TWI749320B - 熱處理裝置 - Google Patents

熱處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI749320B
TWI749320B TW108114870A TW108114870A TWI749320B TW I749320 B TWI749320 B TW I749320B TW 108114870 A TW108114870 A TW 108114870A TW 108114870 A TW108114870 A TW 108114870A TW I749320 B TWI749320 B TW I749320B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing container
heat
treatment device
heat treatment
item
Prior art date
Application number
TW108114870A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201947662A (zh
Inventor
山口達也
菊池康晃
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201947662A publication Critical patent/TW201947662A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI749320B publication Critical patent/TWI749320B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B23/00—Heating arrangements
    • F26B23/04—Heating arrangements using electric heating
    • F26B23/06—Heating arrangements using electric heating resistance heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

本發明之課題為提供一種可提高處理容器內的溫度穩定性之技術。
本揭示一樣態之熱處理裝置具有：縱長的處理容器；以及加熱裝置，係圍繞該處理容器般所設置，該加熱裝置具有：圓筒體狀的第1絕熱組件，係具有頂面，且下端呈開口；發熱體，係沿圓周方向而設置於該第1絕熱組件的內周側；以及第2絕熱組件，係沿該第1絕熱組件的圓周方向而配置在與該發熱體相鄰之位置處。

Description

熱處理裝置
本揭示關於一種熱處理裝置。
已知有一種對複數片基板總括地進行熱處理之批次式縱型熱處理裝置。 縱型熱處理裝置中，收納有基板之縱長的處理容器外周側係設置有圍繞處理容器般來加熱基板之加熱裝置。加熱裝置係於例如圓筒體狀絕熱層的內周側螺旋狀地捲繞形成有加熱線(參閱例如專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2012-39006號公報
本揭示係提供一種可提高處理容器內的溫度穩定性之技術。
本揭示一樣態之熱處理裝置具有：縱長的處理容器；以及加熱裝置，係圍繞該處理容器般所設置；該加熱裝置具有：圓筒體狀的第1絕熱組件，係具有頂面，且下端呈開口；發熱體，係沿圓周方向而設置於該第1絕熱組件的內周側；以及第2絕熱組件，係沿該第1絕熱組件的圓周方向而配置在與該發熱體相鄰之位置處。
依據本揭示，可提高處理容器內的溫度穩定性。
1‧‧‧熱處理裝置
4‧‧‧處理容器
48‧‧‧加熱裝置
50‧‧‧第1絕熱組件
52‧‧‧發熱體
54‧‧‧第2絕熱組件
圖1係顯示熱處理裝置的構成例之剖面圖。
圖2係顯示加熱裝置的構成例之剖面圖。
圖3係顯示加熱裝置的構成例之立體圖。
圖4係顯示加熱裝置的其他構成例之剖面圖。
圖5係顯示加熱裝置的另一其他構成例之剖面圖。
以下，參閱添附圖式來針對本揭示之非限定性的例示實施型態加以說明。所添附之所有圖式中，針對相同或相對應的組件或零件則賦予相同或相對應的參考符號而省略重複說明。
(熱處理裝置)
針對本揭示一實施型態相關之熱處理裝置來加以說明。本揭示一實施型態相關之熱處理裝置係對複數片基板總括地進行熱處理之批次式縱型熱處理裝置。圖1係顯示熱處理裝置的構成例之剖面圖。圖2係顯示加熱裝置的構成例之剖面圖。圖3係顯示加熱裝置的構成例之立體圖，為從下方來觀看圖1的加熱裝置時之圖式。
如圖1所示，熱處理裝置1係具有長邊方向為垂直之縱長的處理容器4。處理容器4係由具有有頂的外筒6及同心地配置在外筒6的內側之圓筒體狀的內筒8之雙重管構造所構成。
外筒6及內筒8係由石英等耐熱性材料所形成。外筒6及內筒8的下端係藉由例如不鏽鋼製的分歧管10而被加以保持。分歧管10被固定在基底板12。此外，亦可構成為並未設置有分歧管10，而是以例如石英來形成處理容器4整體。
分歧管10下端的開口係透過O型環等密封組件16而可氣密密封地安裝有例如不鏽鋼所形成的圓盤狀蓋部14。蓋部14的略中心部係藉由例如磁性流體密封件18而穿插有可在氣密狀態下旋轉之旋轉軸20。旋轉軸20的下端係連接於旋轉機構22，上端係固定有例如不鏽鋼所形成之台座24。
台座24上係設置有例如石英製的保溫筒26。保溫筒26上係載置有例如石英製的晶舟28。
晶舟28係以特定間隔(例如10mm左右的間距)而收納有複數片(例如50~150片)半導體晶圓(以下稱作「晶圓W」。)。晶舟28、保溫筒26、台座24及蓋部14係藉由例如晶舟升降機(即升降機構30)而在處理容器4內成為一體地被裝載、卸載。
分歧管10的下部係設置有用以將處理氣體導入至處理容器4內之氣體導入機構32。氣體導入機構32係具有氣密地貫穿分歧管10般所設置之氣體噴嘴34。此外，圖1中雖係顯示設置有1個氣體導入機構32的情況，但亦可依所使用之氣體種類的數量等來設置複數氣體導入機構32。從氣體噴嘴34朝處理容器4被導入之氣體的流量係藉由流量控制機構(圖中未顯示)而被控制。
分歧管10的上部係設置有氣體出口36。氣體出口36係連結有排氣系統38。排氣系統38係包含有連接於氣體出口36之排氣通道40，以及介設在排氣通道40的中途之壓力調整閥42及真空幫浦44。藉由排氣系統38，便可一邊調整處理容器4內的壓力一邊進行排氣。
處理容器4的外周側係設置有圍繞處理容器4般來加熱晶圓W之加熱裝置48。加熱裝置48係具有第1絕熱組件50、保護罩51、發熱體52及第2絕熱組件54。
第1絕熱組件50係具有頂面，且形成為下端呈開口之圓筒體狀。第1絕熱組件50的下端係被支撐在基底板12。第1絕熱組件50係由例如熱傳導性低，且較柔軟之未定形的氧化矽及氧化鋁的混合物所形成。第1絕熱組件50係配置為其內周會相對於處理容器4的外面而分離特定距離。
保護罩51係以會覆蓋第1絕熱組件50的外周整面之方式來被加以安裝。保護罩51係由例如不鏽鋼所形成。
發熱體52係螺旋狀地捲繞配置在第1絕熱組件50的內周側。發熱體52係連接於電源，藉由被供應有電力而發熱，會加熱晶舟28所保持的晶圓W。發熱體52例如圖3所示，為一種以特定的捲徑及特定的配列間距來螺旋狀地捲繞配置在第1絕熱組件50的內周側，且由剖面形狀為矩形的薄板組件所形成之加熱線。薄板組件被加工為例如波浪狀，係藉由銷而被固定 在第1絕熱組件50。發熱體52亦可為由例如剖面形狀為圓形的線材所形成之加熱線。又，亦可取代銷所致之固定，而是於第1絕熱組件50的內周側螺旋狀地形成有溝部，來將發熱體52嵌入並固定在溝部。又，發熱體52亦可於上下方向被分割為複數區域。發熱體52在上下方向被分割為複數區域的情況，藉由針對每個區域來控制發熱體52的發熱量，便可調節處理容器4之上下方向的溫度。
第2絕熱組件54係沿圓周方向而設置在上下方向上相鄰之發熱體52之間。第2絕熱組件54係設置於例如第1絕熱組件50的下部(開口側)。第2絕熱組件54係從第1絕熱組件50的內壁延伸至處理容器4側而形成為屋簷狀，例如形成為較發熱體52更突出至處理容器4側。藉由第2絕熱組件54，則與處理容器4的外壁之間便會形成有微小間隙。又，第2絕熱組件54例如圖3所示，係分割形成為複數個，分割為複數個之各第2絕熱組件54從處理容器4的長邊方向觀看時之形狀為圓弧狀。但第2絕熱組件54亦可並非分割為複數個，而是形成為一體。又，第2絕熱組件54例如圖2所示，在處理容器4之長邊方向上的剖面形狀為矩形。第2絕熱組件54的構成材料只要具有絕緣性及耐熱性即可，可為例如陶瓷材料。陶瓷材料可使用例如氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)。
依據本揭示一實施型態相關之熱處理裝置，由於係沿圓周方向而於上下方向上相鄰之發熱體52之間設置有第2絕熱組件54，故可抑制因發熱體52發熱而產生上下方向的溫度差所造成之自然對流。於是，便可提高處理容器內的溫度穩定性。又，由於可抑制朝第1絕熱組件50的開口之散熱，故第1絕熱組件50下部的溫度降低會變得較小，從而可降低為了將處理容器4內維持在特定溫度而供應至發熱體52的電力。
特別是，發熱體52在上下方向上被分割為複數個，來獨立控制供應至各個發熱體52的電力之情況，若朝第1絕熱組件50的開口之散熱較多，藉由增加供應至接近開口之發熱體52的電力，則上下方向的溫度均勻性便會變得良好。但若增加供應至接近開口之發熱體52的電力，則該發熱體52附近的溫度會較相較於該發熱體52要位在上方之發熱體52附近的溫度變 得更高，而有處理容器4與第1絕熱組件50之間的空間產生上升氣流(自然對流)之問題。而本揭示一實施型態相關之熱處理裝置中，由於係沿圓周方向而在上下方向上相鄰之發熱體52間設置有第2絕熱組件54，故可抑制處理容器4與第1絕熱組件50間的空間所產生之自然對流。
又，依據本揭示一實施型態相關之熱處理裝置，第2絕熱組件54係較發熱體52更突出至處理容器4側。藉此，便可特別提高自然對流的抑制效果及散熱的抑制效果。
又，依據本揭示一實施型態相關之熱處理裝置，第2絕熱組件54係分割形成為複數個。藉此，便可在將發熱體52配置於第1絕熱組件50的內周側後容易地安裝第2絕熱組件54，從而可降低製造成本。又，除了新設置之加熱裝置以外，亦可將第2絕熱組件54容易地安裝在已設置之加熱裝置。
此外，上述實施型態中，雖是以加熱裝置48係具有在處理容器4之長邊方向上的剖面形狀為矩形之第2絕熱組件54的情況來加以說明，但未侷限於此。例如圖4所示，加熱裝置48亦可具有在處理容器4之長邊方向上的剖面形狀是以處理容器4側為銳角的三角形之第2絕熱組件54A。藉由剖面形狀為三角形，由於可降低組件的使用量，故製造成本會變低。又，例如圖5所示，加熱裝置48亦可具有在處理容器4之長邊方向上的剖面形狀為矩形且處理容器4側的角係經R角加工之第2絕熱組件54B。藉由處理容器4側的角係經R角加工，則縱使接觸處理容器4的外面，仍可抑制處理容器4發生破損。此外，圖4係顯示加熱裝置的其他構成例之剖面圖，圖5係顯示加熱裝置的另一其他構成例之剖面圖。
(實施例)
以下就為了確認本揭示一實施型態相關之熱處理裝置1的效果而進行的實施例來加以說明。
實施例中，係藉由具有被分割為可獨立控制的7個區域之發熱體52，以及對應於最下部區域的發熱體52所設置之第2絕熱組件54之熱處理裝置1，來控制對發熱體52之供應電力以使各區域的晶圓溫度成為500℃。又， 為了進行比較，係藉由具有被分割為可獨立控制的7個區域之發熱體52，但未具有第2絕熱組件54之熱處理裝置，來控制對發熱體52之供應電力以使各區域的晶圓溫度成為500℃。然後，分別的熱處理裝置中，會測量當各區域的晶圓溫度穩定在500℃時對發熱體52之供應電力。
實施例中，對各區域之發熱體52的供應電力從上部到下部依序為額定功率的1.24%、0.71%、0.70%、0.82%、1.11%、1.70%、6.63%。相對於此，比較例中，對各區域之發熱體52的供應電力從上部到下部則依序為額定功率的1.26%、0.68%、0.70%、0.78%、1.02%、1.65%、7.68%。
依據上述結果，可得知藉由將第2絕熱組件54設置在與最下部區域的發熱體52相對應之位置處，則對最下部區域之發熱體52的供應電力會減少大約13%(由額定功率的7.68%減少至6.63%)。
本說明書所揭示之實施型態應被認為所有內容僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可在未背離添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內，而以各種型態來做省略、置換或變更。
上述實施型態中，雖是說明發熱體52係螺旋狀地捲繞配置在第1絕熱組件50的內周側之情況，但未侷限於此。發熱體52亦可沿圓周方向而設置在第1絕熱組件50的內周側，抑或例如上下地彎曲成蛇腹狀，且橫跨整周地配置在第1絕熱組件50的內周側。此情況下，第2絕熱組件54係配置在較發熱體52上側的彎曲部要上方處，以及較發熱體52下側的彎曲部要下方處之至少其中一者。
上述實施型態中，雖是例舉處理容器係具有內管與外管之雙管構造的情況來加以說明，但未侷限於此。例如，處理容器亦可為單管構造。
上述實施型態中，雖是例舉從處理容器的下端位置來將處理氣體供應至處理容器內之情況而加以說明，但未侷限於此。例如，亦可構成為沿著晶舟的長邊方向來配置氣體噴嘴並以側流方式來供應處理氣體。
上述實施型態中，雖是例舉熱處理裝置所處理之基板為半導體晶圓的情況來加以說明，但未侷限於此。例如，基板亦可為平面顯示器(FPD：Flat Panel Display)用的大型基板，或EL元件、太陽能電池用的基板。
1‧‧‧熱處理裝置
4‧‧‧處理容器
6‧‧‧外筒
8‧‧‧內筒
10‧‧‧分歧管
12‧‧‧基底板
14‧‧‧蓋部
16‧‧‧密封組件
18‧‧‧磁性流體密封件
20‧‧‧旋轉軸
24‧‧‧台座
26‧‧‧保溫筒
28‧‧‧晶舟
30‧‧‧升降機構
32‧‧‧氣體導入機構
34‧‧‧氣體噴嘴
36‧‧‧氣體出口
38‧‧‧排氣系統
40‧‧‧排氣通道
42‧‧‧壓力調整閥
44‧‧‧真空幫浦
48‧‧‧加熱裝置
50‧‧‧第1絕熱組件
51‧‧‧保護罩
52‧‧‧發熱體
54‧‧‧第2絕熱組件
W‧‧‧晶圓

Claims (10)

  1. 一種熱處理裝置，具有：縱長的處理容器；以及加熱裝置，係圍繞該處理容器般所設置；該加熱裝置具有：圓筒體狀的第1絕熱組件，係具有頂面，且下端呈開口；發熱體，係沿圓周方向而設置於該第1絕熱組件的內周側；以及第2絕熱組件，係沿該第1絕熱組件的圓周方向而配置在與該發熱體相鄰之位置處。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該發熱體係捲繞設置呈螺旋狀；該第2絕熱組件係配置於相鄰之該發熱體之間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該第2絕熱組件係設置於該第1絕熱組件的開口側。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該第2絕熱組件係較該發熱體更突出至該處理容器側。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該第2絕熱組件係分割形成為複數個。
  6. 如申請專利範圍第5項之熱處理裝置，其中分割形成為複數個之各該第2絕熱組件從該處理容器的長邊方向觀看時之形狀為圓弧形狀。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該第2絕熱組件在該處理容器之長邊方向的剖面形狀為矩形。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該第2絕熱組件在該處理容器之長邊方向的剖面形狀為矩形，且該處理容器側的角係經R角加工。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該第2絕熱組件在該處理容器之長邊方向的剖面形狀為三角形。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該發熱體係於該處理容器的長邊方向上被分割為複數個。
TW108114870A 2018-05-02 2019-04-29 熱處理裝置 TWI749320B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-088819 2018-05-02
JP2018088819A JP7122856B2 (ja) 2018-05-02 2018-05-02 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201947662A TW201947662A (zh) 2019-12-16
TWI749320B true TWI749320B (zh) 2021-12-11

Family

ID=68385465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108114870A TWI749320B (zh) 2018-05-02 2019-04-29 熱處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11569098B2 (zh)
JP (1) JP7122856B2 (zh)
KR (1) KR102509241B1 (zh)
CN (1) CN110444489B (zh)
TW (1) TWI749320B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI823442B (zh) * 2018-10-28 2023-11-21 美商應用材料股份有限公司 具有退火迷你環境的處理腔室
US11703229B2 (en) * 2018-12-05 2023-07-18 Yi-Ming Hung Temperature adjustment apparatus for high temperature oven
CN117560856A (zh) 2022-08-03 2024-02-13 健鼎（无锡）电子有限公司 半弯折印刷电路板的制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040146827A1 (en) * 2003-01-06 2004-07-29 Beatty James Hoyt Hot liner insertion/removal fixture
JP4276813B2 (ja) * 2002-03-26 2009-06-10 株式会社日立国際電気 熱処理装置および半導体製造方法
TW200926331A (en) * 2007-07-31 2009-06-16 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus of batch type
JP4847803B2 (ja) * 2000-09-29 2011-12-28 株式会社日立国際電気 温度制御方法、熱処理装置、及び半導体装置の製造方法
TWI423326B (zh) * 2006-09-22 2014-01-11 Tokyo Electron Ltd 半導體製程用氧化裝置與方法
JP5529646B2 (ja) * 2010-06-25 2014-06-25 株式会社日立国際電気 加熱装置、基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055003A (en) * 1975-08-28 1977-10-25 Johnson & Johnson Method and apparatus for altering the rigidity of webs by oscillation
JP2759673B2 (ja) * 1989-03-15 1998-05-28 科学技術庁無機材質研究所長 多段反射型電気炉
US5616264A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system
JP3241887B2 (ja) * 1993-08-11 2001-12-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2000068218A (ja) * 1998-08-22 2000-03-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP3383784B2 (ja) * 1999-11-24 2003-03-04 一郎 高橋 半導体ウェハの熱処理装置
JP3112672B1 (ja) * 1999-11-22 2000-11-27 助川電気工業株式会社 縦型加熱装置
JP4365017B2 (ja) 2000-08-23 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
JP2004071619A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4907937B2 (ja) * 2005-09-26 2012-04-04 株式会社日立国際電気 断熱壁体、発熱体の保持構造体、加熱装置および基板処理装置
JP4994724B2 (ja) * 2006-07-07 2012-08-08 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP4331768B2 (ja) 2007-02-28 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理炉及び縦型熱処理装置
US8023806B2 (en) 2007-03-20 2011-09-20 Tokyo Electron Limited Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus
JP5248874B2 (ja) * 2007-03-20 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 熱処理炉及び縦型熱処理装置
JP5096182B2 (ja) * 2008-01-31 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理炉
JP2009019762A (ja) * 2008-05-23 2009-01-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 断熱壁体の製造方法
JP5544121B2 (ja) * 2009-07-21 2014-07-09 株式会社日立国際電気 加熱装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP5565188B2 (ja) * 2010-08-10 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 ヒータ装置
US8398773B2 (en) * 2011-01-21 2013-03-19 Asm International N.V. Thermal processing furnace and liner for the same
JP5868619B2 (ja) 2011-06-21 2016-02-24 ニチアス株式会社 熱処理炉及び熱処理装置
JP6019792B2 (ja) * 2012-06-20 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2014082014A (ja) * 2012-10-12 2014-05-08 Tokyo Electron Ltd ヒータ装置及び熱処理装置
JP5993272B2 (ja) * 2012-10-18 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 断熱壁体の製造方法
JP6255267B2 (ja) * 2014-02-06 2017-12-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、加熱装置、天井断熱体及び半導体装置の製造方法
JP6616258B2 (ja) * 2016-07-26 2019-12-04 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、蓋部カバーおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4847803B2 (ja) * 2000-09-29 2011-12-28 株式会社日立国際電気 温度制御方法、熱処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP4276813B2 (ja) * 2002-03-26 2009-06-10 株式会社日立国際電気 熱処理装置および半導体製造方法
US20040146827A1 (en) * 2003-01-06 2004-07-29 Beatty James Hoyt Hot liner insertion/removal fixture
TWI423326B (zh) * 2006-09-22 2014-01-11 Tokyo Electron Ltd 半導體製程用氧化裝置與方法
TW200926331A (en) * 2007-07-31 2009-06-16 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus of batch type
JP5529646B2 (ja) * 2010-06-25 2014-06-25 株式会社日立国際電気 加熱装置、基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201947662A (zh) 2019-12-16
US20190341281A1 (en) 2019-11-07
JP2019194958A (ja) 2019-11-07
CN110444489A (zh) 2019-11-12
US11569098B2 (en) 2023-01-31
CN110444489B (zh) 2024-04-16
JP7122856B2 (ja) 2022-08-22
KR102509241B1 (ko) 2023-03-10
KR20190126716A (ko) 2019-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI749320B (zh) 熱處理裝置
TWI667731B (zh) 用於校準基座的設備及方法
US8055125B2 (en) Substrate stage mechanism and substrate processing apparatus
US20100186667A1 (en) Vertical heat processing apparatus and component for same, for forming high dielectric constant film
TW584920B (en) Heat treatment device and heat treatment method
US11427912B2 (en) High temperature rotation module for a processing chamber
TWI466216B (zh) 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及頂板斷熱體
JP6208591B2 (ja) インジェクタ保持構造及びこれを用いた基板処理装置
KR101951994B1 (ko) 가열부, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI547680B (zh) 加熱裝置及熱處理裝置
KR20200121771A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20190040928A (ko) 기판 처리 장치, 히터 장치, 반도체 장치의 제조 방법
US11094566B2 (en) Substrate heating apparatus including heater under substrate support and substrate processing apparatus using the same
KR102414894B1 (ko) 단열 구조체 및 종형 열 처리 장치
KR101449090B1 (ko) 히터 장치의 메인터넌스 방법
KR101562643B1 (ko) 히터 어셈블리
JP6561148B2 (ja) 基板処理装置、継手部および半導体装置の製造方法
KR101136733B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2011082326A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板の製造方法及び基板処理装置。
JP2008066558A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JP3553512B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP2007266118A (ja) 基板処理装置
KR101149333B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2009224440A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20170045774A (ko) 히터 어셈블리 그리고 그것을 갖는 클러스터 설비