JP2011035026A - ドライエッチング装置、半導体装置の製造方法、制御リング - Google Patents

Abstract

【課題】リングの材料がシリコンであることから、半導体ウエハーと同様にリングもエッチングされてしまう。このため、被エッチング面積が増加してエッチングレートが低下してしまうという問題があった。
【解決手段】処理室内にウエハーＷＦが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦにエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、ウエハーＷＦを取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リング１１０と、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リング１２０と、を備えた。
【選択図】図３

Description

本発明は、ドライエッチング装置、このドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法、およびこのドライエッチング装置における反応ガスの制御リングに関する。

従来から、例えば処理対象物としての半導体ウエハーに所定の形状を形成して半導体装置を製造するため、ドライエッチング装置を利用することが行われている。ドライエッチング装置は、一般的に、反応ガスを処理室内に導入してプラズマ化し、プラズマ化された反応ガスを用いて半導体ウエハーの処理面をエッチングすることで所定の形状を形成する。具体的には、処理室内の下部電極に、例えば静電チャックにより半導体ウエハーを固定し、下部電極との間に高周波電源が接続された上部電極の微小孔から反応ガスを供給する。供給された反応ガスは上部電極と下部電極との間でプラズマ化し、半導体ウエハーをエッチングして所定の形状を形成する。

さて、このようなドライエッチング装置では、プラズマ化された反応ガスが、半導体ウエハーのエッチング処理面全体に均一に分布形成することが重要である。そうでないと、例えばエッチングレートに差が出たり、エッチングの方向が所望する方向（例えばエッチング処理面に対して垂直方向）から曲がるチルトが発生したりする。

これを抑制する従来技術の一つが、特許文献１に開示されている。特許文献１に開示された技術は、傾斜角度が調節された傾斜領域を有するシリコンリングにより、エッチングレートの調整を可能とするものである。

特開２００５−１４２１７９号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、リングの材料がシリコンであることから、半導体ウエハーと同様にリングもエッチングされる。このため、被エッチング面積が増加してエッチングレートが低下してしまうという問題があった。また、特許文献１では、チルトに対する課題の解決方法については何ら言及がなされていない。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］処理室内に処理対象物が置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化して前記処理対象物にエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、前記処理対象物を取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リングと、前記第１リングを取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リングと、を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、導電性を有する第１リングによって、プラズマ化した反応ガスの存在する範囲を処理対象物より広げるとともに、絶縁性を有する第２リングによって反応ガスの拡散を抑制する。したがって、処理対象物に対して密度勾配が抑制された均一な密度で、反応ガスを分布させることができるとともに、処理対象物の範囲近傍内に反応ガスを存在させるように制御することができる。この結果、エッチングレートの低下を抑制するとともに、斜めにエッチングされるチルトの発生を抑制することができる。

［適用例２］上記ドライエッチング装置であって、前記第１リングは、導電性を有する金属を材料として形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、処理対象物のエッチング時に反応ガスによる第１リングのエッチング量が抑制されるので、第１リングのメンテナンスサイクルを長くすることができる。

［適用例３］上記ドライエッチング装置であって、前記第１リングと前記第２リングとは密着して配置されていることを特徴とする。

この構成によれば、反応ガスが処理対象物により近い範囲内に存在するように制御することができる。また、第１リングと第２リングを一体で扱うことができるので、作業が容易になる。

［適用例４］上記ドライエッチング装置であって、前記第１リングおよび前記第２リングはそれぞれ平坦面を有し、前記第２リングの平坦面は、前記第１リングの平坦面よりも、前記処理対象物が置かれるステージから遠い位置に形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、平坦面が第１リングの平坦面よりも反応ガス側に位置することになる第２リングによって、構造的に反応ガスを処理対象物側に滞留させることができる。従って、処理対象物の全域において反応ガスの密度を均一とする確率が高くなるとともに、反応ガスの密度勾配をさらに少なく抑制することが期待できる。

［適用例５］半導体ウエハーに所定のエッチング処理が施された半導体装置の製造方法であって、上記ドライエッチング装置を用い、前記処理対象物として前記半導体ウエハーを前記処理室内に置くことによって、前記半導体ウエハーに前記所定のエッチング処理を施す工程を含むことを特徴とする。

この方法によれば、エッチングレートの低下が抑制され、また斜めにエッチングされる現象が抑制されたエッチング処理によって半導体装置を製造することができる。したがって、低コストで高品質な半導体装置が得られる。

［適用例６］ドライエッチング装置の処理室内に処理対象物が置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化して前記処理対象物にエッチング処理を施す際に、前記プラズマ化された反応ガスを制御する制御リングであって、導電性材料からなる環状の第１リングと、前記第１リングを取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リングと、を備えたことを特徴とする。

この制御リングによれば、エッチング処理において、導電性を有する第１リングによって、プラズマ化した反応ガスの存在する範囲を処理対象物より広げるとともに、絶縁性を有する第２リングによって反応ガスの拡散を抑制する。したがって、処理対象物に対して密度勾配が抑制された均一な密度で、反応ガスを分布させることができるとともに、処理対象物の範囲近傍内に反応ガスを存在させるように制御することができる。この結果、エッチングレートの低下を抑制するとともに、斜めにエッチングされるチルトの発生を抑制することができる。

本実施例であるドライエッチング装置の要部を示す構成図。 従来の制御リングについての説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）と（ｃ）はプラズマの形成状態を示す断面図。 本実施例の制御リングについての説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）はプラズマの形成状態を示す断面図。 本実施例で、制御リングの平坦面のレベルを示す説明図。 （ａ）（ｂ）とも、第３変形例の制御リングを示す断面図。 第４変形例の制御リングを示す断面図。 （ａ）（ｂ）とも、第５変形例の制御リングを示す断面図。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以降の説明において使用する図面は、説明の都合上構成要素の寸法を誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさを示すものでないことは勿論である。

図１は、本発明の実施例であるドライエッチング装置１０の要部を示す構成図である。本実施例のドライエッチング装置１０は、平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置である。すなわち、図１において、処理室１１は真空排気されるプラズマ室である。処理室１１内の下部電極はカソード電極１２であり、上部電極はアノード電極１３である。処理室１１内において、カソード電極１２にシリコン半導体ウエハー（以下、単に「ウエハー」）ＷＦが載置され、アノード電極１３側から供給される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦに所望のエッチングが施される。アノード電極１３は接地されている。カソード電極１２は高周波電源１４に接続されている。また、カソード電極１２は水冷するための冷却水の経路を有する。アノード電極１３は、処理室１１内に反応ガスをシャワー状に導入するための複数のピンホール１３Ｈを有する。なお、ドライエッチング装置の構成は多種多様に存在しており、従って本実施例のドライエッチング装置１０は上記構成に限定されないことは勿論である。

本実施例のドライエッチング装置１０では、カソード電極１２は、周辺領域よりも高く形成された中央領域に静電吸着などによってウエハーＷＦを載置するとともに、周辺領域に制御リング１００を設置するステージとして構成されている。制御リング１００は、ウエハーＷＦ上のプラズマ化された反応ガス（以降、単に「プラズマ」と呼ぶ）１５の形成状態を制御するものである。例えば、見かけ上ウエハーＷＦの径を大きくし、ウエハーＷＦの面内におけるプラズマ密度の均一化を図り、エッチングレートのばらつきを抑制したり、プラズマの拡散を防止し、ウエハーＷＦの周縁部でのエッチングレート低下を抑制したりする。

ここで、本実施例の制御リング１００を説明する前に、従来用いられている制御リング１００ａについて、図２を参照して説明する。図２（ａ）は、ステージとなるカソード電極１２に設置された従来の制御リング１００ａを、アノード電極側から見た平面図である。図２（ｂ）および図２（ｃ）は、図２（ａ）の断面を示し、ウエハーＷＦ上のプラズマの形成状態を示す説明図である。

図２（ａ）に示すように、制御リング１００ａは、ステージとなるカソード電極１２に載置されたウエハーＷＦを取り囲むように設置される。また、制御リング１００ａのカソード電極１２側と反対側の面は平坦面であり、ウエハーＷＦのエッチング対象となる面と凡そレベルが一致するように設置されている。なお、図示しないが、制御リング１００ａには、ウエハーＷＦの位置を決めるための形状が形成されている場合もある。

ここで、まず制御リング１００ａが絶縁性材料からなる絶縁体リング１０１であった場合、プラズマは図２（ｂ）に示すように形成される。すなわち、絶縁体リング１０１は、ウエハーＷＦを取り囲むように設置されていることから、プラズマ１５をウエハーＷＦの領域内に閉じ込める役割を果たす。

しかしながら、ウエハーＷＦの領域とウエハーＷＦ外の領域とではプラズマ１５の密度が異なるので、この境に位置するウエハーＷＦ周辺付近では、プラズマ１５は密度勾配をもつことになる。このため、垂直異方性のドライエッチング処理において、ウエハーＷＦ周辺付近では本来エッチングされるべきウエハーＷＦの垂直方向に対して、斜め（例えば、図中、矢印ＰＤの方向）にエッチングされ、前述したチルトが発生する。また、ウエハーＷＦにおけるプラズマ１５の密度の均一性も低下するためウエハーＷＦの領域内においてエッチングレートに差が生じる。

次に、制御リング１００ａが導電性材料からなる導体（半導体を含む）リング１０２であった場合、プラズマ１５は図２（ｃ）に示すように形成される。すなわち、導体リング１０２は、ウエハーＷＦを取り囲むように設置されていることから、プラズマ１５をウエハーＷＦの領域外へ広める役割を果たす。この場合、ウエハーＷＦ領域ではプラズマ１５には密度勾配が発生し難いため、垂直異方性のドライエッチング処理において、ウエハーＷＦ周辺付近における斜め方向のエッチングが抑制され、チルトの発生が抑制される。

しかしながら、プラズマ１５の形成領域が広がるため、導体リング１０２もエッチング領域となる。この結果、エッチング領域が拡大するためエッチングレートが低下する。特に、導電性材料がシリコンであった場合、前述するようにエッチングレートの調整が可能であるが、ウエハーＷＦと略同様にエッチングされるため、導体リング１０２のメンテナンスサイクルが短いという課題がある。

それでは、上述した従来の制御リング１００ａが有する課題の少なくとも一部を解決する本実施例の制御リング１００について、図３を用いて説明する。図３（ａ）は、ステージとなるカソード電極１２に設置された本実施例の制御リング１００を、アノード電極１３（図１参照）側から見た平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の断面を示し、ウエハーＷＦ上のプラズマ１５の形成状態を示す説明図である。

図３（ａ）に示すように、制御リング１００は、ウエハーＷＦを取り囲むように配置された第１リング１１０と、第１リング１１０の外周と密着し、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置された第２リング１２０とから構成されている。また、図３（ｂ）に示すように、第１リング１１０および第２リング１２０のカソード電極１２側と反対側の面は、それぞれ平坦面１１０ｓおよび平坦面１２０ｓであり、ウエハーＷＦのエッチング対象となる面と凡そレベルが一致するように設置されている。なお、図示しないが、制御リング１００には、ウエハーＷＦの位置を決めるための形状（例えばノッチ形状やストレート形状）が形成されている場合もある。

ここで、本実施例の制御リング１００は、第１リング１１０が導電性材料からなる導体リングであり、第２リング１２０が絶縁性材料からなる絶縁体リングである。この結果、プラズマ１５は図３（ｂ）に示すように形成されることになる。すなわち、第１リング１１０は、ウエハーＷＦを取り囲むように設置されていることから、プラズマ１５をウエハーＷＦの領域外へ広める役割を果たす。この結果、ウエハーＷＦの領域ではプラズマ１５には密度勾配が発生し難いため、垂直異方性のドライエッチング処理において、ウエハーＷＦの領域周辺での斜めエッチングが抑制されチルトの発生が抑制される。

さらに、ウエハーＷＦの領域外へ拡散したプラズマ１５は、第２リング１２０によって、第１リング１１０の外周領域内に閉じ込められる。従って、プラズマ１５によるエッチング領域は、第１リング１１０内に留まることになる。この結果、エッチング領域の拡大が抑制され、エッチングレートの低下を抑制することができる。このとき、第２リング１２０は、第１リング１１０に密着しているので、プラズマ１５をウエハーＷＦに対してより近い範囲内に存在するように制御することができる。なお、ウエハーＷＦのエッチング処理面と、第１リング１１０の平坦面１１０ｓおよび第２リング１２０の平坦面１２０ｓとは、同一面であるので、ウエハーＷＦの全域においてプラズマ１５の密度を均一にできる確率が高くなる。

さて、前述するように、第１リング１１０は、ウエハーＷＦと同様にプラズマ１５によってエッチングされる。そこで、本実施例では、第１リング１１０は、導電性材料として従来例のシリコンに替えて、金属材料を用いることが好ましい。金属材料は、ウエハーＷＦとは材料が異なるためにエッチングレートの調整は難しくなる可能性はあるものの、シリコンに比べてエッチングされにくい材料であることから、第１リング１１０（制御リング１００）のメンテナンスサイクルが長くなるという効果を奏する。

なお、金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）を用いることが好ましい。これらの材料は、ドライエッチング装置１０を構成する部品の材料と同じである確率が高く、同じ場合、エッチング特性への影響を抑制することができる可能性がある。また、アルミニウムやステンレスは一般的な材料であるので安価な制御リングを実現できる。なお、アルミニウムは制御リング１００を軽くすることができるので、例えばメンテナンス時の作業が容易になるという効果もある。

ちなみに、第２リング１２０を形成する絶縁性材料として、本実施例では、セラミックや石英を用いることができる。もとよりこれらに限定するものでなく、プラズマ１５の拡散を抑制できる絶縁性材料であれば、いずれも採用することができる。

上述したように、本実施例の制御リング１００によれば、導電性材料からなる第１リング１１０によって、プラズマ１５の存在する範囲を処理対象物であるウエハーＷＦの領域より広げるとともに、絶縁性材料からなる第２リング１２０によって、プラズマ１５の拡散を抑制する。したがって、ウエハーＷＦに対してより均一に密度分布させることができるとともに、プラズマ１５の拡散を抑制し、ウエハーＷＦの範囲近傍内にプラズマ１５が存在するように制御することができる。この結果、エッチングレートの低下を抑制するとともに、斜めにエッチングされるチルトの発生を抑制することができる。また、第１リング１１０を金属材料で形成することによって、ウエハーＷＦのエッチング時にプラズマ１５による第１リング１１０のエッチング量が抑制されるので、制御リング１００のメンテナンスサイクルを長くすることができる。

ところで、本実施例の制御リング１００は、第１リング１１０の平坦面１１０ｓおよび第２リング１２０の平坦面１２０ｓが、ウエハーＷＦのエッチング対象となる面と凡そレベルが一致するように設置されていることとしたが、特にこれに限るものでない。例えば、図４に示すように、第１リング１１０の平坦面１１０ｓおよび第２リング１２０の平坦面１２０ｓが、ウエハーＷＦが載置されるステージ面と凡そレベルが一致する状態であっても差し支えない。制御リング１００がこのような状態であっても、上述した効果とほぼ同様な効果が得られることは明らかである。

この場合、第１リング１１０の平坦面１１０ｓは、内側部分がウエハーＷＦのカソード電極１２側の面と接するか平面的に重なる状態が存在する。言い換えれば、第１リング１１０の平坦面１１０ｓの環状領域内にウエハーＷＦの端部が位置する状態が存在する。従って、第１リング１１０がウエハーＷＦを取り囲む状態とは、このような状態を含むものである。

以上、本発明について、実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。

（第１変形例：半導体装置の製造方法）
上記実施例では、態様をドライエッチング装置１０としたが、上記実施例のドライエッチング装置１０を用い、ウエハーＷＦを処理室１１内に置くことによって、ウエハーＷＦに所定のエッチング処理を施す工程を含む半導体装置の製造方法としてもよい。本変形例の半導体装置の製造方法によれば、半導体装置を製造するためのウエハーＷＦを上記実施例のドライエッチング装置１０の処理室１１内に置くことによって、ウエハーＷＦに対して、エッチングレートの差やチルトが抑制されたエッチングを行うことができる。従って、所望するエッチング処理が施されたウエハーＷＦから製造された半導体装置は、低コストで高品質な半導体装置となる。

（第２変形例：制御リング）
上記実施例では、態様をドライエッチング装置１０としたが、ドライエッチング装置１０において設置するプラズマ１５の制御リング１００（図３参照）としてもよい。制御リング１００を、上記実施例の構成を有するドライエッチング装置１０を含む種々の形式のドライエッチング装置に設置することによって、処理対象物に対するエッチングレートの低下を抑制するとともに、斜めにエッチングされるチルトの発生を抑制することができる。

すなわち、ドライエッチング処理において、導電性の第１リング１１０によって、プラズマ１５の存在する範囲を処理対象物より広げるとともに、絶縁性の第２リング１２０によってプラズマ１５の拡散を抑制することができる。したがって、処理対象物に対してより均一に密度分布させることができるとともに、プラズマ１５の拡散を抑制して処理対象物の範囲近傍内にプラズマ１５が存在するように制御することができる。また、第１リング１１０と第２リング１２０が密着していることから、第１リング１１０と第２リング１２０とを一体で扱うことができるので、カソード電極１２（ステージ）への設置作業が容易になる。

（第３変形例）
上記実施例では、図３（ｂ）に示すように、第１リング１１０の平坦面１１０ｓおよび第２リング１２０の平坦面１２０ｓは、ウエハーＷＦのエッチング対象となる面と凡そレベルが一致する同一面で設置されていることとしたが、特にこれに限るものでないことは勿論である。本変形例の制御リング１００の一例を図５に示した。図５は、図３（ｂ）に対応する図で、カソード電極１２に設置された本変形例の制御リング１００を示した断面図である。

まず図５（ａ）に示したように、本変形例では、第１リング１１０の平坦面１１０ｓよりも、第２リング１２０の平坦面１２０ｓが、ステージであるカソード電極１２から遠い位置になるように制御リング１００が形成されている。従って、絶縁性の第２リング１２０はプラズマ（不図示）を、ウエハーＷＦと第１リング１１０の領域であるエッチング領域外に広がらないように抑制する効果が大きくなることが期待できる。この結果、エッチングレートの低下をさらに抑制できる可能性がある。

また、図５（ｂ）に示したように、本変形例を更に変形した例として、第２リング１２０の平坦面１２０ｓが、第１リング１１０の平坦面１１０ｓよりもステージであるカソード電極１２から遠い位置であって、ウエハーＷＦのエッチング面に対して外周が高くなる斜めの面になっている制御リング１００としてもよい。このように、平坦面１２０ｓを斜めに傾けることによって、プラズマの拡散を抑制するとともに、エッチング領域におけるプラズマの形成状態を調節することができる可能性がある。従って、絶縁性の第２リング１２０は、ウエハーＷＦのエッチング領域におけるエッチングレートの低下をさらに抑制できる可能性がある。

（第４変形例）
上記実施例では、図３（ｂ）に示すように、第２リング１２０は第１リング１１０の外周と密着した状態で設置されていることとしたが、特にこれに限るものでないことは勿論である。本変形例の制御リング１００の一例を図６に示した。図６は、図３（ｂ）に対応する図で、カソード電極１２に設置された本変形例の制御リング１００を示した断面図である。

図示するように、本変形例の制御リングは、第２リング１２０が、内周が第１リング１１０の外周と密着せず、所定の隙間Ｇを有して設置されている。こうすれば、上記実施例において説明したように、ウエハーＷＦのエッチングと同時にエッチングされる可能性が高い第１リング１１０を、単独でメンテナンスすることが容易である。なお、隙間Ｇは、大きくなるとプラズマの拡散領域が大きくなるためエッチングレートが低くなることが想定される。従って、隙間Ｇは、実際にエッチングレートの低下が実用上問題ない範囲において設定することが好ましい。

（第５変形例）
上記実施例では、図３（ｂ）に示すように、第１リング１１０および第２リング１２０の幅、つまりウエハーＷＦのエッチング面と沿う方向における寸法は、凡そ同じであるものとしているが、特にこれに限るものでないことは勿論である。本変形例の制御リング１００の一例を図７に示した。図７は、図３（ｂ）に対応する図で、カソード電極１２に設置された本変形例の制御リング１００を示した断面図である。

まず図７（ａ）に示したように、ウエハーＷＦの端部から第１リング１１０の外周までの幅Ｈ１が、第２リング１２０の幅Ｈ２よりも広くなるように制御リング１００が形成されていることとしてもよい。こうすれば、制御リング１００は、図示しないプラズマをウエハーＷＦの領域よりも大きな広がりで形成するので、チルトの発生の抑制効果が大きくなることが期待できる。一方、図７（ｂ）に示したように、第２リング１２０の幅Ｈ２が、ウエハーＷＦの端部から第１リング１１０の外周までの幅Ｈ１よりも広くなるように制御リング１００が形成されていることとしてもよい。こうすれば、制御リング１００は、図示しないプラズマをウエハーＷＦの領域に多く存在するように形成するので、エッチングレートの低下の抑制効果が大きくなることが期待できる。

もとより、本変形例では、実際に生じているエッチングレートの低下およびチルトの発生に応じて、ウエハーＷＦの端部から第１リング１１０の外周までの幅Ｈ１と第２リング１２０の幅Ｈ２について、それぞれの寸法を適切に設定することが好ましい。

１０…ドライエッチング装置、１１…処理室、１２…カソード電極、１３…アノード電極、１３Ｈ…ピンホール、１４…高周波電源、１５…プラズマ、１００…制御リング、１００ａ…制御リング、１０１…絶縁体リング、１０２…導体リング、１１０…第１リング、１１０ｓ…平坦面、１２０…第２リング、１２０ｓ…平坦面、ＷＦ…ウエハー。

Claims (6)

1. 処理室内に処理対象物が置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化して前記処理対象物にエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、
   前記処理対象物を取り囲むように外側に設置され、導電性材料からなる環状の第１リングと、
   前記第１リングを取り囲むように外側に設置され、絶縁性材料からなる環状の第２リングと、
   を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
2. 請求項１に記載のドライエッチング装置であって、
   前記第１リングは、導電性を有する金属を材料として形成されていることを特徴とするドライエッチング装置。
3. 請求項１または２に記載のドライエッチング装置であって、
   前記第１リングと前記第２リングとは密着して設置されていることを特徴とするドライエッチング装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載のドライエッチング装置であって、
   前記第１リングおよび前記第２リングはそれぞれ平坦面を有し、
   前記第２リングの平坦面は、前記第１リングの平坦面よりも、前記処理対象物が置かれるステージから遠い位置に形成されていることを特徴とするドライエッチング装置。
5. 半導体ウエハーに所定のエッチング処理が施された半導体装置の製造方法であって、
   請求項１ないし４のいずれか一項に記載のドライエッチング装置を用い、
   前記処理対象物として前記半導体ウエハーを前記処理室内に置くことによって、前記半導体ウエハーに前記所定のエッチング処理を施す工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. ドライエッチング装置の処理室内に処理対象物が置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化して前記処理対象物にエッチング処理を施す際に、前記プラズマ化された反応ガスを制御する制御リングであって、
   導電性材料からなる環状の第１リングと、
   前記第１リングを取り囲むように外側に設置され、絶縁性材料からなる環状の第２リングと、を備えたことを特徴とする制御リング。

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