JP2018037456A5 - - Google Patents
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Description
本発明の一態様である気相成長方法は、
反応室内に設けられた支持部に基板を載置し、
回転軸を中心に１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転速度で支持部とともに基板を回転させながら、反応室上方より基板上に有機金属を含有する原料ガスを供給し、基板上の基板中心から少なくとも６０ｍｍまでの領域にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を成長させる。
反応室内に設けられた支持部に基板を載置し、
回転軸を中心に１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転速度で支持部とともに基板を回転させながら、反応室上方より基板上に有機金属を含有する原料ガスを供給し、基板上の基板中心から少なくとも６０ｍｍまでの領域にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を成長させる。
上述の気相成長方法において、
ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、Ａｌを含んでもよい。
ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、Ａｌを含んでもよい。
Claims (5)
- 反応室内に設けられた支持部に基板を載置し、
回転軸を中心に１３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の回転速度で前記支持部とともに前記基板を回転させながら、前記反応室上方より前記基板上に有機金属を含有する原料ガスを供給し、前記基板上の基板中心から少なくとも６０ｍｍまでの領域にＩＩＩ−Ｖ族半導体層を成長させることを特徴とする気相成長方法。 - 前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、Ａｌを含むことを特徴とする請求項１に記載の気相成長方法。
- 前記原料ガスは、トリメチルアルミニウムを含有する第１の原料ガスと、トリメチルガリウムを含有する第２の原料ガスと、アンモニアガスを含む第３の原料ガスを含むことを特徴とする請求項２に記載の気相成長方法。
- 前記原料ガスを混合した後、前記反応室内に供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の気相成長方法。
- 前記基板の回転速度は、１５００ｒｐｍ以上１７００ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の気相成長方法。
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