JPH07263523A - ウェーハ載置台 - Google Patents
ウェーハ載置台Info
- Publication number
- JPH07263523A JPH07263523A JP5373294A JP5373294A JPH07263523A JP H07263523 A JPH07263523 A JP H07263523A JP 5373294 A JP5373294 A JP 5373294A JP 5373294 A JP5373294 A JP 5373294A JP H07263523 A JPH07263523 A JP H07263523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- hole
- pin
- push
- base member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】腐食、汚染等の原因となる反応性ガス、反応生
成物、汚染物質等が漏れるのを防止することができ、特
に、連続式常圧ＣＶＤ装置用のＳｉＣトレーに適用して
有効なウェーハ載置台の提供。 【構成】ウェーハ載置面と、上方に向かって拡径された
上部開口部から貫通する貫通孔とを有する基台部材と、
前記基台部材の下部に配置されるウェーハ突き上げピン
と、ウェーハ支持面を有し、前記貫通孔の上部開口部の
形状に対応して形成された貫通孔閉塞部と、該貫通孔閉
塞部の下部に連設され、前記貫通孔に遊嵌された支持杆
部とを有し、前記突き上げピンの先端が挿入される中空
部が内設されたウェーハ支持部材と、が配設されてなる
ウェーハ載置台。
成物、汚染物質等が漏れるのを防止することができ、特
に、連続式常圧ＣＶＤ装置用のＳｉＣトレーに適用して
有効なウェーハ載置台の提供。 【構成】ウェーハ載置面と、上方に向かって拡径された
上部開口部から貫通する貫通孔とを有する基台部材と、
前記基台部材の下部に配置されるウェーハ突き上げピン
と、ウェーハ支持面を有し、前記貫通孔の上部開口部の
形状に対応して形成された貫通孔閉塞部と、該貫通孔閉
塞部の下部に連設され、前記貫通孔に遊嵌された支持杆
部とを有し、前記突き上げピンの先端が挿入される中空
部が内設されたウェーハ支持部材と、が配設されてなる
ウェーハ載置台。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ載置台に関
し、特に、腐食、汚染等の原因となる反応性ガス、反応
生成物、汚染物質等が漏れるのを防止することができ、
特に、連続式常圧ＣＶＤ装置用のＳｉＣトレーに適用し
て有効なウェーハ載置台に関する。
し、特に、腐食、汚染等の原因となる反応性ガス、反応
生成物、汚染物質等が漏れるのを防止することができ、
特に、連続式常圧ＣＶＤ装置用のＳｉＣトレーに適用し
て有効なウェーハ載置台に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
基板（ウェーハ）は、各種の台、トレー等の上に載置さ
れて処理に供される。例えば、枚葉式ＣＶＤ装置におい
ては、ベルジャー内にウェーハを載置するために、ウェ
ーハ載置台が設置されている。特に、図５に示す連続式
常圧ＣＶＤ装置４１においては、ウェーハを上部に載置
して装置に供給するために、図７（Ａ）および（Ｂ）に
示すＳｉＣ製のトレー（以下、「ＳｉＣトレー」とい
う）５１が用いられている。連続式常圧ＣＶＤ装置４１
において、このＳｉＣ製トレー２１を複数個、直列に配
列し、各ＳｉＣ製トレー２１上にウェーハを載置して、
これを駆動機構（図示せず）によってベルトコンベアー
式に連続的に装置内に供給して処理することができる。
この装置において、ＳｉＣトレーは、図６に示すよう
に、下部に配設されたヒーター４５によって所定の温度
に加熱されながら、装置内を通って処理される。
基板（ウェーハ）は、各種の台、トレー等の上に載置さ
れて処理に供される。例えば、枚葉式ＣＶＤ装置におい
ては、ベルジャー内にウェーハを載置するために、ウェ
ーハ載置台が設置されている。特に、図５に示す連続式
常圧ＣＶＤ装置４１においては、ウェーハを上部に載置
して装置に供給するために、図７（Ａ）および（Ｂ）に
示すＳｉＣ製のトレー（以下、「ＳｉＣトレー」とい
う）５１が用いられている。連続式常圧ＣＶＤ装置４１
において、このＳｉＣ製トレー２１を複数個、直列に配
列し、各ＳｉＣ製トレー２１上にウェーハを載置して、
これを駆動機構（図示せず）によってベルトコンベアー
式に連続的に装置内に供給して処理することができる。
この装置において、ＳｉＣトレーは、図６に示すよう
に、下部に配設されたヒーター４５によって所定の温度
に加熱されながら、装置内を通って処理される。
【０００３】このＳｉＣトレー５１は、図７（Ａ）およ
び（Ｂ）に示すように、基台５２に載置されるウェーハ
を突き上げるための突き上げピン５４が挿通される孔５
５が少なくとも３つ穿設されているものである。このＳ
ｉＣトレー５１においては、図８に示すように、孔５５
を貫通して、基台５２の上方に突き出される突き上げピ
ン５４の先端５６1 、５６2 および５６3 の上に、ウェ
ーハ５３を載置した後、突き上げピン５４を下降させ
て、ウェーハ５３を基台５２の上面に載置することがで
きる。このウェーハを載置したＳｉＣトレーを連続式常
圧ＣＶＤ装置内に順次供給することにより、ウェーハの
処理を連続して行うことができる。また、処理後、装置
から送出されてくるＳｉＣトレーにおいては、ウェーハ
突き上げピン５４を上昇させることにより、ウェーハを
基台より上に持ち上げ、その下面を保持して後段の工程
に移送することができる。
び（Ｂ）に示すように、基台５２に載置されるウェーハ
を突き上げるための突き上げピン５４が挿通される孔５
５が少なくとも３つ穿設されているものである。このＳ
ｉＣトレー５１においては、図８に示すように、孔５５
を貫通して、基台５２の上方に突き出される突き上げピ
ン５４の先端５６1 、５６2 および５６3 の上に、ウェ
ーハ５３を載置した後、突き上げピン５４を下降させ
て、ウェーハ５３を基台５２の上面に載置することがで
きる。このウェーハを載置したＳｉＣトレーを連続式常
圧ＣＶＤ装置内に順次供給することにより、ウェーハの
処理を連続して行うことができる。また、処理後、装置
から送出されてくるＳｉＣトレーにおいては、ウェーハ
突き上げピン５４を上昇させることにより、ウェーハを
基台より上に持ち上げ、その下面を保持して後段の工程
に移送することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のウ
ェーハ載置台、特に、連続式常圧ＣＶＤ装置に用いられ
るＳｉＣトレーには、１群のウェーハが、順次載置され
て連続式常圧ＣＶＤ装置内に供給されるが、その際に、
先頭のウェーハが載置されているＳｉＣトレーの前、お
よび最後のウェーハが載置されているＳｉＣトレーの後
には、ウェーハが載置されていないＳｉＣトレーが装置
内に供給されることがある。このとき、従来のＳｉＣト
レーでは、孔５５が閉塞されていないため、上部の装置
内から反応性ガス、あるいは反応生成物、汚染物質等
が、孔を通じて、基台部材の下部に漏れるのを防止する
ことができず、腐食、汚染等の原因となる。また、孔５
５が閉塞されていないため、下部のヒーター４５の加熱
によって基台の下部から孔５５を通じて、図６に示すよ
うに、装置内に加熱気体等が吹き込まれたり、あるいは
装置内の温度分布、反応性ガス、雰囲気流の流れを乱す
ことを防止することができ、有効である。そのため、１
群のウェーハ５３を順次ＳｉＣトレーに載置して装置内
に供給したとき、先頭および最後部のウェーハの成膜処
理にバラツキを生じるという問題があった。
ェーハ載置台、特に、連続式常圧ＣＶＤ装置に用いられ
るＳｉＣトレーには、１群のウェーハが、順次載置され
て連続式常圧ＣＶＤ装置内に供給されるが、その際に、
先頭のウェーハが載置されているＳｉＣトレーの前、お
よび最後のウェーハが載置されているＳｉＣトレーの後
には、ウェーハが載置されていないＳｉＣトレーが装置
内に供給されることがある。このとき、従来のＳｉＣト
レーでは、孔５５が閉塞されていないため、上部の装置
内から反応性ガス、あるいは反応生成物、汚染物質等
が、孔を通じて、基台部材の下部に漏れるのを防止する
ことができず、腐食、汚染等の原因となる。また、孔５
５が閉塞されていないため、下部のヒーター４５の加熱
によって基台の下部から孔５５を通じて、図６に示すよ
うに、装置内に加熱気体等が吹き込まれたり、あるいは
装置内の温度分布、反応性ガス、雰囲気流の流れを乱す
ことを防止することができ、有効である。そのため、１
群のウェーハ５３を順次ＳｉＣトレーに載置して装置内
に供給したとき、先頭および最後部のウェーハの成膜処
理にバラツキを生じるという問題があった。
【０００５】そこで本発明の目的は、腐食、汚染等の原
因となる反応性ガス、反応生成物、汚染物質等が漏れる
のを防止することができるウェーハ載置台を提供するこ
とにある。
因となる反応性ガス、反応生成物、汚染物質等が漏れる
のを防止することができるウェーハ載置台を提供するこ
とにある。
【０００６】また、本発明の第２の目的は、特に、連続
式常圧ＣＶＤ装置に適用して、腐食、汚染等の原因とな
る反応性ガス、反応生成物、汚染物質等が漏れるのを防
止するとともに、下部のヒーターの加熱によって、装置
内に加熱気体等が吹き込まれたり、あるいは装置内の温
度分布、反応性ガス、雰囲気流の流れを乱すことを防止
することができ、１群のウェーハを順次ＳｉＣトレーに
載置して装置内に供給したとき、先頭および最後部のウ
ェーハの成膜処理にバラツキを生じるのを防止すること
ができるウェーハ載置台を提供することにある。
式常圧ＣＶＤ装置に適用して、腐食、汚染等の原因とな
る反応性ガス、反応生成物、汚染物質等が漏れるのを防
止するとともに、下部のヒーターの加熱によって、装置
内に加熱気体等が吹き込まれたり、あるいは装置内の温
度分布、反応性ガス、雰囲気流の流れを乱すことを防止
することができ、１群のウェーハを順次ＳｉＣトレーに
載置して装置内に供給したとき、先頭および最後部のウ
ェーハの成膜処理にバラツキを生じるのを防止すること
ができるウェーハ載置台を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、上部平面に形成されたウェーハ載置面
と、上方に向かって拡径された上部開口部から底部まで
貫通する少なくとも３つの貫通孔とを有する基台部材
と、前記少なくとも３つの貫通孔のそれぞれに対応し
て、前記基台部材の下部に配置されるウェーハ突き上げ
ピンと、上部に平坦なウェーハ支持面を有し、前記貫通
孔の上部開口部の形状に対応して上方に拡径して形成さ
れた貫通孔閉塞部と、該貫通孔閉塞部の下部に連設さ
れ、前記貫通孔に遊嵌された支持杆部とを有し、前記突
き上げピンの先端が挿入される中空部が内設されたウェ
ーハ支持部材と、が配設され、前記ウェーハ突き上げピ
ンが上昇したときには、該ウェーハ突き上げピンの先端
が前記中空部に挿入され、下部からウェーハ支持部材を
上方に突き上げて、ウェーハ載置面上に載置されたウェ
ーハをウェーハ支持部材のウェーハ支持面に載せて突き
上げ、ウェーハ突き上げピンが下降しているときには貫
通孔閉塞部の外周面と貫通孔の上部開口部の内面とが当
接して貫通孔が閉塞されるようにしてなるウェーハ載置
台を提供するものである。
に、本発明は、上部平面に形成されたウェーハ載置面
と、上方に向かって拡径された上部開口部から底部まで
貫通する少なくとも３つの貫通孔とを有する基台部材
と、前記少なくとも３つの貫通孔のそれぞれに対応し
て、前記基台部材の下部に配置されるウェーハ突き上げ
ピンと、上部に平坦なウェーハ支持面を有し、前記貫通
孔の上部開口部の形状に対応して上方に拡径して形成さ
れた貫通孔閉塞部と、該貫通孔閉塞部の下部に連設さ
れ、前記貫通孔に遊嵌された支持杆部とを有し、前記突
き上げピンの先端が挿入される中空部が内設されたウェ
ーハ支持部材と、が配設され、前記ウェーハ突き上げピ
ンが上昇したときには、該ウェーハ突き上げピンの先端
が前記中空部に挿入され、下部からウェーハ支持部材を
上方に突き上げて、ウェーハ載置面上に載置されたウェ
ーハをウェーハ支持部材のウェーハ支持面に載せて突き
上げ、ウェーハ突き上げピンが下降しているときには貫
通孔閉塞部の外周面と貫通孔の上部開口部の内面とが当
接して貫通孔が閉塞されるようにしてなるウェーハ載置
台を提供するものである。
【０００８】以下、本発明のウェーハ載置台について、
図１〜６に基づいて詳細に説明する。
図１〜６に基づいて詳細に説明する。
【０００９】図１〜３は、本発明のウェーハ載置台の一
実施態様を示し、図１および図２（Ａ）に示すように、
このウェーハ載置台１は、ウェーハを上面に載置する基
台部材２と、ウェーハを突き上げるためのウェーハ突き
上げピン３と、基台部材２に穿設される貫通孔４に遊嵌
されるウェーハ支持部材５とから基本的に構成される。
実施態様を示し、図１および図２（Ａ）に示すように、
このウェーハ載置台１は、ウェーハを上面に載置する基
台部材２と、ウェーハを突き上げるためのウェーハ突き
上げピン３と、基台部材２に穿設される貫通孔４に遊嵌
されるウェーハ支持部材５とから基本的に構成される。
【００１０】基台部材２は、その上部平面に形成された
ウェーハ載置面６と、図２（Ａ）に示すように、上部開
口部７から底部８まで貫通する貫通孔４を少なくとも３
つ有するものである。ウェーハ載置面６は、その上にウ
ェーハを載置するために平滑に形成される。また、前記
貫通孔４の上部開口部７は、上方に向かって拡径された
形状をなし、後記のウェーハ支持部材５の貫通孔閉塞部
と対応して、上部開口部７の内面と貫通孔閉塞部の外周
面とが当接して貫通孔４を閉塞できるように形成され
る。この上部開口部７は、上方に拡径した形態であれ
ば、いずれの形態に形成されていてもよく、例えば、逆
円錐台状、角錐台状、皿状等の形態が挙げられる。
ウェーハ載置面６と、図２（Ａ）に示すように、上部開
口部７から底部８まで貫通する貫通孔４を少なくとも３
つ有するものである。ウェーハ載置面６は、その上にウ
ェーハを載置するために平滑に形成される。また、前記
貫通孔４の上部開口部７は、上方に向かって拡径された
形状をなし、後記のウェーハ支持部材５の貫通孔閉塞部
と対応して、上部開口部７の内面と貫通孔閉塞部の外周
面とが当接して貫通孔４を閉塞できるように形成され
る。この上部開口部７は、上方に拡径した形態であれ
ば、いずれの形態に形成されていてもよく、例えば、逆
円錐台状、角錐台状、皿状等の形態が挙げられる。
【００１１】ウェーハ突き上げピン３は、図２（Ａ）に
示すように、基台部材２に穿設される少なくとも３つの
貫通孔４のそれぞれに対応して配置され、かつ上下動可
能に構成される。このウェーハ突き上げピン３は、図２
（Ｂ）に示すように、ウェーハをウェーハ載置面６から
突き上げる際に、先端部９が、基台部材２の貫通孔４に
遊嵌されたウェーハ支持部材５の中空部１０に挿入され
るように配置される。
示すように、基台部材２に穿設される少なくとも３つの
貫通孔４のそれぞれに対応して配置され、かつ上下動可
能に構成される。このウェーハ突き上げピン３は、図２
（Ｂ）に示すように、ウェーハをウェーハ載置面６から
突き上げる際に、先端部９が、基台部材２の貫通孔４に
遊嵌されたウェーハ支持部材５の中空部１０に挿入され
るように配置される。
【００１２】また、図２（Ａ）に示すように、ウェーハ
支持部材５は、前記貫通孔４の上部開口部７の形状に対
応して上方に拡径して形成された貫通孔閉塞部１１と、
該貫通孔閉塞部１１の下部に連設され、前記貫通孔４に
遊嵌される支持杆部１２とを有するものである。このウ
ェーハ支持部材５は、前記少なくとも３つの貫通孔４の
それぞれに対応して配設される。
支持部材５は、前記貫通孔４の上部開口部７の形状に対
応して上方に拡径して形成された貫通孔閉塞部１１と、
該貫通孔閉塞部１１の下部に連設され、前記貫通孔４に
遊嵌される支持杆部１２とを有するものである。このウ
ェーハ支持部材５は、前記少なくとも３つの貫通孔４の
それぞれに対応して配設される。
【００１３】貫通孔閉塞部１１は、上部に平坦なウェー
ハ支持面１３を有し、前記貫通孔の上部開口部の形状に
対応して上方に拡径して形成され、ウェーハ突き上げピ
ン３によって突き上げられていないときには、貫通孔４
の上部開口部７に当接して貫通孔４を閉塞するものであ
る。また、ウェーハ支持面１３は、貫通孔閉塞部１１
が、貫通孔４を閉塞しているときは、基台部材２のウェ
ーハ載置面６と面一になるように形成されている。
ハ支持面１３を有し、前記貫通孔の上部開口部の形状に
対応して上方に拡径して形成され、ウェーハ突き上げピ
ン３によって突き上げられていないときには、貫通孔４
の上部開口部７に当接して貫通孔４を閉塞するものであ
る。また、ウェーハ支持面１３は、貫通孔閉塞部１１
が、貫通孔４を閉塞しているときは、基台部材２のウェ
ーハ載置面６と面一になるように形成されている。
【００１４】さらに、ウェーハ支持部材５の内部には、
前記突き上げピン３の先端が挿入される中空部１４が内
設されている。この中空部１４は、挿入される突き上げ
ピン３の先端に対応して適宜形成される。
前記突き上げピン３の先端が挿入される中空部１４が内
設されている。この中空部１４は、挿入される突き上げ
ピン３の先端に対応して適宜形成される。
【００１５】このウェーハ載置台１において、ウェーハ
支持部材５は、突き上げピン３が下部にあるときには、
貫通孔閉塞部１１の外周面が貫通孔４の上部開口部７の
内面と当接して係止され、支持杆部１２は、貫通孔４の
下部に遊嵌されている。ウェーハ突き上げピン３が上方
に突き上げられ、その先端部９がウェーハ支持部材５の
中空部１４に挿入されたときは、ウェーハ支持部材５
は、上方に突き上げられる。
支持部材５は、突き上げピン３が下部にあるときには、
貫通孔閉塞部１１の外周面が貫通孔４の上部開口部７の
内面と当接して係止され、支持杆部１２は、貫通孔４の
下部に遊嵌されている。ウェーハ突き上げピン３が上方
に突き上げられ、その先端部９がウェーハ支持部材５の
中空部１４に挿入されたときは、ウェーハ支持部材５
は、上方に突き上げられる。
【００１６】このウェーハ載置台１にウェーハを載置す
るときは、図３に示すように、ウェーハ突き上げピン３
1 、３2 および３3 によって、ウェーハ支持部材５1 、
５2および５3 を上方に突き上げ、各ウェーハ支持部材
５1 、５2 および５3 のウェーハ支持面１３1 、１３2
および１３3 の上に、ウェーハ１５を載置した後、ウェ
ーハ突き上げピン３1 、３2 および３3 を下降させ、ウ
ェーハ支持面１３1 、１３2 および１３3 を下降させる
ことによって、基台部材２のウェーハ載置面６上にウェ
ーハ１５を載置することができる。また、ウェーハの処
理完了後、ウェーハ１５をウェーハ載置台１から取り去
るときは、前記と逆の動作によってウェーハ載置台２か
らウェーハ１５を取り去ることができる。このウェーハ
１５の載置または取り去りに際して、ウェーハ支持部材
５1 、５2 および５3 によって突き上げられたウェーハ
１５の下面と、基台部材２のウェーハ載置面６との間の
距離は、このウェーハ１５の下面と、基台部材２のウェ
ーハ載置面６との間に差し入れてウェーハ１５を保持し
て移送する部材が、差し入れられるように、ウェーハ突
き上げピン３1 、３2 および３3 の突き上げストロー
ク、中空部１４の深さ等が適宜選択される。
るときは、図３に示すように、ウェーハ突き上げピン３
1 、３2 および３3 によって、ウェーハ支持部材５1 、
５2および５3 を上方に突き上げ、各ウェーハ支持部材
５1 、５2 および５3 のウェーハ支持面１３1 、１３2
および１３3 の上に、ウェーハ１５を載置した後、ウェ
ーハ突き上げピン３1 、３2 および３3 を下降させ、ウ
ェーハ支持面１３1 、１３2 および１３3 を下降させる
ことによって、基台部材２のウェーハ載置面６上にウェ
ーハ１５を載置することができる。また、ウェーハの処
理完了後、ウェーハ１５をウェーハ載置台１から取り去
るときは、前記と逆の動作によってウェーハ載置台２か
らウェーハ１５を取り去ることができる。このウェーハ
１５の載置または取り去りに際して、ウェーハ支持部材
５1 、５2 および５3 によって突き上げられたウェーハ
１５の下面と、基台部材２のウェーハ載置面６との間の
距離は、このウェーハ１５の下面と、基台部材２のウェ
ーハ載置面６との間に差し入れてウェーハ１５を保持し
て移送する部材が、差し入れられるように、ウェーハ突
き上げピン３1 、３2 および３3 の突き上げストロー
ク、中空部１４の深さ等が適宜選択される。
【００１７】この図１に示す円盤状の基台部材１を有す
るウェーハ載置台は、枚葉式ＣＶＤ装置、バッチ式ＣＶ
Ｄ装置、ドライエッチング装置等の処理装置内に設置し
て、処理対象であるウェーハを載置する載置台として使
用すると、有効である。例えば、貫通孔閉塞部１１によ
って貫通孔４が閉塞され、内部機器の腐食、汚染等の原
因となる反応性ガス、あるいは処理によって生成する反
応生成物、汚染物質が、基台部材２の貫通孔４を通って
基台部材２の下部に侵入するのを防止することができる
ため、有効である。
るウェーハ載置台は、枚葉式ＣＶＤ装置、バッチ式ＣＶ
Ｄ装置、ドライエッチング装置等の処理装置内に設置し
て、処理対象であるウェーハを載置する載置台として使
用すると、有効である。例えば、貫通孔閉塞部１１によ
って貫通孔４が閉塞され、内部機器の腐食、汚染等の原
因となる反応性ガス、あるいは処理によって生成する反
応生成物、汚染物質が、基台部材２の貫通孔４を通って
基台部材２の下部に侵入するのを防止することができる
ため、有効である。
【００１８】また、本発明のウェーハ載置台の好適な実
施態様として、連続式常圧ＣＶＤ装置におけるウェーハ
載置台として用いられる、図４（Ａ）および（Ｂ）に示
すＳｉＣ製のトレー２１が挙げられる。このＳｉＣトレ
ー２１は、図４（Ａ）および（Ｂ）に示すとおり、角板
状の基台部材２２と、ウェーハを突き上げるためのウェ
ーハ突き上げピン２３と、基台部材２２に穿設される貫
通孔２４に遊嵌されるウェーハ支持部材２５とから基本
的に構成される。
施態様として、連続式常圧ＣＶＤ装置におけるウェーハ
載置台として用いられる、図４（Ａ）および（Ｂ）に示
すＳｉＣ製のトレー２１が挙げられる。このＳｉＣトレ
ー２１は、図４（Ａ）および（Ｂ）に示すとおり、角板
状の基台部材２２と、ウェーハを突き上げるためのウェ
ーハ突き上げピン２３と、基台部材２２に穿設される貫
通孔２４に遊嵌されるウェーハ支持部材２５とから基本
的に構成される。
【００１９】基台部材２２は、その上部平面に形成され
たウェーハ載置面２６と、図４（Ｂ）に示すように、上
部開口部２７から底部２８まで貫通する貫通孔２４を少
なくとも３つ有するものである。ウェーハ載置面２６
は、その上にウェーハを載置するために平滑に形成され
る。また、前記貫通孔２４の上部開口部２７は、上方に
向かって拡径された形状をなし、後記のウェーハ支持部
材２５の貫通孔閉塞部と対応して、上部開口部２７の内
面と貫通孔閉塞部の外周面とが当接して貫通孔２４を閉
塞できるように形成される。この上部開口部２７は、上
方に拡径した形態であれば、いずれの形態に形成されて
いてもよく、例えば、逆円錐台状、角錐台状、皿状等の
形態が挙げられる。
たウェーハ載置面２６と、図４（Ｂ）に示すように、上
部開口部２７から底部２８まで貫通する貫通孔２４を少
なくとも３つ有するものである。ウェーハ載置面２６
は、その上にウェーハを載置するために平滑に形成され
る。また、前記貫通孔２４の上部開口部２７は、上方に
向かって拡径された形状をなし、後記のウェーハ支持部
材２５の貫通孔閉塞部と対応して、上部開口部２７の内
面と貫通孔閉塞部の外周面とが当接して貫通孔２４を閉
塞できるように形成される。この上部開口部２７は、上
方に拡径した形態であれば、いずれの形態に形成されて
いてもよく、例えば、逆円錐台状、角錐台状、皿状等の
形態が挙げられる。
【００２０】ウェーハ突き上げピン２３は、図４（Ｂ）
に示すように、基台部材２２に穿設される少なくとも３
つの貫通孔２４のそれぞれに対応して配置され、かつ上
下動可能に構成される。このウェーハ突き上げピン２３
は、図４（Ｂ）に示すように、ウェーハをウェーハ載置
面２６から突き上げる際に、先端部２９が、基台部材２
２の貫通孔２４に遊嵌されたウェーハ支持部材２５の中
空部３０に挿入されるように配置される。
に示すように、基台部材２２に穿設される少なくとも３
つの貫通孔２４のそれぞれに対応して配置され、かつ上
下動可能に構成される。このウェーハ突き上げピン２３
は、図４（Ｂ）に示すように、ウェーハをウェーハ載置
面２６から突き上げる際に、先端部２９が、基台部材２
２の貫通孔２４に遊嵌されたウェーハ支持部材２５の中
空部３０に挿入されるように配置される。
【００２１】また、図４（Ｂ）に示すように、ウェーハ
支持部材２５は、前記貫通孔２４の上部開口部２７の形
状に対応して上方に拡径して形成された貫通孔閉塞部３
１と、該貫通孔閉塞部３１の下部に連設され、前記貫通
孔２４に遊嵌される支持杆部３２とを有するものであ
る。このウェーハ支持部材２５は、前記少なくとも３つ
の貫通孔２４のそれぞれに対応して配設される。
支持部材２５は、前記貫通孔２４の上部開口部２７の形
状に対応して上方に拡径して形成された貫通孔閉塞部３
１と、該貫通孔閉塞部３１の下部に連設され、前記貫通
孔２４に遊嵌される支持杆部３２とを有するものであ
る。このウェーハ支持部材２５は、前記少なくとも３つ
の貫通孔２４のそれぞれに対応して配設される。
【００２２】貫通孔閉塞部３１は、上部に平坦なウェー
ハ支持面３３を有し、前記貫通孔の上部開口部の形状に
対応して上方に拡径して形成され、ウェーハ突き上げピ
ン２３によって突き上げられていないときには、貫通孔
４の上部開口部２７に当接して貫通孔２４を閉塞するも
のである。また、ウェーハ支持面３３は、貫通孔閉塞部
３１が、貫通孔２４を閉塞しているときは、基台部材２
のウェーハ載置面２６と面一になるように形成されてい
る。
ハ支持面３３を有し、前記貫通孔の上部開口部の形状に
対応して上方に拡径して形成され、ウェーハ突き上げピ
ン２３によって突き上げられていないときには、貫通孔
４の上部開口部２７に当接して貫通孔２４を閉塞するも
のである。また、ウェーハ支持面３３は、貫通孔閉塞部
３１が、貫通孔２４を閉塞しているときは、基台部材２
のウェーハ載置面２６と面一になるように形成されてい
る。
【００２３】さらに、ウェーハ支持部材２５の内部に
は、前記突き上げピン２３の先端が挿入される中空部３
４が内設されている。この中空部３４は、挿入される突
き上げピン２３の先端に対応して適宜形成される。
は、前記突き上げピン２３の先端が挿入される中空部３
４が内設されている。この中空部３４は、挿入される突
き上げピン２３の先端に対応して適宜形成される。
【００２４】このＳｉＣトレー２１において、ウェーハ
支持部材２５は、突き上げピン２３が下部にあるときに
は、貫通孔閉塞部３１の外周面が貫通孔２４の上部開口
部２７の内面と当接して係止され、支持杆部３２は、貫
通孔２４の下部に遊嵌されている。ウェーハ突き上げピ
ン２３が上方に突き上げられ、その先端部２９がウェー
ハ支持部材２５の中空部３４に挿入されたときは、ウェ
ーハ支持部材２５は、上方に突き上げられる。
支持部材２５は、突き上げピン２３が下部にあるときに
は、貫通孔閉塞部３１の外周面が貫通孔２４の上部開口
部２７の内面と当接して係止され、支持杆部３２は、貫
通孔２４の下部に遊嵌されている。ウェーハ突き上げピ
ン２３が上方に突き上げられ、その先端部２９がウェー
ハ支持部材２５の中空部３４に挿入されたときは、ウェ
ーハ支持部材２５は、上方に突き上げられる。
【００２５】このＳｉＣトレー２１にウェーハを載置す
るときは、前記ＳｉＣトレー１と同様に、図３に示すよ
うに、ウェーハ突き上げピンによって、ウェーハ支持部
材を上方に突き上げ、各ウェーハ支持部材のウェーハ支
持面の上に、ウェーハを載置した後、ウェーハ突き上げ
ピンを下降させ、ウェーハ支持面を下降させることによ
って、基台部材のウェーハ載置面上にウェーハを載置す
ることができる。また、ウェーハの処理完了後、ウェー
ハをＳｉＣトレーから取り去るときは、前記と逆の動作
によってＳｉＣトレーからウェーハを取り去ることがで
きる。このウェーハの載置または取り去りに際して、ウ
ェーハ支持部材によって突き上げられたウェーハの下面
と、基台部材のウェーハ載置面との間の距離は、このウ
ェーハの下面と、基台部材のウェーハ載置面との間に差
し入れてウェーハを保持して移送する部材が、差し入れ
られるように、ウェーハ突き上げピンの突き上げストロ
ーク、中空部の深さ等が適宜選択される。
るときは、前記ＳｉＣトレー１と同様に、図３に示すよ
うに、ウェーハ突き上げピンによって、ウェーハ支持部
材を上方に突き上げ、各ウェーハ支持部材のウェーハ支
持面の上に、ウェーハを載置した後、ウェーハ突き上げ
ピンを下降させ、ウェーハ支持面を下降させることによ
って、基台部材のウェーハ載置面上にウェーハを載置す
ることができる。また、ウェーハの処理完了後、ウェー
ハをＳｉＣトレーから取り去るときは、前記と逆の動作
によってＳｉＣトレーからウェーハを取り去ることがで
きる。このウェーハの載置または取り去りに際して、ウ
ェーハ支持部材によって突き上げられたウェーハの下面
と、基台部材のウェーハ載置面との間の距離は、このウ
ェーハの下面と、基台部材のウェーハ載置面との間に差
し入れてウェーハを保持して移送する部材が、差し入れ
られるように、ウェーハ突き上げピンの突き上げストロ
ーク、中空部の深さ等が適宜選択される。
【００２６】このＳｉＣトレー２１は、連続式常圧ＣＶ
Ｄ装置において、ウェーハを連続的に供給して処理を行
うに際して、ウェーハを載置する載置台として有用であ
る。例えば、図５に示す連続式常圧ＣＶＤ装置４１にお
いて、このＳｉＣトレー２１を複数個、直列に配列し、
各ＳｉＣトレー２１上にウェーハを載置して、これを駆
動機構（図示せず）によってベルトコンベアー式に連続
的に装置内に供給して処理することができる。この連続
式常圧ＣＶＤ装置において、ウェーハを載置したＳｉＣ
トレー２１は、ガス排気部４２，４３，４４、ガスヘッ
ド部４６，４７を順次通って所定の処理が施される。こ
の処理工程において、ＳＣ製トレー２１は、図６に示す
ように、下部に配設されたヒーター４５によって所定の
温度に加熱されながら、装置内を通って処理される。こ
の装置において、１群のウェーハが、順次ＳｉＣトレー
２１に載置して連続式常圧ＣＶＤ装置内に供給される際
に、先頭のウェーハが載置されているＳｉＣトレーの
前、および最後のウェーハが載置されているＳｉＣトレ
ーの後には、ウェーハが載置されていないＳｉＣトレー
が装置内に供給されることになる。このとき、本発明の
ウェーハ載置台の好適実施態様である図４に示すＳｉＣ
トレーでは、ウェーハの載置、取り去りの際に、ウェー
ハを突き上げるために基台部材に穿設されている貫通孔
が閉塞されているため、上部の装置内から反応性ガス、
あるいは反応生成物、汚染物質等が、貫通孔を通じて、
基台部材の下部に侵入するのを防止することができるた
め、有効である。また、貫通孔が閉塞されているため、
下部のヒーター４５の加熱による基台部材の下部から貫
通孔を通じて、装置内に加熱気体等が吹き込まれたり、
あるいは装置内の温度分布、雰囲気流の流れを乱すこと
を防止することができ、有効である。そのため、１群の
ウェーハを順次ＳｉＣトレーに載置して装置内に供給し
たとき、先頭および最後部のウェーハの成膜処理にバラ
ツキを生じることを防止することができる。
Ｄ装置において、ウェーハを連続的に供給して処理を行
うに際して、ウェーハを載置する載置台として有用であ
る。例えば、図５に示す連続式常圧ＣＶＤ装置４１にお
いて、このＳｉＣトレー２１を複数個、直列に配列し、
各ＳｉＣトレー２１上にウェーハを載置して、これを駆
動機構（図示せず）によってベルトコンベアー式に連続
的に装置内に供給して処理することができる。この連続
式常圧ＣＶＤ装置において、ウェーハを載置したＳｉＣ
トレー２１は、ガス排気部４２，４３，４４、ガスヘッ
ド部４６，４７を順次通って所定の処理が施される。こ
の処理工程において、ＳＣ製トレー２１は、図６に示す
ように、下部に配設されたヒーター４５によって所定の
温度に加熱されながら、装置内を通って処理される。こ
の装置において、１群のウェーハが、順次ＳｉＣトレー
２１に載置して連続式常圧ＣＶＤ装置内に供給される際
に、先頭のウェーハが載置されているＳｉＣトレーの
前、および最後のウェーハが載置されているＳｉＣトレ
ーの後には、ウェーハが載置されていないＳｉＣトレー
が装置内に供給されることになる。このとき、本発明の
ウェーハ載置台の好適実施態様である図４に示すＳｉＣ
トレーでは、ウェーハの載置、取り去りの際に、ウェー
ハを突き上げるために基台部材に穿設されている貫通孔
が閉塞されているため、上部の装置内から反応性ガス、
あるいは反応生成物、汚染物質等が、貫通孔を通じて、
基台部材の下部に侵入するのを防止することができるた
め、有効である。また、貫通孔が閉塞されているため、
下部のヒーター４５の加熱による基台部材の下部から貫
通孔を通じて、装置内に加熱気体等が吹き込まれたり、
あるいは装置内の温度分布、雰囲気流の流れを乱すこと
を防止することができ、有効である。そのため、１群の
ウェーハを順次ＳｉＣトレーに載置して装置内に供給し
たとき、先頭および最後部のウェーハの成膜処理にバラ
ツキを生じることを防止することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明のウェーハ載置台は、腐食、汚染
等の原因となる反応性ガス、反応生成物、汚染物質等が
漏れるのを防止することができる。
等の原因となる反応性ガス、反応生成物、汚染物質等が
漏れるのを防止することができる。
【００２８】また、本発明は、特に、連続式常圧ＣＶＤ
装置に適用して、腐食、汚染等の原因となる反応性ガ
ス、反応生成物、汚染物質等が漏れるのを防止するとと
もに、下部のヒーターの加熱によって、装置内に加熱気
体等が吹き込まれたり、あるいは装置内の温度分布、反
応性ガス、雰囲気流の流れを乱すことを防止することが
でき、１群のウェーハを順次ＳｉＣトレーに載置して装
置内に供給したとき、先頭および最後部のウェーハの成
膜処理にバラツキを生じるのを防止することができる。
装置に適用して、腐食、汚染等の原因となる反応性ガ
ス、反応生成物、汚染物質等が漏れるのを防止するとと
もに、下部のヒーターの加熱によって、装置内に加熱気
体等が吹き込まれたり、あるいは装置内の温度分布、反
応性ガス、雰囲気流の流れを乱すことを防止することが
でき、１群のウェーハを順次ＳｉＣトレーに載置して装
置内に供給したとき、先頭および最後部のウェーハの成
膜処理にバラツキを生じるのを防止することができる。
【図１】 本発明のウェーハ載置台の一実施態様を説明
する模式図。
する模式図。
【図２】 本発明のウェーハ載置台の一実施態様におけ
る構造および動作を模式的に示す断面図。
る構造および動作を模式的に示す断面図。
【図３】 本発明のウェーハ載置台の動作を模式的に説
明する図。
明する図。
【図４】 本発明の好適実施態様である連続式常圧ＣＶ
Ｄ装置に用いるＳｉＣトレーを説明する図。
Ｄ装置に用いるＳｉＣトレーを説明する図。
【図５】 連続式常圧ＣＶＤ装置の構成例を示す図。
【図６】 従来のＳｉＣトレーを用いた場合の連続式常
圧ＣＶＤ装置における問題を説明する図。
圧ＣＶＤ装置における問題を説明する図。
【図７】 従来のＳｉＣトレーを説明する図。
【図８】 従来のＳｉＣトレーの動作を模式的に説明す
る図。
る図。
【符号の説明】 １ ウェーハ載置台 ２ 基台部材 ３，３1 ，３2 ，３3 ウェーハ突き上げピン ４ 貫通孔 ５，５1 ，５2 ，５3 ウェーハ支持部材 ６ ウェーハ載置面 ７ 上部開口部 ８ 底部 ９ 先端部 １１ 貫通孔閉塞部 １２ 支持杆部 １３，１３1 ，１３2 ，１３3 ウェーハ支持面 １４ 中空部 １５ ウェーハ ２１ ＳｉＣトレー ２２ 基台部材 ２３ ウェーハ突き上げピン ２４ 貫通孔 ２５ ウェーハ支持部材 ２６ ウェーハ載置面 ２７ 上部開口部 ２８ 底部 ２９ 先端部 ３１ 貫通孔閉塞部 ３２ 支持杆部 ３３ ウェーハ支持面 ３４ 中空部 ４１ 連続式常圧ＣＶＤ装置 ４２ ガス排気部 ４３ ガス排気部 ４４ ガス排気部 ４５ ヒーター ４６ ガスヘッド部 ４７ ガスヘッド部 ５１ ＳｉＣトレー ５２ 基台 ５３ ウェーハ ５４ 突き上げピン ５５ 孔 ５６1 ，５６2 ，５６3 先端
Claims (1)
- 【請求項１】上部平面に形成されたウェーハ載置面と、
上方に向かって拡径された上部開口部から底部まで貫通
する少なくとも３つの貫通孔とを有する基台部材と、 前記少なくとも３つの貫通孔のそれぞれに対応して、 前記基台部材の下部に配置されるウェーハ突き上げピン
と、 上部に平坦なウェーハ支持面を有し、前記貫通孔の上部
開口部の形状に対応して上方に拡径して形成された貫通
孔閉塞部と、該貫通孔閉塞部の下部に連設され、前記貫
通孔に遊嵌された支持杆部とを有し、前記突き上げピン
の先端が挿入される中空部が内設されたウェーハ支持部
材と、が配設され、 前記ウェーハ突き上げピンが上昇したときには、該ウェ
ーハ突き上げピンの先端が前記中空部に挿入され、下部
からウェーハ支持部材を上方に突き上げて、ウェーハ載
置面上に載置されたウェーハをウェーハ支持部材のウェ
ーハ支持面に載せて突き上げ、ウェーハ突き上げピンが
下降しているときには貫通孔閉塞部の外周面と貫通孔の
上部開口部の内面とが当接して貫通孔が閉塞されるよう
にしてなるウェーハ載置台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5373294A JP2821088B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | ウェーハ載置台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5373294A JP2821088B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | ウェーハ載置台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263523A true JPH07263523A (ja) | 1995-10-13 |
| JP2821088B2 JP2821088B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=12951010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5373294A Expired - Fee Related JP2821088B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | ウェーハ載置台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2821088B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145271A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ保持体 |
| JP2000012650A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Watanabe Shoko:Kk | 基体の移載装置 |
| WO2001084622A1 (fr) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Applied Materials Inc. | Dispositif de support de tranche, de dispositif de fabrication de semiconducteur |
| JP2002184706A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| WO2003034483A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme elevateur d'element a traiter et dispositif de traitement utilisant ce mecanisme |
| US6639188B2 (en) | 1999-11-30 | 2003-10-28 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| KR20040026427A (ko) * | 2002-09-24 | 2004-03-31 | 삼성전자주식회사 | 리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 |
| US7511814B2 (en) | 1999-06-15 | 2009-03-31 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| CN101819919A (zh) * | 2009-02-16 | 2010-09-01 | 佳能安内华股份有限公司 | 托盘、托盘支承构件以及真空处理设备 |
| WO2018010986A1 (de) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | Siltronic Ag | Vorrichtung zur handhabung einer halbleiterscheibe in einem epitaxie-reaktor und verfahren zur herstellung einer halbleiterscheibe mit epitaktischer schicht |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP5373294A patent/JP2821088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145271A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ保持体 |
| JP2000012650A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Watanabe Shoko:Kk | 基体の移載装置 |
| US7511814B2 (en) | 1999-06-15 | 2009-03-31 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| US8100147B2 (en) | 1999-06-15 | 2012-01-24 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| US7931945B2 (en) | 1999-06-15 | 2011-04-26 | Tokyo Electron Limited | Film forming method |
| US7894059B2 (en) | 1999-06-15 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | Film formation processing apparatus and method for determining an end-point of a cleaning process |
| US7515264B2 (en) | 1999-06-15 | 2009-04-07 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| US7667840B2 (en) | 1999-06-15 | 2010-02-23 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| US6639188B2 (en) | 1999-11-30 | 2003-10-28 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| US6917020B2 (en) | 1999-11-30 | 2005-07-12 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| WO2001084622A1 (fr) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Applied Materials Inc. | Dispositif de support de tranche, de dispositif de fabrication de semiconducteur |
| JP2002184706A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP4531247B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2010-08-25 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| WO2003034483A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme elevateur d'element a traiter et dispositif de traitement utilisant ce mecanisme |
| CN1331208C (zh) * | 2001-10-16 | 2007-08-08 | 东京毅力科创株式会社 | 被处理体的升降机构及使用它的处理装置 |
| KR20040026427A (ko) * | 2002-09-24 | 2004-03-31 | 삼성전자주식회사 | 리프트 핀 및 이를 이용한 기판 리프팅 방법 |
| CN101819919A (zh) * | 2009-02-16 | 2010-09-01 | 佳能安内华股份有限公司 | 托盘、托盘支承构件以及真空处理设备 |
| WO2018010986A1 (de) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | Siltronic Ag | Vorrichtung zur handhabung einer halbleiterscheibe in einem epitaxie-reaktor und verfahren zur herstellung einer halbleiterscheibe mit epitaktischer schicht |
| US11302565B2 (en) | 2016-07-13 | 2022-04-12 | Siltronic Ag | Device for handling a semiconductor wafer in an epitaxy reactor and method for producing a semiconductor wafer having an epitaxial layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2821088B2 (ja) | 1998-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6780251B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device | |
| US6676761B2 (en) | Method and apparatus for dechucking a substrate | |
| JP2821088B2 (ja) | ウェーハ載置台 | |
| JP2002057209A (ja) | 枚葉式処理装置および枚葉式処理方法 | |
| KR102058034B1 (ko) | 리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛 | |
| KR100976369B1 (ko) | 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼 보트 | |
| JP4518712B2 (ja) | トレイ式マルチチャンバー基板処理装置 | |
| WO2001031700A1 (fr) | Porte-plaquette et dispositif de croissance epitaxiale | |
| JP3357311B2 (ja) | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 | |
| JP2005223142A (ja) | 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置 | |
| JP2971818B2 (ja) | ウエハー熱処理装置 | |
| JPH0950967A (ja) | 被処理体の支持ボート | |
| JP2553078Y2 (ja) | 基板加熱装置 | |
| JPH0456146A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100558494B1 (ko) | 웨이퍼 리프팅 장치를 가진 반도체 제조설비 | |
| JP3777964B2 (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
| JPH1074814A (ja) | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 | |
| KR19990084603A (ko) | 반도체 제조장치의 웨이퍼 지지대 | |
| JPH0982648A (ja) | 縦型ボート | |
| JPH10242122A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| KR20070058169A (ko) | 웨이퍼 보트 | |
| KR20050040633A (ko) | 반도체 제조설비 | |
| KR19990009885U (ko) | 반도체 제조장치의 진공 테이블 | |
| KR20050042586A (ko) | 리프트핀 플레이트 | |
| JPH11111820A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980804 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |