JP2001135576A - 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - Google Patents

薄膜形成装置及び薄膜形成方法

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Toshiyuki Tsukamoto
俊之 塚本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 腐食性ガス供給ラインからのコンタミネーシ
ョンを減少させる薄膜形成装置を提供する。 【解決手段】 エピタキシャル成長装置１０は、半導体
ウェハ１００を配置するチャンバ部１２とチャンバ内に
処理ガス等を供給するガス供給部１６とを備えている。
ガス供給部１６は、クリーニングガスであるＨＣｌガス
をチャンバ内に供給するＨＣｌガス供給ライン３２とＨ
Ｃｌガス供給ライン３２にＳｉＨ4ガスを供給するＳｉ
Ｈ4ガス供給ライン３４と制御部３６と加熱部３８とを
備えている。制御部３６は、ＨＣｌガス供給ライン３２
を通してＨＣｌガスをチャンバ１８の内部に供給する前
に、ＨＣｌガス供給ライン３２にＳｉＨ4ガスを供給す
るようにＨＣｌガス、ＳｉＨ4ガスの流量を制御する。
加熱部３８は、ＨＣｌガス供給ライン３２を加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバの内部に
処理ガスを供給し、当該チャンバの内部に配置された半
導体ウェハに薄膜を形成する薄膜形成装置及び薄膜形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、例えば
エピタキシャル成長装置のような薄膜形成装置が広く用
いられている。かかる薄膜形成装置においては、チャン
バの内部にＳｉＨ4などの処理ガスを供給し、当該チャ
ンバの内部に配置された半導体ウェハにＳｉなどの薄膜
を形成する。しかし、この場合、半導体ウェハを搭載す
るサセプタの露出面やチャンバの内壁面にも、上記処理
ガスによってＳｉなどが付着してしまい、次の薄膜形成
処理を行う前に、かかるＳｉなどの付着物を除去する必
要がある。かかる付着物を除去する技術として、チャン
バの内部にＨＣｌを含有するクリーニングガスを供給
し、ＨＣｌとＳｉとを反応させることによって当該付着
物を除去する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
には、以下に示すような問題点があった。すなわち、上
記従来技術の如くＨＣｌガス等の腐食性ガスをチャンバ
に供給する場合、当該腐食性ガスと残留水分、残留酸素
等により、当該腐食性ガスを供給するための腐食性ガス
供給ライン（具体的には配管、バルブ等の内壁面）が腐
食しやすくなり、当該腐食が次の薄膜形成処理における
コンタミネーションの要因となる。かかる腐食を防止す
る方法として、上記腐食性ガス供給ラインをＮ2ガス、
Ｈ2ガス等でパージすることも考えられるが、腐食性ガ
ス供給ラインに残留する水分、酸素等を十分除去するた
めには非常に長い時間を必要とする。
【０００４】そこで、本発明は、上記問題点を解決し、
比較的短時間の処理で上記腐食性ガス供給ラインからの
コンタミネーションを減少させることができる薄膜形成
装置及び薄膜形成方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜形成装置は、チャンバの内部に処理ガ
スを供給し、上記チャンバの内部に配置された半導体ウ
ェハに薄膜を形成する薄膜形成装置であって、上記チャ
ンバの内部に腐食性ガスを供給する腐食性ガス供給ライ
ンと、上記腐食性ガス供給ラインを通して上記腐食性ガ
スを上記チャンバの内部に供給する前に、シリコン化合
物を含有するシリコン化合物含有ガスを上記腐食性ガス
供給ラインに供給するシリコン化合物含有ガス供給手段
とを備えたことを特徴としている。
【０００６】腐食性ガス供給ラインを通して腐食性ガス
をチャンバの内部に供給する前に、シリコン化合物を含
有するシリコン化合物含有ガスを腐食性ガス供給ライン
に供給することで、当該腐食性ガス供給ラインの内面に
ＳｉＯ2からなる保護膜が形成される。
【０００７】また、本発明の薄膜形成装置においては、
上記腐食性ガス供給ラインを加熱する加熱手段をさらに
備えたことを特徴としてもよい。
【０００８】腐食性ガス供給ラインを加熱することで、
上記保護膜の形成が促進される。
【０００９】また、本発明の膜形成装置においては、上
記腐食性ガスは、上記チャンバの内部に上記処理ガスを
供給することにより上記チャンバの内部に付着した付着
物を除去するクリーニングガスであることを特徴として
もよい。
【００１０】クリーニングガス供給ラインを通してクリ
ーニングガスをチャンバの内部に供給する前に、シリコ
ン化合物を含有するシリコン化合物含有ガスをクリーニ
ングガス供給ラインに供給することで、当該クリーニン
グガス供給ラインの内面にＳｉＯ2からなる保護膜が形
成される。
【００１１】また、本発明の薄膜形成装置においては、
上記クリーニングガスは、ＨＣｌを含有するガスである
ことを特徴としてもよい。
【００１２】また、本発明の薄膜形成装置においては、
上記シリコン化合物含有ガスは、ＳｉＨ4を含有するガ
スであることを特徴としてもよい。
【００１３】また、上記課題を解決するために、本発明
の薄膜形成方法は、チャンバの内部に処理ガスを供給
し、上記チャンバの内部に配置された半導体ウェハに薄
膜を形成する薄膜形成方法であって、上記チャンバの内
部に腐食性ガス供給ラインを通して腐食性ガスを供給す
る腐食性ガス供給工程と、上記腐食性ガス供給工程にお
いて上記腐食性ガスを上記チャンバの内部に供給する前
に、シリコン化合物を含有するシリコン化合物含有ガス
を上記腐食性ガス供給ラインに供給するシリコン化合物
含有ガス供給工程とを備えたことを特徴としている。
【００１４】腐食性ガス供給ラインを通して腐食性ガス
をチャンバの内部に供給する前に、シリコン化合物を含
有するシリコン化合物含有ガスを腐食性ガス供給ライン
に供給することで、当該腐食性ガス供給ラインの内面に
ＳｉＯ2からなる保護膜が形成される。
【００１５】また、本発明の薄膜形成方法においては、
上記シリコン化合物含有ガス供給工程において上記シリ
コン化合物含有ガスを上記腐食性ガス供給ラインに供給
する際に上記腐食性ガス供給ラインを加熱する加熱工程
をさらに備えたことを特徴としてもよい。
【００１６】腐食性ガス供給ラインを加熱することで、
上記保護膜の形成が促進される。
【００１７】また、本発明の薄膜形成方法においては、
上記腐食性ガスは、上記チャンバの内部に上記処理ガス
を供給することにより上記チャンバの内部に付着した付
着物を除去するクリーニングガスであることを特徴とし
てもよい。
【００１８】クリーニングガス供給ラインを通してクリ
ーニングガスをチャンバの内部に供給する前に、シリコ
ン化合物を含有するシリコン化合物含有ガスをクリーニ
ングガス供給ラインに供給することで、当該クリーニン
グガス供給ラインの内面にＳｉＯ2からなる保護膜が形
成される。
【００１９】また、本発明の薄膜形成方法においては、
上記クリーニングガスは、ＨＣｌを含有するガスである
ことを特徴としてもよい。
【００２０】また、本発明の薄膜形成方法においては、
上記シリコン化合物含有ガスは、ＳｉＨ4を含有するガ
スであることを特徴としてもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態にかかる薄膜形
成装置について図面を参照して説明する。本実施形態に
かかる薄膜形成装置は、半導体ウェハの表面にＳｉ単結
晶の薄膜を成長させるエピタキシャル成長装置である。
まず、本実施形態にかかるエピタキシャル成長装置の構
成について説明する。図１は、本実施形態にかかるエピ
タキシャル成長装置の構成図である。
【００２２】本実施形態にかかるエピタキシャル成長装
置１０は、図１に示すように、チャンバ部１２と、真空
ポンプ１４とガス供給部１６とを備えて構成される。以
下、各構成要素について詳細に説明する。
【００２３】図２は、チャンバ部１２の構成図である。
チャンバ部１２は、図２に示すように、石英ガラスで構
成されたチャンバ１８の内部に、半導体ウェハ１００を
支持するウェハ支持部２０を設けた構成となっている。
【００２４】ウェハ支持部２０は、半導体ウェハ１００
を載置する円盤状のサセプタ２２と、サセプタ２２を下
方から３点で支持する支持シャフト２４と、半導体ウェ
ハ１００をサセプタ２２に対して上下動させるリフト機
構２６とを備えて構成される。かかるリフト機構２６及
びウェハ搬送ロボット（図示せず）との協動により、半
導体ウェハ１００をサセプタ２２上に配置し、また、半
導体ウェハ１００をサセプタ２２上から搬出することが
できる。
【００２５】チャンバ１８の側面には、チャンバ１８の
内部に配置された半導体ウェハ１００の表面にＳｉ単結
晶の薄膜を成長させるための処理ガス（例えばＳｉＨ4
ガス、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガス、ＳｉＨＣｌ3ガス）、キャリ
アガス（例えばＨ2ガス）、チャンバ１８の内部に上記
処理ガスを供給することによってチャンバ１８の内部に
付着したポリシリコンなどの付着物を除去するクリーニ
ングガス（例えばＨＣｌガス）をガス供給部１６からチ
ャンバ１８の内部に層流として供給する供給口２８が設
けられている。また、チャンバ１８の側面であって、上
記供給口２８に対向する部位には、チャンバ１８の内部
を減圧するために排気を行う排気口３０が設けられてい
る。
【００２６】また、チャンバ１８の上方及び下方のそれ
ぞれには、チャンバ１８の内部を加熱し、当該チャンバ
１８の内部に配置された半導体ウェハ１００を加熱する
ためのハロゲンランプ３２がそれぞれ２０本ずつ配置さ
れている。かかるハロゲンランプ３２によって、半導体
ウェハ１００は、５００〜１２００℃に加熱される。
【００２７】チャンバ１８の排気口３０には、図１に示
すように、真空ポンプ１４が接続されており、当該真空
ポンプ１４を駆動させることにより、チャンバ１８の内
部を減圧することができる。また、真空ポンプ１４は、
外部のガス処理設備１１０に接続されており、真空ポン
プ１４によって吸引されたガスは、ガス処理設備１１０
によって必要な処理がなされた後、大気中に放散され
る。
【００２８】ガス供給部１６は、チャンバ１８の内部に
処理ガスを供給する処理ガス供給ライン（図示せず）
と、チャンバ１８の内部にクリーニングガスであるＨＣ
ｌを含有するガス（以下、ＨＣｌガスという）を供給す
るＨＣｌガス供給ライン３２と、ＨＣｌガス供給ライン
３２にＳｉＨ4（シリコン化合物）を含有するガス（以
下、ＳｉＨ4ガスという）を供給するＳｉＨ4ガス供給ラ
イン３４と、ＨＣｌガス供給ライン３２及びＳｉＨ4ガ
ス供給ライン３４におけるＨＣｌガス、ＳｉＨ4ガスそ
れぞれの流量及び上記処理ガスの流量等を制御する制御
部３６（シリコン化合物含有ガス供給手段）と、ＨＣｌ
ガス供給ライン３２を加熱する加熱部３８と、ＨＣｌガ
ス供給ライン３２及びＳｉＨ4ガス供給ライン３４とチ
ャンバ１８の供給口２８との間に設けられたバルブ４０
とを備えて構成される。ここで、ＨＣｌガス供給ライン
３２とＳｉＨ4ガス供給ライン３４とは、バルブ４０の
上流側（チャンバ１８と反対側）で結合されている。
尚、上記処理ガス、ＨＣｌガスは、キャリアガスと混合
されてチャンバ１８の内部に供給される。
【００２９】ＨＣｌガス供給ライン３２は、主として金
属製の配管４２から構成されており、外部に設けられた
ＨＣｌガスシリンダ１１２とバルブ４０とを接続してい
る。また、ＨＣｌガス供給ライン３２には、下流側（バ
ルブ４０側）から順に、バルブ４４、マスフローコント
ローラ（以下、ＭＦＣという）４６、バルブ４８、圧力
計５０、レギュレータ５２が設けられており、さらに、
ＨＣｌガスシリンダ１１２に近い位置にバルブ５４が設
けられている。
【００３０】ＳｉＨ4ガス供給ライン３４も、主として
金属製の配管５６から構成されており、外部に設けられ
たＳｉＨ4ガスシリンダ１１４とバルブ４０とを接続し
ている。また、ＳｉＨ4ガス供給ライン３４には、下流
側（バルブ４０側）から順に、バルブ５８、ＭＦＣ６
０、バルブ６２、圧力計６４、レギュレータ６６、バル
ブ６８が設けられている。
【００３１】制御部３６は、ＨＣｌガス供給ライン３２
に設けられた圧力計５０によって計測した圧力値を参照
しつつ、バルブ４４，４８，５４の開閉、ＭＦＣ４６の
流量設定値、レギュレータ５２の弁開度を制御すること
によりＨＣｌガス供給ライン３２に流れるＨＣｌガスの
流量を制御する。また、ＳｉＨ4ガス供給ライン３４に
設けられた圧力計６４によって計測した圧力値を参照し
つつ、バルブ５８，６２，６８の開閉、ＭＦＣ６０の流
量設定値、レギュレータ６６の弁開度を制御することに
よりＳｉＨ4ガス供給ライン３４に流れるＳｉＨ4ガスの
流量を制御する。さらに、図示しない処理ガス供給ライ
ンに流れる処理ガスの流量等を制御し、また、バルブ４
０の開閉を制御することにより、チャンバ１８に供給さ
れるガス種（処理ガス、クリーニングガス）を制御す
る。
【００３２】ここで、制御部３６は特に、ＨＣｌガス供
給ライン３２を通してＨＣｌガスをチャンバ１８の内部
に供給する前に、ＨＣｌガス供給ライン３２にＳｉＨ4
ガスを供給するように、ＨＣｌガス供給ライン３２に設
けられたバルブ４４等の開閉等、ＳｉＨ4ガス供給ライ
ン３４に設けられたバルブ５８等の開閉等、及び、バル
ブ４４の開閉等を制御する。尚、具体的な制御手順につ
いては後述する。
【００３３】加熱部３８は、ＨＣｌガス供給ライン３２
を加熱する。より詳細には、加熱部３８は、ＨＣｌガス
供給ライン３２にＳｉＨ4ガスが供給される際に、ＨＣ
ｌガス供給ライン３２を加熱する。
【００３４】続いて、ＨＣｌガス供給ライン３２を通し
てＨＣｌガスをチャンバ１８の内部に供給する前に、Ｈ
Ｃｌガス供給ライン３２にＳｉＨ4ガスを供給するため
の具体的な制御手順について説明し、併せて、併せて本
実施形態にかかる薄膜形成方法について説明する。かか
る制御を行うためには、まず、ＳｉＨ4ガス供給ライン
３４のバルブ５８を閉じた状態でバルブ６２，６８を開
き、ＳｉＨ4ガス供給ライン３４のバルブ５８の上流側
をＳｉＨ4ガスで満たしておく。
【００３５】続いて、ＨＣｌガス供給ライン３２のバル
ブ５４を閉じた状態で、レギュレータ５２の弁開度を全
開にし、バルブ４４，４８，４０を開き、ＭＦＣ４６の
流量設定値を最大として、真空ポンプ１４を用いてチャ
ンバ１８及びＨＣｌガス供給ライン３２の内部を真空排
気する。
【００３６】ここで、ＨＣｌガス供給ライン３２に設け
られた圧力計５０の指示値が十分真空状態に近くなった
らバルブ４０を閉じ、その後、ＳｉＨ4ガス供給ライン
３４のバルブ５８を開くとともにＭＦＣ６０を一定流量
に設定する。このようにすることで、ＳｉＨ4ガス供給
ライン３４からＨＣｌガス供給ライン３２のバルブ５４
の下流側（ＨＣｌガスシリンダ１１２と反対側）まで、
ＳｉＨ4ガスが供給される。この際、加熱部３８によ
り、ＨＣｌガス供給ライン３２を加熱する。
【００３７】ここで、ＨＣｌガス供給ライン３２に設け
られた圧力計５０の指示値とＳｉＨ 4ガス供給ライン３
４に設けられた圧力計６４の指示値とがほぼ等しくなっ
たら、ＳｉＨ4ガス供給ライン３４のバルブ５８，６２
を閉じるとともに、ＭＦＣ６０の流量設定値を０とす
る。
【００３８】続いて、バルブ４０を開き、真空ポンプ１
４を用いてチャンバ１８及びＨＣｌガス供給ライン３２
の内部を真空排気する。
【００３９】ここで、ＨＣｌガス供給ライン３２に設け
られた圧力計５０の指示値が十分真空状態に近くなった
ら、レギュレータ５２の弁開度を一旦全閉にしてからバ
ルブ５４を開き、その後レギュレータ５２の弁開度を調
節する。尚、ＨＣｌガス供給ライン３２に残留したＳｉ
Ｈ4ガスをパージすべく、必要に応じてバルブ５４の開
閉を繰り返してもよい。これに続いて、ＨＣｌガス供給
ライン３２のバルブ４４，４８を閉じるとともにＭＦＣ
４６の流量設定値を０とする。上記一連の処理の終了
後、ＨＣｌガス供給ライン３２を通して、チャンバ１８
の内部に、クリーニングガスであるＨＣｌガスを供給す
る。尚、上記一連の処理は、クリーニングガスであるＨ
Ｃｌガスをチャンバ１８の内部に供給する前に毎回行っ
てもよく、クリーニングガスであるＨＣｌガスをチャン
バ１８の内部に何回か供給する毎に行っても良い。
【００４０】続いて、本実施形態にかかるエピタキシャ
ル成長装置の作用及び効果について説明する。本実施形
態にかかるエピタキシャル成長装置１０は、ＨＣｌガス
供給ライン３２を通してＨＣｌガスをチャンバ１８の内
部に供給する前に、ＨＣｌガス供給ライン３２にＳｉＨ
4ガスを供給することで、ＨＣｌガス供給ライン３２の
内面にＳｉＯ2からなる保護膜が形成される。その結
果、ＨＣｌガス供給ライン３２にクリーニングガスであ
るＨＣｌガスを供給する際に、ＨＣｌガス供給ライン３
２の内面の腐食が防止される。その結果、半導体ウェハ
１００上に薄膜を形成する際の上記ＨＣｌガス供給ライ
ン３２からのコンタミネーションを減少させることが可
能となる。ここで、ＨＣｌガス供給ライン３２の内面に
形成される保護膜の厚みは、ＳｉＨ4ガス供給量や加熱
量等を変化させることにより、適宜設計することが可能
であり、ＨＣｌガス供給ライン３２の内面の腐食を効果
的に防止するためには、１００ｎｍ以上であることが好
適である。また、上記従来技術の如くＮ2ガス、Ｈ2ガス
等のパージによる方法においては、リーク等によって後
発的にＨＣｌガス供給ライン３２に侵入する水分、酸素
に起因する腐食を防止することができないが、本実施形
態にかかるエピタキシャル成長装置１０においてはこの
ような腐食をも防止することが可能となる。
【００４１】また、本実施形態にかかるエピタキシャル
成長装置１０は、ＨＣｌガス供給ライン３２にＳｉＨ4
ガスを供給するという簡易なプロセスで上記ＨＣｌガス
供給ライン３２の内面にＳｉＯ2からなる保護膜を形成
し、コンタミネーションを減少させることで、上記従来
技術の如くＮ2ガス、Ｈ2ガス等のパージ処理のみで上記
ＨＣｌガス供給ライン３２に残留する水分、酸素等を十
分除去し、コンタミネーションを減少させる場合と比較
して、極めて短時間で当該コンタミネーション減少のた
めの処理を行うことが可能となる。尚、ＨＣｌガス供給
ライン３２にＳｉＨ4ガスを供給する処理とＮ2ガス、Ｈ
2ガス等のパージ処理とを組み合わせた処理を行ってコ
ンタミネーションを減少させてもよい。この場合も、Ｎ
2ガス、Ｈ2ガス等のパージ処理のみを行う場合と比較し
て、極めて短時間で当該コンタミネーション減少のため
の処理を行うことが可能となる。
【００４２】また、本実施形態にかかるエピタキシャル
成長装置１０は、ＨＣｌガス供給ライン３２を加熱部３
８によって加熱することで、上記保護膜の形成を促進す
ることができる。その結果、さらに短時間で、当該コン
タミネーション減少のための処理を行うことが可能とな
る。
【００４３】上記実施形態にかかるエピタキシャル成長
装置１０においては、クリーニングガスであるＨＣｌガ
スを供給するＨＣｌガス供給ライン３２に対して本発明
を適用していたが、他の腐食性ガス、例えば処理ガスで
あるＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4などの供給
ラインに対して本発明を適用することも可能である。
【００４４】また、上記実施形態にかかるエピタキシャ
ル成長装置１０においては、ＨＣｌガス供給ライン３２
にＳｉＨ4を供給していたが、これは、シリコン化合物
を含有する他のガス、例えばＳｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8などで
あっても良い。
【００４５】また、上記実施形態においてはエピタキシ
ャル成長装置を例にとって説明したが、本発明は、ＰＶ
Ｄ装置、ＣＶＤ装置などのその他の薄膜形成装置にも適
用が可能である。
【００４６】
【発明の効果】本発明の薄膜形成装置及び薄膜形成方法
は、腐食性ガス供給ラインを通して腐食性ガスをチャン
バの内部に供給する前に、シリコン化合物を含有するシ
リコン化合物含有ガスを腐食性ガス供給ラインに供給す
ることで、当該腐食性ガス供給ラインの内面にＳｉＯ2
からなる保護膜が形成される。その結果、腐食性ガス供
給ラインの内面の腐食に起因するコンタミネーションを
減少させることができる。また、シリコン化合物含有ガ
スを腐食性ガス供給ラインに供給するという比較的簡易
なプロセスによって腐食性ガス供給ラインの内面の腐食
を防止するため、コンタミネーションを減少させるため
の処理を比較的短時間で行うことが可能となる。
【００４７】また、本発明の薄膜形成装置及び薄膜形成
方法においては、上記腐食性ガス供給ラインを加熱する
ことで、上記保護膜の形成を促進することができる。そ
の結果、上記コンタミネーション減少のための処理をさ
らに短時間で行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜形成装置の構成図である。
【図２】チャンバの構成図である。
【符号の説明】
１０…エピタキシャル成長装置、１２…チャンバ部、１
４…真空ポンプ、１６…ガス供給部、１８…チャンバ、
２０…ウェハ支持部、２８…供給口、３０…排気口、３
２…ＨＣｌガス供給ライン、３４…ＳｉＨ4ガス供給ラ
イン、３６…制御部、３８…加熱部、４０…バルブ
フロントページの続き (72)発明者 東海 暢男 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 塚本 俊之 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 有馬 靖二 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 DA06 KA22 5F045 AA06 AB02 AC01 AD09 AD10 AD11 AD12 AD13 AD14 AD15 AD16 BB14 DP04 EB06 EE01 EE11 EK12 EK13 EK14

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チャンバの内部に処理ガスを供給し、前
    記チャンバの内部に配置された半導体ウェハに薄膜を形
    成する薄膜形成装置において、 前記チャンバの内部に腐食性ガスを供給する腐食性ガス
    供給ラインと、 前記腐食性ガス供給ラインを通して前記腐食性ガスを前
    記チャンバの内部に供給する前に、シリコン化合物を含
    有するシリコン化合物含有ガスを前記腐食性ガス供給ラ
    インに供給するシリコン化合物含有ガス供給手段とを備
    えたことを特徴とする薄膜形成装置。
  2. 【請求項２】 前記腐食性ガス供給ラインを加熱する加
    熱手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載
    の薄膜形成装置。
  3. 【請求項３】 前記腐食性ガスは、前記チャンバの内部
    に前記処理ガスを供給することにより前記チャンバの内
    部に付着した付着物を除去するクリーニングガスである
    ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
  4. 【請求項４】前記クリーニングガスは、ＨＣｌを含有す
    るガスであることを特徴とする請求項３に記載の薄膜形
    成装置。
  5. 【請求項５】前記シリコン化合物含有ガスは、ＳｉＨ4
    を含有するガスであることを特徴とする請求項１に記載
    の薄膜形成装置。
  6. 【請求項６】 チャンバの内部に処理ガスを供給し、前
    記チャンバの内部に配置された半導体ウェハに薄膜を形
    成する薄膜形成方法において、 前記チャンバの内部に腐食性ガス供給ラインを通して腐
    食性ガスを供給する腐食性ガス供給工程と、 前記腐食性ガス供給工程において前記腐食性ガスを前記
    チャンバの内部に供給する前に、シリコン化合物を含有
    するシリコン化合物含有ガスを前記腐食性ガス供給ライ
    ンに供給するシリコン化合物含有ガス供給工程とを備え
    たことを特徴とする薄膜形成方法。
  7. 【請求項７】 前記シリコン化合物含有ガス供給工程に
    おいて前記シリコン化合物含有ガスを前記腐食性ガス供
    給ラインに供給する際に前記腐食性ガス供給ラインを加
    熱する加熱工程をさらに備えたことを特徴とする請求項
    ６に記載の薄膜形成方法。
  8. 【請求項８】 前記腐食性ガスは、 前記チャンバの内部に前記処理ガスを供給することによ
    り前記チャンバの内部に付着した付着物を除去するクリ
    ーニングガスであることを特徴とする請求項６に記載の
    薄膜形成方法。
  9. 【請求項９】前記クリーニングガスは、ＨＣｌを含有す
    るガスであることを特徴とする請求項８に記載の薄膜形
    成方法。
  10. 【請求項１０】前記シリコン化合物含有ガスは、ＳｉＨ
    4を含有するガスであることを特徴とする請求項６に記
    載の薄膜形成方法。
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