真空反应腔内提供反应气体；
所述的下电极组件。
所述的等离子体处理设备为电容耦合等离子体处理设备或者是电感耦合等离子体处理设备。
本发明针对冷却管道中的静电荷累积产生放电对射频电极造成损害的现象，对冷却管道结构做改进，将冷却管道在射频场内外做出区分，位于射频场内的冷却管道保留绝缘高阻材料制作，而位于射频场外的冷却管道则改为低阻材料制作，或者将位于射频场外的冷却管道的直流阻抗降低，从而解决了现有高阻冷却管道造成的静电荷累积问题，大幅减小了静电荷累积造成的电学损伤或其他风险。
附图说明
图1是本发明提供的一种包含射频电极的等离子体处理设备的结构示意图。
图2是不同材料的冷却通道的阻值与静电荷累积产生的电压最大值的比较表。
图3是本发明的一个实施例中的冷却管道的结构示意图。
图4是图3的等效电阻图。
图5是本发明的另一个实施例中的冷却管道的结构示意图。
图6是图5的等效电阻图。
具体实施方式
以下根据图1～图6，具体说明本发明的较佳实施例。
图1是本发明的一个实施例中提供的一种包含射频电极的等离子体处理设备的结构示意图。
如图1所示，等离子体处理设备包含真空反应腔1，真空反应腔1内设置有基座2，基座2上设置有静电吸盘3，静电吸盘3上用于承载待处理基片W。基座2内设置有冷却通道4，冷却通道4的两端分别与两根冷却管道11连接，冷却管道11引出真空反应腔1，与冷却液储存设备(图中未示出)相连，冷却通道4内循环流动绝缘液体，通过热交换带走基座2和静电吸盘3上的热量。基座2下部设置有设备板5，冷却通道4与冷却管道11的连接接头固定在设备板5上。真空反应腔1内还设置有接地环6，该接地环6位于设备板5与真空反应腔1底壁之间且与底壁电连接，能够将真空反应腔内的耦合射频电流导入地，接地环6同时起气密作用，接地环6、设备板5和真空反应腔1的腔壁构成真空环境，接地环6之外是大气环境。接地环6和设备板5之间设置有绝缘板7，绝缘板7实现设备板5与接地环6之间的电隔离。在真空反应腔1的底壁下方设置有安装板(mounting plate)12，其与真空反应腔1的底壁电连接。该安装板12和接地环6、真空反应腔1的底壁一起构成接地回路。如图1所示，安装板12与绝缘板7之间是射频场环境，而安装板12下方是非射频场环境。安装板12由金属材料制成，例如铝合金。冷却管道11穿过安装板12后接地。
真空反应腔1顶部设置有进气装置8，用于向真空反应腔1内提供反应气体。
在本实施例中，所述的等离子体处理设备为电容耦合等离子体处理设备(CCP)，所述的进气装置8作为上电极，所述的基座2作为下电极，射频功率源连接所述上电极或下电极。所述的射频功率源产生的射频信号通过上电极与下电极形成的电容将反应气体转化为等离子体。偏置功率源10通过射频匹配器9连接基座2，使得等离子体向基座2表面均匀分布，有利于等离子体向待处理基片W表面运动，对待处理基片W进行处理。
在其他实施例中，所述的等离子体处理设备为电感耦合等离子体处理设备(ICP)，所述的真空反应腔1的顶部开设绝缘窗口，绝缘窗口上设置有电感线圈，所述的电感线圈与射频功率源连接，使得反应气体转化为等离子体，偏置功率源10通过射频匹配器9连接基座2，使得等离子体向基座2表面运动，有利于等离子体对待处理基片W进行处理。
基座2作为射频高压部件，与地之间通常是隔离的，即，射频高压部件与地之间是直流绝缘的，目的是隔断射频通过直流通路对地的回路，导致射频传输无法进入真空反应腔而直接对地短路。通常射频高压部件与真空反应腔的侧壁之间也保持比较大的距离，使其电容值很小，射频电流尽量通过上下极板的主电容到地，从而使其通过等离子体。
冷却通道和冷却管道中的绝缘液体在流动过程中会产生静电荷累积，实验上已发现这种静电荷会在对地绝缘的射频高压部件上累积。冷却通道和冷却管道通常采用射频绝缘材料制造，例如：特氟龙，尼龙，橡胶等，制成的冷却通道和冷却管道本身具有较高直流阻抗，通常情况下可以认为该冷却通道和冷却管道对于射频是完全绝缘的，但对于直流来说，不同的直流阻抗会影响到静电荷累积所能达到的电压最大值，直流阻抗越高，静电荷累积的电压最大值越大，能击穿绝缘材料的可能性也越高，风险越大，相反地，直流阻抗越低，静电荷累积的电压最大值越小，能击穿绝缘材料的可能性也越低，风险越小。如图2所示，是不同材料的冷却通道和冷却管道的直流阻抗与静电荷累积产生的电压最大值的比较表，从表中可以看出，在同样的射频电压(1KV)和同样的累积时间(5分钟)下，不同直流阻抗的材料会因为静电荷累积而产生不同的电压最大值。特氟龙材料制成的冷却通道和冷却管道的直流阻抗超过11GΩ，5分钟时间累积的电压最大值达到了1000V，尼龙材料制成的冷却通道和冷却管道的直流阻抗也超过11GΩ，5分钟时间累积的电压最大值稍小，达到了250V，橡胶材料制成的冷却通道和冷却管道的直流阻抗比上述两种材料的直流阻抗小，只有20MΩ，相对应地，5分钟时间累积的电压最大值下降为33V。可以看出，冷却通道和冷却管道的直流阻抗越小，静电荷累积的电压最大值越小。
电阻公式：其中，ρ为电阻材料的电阻率，L为电阻的导线长度，S为电阻导线横截面积。根据电阻公式可知，如果想减少电阻值，可以采用电阻率较小的材料来制作冷却通道和冷却管道，减少冷却通道和冷却管道的长度也可以降低电阻值。金属的电阻率较小，合金的电阻率较大，非金属和一些金属氧化物更大，而绝缘体的电阻率极大，锗、硅、硒、氧化铜、硼等半导体材料的电阻率比绝缘体小而比金属大。
在一个实施例中，仍然使用现有的冷却通道和冷却管道材料，在保证冷却能力的基础上，尽量减小冷却通道和冷却管道的长度，比如，可以减少冷却通道在基座内的环绕次数。
单纯减少冷却通道和冷却管道的长度，对于电阻值的下降的影响不是特别明显，尤其是为了保证良好的热传导效果，并不能将基座内的冷却通道的排布数量进行大幅度的削减，此时就需要从减小冷却管道的电阻率的方面入手。
在另一个实施例中，冷却管道仍然使用射频绝缘材料制作，因此会具有较高的直流阻抗，但是仅仅保留射频场中的冷却管道的高阻材料，而将射频场外的冷却管道处理成直流低阻的结构。如图3所示，安装板12上方是射频场环境，而安装板12下方是非射频场环境，冷却管道11穿过安装板12，从射频场环境进入非射频场环境。冷却管道11采用绝缘高阻材料制作，位于射频场环境之外的冷却管道之外包覆有导电材料层41，从安装板12外侧直至连接到冷却液储存设备之间的这段冷却管道的外侧全部被所述的导电材料层41包覆。如图4所示，在本实施例中，冷却管道11采用橡胶材料，则位于射频场环境内的冷却管道11的直流阻抗等效值大约为10MΩ，而位于射频场环境外的冷却管道的直流阻抗等效值大约只有10Ω。在射频场环境外将高阻冷却管道的外皮包覆一层导电材料，比如金属材料，使现有冷却管道的直流电阻只保留射频场环境中的那部分，这样可以将直流阻抗大大降低，从而使射频高压部件上的静电荷累积直流压差大大降低。
在另一个实施例中，将冷却管道11处理为两段式，射频场环境中的冷却管道保留高阻材料，而射频场环境外的冷却管道替换成低阻材料。如图5所示，安装板12上方是射频场环境，而安装板12下方是非射频场环境，冷却管道穿过安装板12，从射频场环境进入非射频场环境。位于射频场环境中的冷却管道42与位于非射频场环境中的冷却管道43通过金属连接器44连接，所述的金属连接器44固定设置在安装板12中。位于射频场环境之内的冷却管道42采用绝缘高阻材料制作，即位于金属连接器44上部的冷却管道42全部采用绝缘高阻材料制作，位于射频场环境之外的冷却管道43采用低阻材料制作，即位于金属连接器44下部的冷却管道43全部采用低阻材料制作。如图6所示，在本实施例中，位于射频场环境之内的冷却管道42采用橡胶材料，直流阻抗等效值大约为10MΩ，而位于射频场环境外的冷却管道43采用低阻材料，直流阻抗等效值大约为1KΩ。在另一个实施例中，位于射频场环境外的冷却管道43采用金属材料，直流阻抗等效值大约小于10Ω。将现有的冷却管道处理成两段式，射频场环境中的冷却管道保留高阻材料，而将射频场环境外的冷却管道替换成低阻材料甚至金属材料，从而实现减小直流阻抗的功能。
本发明针对冷却管道中的静电荷累积产生放电对射频电极造成损害的现象，对冷却管道结构做改进，将冷却管道在射频场内外做出区分，位于射频场内的冷却管道保留绝缘高阻材料制作，而位于射频场外的冷却管道则改为低阻材料制作，或者将位于射频场外的冷却管道的直流阻抗降低，从而解决了现有高阻冷却管道造成的静电荷累积问题，大幅减小了静电荷累积造成的电学损伤或其他风险。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (9)
1.一种用于等离子体处理设备的下电极组件，其特征在于，包含：
基座，其设置在等离子体处理设备的真空反应腔内，所述基座中具有冷却通道；
静电吸盘，其设置在所述的基座上，静电吸盘上承载待处理基片；
接地部件，其设置在基座下方，所述接地部件和基座之间是射频场环境，所述接地部件下方是非射频场环境；
冷却管道，其一端与所述的基座内的冷却通道连接，另一端与非射频场环境中的冷却液储存设备相连；
在射频场环境中的所述的冷却管道采用橡胶材料制作，位于非射频场环境中的冷却管道的阻值是10Ω-1kΩ。
2.如权利要求1所述的用于等离子体处理设备的下电极组件，其特征在于，所述橡胶材料的阻值是10MΩ-100MΩ。
3.如权利要求1所述的用于等离子体处理设备的下电极组件，其特征在于，位于非射频场环境中的冷却管道是外侧包覆有导电材料层的管道。
4.如权利要求1所述的用于等离子体处理设备的下电极组件，其特征在于，位于非射频场环境中的冷却管道由金属材料制成，在射频场环境中的所述的冷却管道与位于非射频场环境中的冷却管道通过金属连接器连接。
5.如权利要求1所述的用于等离子体处理设备的下电极组件，其特征在于，所述接地部件包含：接地环，其设置在等离子体处理设备的真空反应腔内，且与所述反应腔的底壁电连接；以及安装板，其设置在所述反应腔的底壁下方，且与所述反应腔的底壁电连接，所述冷却管道穿过所述安装板。
6.如权利要求5所述的用于等离子体处理设备的下电极组件，其特征在于，所述的下电极组件还包含：设置在基座与接地环之间的设备板，所述的冷却通道与冷却管道的连接接头固定在设备板上。
7.如权利要求5所述的用于等离子体处理设备的下电极组件，其特征在于，所述的下电极组件还包含：设置在设备板和接地环之间的绝缘板，所述的绝缘板实现设备板与接地环之间的电隔离。
8.一种等离子体处理设备，其特征在于，包含：
真空反应腔；
进气装置，其设置在所述的真空反应腔的顶部，用于向所述的真空反应腔内提供反应气体；
如权利要求1-7中任意一项所述的下电极组件。
9.如权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述的等离子体处理设备为电容耦合等离子体处理设备或者是电感耦合等离子体处理设备。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911274926.9A CN112992634B (zh) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 |
| TW109139201A TWI771797B (zh) | 2019-12-12 | 2020-11-10 | 用於等離子體處理設備的下電極元件和等離子體處理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911274926.9A CN112992634B (zh) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112992634A CN112992634A (zh) | 2021-06-18 |
| CN112992634B true CN112992634B (zh) | 2023-10-31 |
Family
ID=76331933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911274926.9A Active CN112992634B (zh) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112992634B (zh) |
| TW (1) | TWI771797B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20240112894A1 (en) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | Applied Materials, Inc. | Fluid conduit and flange for high bias applications |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207842A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
| CN101261927A (zh) * | 2007-03-09 | 2008-09-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法 |
| CN202871758U (zh) * | 2012-11-16 | 2013-04-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种安全输送冷却气体的装置 |
| CN103443914A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
| CN104115260A (zh) * | 2012-04-24 | 2014-10-22 | 应用材料公司 | 具有冷却工艺环与加热工作件支撑表面的等离子体反应器静电夹盘 |
| CN104576277A (zh) * | 2013-10-10 | 2015-04-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理设备 |
| CN106920725A (zh) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种聚焦环的温度调整装置及方法 |
| CN207074639U (zh) * | 2017-06-19 | 2018-03-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
| CN108649012A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-10-12 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置 |
| WO2019125942A1 (en) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing semiconductor device structures and related systems |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9412635B2 (en) * | 2012-02-08 | 2016-08-09 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
| WO2017141901A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社八興 | 静電気消散性樹脂ホース |
| TWI645889B (zh) * | 2016-06-01 | 2019-01-01 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | 導電過濾裝置 |
| JP2018090323A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | サンフロロシステム株式会社 | 半導体製品の製造用の薬液を流動させる際に薬液と接触する部材 |
-
2019
- 2019-12-12 CN CN201911274926.9A patent/CN112992634B/zh active Active
-
2020
- 2020-11-10 TW TW109139201A patent/TWI771797B/zh active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207842A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
| CN101261927A (zh) * | 2007-03-09 | 2008-09-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法 |
| CN103443914A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
| CN104115260A (zh) * | 2012-04-24 | 2014-10-22 | 应用材料公司 | 具有冷却工艺环与加热工作件支撑表面的等离子体反应器静电夹盘 |
| CN202871758U (zh) * | 2012-11-16 | 2013-04-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种安全输送冷却气体的装置 |
| CN104576277A (zh) * | 2013-10-10 | 2015-04-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理设备 |
| CN106920725A (zh) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种聚焦环的温度调整装置及方法 |
| CN207074639U (zh) * | 2017-06-19 | 2018-03-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
| WO2019125942A1 (en) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing semiconductor device structures and related systems |
| CN108649012A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-10-12 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI771797B (zh) | 2022-07-21 |
| TW202123780A (zh) | 2021-06-16 |
| CN112992634A (zh) | 2021-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20150243486A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US10879041B2 (en) | Method and apparatus of achieving high input impedance without using ferrite materials for RF filter applications in plasma chambers | |
| US10332728B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP7069262B2 (ja) | 高温ｒｆ用途のための静電チャック | |
| JP4758046B2 (ja) | 均一なプロセス速度を生成するためのプラズマ処理装置及びアンテナ構成 | |
| JP2009170509A (ja) | ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置 | |
| EP2622625A2 (en) | Compact rf antenna for an inductively coupled plasma ion source | |
| CN102893705A (zh) | 使用磁场集中器的具有金属喷淋头的电感应式等离子体源 | |
| JPH0478133A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20010043180A (ko) | 피가공재 처리 시스템 내부에 있는 피가공재에 대한바이어싱 및 보유 능력을 개선하기 위한 장치 | |
| JP2006502556A (ja) | 半導体ワークピースを処理するためのプラズマリアクタ | |
| KR20180122295A (ko) | 수동 방식으로 동작되는 경우에 접지에 대한 제어가능한 임피던스를 가능하게 하고 능동적으로 전력공급되는 경우에 플라즈마로의 대칭적인 rf 전력 입력을 가능하게 하는 대칭적인 피드 구조 및 드라이브를 갖는 보조 전극을 사용하여 플라즈마 프로세싱 챔버에서 웨이퍼 에지 시스를 조절하기 위한 방법 | |
| US9583313B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2013206652A (ja) | アンテナ装置、それを備えるプラズマ処理装置およびスパッタリング装置 | |
| KR100572176B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| TW201342508A (zh) | 用於靜電吸盤的射頻濾波器 | |
| JP3787079B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN112992634B (zh) | 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 | |
| US20180308666A1 (en) | Plasma reactor with electrode filaments extending from ceiling | |
| KR102655866B1 (ko) | 정전 척 (electrostatic chuck, ESC) 페데스탈 전압 분리 | |
| CN112863983B (zh) | 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 | |
| KR20120132642A (ko) | 유도 결합 플라즈마 발생 장치 | |
| US6284110B1 (en) | Method and apparatus for radio frequency isolation of liquid heat transfer medium supply and discharge lines | |
| US2324034A (en) | Air-cooled power amplifier | |
| JP2015053384A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |