JP2016530705A5

JP2016530705A5 -

Info

Publication number: JP2016530705A5
Application number: JP2016523735A
Authority: JP
Filing date: 2014-04-30
Publication date: 2017-06-08
Anticipated expiration: 2034-04-30

Claims

露出した上面と、底面とを有する外側セラミックスリングと、
外側セラミックスリングと係合するように構成され、これによってオーバーラップ領域を画定する内側シリコンリングであって、内側シリコンリングは、
内面と、
上面と、
内面と上面との間に形成されたノッチとを有し、内面はリングアセンブリの内径を画定し、ノッチは、
内面から延びる内側上面と、
内側上面から上面まで延びる中間面を有し、ノッチは、基板の縁部を受け入れる大きさであり、
内側シリコンリングの外側部分の外側上面であって、オーバーラップ領域内で、外側セラミックスリングの底面の内側部分の下にあり、接触するように構成された外側上面と、
半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含む内側シリコンリングとを含むリングアセンブリ。
外側セラミックスリングの底面の内側部分の下にある内側シリコンリングのオーバーラップ領域の下にある中間セラミックスリングを含む、請求項１記載のリングアセンブリ。
外側セラミックスリングは、ノッチから約３０ｍｍまで内側シリコンリングに沿って延びる、請求項１記載のリングアセンブリ。
傾斜面は、内側シリコンリングの上面に対して約４５度で配向される、請求項１記載のリングアセンブリ。
チャンバ本体と、
チャンバ本体内に配置され、カソード電極が内部に配置された基板支持台座と、
基板支持台座上に配置されたリングアセンブリを含み、リングアセンブリは、
露出した上面と、底面とを有する外側セラミックスリングと、
外側セラミックスリングと係合するように構成され、これによってオーバーラップ領域を画定する内側シリコンリングであって、内側シリコンリングは、
内面と、
上面と、
内面と上面との間に形成されたノッチとを有し、内面はリングアセンブリの内径を画定し、ノッチは、
内面から延びる内側上面と、
内側上面から上面まで延びる中間面を有し、ノッチは、基板の縁部を受け入れる大きさであり、
内側シリコンリングの外側上面であって、オーバーラップ領域内で、外側セラミックスリングの底面の内側部分の下にあり、接触するように構成され、オーバーラップ領域は、カソード電極の上に配置される外側上面と、
半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含む内側シリコンリングとを含む、プラズマ処理チャンバ。
カソード電極は、内側シリコンリングを越えて延びている、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
外側セラミックスリングの底面の内側部分の下にある内側シリコンリングのオーバーラップ領域の下にある中間セラミックスリングを含む、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
オーバーラップ領域は、約０〜約３０ｍｍの間の半径方向の寸法を有する、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
外側セラミックスリングは、ノッチから約３０ｍｍまで内側シリコンリングに沿って延びる、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
傾斜面は、内側シリコンリングの上面に対して約４５度で配向される、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
リングアセンブリによってエッチング速度を調整するための方法であって、
リングアセンブリによって囲まれた第１基板をエッチングする工程であって、リングアセンブリは、オーバーラップ領域を画定するように係合するセラミックス外側リング及びシリコン内側リングを有する工程と、
オーバーラップ領域を変更するために、セラミックス外側リングとシリコン内側リングのうちの少なくとも１つを交換する工程と、
変更されたオーバーラップ領域を有するリングアセンブリの存在下で第２基板をエッチングする工程とを含む方法。
交換する工程は、オーバーラップ領域の寸法を増加させる工程を含む、請求項１１記載の方法。
交換する工程は、オーバーラップ領域の寸法を減少させる工程を含む、請求項１１記載の方法。
第１基板をエッチングする工程は、セラミックス外側リングからの酸素を活発化させるために、カソード電極に通電する工程を含む、請求項１１記載の方法。