JP2016127090A5 - - Google Patents
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- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims description 20
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 210000003027 Ear, Inner Anatomy 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 210000003128 Head Anatomy 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
Description
本発明の載置台は、基板に対してプラズマ処理を行うための真空容器内に前記基板を載置するために設けられる載置台において、
基板が載置される載置面を備え、当該載置面の外周にフランジを設けない構造の金属製の載置台本体と、
前記載置面の外周において、その上面が前記プラズマ処理空間に臨み、前記載置台本体を囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材と、
前記リング部材の下方側にて前記載置台本体を囲むように設けられ、前記載置台本体の側周面に圧接して設けられた側部絶縁部材と、を備えたことを特徴とする。
また本発明の載置台は、基板に対してプラズマ処理を行うための真空容器内に前記基板を載置するために設けられる載置台において、
基板が載置され、上面から下面に至るまでの側周面が平坦な柱状の金属製の載置台本体と、
その上面が前記プラズマ処理空間に臨み、前記載置台本体を囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材と、
前記リング部材の下方側にて前記載置台本体を囲むように設けられ、前記載置台本体の側周面に圧接して設けられた側部絶縁部材と、を備えたことを特徴とする。
基板が載置される載置面を備え、当該載置面の外周にフランジを設けない構造の金属製の載置台本体と、
前記載置面の外周において、その上面が前記プラズマ処理空間に臨み、前記載置台本体を囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材と、
前記リング部材の下方側にて前記載置台本体を囲むように設けられ、前記載置台本体の側周面に圧接して設けられた側部絶縁部材と、を備えたことを特徴とする。
また本発明の載置台は、基板に対してプラズマ処理を行うための真空容器内に前記基板を載置するために設けられる載置台において、
基板が載置され、上面から下面に至るまでの側周面が平坦な柱状の金属製の載置台本体と、
その上面が前記プラズマ処理空間に臨み、前記載置台本体を囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材と、
前記リング部材の下方側にて前記載置台本体を囲むように設けられ、前記載置台本体の側周面に圧接して設けられた側部絶縁部材と、を備えたことを特徴とする。
Claims (12)
- 基板に対してプラズマ処理を行うための真空容器内に前記基板を載置するために設けられる載置台において、
基板が載置される載置面を備え、当該載置面の外周にフランジを設けない構造の金属製の載置台本体と、
前記載置面の外周において、その上面が前記プラズマ処理空間に臨み、前記載置台本体を囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材と、
前記リング部材の下方側にて前記載置台本体を囲むように設けられ、前記載置台本体の側周面に圧接して設けられた側部絶縁部材と、を備えたことを特徴とする載置台。 - 前記側部絶縁部材は、ネジ部材により外周面側から前記載置台本体の側周面に向かって締め付けられていることを特徴とする請求項1記載の載置台。
- 前記ネジ部材は金属製であり、
前記ネジ部材の頭部は前記側部絶縁部材のネジ孔に配置され、
前記ネジ孔は絶縁材の蓋部により覆われていることを特徴とする請求項2記載の載置台。 - 前記ネジ部材は絶縁材であることを特徴とする請求項2記載の載置台。
- 前記側部絶縁部材の外周面に面接触し、その外周面から見て前記ネジ部材の配置領域が見通せないように補助絶縁部材が設けられていることを特徴とする請求項3または4に記載の載置台。
- 前記側部絶縁部材と前記補助絶縁部材との間の隙間がプラズマ処理空間から見てラビリンスを形成するように構成されていることを特徴とする請求項5記載の載置台。
- 前記側部絶縁部材の外周面は、上部側から順に、前記載置台本体の側周面に平行な第1の面、当該側周面に垂直な第2の面、当該側周面に平行な第3の面が連続していると共に第1の面が第2の面よりも外側に位置して部位を備え、
前記補助絶縁部材は、ネジ部材により、前記第2の面に面接触する面から、当該補助絶縁部材を下方側から支持する支持部材に向かって締め付けられていることを特徴とする請求項6記載の載置台。 - 基板に対してプラズマ処理を行うための真空容器内に前記基板を載置するために設けられる載置台において、
基板が載置され、上面から下面に至るまでの側周面が平坦な柱状の金属製の載置台本体と、
その上面が前記プラズマ処理空間に臨み、前記載置台本体を囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材と、
前記リング部材の下方側にて前記載置台本体を囲むように設けられ、前記載置台本体の側周面に圧接して設けられた側部絶縁部材と、を備えたことを特徴とする載置台。 - 前記側部絶縁部材は、ネジ部材により外周面側から前記載置台本体の側周面に向かって締め付けられ、
前記側部絶縁部材の外周面に面接触し、その外周面から見て前記ネジ部材の配置領域が見通せないように補助絶縁部材が設けられ、
前記側部絶縁部材と前記補助絶縁部材との間の隙間がプラズマ処理空間から見てラビリンスを形成するように構成されていることを特徴とする請求項8記載の載置台。 - 前記載置台本体の上部側は、上面及び側周面が絶縁性の溶射膜により被覆された静電チャックにより構成され、
前記側部絶縁部材における載置台本体の側周面に圧接されている面は、前記溶射膜により被覆されている部位から、当該部位の下方側に位置する、溶射膜が被覆されていない部位に亘って伸びていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の載置台。 - 真空容器内に設けられ、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の載置台と、
前記真空容器内にプラズマ化するための処理ガスを供給するガス供給部と、
真空容器内に電界を発生させて前記処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ発生部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記載置台本体は、前記処理容器の下面側から前記処理容器の底面を貫通するネジ部材により固定されていることを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265670A JP6540022B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
KR1020150178938A KR101850193B1 (ko) | 2014-12-26 | 2015-12-15 | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 |
TW104143399A TWI692796B (zh) | 2014-12-26 | 2015-12-23 | 載置台及電漿處理裝置 |
CN201510993810.6A CN105742146B (zh) | 2014-12-26 | 2015-12-25 | 载置台和等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265670A JP6540022B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127090A JP2016127090A (ja) | 2016-07-11 |
JP2016127090A5 true JP2016127090A5 (ja) | 2018-02-01 |
JP6540022B2 JP6540022B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=56296091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014265670A Active JP6540022B2 (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6540022B2 (ja) |
KR (1) | KR101850193B1 (ja) |
CN (1) | CN105742146B (ja) |
TW (1) | TWI692796B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106206385A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法 |
JP6794937B2 (ja) * | 2017-06-22 | 2020-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6969182B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7055040B2 (ja) * | 2018-03-07 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及び処理装置 |
JP7090465B2 (ja) * | 2018-05-10 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
JP7228989B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2023-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、エッジリングの位置決め方法及び基板処理装置 |
JP7401266B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、及び、基板処理装置 |
JP7274347B2 (ja) * | 2019-05-21 | 2023-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20210056646A (ko) | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장비 |
CN111996590B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-10-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种工艺腔室 |
TW202232564A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-08-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 緊固構造、電漿處理裝置以及緊固方法 |
CN113192876B (zh) * | 2021-04-30 | 2024-07-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备及其承载装置 |
JP2023067033A (ja) | 2021-10-29 | 2023-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3957719B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-15 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2005260011A (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置およびウエハ処理方法 |
JP2006016126A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Hitachi Building Systems Co Ltd | エレベーターの制御装置 |
JP4992630B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
JP4450106B1 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
US8449679B2 (en) * | 2008-08-15 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly |
KR101701101B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2017-01-31 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 챔버의 하부 전극 어셈블리 |
JP5948026B2 (ja) * | 2011-08-17 | 2016-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び処理方法 |
JP6034156B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5893516B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台 |
CN103715049B (zh) * | 2012-09-29 | 2016-05-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法 |
CN103794538B (zh) * | 2012-10-31 | 2016-06-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘以及等离子体加工设备 |
JP6400273B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2018-10-03 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック装置 |
CN203503602U (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-26 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种蚀刻结构 |
-
2014
- 2014-12-26 JP JP2014265670A patent/JP6540022B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-15 KR KR1020150178938A patent/KR101850193B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-23 TW TW104143399A patent/TWI692796B/zh active
- 2015-12-25 CN CN201510993810.6A patent/CN105742146B/zh active Active
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