JP3333020B2 - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
処理方法及び処理装置Info
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- JP3333020B2 JP3333020B2 JP27246893A JP27246893A JP3333020B2 JP 3333020 B2 JP3333020 B2 JP 3333020B2 JP 27246893 A JP27246893 A JP 27246893A JP 27246893 A JP27246893 A JP 27246893A JP 3333020 B2 JP3333020 B2 JP 3333020B2
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- Japan
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- processing
- protective film
- processing chamber
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理方法及び処理装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体ウエハ等の被処理物を
処理室内に配置し、所定の処理ガス雰囲気下で処理を施
す処理装置として、例えば、ＣＶＤ装置、エッチング装
置等が知られている。
処理室内に配置し、所定の処理ガス雰囲気下で処理を施
す処理装置として、例えば、ＣＶＤ装置、エッチング装
置等が知られている。
【０００３】このような処理装置のうち、例えば、ＣＶ
Ｄ装置では、従来から処理室内に所定のクリーニングガ
スを導入してクリーニングすることが行われている。
Ｄ装置では、従来から処理室内に所定のクリーニングガ
スを導入してクリーニングすることが行われている。
【０００４】すなわち、ＣＶＤ装置では、成膜処理を実
行することによって、処理室内壁等に堆積物が付着する
が、この堆積物が剥がれて半導体ウエハ等の被処理物に
付着する場合がある。このため、例えば、ＮＦ3 、Ｈ
Ｆ、ＣｌＦ3 等のクリーニングガスを用いて、このよう
な堆積物の除去を行っている。このような方法によれ
ば、例えば、処理室等を取り外して洗浄するような場合
に較べて、短時間でクリーニングを行うことができ、か
つ、すぐに次の処理を行うことができるので、装置の稼
働率の向上を図ることができる。
行することによって、処理室内壁等に堆積物が付着する
が、この堆積物が剥がれて半導体ウエハ等の被処理物に
付着する場合がある。このため、例えば、ＮＦ3 、Ｈ
Ｆ、ＣｌＦ3 等のクリーニングガスを用いて、このよう
な堆積物の除去を行っている。このような方法によれ
ば、例えば、処理室等を取り外して洗浄するような場合
に較べて、短時間でクリーニングを行うことができ、か
つ、すぐに次の処理を行うことができるので、装置の稼
働率の向上を図ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法では、例えば、ＮＦ3 、ＨＦ、ＣｌＦ3 等
のクリーニングガスを用いたクリーニングを繰り返して
行うことにより、例えば、処理室内壁や、被処理物を加
熱するためのヒーター等が徐々に損傷を受け、これによ
ってこれらの構成部品の寿命が短くなり、ランニングコ
ストの上昇および装置稼働率の低下を招くという問題が
あった。
た従来の方法では、例えば、ＮＦ3 、ＨＦ、ＣｌＦ3 等
のクリーニングガスを用いたクリーニングを繰り返して
行うことにより、例えば、処理室内壁や、被処理物を加
熱するためのヒーター等が徐々に損傷を受け、これによ
ってこれらの構成部品の寿命が短くなり、ランニングコ
ストの上昇および装置稼働率の低下を招くという問題が
あった。
【０００６】また、例えば、エッチング装置では、エッ
チングガスとして、例えばＣｌ2 ＋ＢＣｌ3 等の腐食性
の高い塩素系のガスを使用することが多くなっており、
ＣＶＤ装置の場合と同様にこのようなエッチングガスに
よって処理室内壁等が損傷を受けるという問題があっ
た。
チングガスとして、例えばＣｌ2 ＋ＢＣｌ3 等の腐食性
の高い塩素系のガスを使用することが多くなっており、
ＣＶＤ装置の場合と同様にこのようなエッチングガスに
よって処理室内壁等が損傷を受けるという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、処理室内壁や、ヒーター等の損傷を抑制
することができ、これらの構成部品の寿命を長期化する
ことによって、ランニングコストの低減および装置稼働
率の向上を図ることのできる処理方法及び処理装置を提
供しようとするものである。
されたもので、処理室内壁や、ヒーター等の損傷を抑制
することができ、これらの構成部品の寿命を長期化する
ことによって、ランニングコストの低減および装置稼働
率の向上を図ることのできる処理方法及び処理装置を提
供しようとするものである。
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】 すなわち 、請求項１記載
の本発明の処理方法は、被処理物を載置可能に構成さ
れ、表面に所定の絶縁層を有した載置台と、前記載置台
を有し、前記被処理物に所定の処理を施す処理室と、を
備えた処理装置を用い、所定の処理を施す処理方法であ
って、前記被処理物を前記載置台に載置した状態、かつ
所定の処理ガス雰囲気下で、該被処理物に所定の処理を
施す処理工程と、前記被処理物を前記処理室から搬出し
た後、前記処理室内に所定のクリーニングガスを導入し
て該処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、
前記クリーニング工程の後、前記処理室内に、前記載置
台表面の絶縁層と同じ保護膜を形成可能な保護膜形成用
ガスを導入し、保護膜を形成する保護膜形成工程と、を
備えたことを特徴とする。請求項２の本発明の処理方法
は、前記クリーニング工程が、一定数の前記被処理物の
処理を実行した後に行われることを特徴とする。請求項
３の本発明の処理方法は、前記クリーニング工程が、前
記被処理物の処理を実行した後毎に行われることを特徴
とする。請求項４の本発明の処理方法は、前記保護膜形
成工程において、ポリマー系保護膜を形成することを特
徴とする。請求項５の本発明の処理方法は、前記保護膜
形成工程において、セラミックス系保護膜を形成するこ
とを特徴とする。請求項６の本発明の処理方法は、前記
保護膜形成工程で形成された保護膜が、炭化珪素からな
ることを特徴とする。請求項７の本発明の処理方法は、
前記保護膜形成工程で形成された保護膜が、窒化珪素か
らなることを特徴とする。請求項８の本発明の処理方法
は、前記保護膜形成工程で形成された保護膜が、窒化ア
ルミニウムからなることを特徴とする。請求項９の本発
明の処理方法は、前記保護膜形成工程で形成された保護
膜が、炭化硼素からなることを特徴とする。
の本発明の処理方法は、被処理物を載置可能に構成さ
れ、表面に所定の絶縁層を有した載置台と、前記載置台
を有し、前記被処理物に所定の処理を施す処理室と、を
備えた処理装置を用い、所定の処理を施す処理方法であ
って、前記被処理物を前記載置台に載置した状態、かつ
所定の処理ガス雰囲気下で、該被処理物に所定の処理を
施す処理工程と、前記被処理物を前記処理室から搬出し
た後、前記処理室内に所定のクリーニングガスを導入し
て該処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、
前記クリーニング工程の後、前記処理室内に、前記載置
台表面の絶縁層と同じ保護膜を形成可能な保護膜形成用
ガスを導入し、保護膜を形成する保護膜形成工程と、を
備えたことを特徴とする。請求項２の本発明の処理方法
は、前記クリーニング工程が、一定数の前記被処理物の
処理を実行した後に行われることを特徴とする。請求項
３の本発明の処理方法は、前記クリーニング工程が、前
記被処理物の処理を実行した後毎に行われることを特徴
とする。請求項４の本発明の処理方法は、前記保護膜形
成工程において、ポリマー系保護膜を形成することを特
徴とする。請求項５の本発明の処理方法は、前記保護膜
形成工程において、セラミックス系保護膜を形成するこ
とを特徴とする。請求項６の本発明の処理方法は、前記
保護膜形成工程で形成された保護膜が、炭化珪素からな
ることを特徴とする。請求項７の本発明の処理方法は、
前記保護膜形成工程で形成された保護膜が、窒化珪素か
らなることを特徴とする。請求項８の本発明の処理方法
は、前記保護膜形成工程で形成された保護膜が、窒化ア
ルミニウムからなることを特徴とする。請求項９の本発
明の処理方法は、前記保護膜形成工程で形成された保護
膜が、炭化硼素からなることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の処理装置は、被処理物を載
置可能に構成され、表面に所定の絶縁層を有した載置台
と、 前記載置台を有し、前記被処理物に所定の処理を施
す処理室と、 を備えた処理装置であって、 前記被処理物
を前記載置台に載置した状態、かつ所定の処理ガス雰囲
気下で、該被処理物に所定の処理を行い、前記被処理物
を前記処理室から搬出した後、所定のタイミングで前記
処理室内に所定のクリーニングガスを導入して該処理室
内をクリーニングする処理を行い、その後、前記処理室
内に、前記載置台表面の絶縁層と同じ保護膜を形成可能
な保護膜形成用ガスを導入可能に構成された、ガス導入
手段を備えたことを特徴とする。
置可能に構成され、表面に所定の絶縁層を有した載置台
と、 前記載置台を有し、前記被処理物に所定の処理を施
す処理室と、 を備えた処理装置であって、 前記被処理物
を前記載置台に載置した状態、かつ所定の処理ガス雰囲
気下で、該被処理物に所定の処理を行い、前記被処理物
を前記処理室から搬出した後、所定のタイミングで前記
処理室内に所定のクリーニングガスを導入して該処理室
内をクリーニングする処理を行い、その後、前記処理室
内に、前記載置台表面の絶縁層と同じ保護膜を形成可能
な保護膜形成用ガスを導入可能に構成された、ガス導入
手段を備えたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の処理方法及び処理装置では、処理室内
に所定の保護膜形成用ガスを導入し、処理室内の構造物
の少なくとも一部、例えば、処理室内壁や、被処理物が
載置されるヒーター等の少なくとも一部に、例えばポリ
マー系あるいはセラミックス系の保護膜を形成する。
に所定の保護膜形成用ガスを導入し、処理室内の構造物
の少なくとも一部、例えば、処理室内壁や、被処理物が
載置されるヒーター等の少なくとも一部に、例えばポリ
マー系あるいはセラミックス系の保護膜を形成する。
【００１２】なお、上記保護膜としては、 緻密でコンタミネーションの原因にならない。
【００１３】 被成膜材に近い熱膨張率を有し剥離し
にくい。
にくい。
【００１４】 純度が高く汚染源にならない。
【００１５】等の条件を兼ね備えた保護膜が好ましく、
セラミックス系の場合、保護膜は、例えば、炭化珪素
（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、窒化硼素（Ｐ−ＢＮ（熱分解窒化硼
素））等によって形成することが好ましい。
セラミックス系の場合、保護膜は、例えば、炭化珪素
（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、窒化硼素（Ｐ−ＢＮ（熱分解窒化硼
素））等によって形成することが好ましい。
【００１６】このように、ＣＶＤ膜の成膜処理や、エッ
チング処理の合間に、処理室内壁や、ヒーター等に適宜
保護膜を形成することによって、これら構成部品の損傷
を抑制し、その寿命を長期化することができ、ランニン
グコストの低減および装置稼働率の向上を図ることがで
きる。
チング処理の合間に、処理室内壁や、ヒーター等に適宜
保護膜を形成することによって、これら構成部品の損傷
を抑制し、その寿命を長期化することができ、ランニン
グコストの低減および装置稼働率の向上を図ることがで
きる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１８】図１は、本発明の一実施例におけるＣＶＤ
装置の概略構成を示すもので、このＣＶＤ装置は、略円
筒状に形成された処理室を備えている。すなわち、この
処理室は、例えば表面にアルマイト処理を施されたアル
ミニウム等からなる部材により構成されており、円筒状
に形成された処理室本体１の上部開口を気密に閉塞する
如く、シャワーヘッド２が配設されている。このシャワ
ーヘッド２は、中空円板状に形成されており、上部に接
続されたガス導入管３から供給されたガスを、中空部分
で拡散させ、下側面に形成された多数のガス噴出孔４か
ら、処理室内に均一に導入するよう構成されている。
装置の概略構成を示すもので、このＣＶＤ装置は、略円
筒状に形成された処理室を備えている。すなわち、この
処理室は、例えば表面にアルマイト処理を施されたアル
ミニウム等からなる部材により構成されており、円筒状
に形成された処理室本体１の上部開口を気密に閉塞する
如く、シャワーヘッド２が配設されている。このシャワ
ーヘッド２は、中空円板状に形成されており、上部に接
続されたガス導入管３から供給されたガスを、中空部分
で拡散させ、下側面に形成された多数のガス噴出孔４か
ら、処理室内に均一に導入するよう構成されている。
【００１９】また、処理室の底部は、略円筒状に形成さ
れた支持体５と、この支持体５に支持された底板６とか
ら構成されており、底板６の内部には、冷媒供給配管７
に接続され、冷媒例えば冷却水を循環させるための冷媒
循環経路８が設けられている。また、底板６の上部に、
載置台９が配設されている。
れた支持体５と、この支持体５に支持された底板６とか
ら構成されており、底板６の内部には、冷媒供給配管７
に接続され、冷媒例えば冷却水を循環させるための冷媒
循環経路８が設けられている。また、底板６の上部に、
載置台９が配設されている。
【００２０】上記載置台９は、その上面に半導体ウエハ
Ｗを載置できるように構成されており、この半導体ウエ
ハＷの裏面に、例えばＨｅ等の伝熱媒体を供給するため
の伝熱媒体供給配管１０を備えている。また、図２及び
図３に示すように、載置台９は、円板状に形成された基
材９ａの周囲に第１の絶縁層９ｂを形成し、この絶縁層
９ｂ上に位置するよう、上面に２つに分けられた半円形
状の静電チャック用導体９ｃ、下面に渦巻き形状のヒー
タ９ｄを形成し、これらの周囲を第２の絶縁層９ｅで被
覆して形成されている。また、上記静電チャック用導体
９ｃは、それぞれ静電チャック用直流電源９０、９１に
接続され、ヒータ９ｄは交流電源９２に接続されてお
り、図１に示すように、基材９ａ内には、温度を検出す
るための温度センサ９３が設けられている。なお、基材
９ａは、例えばＣ（炭素）やＢＮ（窒化硼素）等から構
成され、第１の絶縁層９ｂ及び第２の絶縁層９ｅは、例
えばＰ−ＢＮ（熱分解窒化硼素）、ＳｉＣ（炭化珪
素）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等から構成されている。
Ｗを載置できるように構成されており、この半導体ウエ
ハＷの裏面に、例えばＨｅ等の伝熱媒体を供給するため
の伝熱媒体供給配管１０を備えている。また、図２及び
図３に示すように、載置台９は、円板状に形成された基
材９ａの周囲に第１の絶縁層９ｂを形成し、この絶縁層
９ｂ上に位置するよう、上面に２つに分けられた半円形
状の静電チャック用導体９ｃ、下面に渦巻き形状のヒー
タ９ｄを形成し、これらの周囲を第２の絶縁層９ｅで被
覆して形成されている。また、上記静電チャック用導体
９ｃは、それぞれ静電チャック用直流電源９０、９１に
接続され、ヒータ９ｄは交流電源９２に接続されてお
り、図１に示すように、基材９ａ内には、温度を検出す
るための温度センサ９３が設けられている。なお、基材
９ａは、例えばＣ（炭素）やＢＮ（窒化硼素）等から構
成され、第１の絶縁層９ｂ及び第２の絶縁層９ｅは、例
えばＰ−ＢＮ（熱分解窒化硼素）、ＳｉＣ（炭化珪
素）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等から構成されている。
【００２１】一方、図１に示すように、処理室本体１の
底部近傍には、真空排気ポンプ１１に接続された排気配
管１２が接続されており、載置台９の上面近傍には、半
導体ウエハＷの下側周縁部を支持して半導体ウエハＷを
昇降させるための複数の円弧状のウエハ支持部材１３が
設けられている。このウエハ支持部材１３は、複数のシ
ャフト１４を介して、処理室外部に配設されたエアシリ
ンダ等の昇降装置に接続されており、上下動可能に構成
されている。なお、処理室のシャフト１４貫通部には、
これらの間を気密に閉塞するための機構として、蛇腹機
構１５が配設されている。
底部近傍には、真空排気ポンプ１１に接続された排気配
管１２が接続されており、載置台９の上面近傍には、半
導体ウエハＷの下側周縁部を支持して半導体ウエハＷを
昇降させるための複数の円弧状のウエハ支持部材１３が
設けられている。このウエハ支持部材１３は、複数のシ
ャフト１４を介して、処理室外部に配設されたエアシリ
ンダ等の昇降装置に接続されており、上下動可能に構成
されている。なお、処理室のシャフト１４貫通部には、
これらの間を気密に閉塞するための機構として、蛇腹機
構１５が配設されている。
【００２２】処理室本体１の側方には、ゲートバルブ１
６を介して、ロードロック室１７が接続されており、こ
のロードロック室１７内には、半導体ウエハＷを搬入、
搬出するための搬送機構１８が配設されている。また、
ロードロック室１７の底部には、図示しない真空排気ポ
ンプに接続された排気配管１９が接続されており、ロー
ドロック室１７内を所定の真空度に設定可能な如く構成
されている。なお、このロードロック室１７には、外部
から半導体ウエハＷを搬入、搬出するための気密閉塞可
能な開口（図示せず）が設けられている。
６を介して、ロードロック室１７が接続されており、こ
のロードロック室１７内には、半導体ウエハＷを搬入、
搬出するための搬送機構１８が配設されている。また、
ロードロック室１７の底部には、図示しない真空排気ポ
ンプに接続された排気配管１９が接続されており、ロー
ドロック室１７内を所定の真空度に設定可能な如く構成
されている。なお、このロードロック室１７には、外部
から半導体ウエハＷを搬入、搬出するための気密閉塞可
能な開口（図示せず）が設けられている。
【００２３】本実施例においては、上記したガス導入管
３は、分岐して処理ガス供給源２０、クリーニングガス
供給源２１、保護膜形成用ガス供給源２２にそれぞれ接
続されており、バルブ２３、２４、２５、２６を開閉す
ることによって、これらのガス供給源からのガスを選択
するように構成されている。なお、各ガス供給源は、圧
力制御機構、流量制御機構等を備えており、各ガスを所
望圧力、所望流量で供給できるよう構成されている。こ
のような圧力制御機構、流量制御機構の制御、および、
バルブ２３、２４、２５、２６の開閉等は、図示しない
マイクロコンピュータにより、予め設定されたプログラ
ムに従って実行される。
３は、分岐して処理ガス供給源２０、クリーニングガス
供給源２１、保護膜形成用ガス供給源２２にそれぞれ接
続されており、バルブ２３、２４、２５、２６を開閉す
ることによって、これらのガス供給源からのガスを選択
するように構成されている。なお、各ガス供給源は、圧
力制御機構、流量制御機構等を備えており、各ガスを所
望圧力、所望流量で供給できるよう構成されている。こ
のような圧力制御機構、流量制御機構の制御、および、
バルブ２３、２４、２５、２６の開閉等は、図示しない
マイクロコンピュータにより、予め設定されたプログラ
ムに従って実行される。
【００２４】上記構成のこの実施例の装置では、図４の
フローチャートにも示すように、以下のようにして半導
体ウエハＷに成膜処理を行う。
フローチャートにも示すように、以下のようにして半導
体ウエハＷに成膜処理を行う。
【００２５】すなわち、まず、ロードロック室１７を介
して、搬送機構１８により半導体ウエハＷを所定の真空
度に設定された処理室内に搬入し、この半導体ウエハＷ
をウエハ支持部材１３上に一旦載置した後、このウエハ
支持部材１３を下降させて、予め所定温度に設定された
載置台９上に半導体ウエハＷを受け渡し、静電チャック
を作動させてこの半導体ウエハＷを載置台９上に吸着保
持する（１００）。
して、搬送機構１８により半導体ウエハＷを所定の真空
度に設定された処理室内に搬入し、この半導体ウエハＷ
をウエハ支持部材１３上に一旦載置した後、このウエハ
支持部材１３を下降させて、予め所定温度に設定された
載置台９上に半導体ウエハＷを受け渡し、静電チャック
を作動させてこの半導体ウエハＷを載置台９上に吸着保
持する（１００）。
【００２６】そして、搬送機構１８をロードロック室１
７内に退避させ、ゲートバルブ１６を閉じた後、真空排
気ポンプ１１による排気を継続しながら、バルブ２３、
２４を開き、処理ガス供給源２０からの所定の処理ガ
ス、例えばＳｉＨ4 ＋Ｈ2 を、シャワーヘッド２のガス
噴出孔４から均一に半導体ウエハＷに供給し、成膜処理
を行う（１０１）。
７内に退避させ、ゲートバルブ１６を閉じた後、真空排
気ポンプ１１による排気を継続しながら、バルブ２３、
２４を開き、処理ガス供給源２０からの所定の処理ガ
ス、例えばＳｉＨ4 ＋Ｈ2 を、シャワーヘッド２のガス
噴出孔４から均一に半導体ウエハＷに供給し、成膜処理
を行う（１０１）。
【００２７】上記成膜処理を所定時間行った後、バルブ
２３、２４を閉じて処理ガスの供給を停止し、この後、
搬送機構１８により、処理室内の半導体ウエハＷを搬出
する（１０２）。
２３、２４を閉じて処理ガスの供給を停止し、この後、
搬送機構１８により、処理室内の半導体ウエハＷを搬出
する（１０２）。
【００２８】このような処理を繰り返して実行し、全て
の半導体ウエハＷの成膜処理が終了すると（１０３）、
最後の半導体ウエハＷの搬出が行われ、ゲートバルブ１
６が閉じられた後、バルブ２３、２５を開け、クリーニ
ングガス供給源２１から所定のクリーニングガス、例え
ば、ＮＦ3 、ＨＦ、ＣｌＦ3 等を処理室内に供給し、所
定時間処理室内のクリーニング処理を行う（１０４）。
の半導体ウエハＷの成膜処理が終了すると（１０３）、
最後の半導体ウエハＷの搬出が行われ、ゲートバルブ１
６が閉じられた後、バルブ２３、２５を開け、クリーニ
ングガス供給源２１から所定のクリーニングガス、例え
ば、ＮＦ3 、ＨＦ、ＣｌＦ3 等を処理室内に供給し、所
定時間処理室内のクリーニング処理を行う（１０４）。
【００２９】なお、本実施例の場合、前述したように、
載置台９の表面が、第２の絶縁層９ｅとして、Ｐ−ＢＮ
（熱分解窒化硼素）等で被覆されているが、この第２の
絶縁層９ｅが、上記クリーニング処理によって特にダメ
ージを受ける。
載置台９の表面が、第２の絶縁層９ｅとして、Ｐ−ＢＮ
（熱分解窒化硼素）等で被覆されているが、この第２の
絶縁層９ｅが、上記クリーニング処理によって特にダメ
ージを受ける。
【００３０】上記クリーニング処理の後、バルブ２５を
閉じ、バルブ２６を開けて、保護膜形成用ガス供給源２
２から処理室内に保護膜形成用ガスを供給し、処理室内
の構造物に保護膜形成処理を行う（１０５）。
閉じ、バルブ２６を開けて、保護膜形成用ガス供給源２
２から処理室内に保護膜形成用ガスを供給し、処理室内
の構造物に保護膜形成処理を行う（１０５）。
【００３１】本実施例の場合、上記したように、載置台
９表面の第２の絶縁層９ｅが特にダメージを受けるの
で、この第２の絶縁層９ｅと同じ保護膜を形成すること
が好ましい。
９表面の第２の絶縁層９ｅが特にダメージを受けるの
で、この第２の絶縁層９ｅと同じ保護膜を形成すること
が好ましい。
【００３２】なお、保護膜として、炭化珪素（ＳｉＣ）
膜を形成する場合、温度は例えば800 ℃程度であり、保
護膜形成用ガスは例えば、 ＳｉＨ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 ＳｉＣｌ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 ＳｉＯ2 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 である。また、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜を形成する場
合は、温度は例えば300℃程度であり、保護膜形成用ガ
スは例えば、 ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ＋Ｎ2 ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ＋ＮＨ3 である。また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜を形成す
る場合は、温度は例えば500 ℃程度であり、保護膜形成
用ガスは例えば、 ＮＨ3 ＋ＡｌＣｌ3 である。また、窒化硼素（Ｐ−ＢＮ）膜を形成する場合
は、温度は例えば800 ℃程度であり、保護膜形成用ガス
は例えば、 ＢX3＋ＮＨ3 Ｂ2 Ｈ6 ＋ＮＨ3 Ｂ3 Ｎ3 Ｈ3 Ｃｌ3 である。
膜を形成する場合、温度は例えば800 ℃程度であり、保
護膜形成用ガスは例えば、 ＳｉＨ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 ＳｉＣｌ4 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 ＳｉＯ2 ＋ＣＨ4 ＋Ｈ2 である。また、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）膜を形成する場
合は、温度は例えば300℃程度であり、保護膜形成用ガ
スは例えば、 ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ＋Ｎ2 ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ＋ＮＨ3 である。また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜を形成す
る場合は、温度は例えば500 ℃程度であり、保護膜形成
用ガスは例えば、 ＮＨ3 ＋ＡｌＣｌ3 である。また、窒化硼素（Ｐ−ＢＮ）膜を形成する場合
は、温度は例えば800 ℃程度であり、保護膜形成用ガス
は例えば、 ＢX3＋ＮＨ3 Ｂ2 Ｈ6 ＋ＮＨ3 Ｂ3 Ｎ3 Ｈ3 Ｃｌ3 である。
【００３３】このようにして、処理室内のクリーニング
を行った後、処理室内の構造物に保護膜を形成し、処理
を終了する。
を行った後、処理室内の構造物に保護膜を形成し、処理
を終了する。
【００３４】このように、本実施例では、半導体ウエハ
Ｗの成膜処理と、処理室内のクリーニング処理と、処理
室内の保護膜形成処理とを順次実行するので、常に処理
室内がクリーニングされた状態で成膜処理を実行でき、
半導体ウエハへの塵埃の付着を抑制して歩留まりの向上
を図ることができるとともに、処理室内壁やヒーター等
の損傷を抑制することができ、これらの構成部品の寿命
を長期化することによって、ランニングコストの低減お
よび装置稼働率の向上を図ることができる。
Ｗの成膜処理と、処理室内のクリーニング処理と、処理
室内の保護膜形成処理とを順次実行するので、常に処理
室内がクリーニングされた状態で成膜処理を実行でき、
半導体ウエハへの塵埃の付着を抑制して歩留まりの向上
を図ることができるとともに、処理室内壁やヒーター等
の損傷を抑制することができ、これらの構成部品の寿命
を長期化することによって、ランニングコストの低減お
よび装置稼働率の向上を図ることができる。
【００３５】なお、上記実施例では、一定枚数の半導体
ウエハＷの処理を実行した後、処理室内のクリーニング
処理及び処理室内の保護膜形成処理を行うようにした
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、
例えば、１枚の半導体ウエハＷの成膜処理を行う毎に処
理室内のクリーニング処理及び処理室内の保護膜形成処
理を行うようにしてもよい。
ウエハＷの処理を実行した後、処理室内のクリーニング
処理及び処理室内の保護膜形成処理を行うようにした
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、
例えば、１枚の半導体ウエハＷの成膜処理を行う毎に処
理室内のクリーニング処理及び処理室内の保護膜形成処
理を行うようにしてもよい。
【００３６】また、例えば、エッチング装置の処理室内
に保護膜を形成するような場合は、ＣＶＤ装置に較べて
処理室内の温度が高くならないため、例えば、ポリマー
系の保護膜を形成することもできる。
に保護膜を形成するような場合は、ＣＶＤ装置に較べて
処理室内の温度が高くならないため、例えば、ポリマー
系の保護膜を形成することもできる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理方法
及び処理装置によれば、従来に較べて処理室内壁や、ヒ
ーター等の損傷を抑制することができ、これらの構成部
品の寿命を長期化することによって、ランニングコスト
の低減および装置稼働率の向上を図ることができる。
及び処理装置によれば、従来に較べて処理室内壁や、ヒ
ーター等の損傷を抑制することができ、これらの構成部
品の寿命を長期化することによって、ランニングコスト
の低減および装置稼働率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のＣＶＤ装置の構成を示す
図。
図。
【図２】図１のＣＶＤ装置の要部構成を示す図。
【図３】図１のＣＶＤ装置の要部構成を示す図。
【図４】図１のＣＶＤ装置の動作を説明するための図。
１ 処理室本体 ２ シャワーヘッド ３ ガス導入管 ４ ガス噴出孔 ９ 載置台 １１ 真空排気ポンプ １２ 排気配管 ２０ 処理ガス供給源 ２１ クリーニングガス供給源 ２２ 保護膜形成用ガス供給源 ２３、２４、２５、２６ バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−259083（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−20975（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−215037（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−79620（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251365（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−70066（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−119731（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (10)
- 【請求項１】 被処理物を載置可能に構成され、表面に
所定の絶縁層を有した載置台と、 前記載置台を有し、前記被処理物に所定の処理を施す処
理室と、 を備えた処理装置を用い、所定の処理を施す処理方法で
あって、 前記被処理物を前記載置台に載置した状態、かつ所定の
処理ガス雰囲気下で、該被処理物に所定の処理を施す処
理工程と、 前記被処理物を前記処理室から搬出した後、前記処理室
内に所定のクリーニングガスを導入して該処理室内をク
リーニングするクリーニング工程と、 前記クリーニング工程の後、前記処理室内に、前記載置
台表面の絶縁層と同じ保護膜を形成可能な保護膜形成用
ガスを導入し、保護膜を形成する保護膜形成工程と、 を備えたことを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】 前記クリーニング工程は、一定数の前記
被処理物の処理を実行した後に行われることを特徴とす
る請求項１記載の処理方法。 - 【請求項３】 前記クリーニング工程は、前記被処理物
の処理を実行した後毎に行われることを特徴とする請求
項１記載の処理方法。 - 【請求項４】 前記保護膜形成工程において、ポリマー
系保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載の処
理方法。 - 【請求項５】 前記保護膜形成工程において、セラミッ
クス系保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載
の処理方法。 - 【請求項６】 前記保護膜形成工程で形成された保護膜
が、炭化珪素からなることを特徴とする請求項１記載の
処理方法。 - 【請求項７】 前記保護膜形成工程で形成された保護膜
が、窒化珪素からなることを特徴とする請求項１記載の
処理方法。 - 【請求項８】 前記保護膜形成工程で形成された保護膜
が、窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項
１記載の処理方法。 - 【請求項９】 前記保護膜形成工程で形成された保護膜
が、炭化硼素からなることを特徴とする請求項１記載の
処理方法。 - 【請求項１０】 被処理物を載置可能に構成され、表面
に所定の絶縁層を有した載置台と、 前記載置台を有し、前記被処理物に所定の処理を施す処
理室と、 を備えた処理装置であって、 前記被処理物を前記載置台に載置した状態、かつ所定の
処理ガス雰囲気下で、該被処理物に所定の処理を行い、
前記被処理物を前記処理室から搬出した後、所定のタイ
ミングで前記処理室内に所定のクリーニングガスを導入
して該処理室内をクリーニングする処理を行い、その
後、前記処理室内に、前記載置台表面の絶縁層と同じ保
護膜を形成可能な保護膜形成用ガスを導入可能に構成さ
れた、ガス導入手段を備えたことを特徴とする処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27246893A JP3333020B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 処理方法及び処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27246893A JP3333020B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130658A JPH07130658A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3333020B2 true JP3333020B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=17514344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27246893A Expired - Fee Related JP3333020B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333020B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW422892B (en) * | 1997-03-27 | 2001-02-21 | Applied Materials Inc | Technique for improving chucking reproducibility |
| JP2001135576A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-18 | Applied Materials Inc | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP5087238B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-12-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置の保守方法及び半導体製造方法 |
| US10325800B2 (en) * | 2014-08-26 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chucking with dielectric constant engineered in-situ charge trap materials |
| JP6424726B2 (ja) | 2015-04-27 | 2018-11-21 | 株式会社Sumco | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 |
| TWI615917B (zh) * | 2015-04-27 | 2018-02-21 | Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 | 承托器及磊晶生長裝置 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27246893A patent/JP3333020B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130658A (ja) | 1995-05-19 |
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