JPH11219939A - 基板載置台表面保護板、処理室内部のクリーニング方法及び基板載置台のクリーニング方法 - Google Patents
基板載置台表面保護板、処理室内部のクリーニング方法及び基板載置台のクリーニング方法Info
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- JPH11219939A JPH11219939A JP2300798A JP2300798A JPH11219939A JP H11219939 A JPH11219939 A JP H11219939A JP 2300798 A JP2300798 A JP 2300798A JP 2300798 A JP2300798 A JP 2300798A JP H11219939 A JPH11219939 A JP H11219939A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クリーニングの際、パーティクルを発生させ
ることのない基板載置台表面保護板とそれを用いた処理
室内部及び基板載置台のクリーニング方法を提供するこ
と。 【解決手段】 基板載置台表面保護板２７のクリーニン
グ側表面部又は全体をマイクロクラック４が実質的にな
い炭化珪素で形成し、これを基板載置台３１上、例えば
基板載置台３１の基板を設置すべき部位２５に設置し、
当該保護板２７からパーティクルを発生させることな
く、該部位２５の周りの部分２６から付着物３０を除去
するクリーニングを行うことを可能にした。
ることのない基板載置台表面保護板とそれを用いた処理
室内部及び基板載置台のクリーニング方法を提供するこ
と。 【解決手段】 基板載置台表面保護板２７のクリーニン
グ側表面部又は全体をマイクロクラック４が実質的にな
い炭化珪素で形成し、これを基板載置台３１上、例えば
基板載置台３１の基板を設置すべき部位２５に設置し、
当該保護板２７からパーティクルを発生させることな
く、該部位２５の周りの部分２６から付着物３０を除去
するクリーニングを行うことを可能にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板載置台表面保
護板並びにこれを用いた処理室及び基板載置台のクリー
ニング方法に関する。
護板並びにこれを用いた処理室及び基板載置台のクリー
ニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、特開平４−１８８７２０号に開
示されているように、サセプタのような基板載置台の表
面をＨＣｌ等のクリーニングガスでクリーニングして該
表面上の堆積物を除去する場合、基板載置台に形成され
基板が挿入されるべきポケット又は基板載置台上面の基
板が載置されるべき部分に炭化シリコン製の保護板（い
わゆるダミーウエハ）を設置して、これらの部分がクリ
ーニングガスによって化学的に侵食されるのを防止して
いる。
示されているように、サセプタのような基板載置台の表
面をＨＣｌ等のクリーニングガスでクリーニングして該
表面上の堆積物を除去する場合、基板載置台に形成され
基板が挿入されるべきポケット又は基板載置台上面の基
板が載置されるべき部分に炭化シリコン製の保護板（い
わゆるダミーウエハ）を設置して、これらの部分がクリ
ーニングガスによって化学的に侵食されるのを防止して
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
操作を行って炭化珪素製の保護板がクリーニングガスに
されされると、クリーニングガスとの反応によって保護
板が表面から侵食されて少しずつ消耗していくことが知
られている。この保護板は、通常、バルク焼結法又はド
クタブレード法によって形成されるもので、所望の厚
さ、平行度及び平坦度を得るために、研削と研磨の機械
加工が行われる。ところが、これら機械加工によって、
図１に示すように、この保護板１（以下、単に「保護板
１」という）の、機械加工された表面部２の炭化窒素の
結晶粒３にマイクロクラック４が生じ、これらが生じた
部分がダメージ層になってしまう。保護板１を基板載置
台上に載置してクリーニング作業を行う際に、保護板１
のクリーニングガスにさらされる側の表面部が、このよ
うなダメージ層を有する表面部であると、マイクロクラ
ックにクリーニングガスが侵入し、マイクロクラック近
傍の炭化珪素がクリーニングガスとの反応によって侵食
されるために、表面部２の結晶粒３のうちのマイクロク
ラックに囲まれた部分が保護板１の表面から固体粒子
（パーティクル）として剥離し、保護板１からパーティ
クルを発生する。
操作を行って炭化珪素製の保護板がクリーニングガスに
されされると、クリーニングガスとの反応によって保護
板が表面から侵食されて少しずつ消耗していくことが知
られている。この保護板は、通常、バルク焼結法又はド
クタブレード法によって形成されるもので、所望の厚
さ、平行度及び平坦度を得るために、研削と研磨の機械
加工が行われる。ところが、これら機械加工によって、
図１に示すように、この保護板１（以下、単に「保護板
１」という）の、機械加工された表面部２の炭化窒素の
結晶粒３にマイクロクラック４が生じ、これらが生じた
部分がダメージ層になってしまう。保護板１を基板載置
台上に載置してクリーニング作業を行う際に、保護板１
のクリーニングガスにさらされる側の表面部が、このよ
うなダメージ層を有する表面部であると、マイクロクラ
ックにクリーニングガスが侵入し、マイクロクラック近
傍の炭化珪素がクリーニングガスとの反応によって侵食
されるために、表面部２の結晶粒３のうちのマイクロク
ラックに囲まれた部分が保護板１の表面から固体粒子
（パーティクル）として剥離し、保護板１からパーティ
クルを発生する。
【０００４】そのため、このようなダメージ層を有する
保護板１を、処理室の内部に配置された基板載置台上に
載置して、処理室内部をクリーニングすると、保護板１
から発生したパーティクルが飛散して処理室の内部を汚
染するという問題があった。これを避けるために、基板
載置台を、処理室とは別のクリーニング室内に移し、基
板載置台上に保護板を載置して、基板載置台をクリーニ
ングすることが考えられる。しかし、この場合にも、当
然のことながらクリーニング室内でパーティクルの飛散
が起き、クリーニング室の内部をパーティクルが付着し
てしまい、今度はクリーニング室の内部を頻繁にクリー
ニングしなければならなくなる。従って、基板載置台を
処理室外のクリーニング室に移してクリーニングを行う
ことは問題の解決にならない。
保護板１を、処理室の内部に配置された基板載置台上に
載置して、処理室内部をクリーニングすると、保護板１
から発生したパーティクルが飛散して処理室の内部を汚
染するという問題があった。これを避けるために、基板
載置台を、処理室とは別のクリーニング室内に移し、基
板載置台上に保護板を載置して、基板載置台をクリーニ
ングすることが考えられる。しかし、この場合にも、当
然のことながらクリーニング室内でパーティクルの飛散
が起き、クリーニング室の内部をパーティクルが付着し
てしまい、今度はクリーニング室の内部を頻繁にクリー
ニングしなければならなくなる。従って、基板載置台を
処理室外のクリーニング室に移してクリーニングを行う
ことは問題の解決にならない。
【０００５】この発明の課題は、クリーニング作業中に
おけるパーティクルの発生を抑制することが可能な基板
載置台表面保護板と、前記基板載置台表面保護板を使用
して基板載置台をクリーニングする方法と、前記基板載
置台表面保護板を使用して内部に基板載置台が配置され
る処理室の内部をクリーニングする方法を提供すること
にある。
おけるパーティクルの発生を抑制することが可能な基板
載置台表面保護板と、前記基板載置台表面保護板を使用
して基板載置台をクリーニングする方法と、前記基板載
置台表面保護板を使用して内部に基板載置台が配置され
る処理室の内部をクリーニングする方法を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明に基づく基板載置台表面保
護板は、基板載置台上の所定の部位に設置されて、該部
位をクリーニングガスから保護するための基板載置台表
面保護板であって、少なくともクリーニングガスにさら
される側の表面部をマイクロクラックが実質的になく形
成した炭化珪素板から成ることを特徴とする。
めに、請求項１に記載の発明に基づく基板載置台表面保
護板は、基板載置台上の所定の部位に設置されて、該部
位をクリーニングガスから保護するための基板載置台表
面保護板であって、少なくともクリーニングガスにさら
される側の表面部をマイクロクラックが実質的になく形
成した炭化珪素板から成ることを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記クリーニングガスにさらされる側
の前記表面部は、前記炭化珪素板の表面を炭化珪素を構
成する原子の再配列を可能にする温度で熱処理して形成
されていることを特徴とする。
の発明において、前記クリーニングガスにさらされる側
の前記表面部は、前記炭化珪素板の表面を炭化珪素を構
成する原子の再配列を可能にする温度で熱処理して形成
されていることを特徴とする。
【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記クリーニングガスにさらされる側
の前記表面部は、ＣＶＤ法によって形成された炭化珪素
層であることを特徴とする。
の発明において、前記クリーニングガスにさらされる側
の前記表面部は、ＣＶＤ法によって形成された炭化珪素
層であることを特徴とする。
【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３
のいずれかの１に記載の発明において、全体がマイクロ
クラックが実質的になく形成されていることを特徴とす
る。
のいずれかの１に記載の発明において、全体がマイクロ
クラックが実質的になく形成されていることを特徴とす
る。
【００１０】請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４
のいずれかの１に記載の発明において、多孔質グラファ
イト板と珪素ソースのガスを含有する反応ガスとを反応
させて形成したことを特徴とする。
のいずれかの１に記載の発明において、多孔質グラファ
イト板と珪素ソースのガスを含有する反応ガスとを反応
させて形成したことを特徴とする。
【００１１】請求項６に記載の発明の処理室の内部のク
リーニング方法は、基板載置台を内部に配置し、該基板
載置台上に基板を載置して処理するための処理室におい
て、該基板載置台上に請求項１乃至５のいずれかの１に
記載の基板載置台表面保護板を設置し、該処理室の内部
をクリーニングガスを用いてクリーニングすることを特
徴とする。
リーニング方法は、基板載置台を内部に配置し、該基板
載置台上に基板を載置して処理するための処理室におい
て、該基板載置台上に請求項１乃至５のいずれかの１に
記載の基板載置台表面保護板を設置し、該処理室の内部
をクリーニングガスを用いてクリーニングすることを特
徴とする。
【００１２】請求項７に記載の発明の基板載置台のクリ
ーニング方法は、請求項１乃至５のいずれかの１に記載
の基板載置台表面保護板を、基板載置台上に設置し、該
基板載置台をクリーニングガスを用いてクリーニングす
ることを特徴とする。
ーニング方法は、請求項１乃至５のいずれかの１に記載
の基板載置台表面保護板を、基板載置台上に設置し、該
基板載置台をクリーニングガスを用いてクリーニングす
ることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図１乃至図３は本発明の基
板載置台表面保護板の第１実施形態を、図４及び図５は
本発明の基板載置台表面保護板の第２実施形態を、図６
及び図７は本発明の基板載置台表面保護板の第３実施形
態を、図８は本発明の基板載置台のクリーニング法の１
実施形態を示す。そして、図１は、機械加工によって基
板載置台表面保護板の表面部に発生したマイクロクラッ
クを示す断面図、図２は、本発明の第１実施例の基板載
置台表面保護板の表面部を熱処理する工程の概略図、図
３は図２の熱処理の結果を示す断面図、図４は、本発明
の第２実施例の基板載置台表面保護板の表面をＣＶＤ法
で形成する工程の概略図、図５は図４の方法で形成され
た基板載置台表面保護板の一部の断面図、図６は、本発
明の第３実施例の基板載置台表面保護板を形成する工程
の概略図、図７は図４の方法で形成された基板載置台表
面保護板の一部の断面図、図８は、本発明の基板載置台
表面保護板を用いた処理室内部のクリーニング法の１実
施例を示す概略図である。
板載置台表面保護板の第１実施形態を、図４及び図５は
本発明の基板載置台表面保護板の第２実施形態を、図６
及び図７は本発明の基板載置台表面保護板の第３実施形
態を、図８は本発明の基板載置台のクリーニング法の１
実施形態を示す。そして、図１は、機械加工によって基
板載置台表面保護板の表面部に発生したマイクロクラッ
クを示す断面図、図２は、本発明の第１実施例の基板載
置台表面保護板の表面部を熱処理する工程の概略図、図
３は図２の熱処理の結果を示す断面図、図４は、本発明
の第２実施例の基板載置台表面保護板の表面をＣＶＤ法
で形成する工程の概略図、図５は図４の方法で形成され
た基板載置台表面保護板の一部の断面図、図６は、本発
明の第３実施例の基板載置台表面保護板を形成する工程
の概略図、図７は図４の方法で形成された基板載置台表
面保護板の一部の断面図、図８は、本発明の基板載置台
表面保護板を用いた処理室内部のクリーニング法の１実
施例を示す概略図である。
【００１４】図１を参照して、研削及び研磨の機械加工
によって形成された炭化珪素板１は、厚さが、例えば、
０．６ｍｍ乃至０．８ｍｍで、これらの機械加工によ
り、その機械加工された側の表面部２に、上述の通り、
マイクロクラック４が生じている。
によって形成された炭化珪素板１は、厚さが、例えば、
０．６ｍｍ乃至０．８ｍｍで、これらの機械加工によ
り、その機械加工された側の表面部２に、上述の通り、
マイクロクラック４が生じている。
【００１５】本発明の第１実施形態の基板載置台表面保
護板は、表面部２に図１に示すマイクロクラック４を有
する炭化珪素板１を出発材とする。図２に示すように、
保護板載置部材５上に載置された炭化珪素板１の前記表
面部２にレーザ光線６を均等に照射し、マイクロクラッ
ク４がある表面部２のみを１，８００℃程度に１０分程
度加熱し、該表面部２を熱処理する。これによって、表
面部２の炭化珪素を構成する原子に再配列が生じ、図３
に示すように、マイクロクラック４の大部分が消滅した
基板載置台表面保護板（以下、単に「保護板」という）
７が形成される。この熱処理によって、ダメージ層は、
マイクロクラックがほとんどない均質な炭化珪素の部分
に換えられる。従って、熱処理後の表面部２はクリーニ
ングガスに対して耐性が高くなり、また、クリーニング
作業中にここからパーティクルが発生することがなくな
る。
護板は、表面部２に図１に示すマイクロクラック４を有
する炭化珪素板１を出発材とする。図２に示すように、
保護板載置部材５上に載置された炭化珪素板１の前記表
面部２にレーザ光線６を均等に照射し、マイクロクラッ
ク４がある表面部２のみを１，８００℃程度に１０分程
度加熱し、該表面部２を熱処理する。これによって、表
面部２の炭化珪素を構成する原子に再配列が生じ、図３
に示すように、マイクロクラック４の大部分が消滅した
基板載置台表面保護板（以下、単に「保護板」という）
７が形成される。この熱処理によって、ダメージ層は、
マイクロクラックがほとんどない均質な炭化珪素の部分
に換えられる。従って、熱処理後の表面部２はクリーニ
ングガスに対して耐性が高くなり、また、クリーニング
作業中にここからパーティクルが発生することがなくな
る。
【００１６】炭化珪素の保護板７は、クリーニングの度
毎に厚さが通常４００ｎｍほど減少する。そのため、保
護板７の内部にマイクロクラックがあると、クリーニン
グの度毎に保護板７の厚さが減少してこれらマイクロク
ラックが表面部に現れていわゆるパーティクルが発生す
ることになる。そこで、保護板７を用いて、多数回（例
えば、１，０００回）クリーニングを行うことができる
ようにするためには、内部にマイクロクラックが実質的
にないことが望ましい。しかし、クリーニング回数があ
まり多くなくて済む場合には、上記の表面部の熱処理は
内部にマイクロクラックがある場合にも有効である。な
ぜならば、表面部２を上記のように熱処理することによ
って、表面部２のマイクロクラックは大部分が消滅し、
このようにしてできた、マイクロクラックが実質的にな
い表面部２が残っている限り、パーティクルを生じるこ
となく保護板７を用いたクリーニングを行うことができ
るからである。
毎に厚さが通常４００ｎｍほど減少する。そのため、保
護板７の内部にマイクロクラックがあると、クリーニン
グの度毎に保護板７の厚さが減少してこれらマイクロク
ラックが表面部に現れていわゆるパーティクルが発生す
ることになる。そこで、保護板７を用いて、多数回（例
えば、１，０００回）クリーニングを行うことができる
ようにするためには、内部にマイクロクラックが実質的
にないことが望ましい。しかし、クリーニング回数があ
まり多くなくて済む場合には、上記の表面部の熱処理は
内部にマイクロクラックがある場合にも有効である。な
ぜならば、表面部２を上記のように熱処理することによ
って、表面部２のマイクロクラックは大部分が消滅し、
このようにしてできた、マイクロクラックが実質的にな
い表面部２が残っている限り、パーティクルを生じるこ
となく保護板７を用いたクリーニングを行うことができ
るからである。
【００１７】図４及び図５を参照して、本発明の基板載
置台表面保護板の第２実施形態について述べる。この実
施形態は研削や研磨の機械加工等によってマイクロクラ
ックが生じた炭化珪素板１Ａの表面部２にＣＶＤ法によ
ってマイクロクラックが実質的にない炭化珪素層３５を
形成して成るものである。炭化珪素板１ＡをＣＶＤ反応
チャンバの加熱機構を有する支持台上に載置し、このチ
ャンバ内を排気手段により所定の圧力に維持し、炭化珪
素板１Ａを所定のＣＶＤ反応温度に加熱し、ついで、Ｃ
ＶＤ反応チャンバ内に所定の反応ガス１１を導入して、
ＣＶＤ反応を行わせることにより、炭化珪素板１Ａのマ
イククラック４が生じた表面上に炭化珪素層３５を形成
する。このように形成した炭化珪素層３５はマイクロク
ラックが実質的にない。ＣＶＤ反応時のチャンバ内圧
力、反応温度、反応ガスは、例えば、それぞれ、大気
圧、００℃、トリクロロメチルシラン等のハロゲン化有
機珪素化合物のガスと水素ガスとの混合ガスとすればよ
い。
置台表面保護板の第２実施形態について述べる。この実
施形態は研削や研磨の機械加工等によってマイクロクラ
ックが生じた炭化珪素板１Ａの表面部２にＣＶＤ法によ
ってマイクロクラックが実質的にない炭化珪素層３５を
形成して成るものである。炭化珪素板１ＡをＣＶＤ反応
チャンバの加熱機構を有する支持台上に載置し、このチ
ャンバ内を排気手段により所定の圧力に維持し、炭化珪
素板１Ａを所定のＣＶＤ反応温度に加熱し、ついで、Ｃ
ＶＤ反応チャンバ内に所定の反応ガス１１を導入して、
ＣＶＤ反応を行わせることにより、炭化珪素板１Ａのマ
イククラック４が生じた表面上に炭化珪素層３５を形成
する。このように形成した炭化珪素層３５はマイクロク
ラックが実質的にない。ＣＶＤ反応時のチャンバ内圧
力、反応温度、反応ガスは、例えば、それぞれ、大気
圧、００℃、トリクロロメチルシラン等のハロゲン化有
機珪素化合物のガスと水素ガスとの混合ガスとすればよ
い。
【００１８】図５から明らかなように、炭化珪素層３５
は炭化珪素板１Ａの表面部のマイクロクラックを覆って
いる。そのために、この炭化珪素層３５が残っている限
り、パーティクルを発生させることなく保護板１３を用
いて、クリーニングを行うことができる。なお、表面ば
かりでなく内部にもマイクロクラックを有する炭化珪素
板１Ａにも、第１実施形態と同様の理由で、炭化珪素層
３５を形成しても第１実施形態と同様に有効である。な
お、この場合、後加工なしに、保護板１３の厚みを含む
寸法、平行度及び平坦度も同時に所望のものにすること
ができる。
は炭化珪素板１Ａの表面部のマイクロクラックを覆って
いる。そのために、この炭化珪素層３５が残っている限
り、パーティクルを発生させることなく保護板１３を用
いて、クリーニングを行うことができる。なお、表面ば
かりでなく内部にもマイクロクラックを有する炭化珪素
板１Ａにも、第１実施形態と同様の理由で、炭化珪素層
３５を形成しても第１実施形態と同様に有効である。な
お、この場合、後加工なしに、保護板１３の厚みを含む
寸法、平行度及び平坦度も同時に所望のものにすること
ができる。
【００１９】図６を参照して、本発明の基板載置台表面
保護板の第３実施形態について述べる。この実施形態
は、多孔質グラファイト板と珪素ソースのガスを含有す
る反応ガスとを反応させて形成した炭化珪素板から成る
ものである。ここで、珪素ソースの反応ガスとは、珪素
を含有するガスであって、反応生成物中の珪素原子がこ
のガスから提供されるようなガスを言うものとする。反
応炉内に多孔質グラファイト板１０を配置し、この反応
炉内を排気手段により所定の圧力に維持し、反応炉内を
所定の反応温度に加熱し、次いで、反応炉内に所定の反
応ガス１１Ａを導入する。この操作によって、多孔質グ
ラファイト板１０と珪素ソースの反応ガスが反応し、緻
密な炭化珪素板が得られる。反応時の反応炉内圧力、反
応温度、反応ガス１１Ａは、例えば、それぞれ、０．０
１Ｔｏｒｒ、１２００℃、一酸化珪素（珪素ソースの反
応ガス）とすればよい。一酸化珪素（ＳｉＯ）ガスは、
例えば、一酸化珪素粉末を、０．０１Ｔｏｒｒの減圧下
で５００℃以上に加熱することによって発生させること
ができる。
保護板の第３実施形態について述べる。この実施形態
は、多孔質グラファイト板と珪素ソースのガスを含有す
る反応ガスとを反応させて形成した炭化珪素板から成る
ものである。ここで、珪素ソースの反応ガスとは、珪素
を含有するガスであって、反応生成物中の珪素原子がこ
のガスから提供されるようなガスを言うものとする。反
応炉内に多孔質グラファイト板１０を配置し、この反応
炉内を排気手段により所定の圧力に維持し、反応炉内を
所定の反応温度に加熱し、次いで、反応炉内に所定の反
応ガス１１Ａを導入する。この操作によって、多孔質グ
ラファイト板１０と珪素ソースの反応ガスが反応し、緻
密な炭化珪素板が得られる。反応時の反応炉内圧力、反
応温度、反応ガス１１Ａは、例えば、それぞれ、０．０
１Ｔｏｒｒ、１２００℃、一酸化珪素（珪素ソースの反
応ガス）とすればよい。一酸化珪素（ＳｉＯ）ガスは、
例えば、一酸化珪素粉末を、０．０１Ｔｏｒｒの減圧下
で５００℃以上に加熱することによって発生させること
ができる。
【００２０】かくして、全体にマイクロクラックが実質
的にない均一な図６に示す基板載置台表面保護板１３Ａ
が得られる。この場合、保護板１３Ａの厚みを含む寸
法、平行度及び平坦度も同時に所望のものが得られる。
なお、図中で参照番号３は炭化珪素の結晶粒を示す。こ
のように形成した保護板１３Ａは、上述の熱処理を行っ
た保護板７よりも、更に表面部のマイクロクラックが少
なく、パーティクルの発生が更に抑制される。
的にない均一な図６に示す基板載置台表面保護板１３Ａ
が得られる。この場合、保護板１３Ａの厚みを含む寸
法、平行度及び平坦度も同時に所望のものが得られる。
なお、図中で参照番号３は炭化珪素の結晶粒を示す。こ
のように形成した保護板１３Ａは、上述の熱処理を行っ
た保護板７よりも、更に表面部のマイクロクラックが少
なく、パーティクルの発生が更に抑制される。
【００２１】図８を参照して、この発明に基づく載置台
のクリーニング方法及び処理室内部のクリーニング方法
の実施形態の一例について説明する。１９は、上記方法
を実施するための処理装置の一例であるプラズマＣＶＤ
装置の一実施形態である。このプラズマＣＶＤ装置１９
は、基板処理室（以下、単に「処理室」という）２０の
内部に設けられた基板載置台３１の上に被処理物である
基板が載置されるように構成されている。また、基板載
置台３１の上方に処理ガス供給部２３が設けられ、ここ
から基板表面に膜の原料ガス（処理ガス）が供給され
る。基板載置台３１は、ヒータ２１とその上に取り付け
られた静電チャック２２とから成り、静電チャック２２
の上面に載置された基板を静電吸着して加熱するように
構成されている。処理ガス供給部２３には高周波電源が
接続され、処理室２０とヒータ２１は接地されている。
処理室２０の側面に排気口を介して排気管２４が接続さ
れ、この排気管２４にターボポンプ等の排気手段３２が
接続されて、処理室２０内を真空排気し、処理室２０の
内部を所定の圧力に維持することが可能になっている。
のクリーニング方法及び処理室内部のクリーニング方法
の実施形態の一例について説明する。１９は、上記方法
を実施するための処理装置の一例であるプラズマＣＶＤ
装置の一実施形態である。このプラズマＣＶＤ装置１９
は、基板処理室（以下、単に「処理室」という）２０の
内部に設けられた基板載置台３１の上に被処理物である
基板が載置されるように構成されている。また、基板載
置台３１の上方に処理ガス供給部２３が設けられ、ここ
から基板表面に膜の原料ガス（処理ガス）が供給され
る。基板載置台３１は、ヒータ２１とその上に取り付け
られた静電チャック２２とから成り、静電チャック２２
の上面に載置された基板を静電吸着して加熱するように
構成されている。処理ガス供給部２３には高周波電源が
接続され、処理室２０とヒータ２１は接地されている。
処理室２０の側面に排気口を介して排気管２４が接続さ
れ、この排気管２４にターボポンプ等の排気手段３２が
接続されて、処理室２０内を真空排気し、処理室２０の
内部を所定の圧力に維持することが可能になっている。
【００２２】以上のように、プラズマＣＶＤ装置１９
は、例えば、ＳｉＯ2 膜を成膜する場合、処理室２０の
内部を所定の圧力、例えば、５０ｍＴｏｒｒに維持し、
基板処理室２０の内部の基板載置台３１の上に載置され
た基板を静電吸着すると共に、例えば、２００℃に加熱
し、処理ガス供給部２３とヒータ２１との間に、例え
ば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加すると共に、
基板表面に、例えば、ＳｉＨ4 ガス及びＯ2 ガス等の成
膜ガス（処理ガス）を供給して、基板上にプラズマＣＶ
Ｄによって成膜処理を施すように構成されている。
は、例えば、ＳｉＯ2 膜を成膜する場合、処理室２０の
内部を所定の圧力、例えば、５０ｍＴｏｒｒに維持し、
基板処理室２０の内部の基板載置台３１の上に載置され
た基板を静電吸着すると共に、例えば、２００℃に加熱
し、処理ガス供給部２３とヒータ２１との間に、例え
ば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加すると共に、
基板表面に、例えば、ＳｉＨ4 ガス及びＯ2 ガス等の成
膜ガス（処理ガス）を供給して、基板上にプラズマＣＶ
Ｄによって成膜処理を施すように構成されている。
【００２３】上記プラズマＣＶＤ装置１９を用いて、例
えば、ＳｉＯ2 の成膜処理を行うと、プラズマＣＶＤ装
置１９内の処理ガスが到達するところ、例えば、基板載
置台３１の基板が載置されていた部位２５の周りの部分
２６や処理室２０の内壁等に成膜処理によって生じた付
着物３０、３３（例えば、ＳｉＯ2 膜を成膜する場合で
あれば、ＳｉＯ2 等）が付着する。このように、付着物
３０、３３が付着した処理室内部をクリーニングするに
あたっては、処理済みの基板を基板載置台３１の上から
取り外し、基板載置台３１の基板が載置されていた部位
２５に、例えば、基板と同一形状、同サイズの、炭化珪
素から成る基板載置台表面保護板２７（例えば、前述の
実施形態の保護板７、１３又は１３Ａ）を載置する。
えば、ＳｉＯ2 の成膜処理を行うと、プラズマＣＶＤ装
置１９内の処理ガスが到達するところ、例えば、基板載
置台３１の基板が載置されていた部位２５の周りの部分
２６や処理室２０の内壁等に成膜処理によって生じた付
着物３０、３３（例えば、ＳｉＯ2 膜を成膜する場合で
あれば、ＳｉＯ2 等）が付着する。このように、付着物
３０、３３が付着した処理室内部をクリーニングするに
あたっては、処理済みの基板を基板載置台３１の上から
取り外し、基板載置台３１の基板が載置されていた部位
２５に、例えば、基板と同一形状、同サイズの、炭化珪
素から成る基板載置台表面保護板２７（例えば、前述の
実施形態の保護板７、１３又は１３Ａ）を載置する。
【００２４】保護板２７の設置後、処理室２０内を排気
して、処理室２０の内部を所定の圧力、例えば、１Ｔｏ
ｒｒに維持し、基板処理室２０の内部の載置台３１の上
に載置された基板を静電吸着すると共に、例えば、２０
０℃に加熱し、処理ガス供給部２３とヒータ２１との間
に、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加する
と共に、処理ガス供給部２３内に、例えば、フッ素系や
塩素系のクリーニングガス（例えば、ＮＦ3 ，ＣＦ4
；ＣｌＦ3 ，ＨＣｌ）２８を供給する。このクリー
ニングガス２８は、反応ガス供給部２３の下面に形成さ
れた孔２９通して静電チャック２２上に送給されてプラ
ズマ化する。基板載置台表面保護板２７はそれが覆って
いる静電チャック２２の、基板が設置されるべき部位２
５をクリーニングガス２８から保護しているから、この
クリーニングガス２８は静電チャック２２のこの部位２
５を化学的に侵食することなく、この部位２５の周りの
部分２６及び処理室２０の内壁からこれらに付着した上
記物質の付着物３０、３３を除去する。このようにし
て、静電チャック２２の上面や処理室２０の内壁等のク
リーニングが行われる。
して、処理室２０の内部を所定の圧力、例えば、１Ｔｏ
ｒｒに維持し、基板処理室２０の内部の載置台３１の上
に載置された基板を静電吸着すると共に、例えば、２０
０℃に加熱し、処理ガス供給部２３とヒータ２１との間
に、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加する
と共に、処理ガス供給部２３内に、例えば、フッ素系や
塩素系のクリーニングガス（例えば、ＮＦ3 ，ＣＦ4
；ＣｌＦ3 ，ＨＣｌ）２８を供給する。このクリー
ニングガス２８は、反応ガス供給部２３の下面に形成さ
れた孔２９通して静電チャック２２上に送給されてプラ
ズマ化する。基板載置台表面保護板２７はそれが覆って
いる静電チャック２２の、基板が設置されるべき部位２
５をクリーニングガス２８から保護しているから、この
クリーニングガス２８は静電チャック２２のこの部位２
５を化学的に侵食することなく、この部位２５の周りの
部分２６及び処理室２０の内壁からこれらに付着した上
記物質の付着物３０、３３を除去する。このようにし
て、静電チャック２２の上面や処理室２０の内壁等のク
リーニングが行われる。
【００２５】この実施形態においては、基板載置台表面
保護板の少なくともクリーニング側表面部を実質的にマ
イクロクラックのない炭化珪素で形成しているために、
この表面がなくならない限り、保護板からパーティクル
を発生させることなく、処理室内部のクリーニングを行
うことができる。また、保護板の全体をマイクロクラッ
クが実質的にない炭化珪素で形成すれば、この保護板を
用いて、パーティクルの発生なしに多数回のクリーニン
グを行うことができ、従って、クリーニング費用を低減
できる。
保護板の少なくともクリーニング側表面部を実質的にマ
イクロクラックのない炭化珪素で形成しているために、
この表面がなくならない限り、保護板からパーティクル
を発生させることなく、処理室内部のクリーニングを行
うことができる。また、保護板の全体をマイクロクラッ
クが実質的にない炭化珪素で形成すれば、この保護板を
用いて、パーティクルの発生なしに多数回のクリーニン
グを行うことができ、従って、クリーニング費用を低減
できる。
【００２６】また、炭化珪素層中の、マイクロクラック
等の格子欠陥が少ないと、クリーニングガスによるこの
炭化珪素層の消耗の速度が小さいので、実施形態の保護
板のような、マイクロクラックが少ない炭化珪素で形成
された保護板（好ましくは、全体が、実質的にマイクロ
クラックがない炭化珪素で形成された保護板）を用いれ
ば、この保護板を用いて多数回のクリーニングを行うこ
とができ、クリーニング費用を低減できる。
等の格子欠陥が少ないと、クリーニングガスによるこの
炭化珪素層の消耗の速度が小さいので、実施形態の保護
板のような、マイクロクラックが少ない炭化珪素で形成
された保護板（好ましくは、全体が、実質的にマイクロ
クラックがない炭化珪素で形成された保護板）を用いれ
ば、この保護板を用いて多数回のクリーニングを行うこ
とができ、クリーニング費用を低減できる。
【００２７】また、上述の実施形態において、フッ素系
や塩素系のクリーニングガスを用いた場合、炭化珪素か
ら成る基板載置台表面保護板２７とクリーニングガスと
の反応生成物は揮発性であるので、この反応生成物がパ
ーティクルとなって処理室内部を汚染することがない。
や塩素系のクリーニングガスを用いた場合、炭化珪素か
ら成る基板載置台表面保護板２７とクリーニングガスと
の反応生成物は揮発性であるので、この反応生成物がパ
ーティクルとなって処理室内部を汚染することがない。
【００２８】また、上述の実施形態では、静電チャック
２２の基板が設置されるべき部位２５をクリーンニグガ
スから保護しているので、静電チャック２２の基板載置
面の形状が変化して、基板を静電吸着する際の吸着力
が、静電チャック２２の基板載置面の面内において部分
的に変化してしまうことを抑制できる。ここで、前記吸
着力は、ヒータ２１から基板への熱伝達に影響を与える
ので、前記吸着力の基板載置面内における変化を抑制で
きれば、基板載置面内における熱伝達の均一性の低下を
抑制することができる。従って、静電チャック２２によ
って基板を静電吸着しヒータ２１によって基板を加熱し
て行う基板の処理の、基板面内における均一性の低下を
抑制することができる。
２２の基板が設置されるべき部位２５をクリーンニグガ
スから保護しているので、静電チャック２２の基板載置
面の形状が変化して、基板を静電吸着する際の吸着力
が、静電チャック２２の基板載置面の面内において部分
的に変化してしまうことを抑制できる。ここで、前記吸
着力は、ヒータ２１から基板への熱伝達に影響を与える
ので、前記吸着力の基板載置面内における変化を抑制で
きれば、基板載置面内における熱伝達の均一性の低下を
抑制することができる。従って、静電チャック２２によ
って基板を静電吸着しヒータ２１によって基板を加熱し
て行う基板の処理の、基板面内における均一性の低下を
抑制することができる。
【００２９】以上、クリーニング方法は、以上の実施形
態において、基板載置台３１を、ヒータ２１とその上面
に取り付けられた静電チャック２２とから成るものとし
たが、前述のクリーニング方法は、基板載置台３１が、
ヒータ内に静電吸着用の電極が埋設されてヒータと静電
チャックが一体になった基板載置台や静電チャックを持
たない基板載置台である場合にも用いることができる。
また、この基板載置台のクリーニング側表面は平坦な面
であるもので説明して来たが、基板を受けるためのポケ
ットを形成して、このポケットと同じ形状を有する保護
板を、このポケットに挿入するようにしてもよい。
態において、基板載置台３１を、ヒータ２１とその上面
に取り付けられた静電チャック２２とから成るものとし
たが、前述のクリーニング方法は、基板載置台３１が、
ヒータ内に静電吸着用の電極が埋設されてヒータと静電
チャックが一体になった基板載置台や静電チャックを持
たない基板載置台である場合にも用いることができる。
また、この基板載置台のクリーニング側表面は平坦な面
であるもので説明して来たが、基板を受けるためのポケ
ットを形成して、このポケットと同じ形状を有する保護
板を、このポケットに挿入するようにしてもよい。
【００３０】以上の説明において、基板載置台３１とこ
れ以外の部分（例えば、処理室２０の内壁等）の双方に
付着物３０、３３が付着していて、その双方をクリーニ
ングして、これら付着物３０、３３を除去する場合につ
いて説明したが、前述の処理室内部のクリーニング方法
は、基板載置台３１のみに付着物３０が付着している場
合や、基板載置台３１には付着物３０が付着しておらず
基板載置台３１以外の部分（処理室２０の内壁など）の
みに付着物３３が付着している場合にも適用できる。
れ以外の部分（例えば、処理室２０の内壁等）の双方に
付着物３０、３３が付着していて、その双方をクリーニ
ングして、これら付着物３０、３３を除去する場合につ
いて説明したが、前述の処理室内部のクリーニング方法
は、基板載置台３１のみに付着物３０が付着している場
合や、基板載置台３１には付着物３０が付着しておらず
基板載置台３１以外の部分（処理室２０の内壁など）の
みに付着物３３が付着している場合にも適用できる。
【００３１】また、以上の説明において、基板処理室２
０の中に基板載置台３１が配置されていて基板処理装置
の内部（基板載置台３１を含む）をクリーニングする方
法について説明したが、基板載置台３１を基板処理室２
０から取り出して、基板載置台３１をクリーニングする
ことができる装置であって基板処理室２０とは別のクリ
ーニング装置を用いて、基板載置台３１のみのクリーニ
ングを行うことも可能である。この場合は、上記クリー
ニング装置として、例えば、基板処理装置１９と同様な
構成のクリーニング装置を用意して、基板処理室２０の
内部をクリーニングした方法と同様な方法で基板載置台
３１のクリーニングを行えばよい。
０の中に基板載置台３１が配置されていて基板処理装置
の内部（基板載置台３１を含む）をクリーニングする方
法について説明したが、基板載置台３１を基板処理室２
０から取り出して、基板載置台３１をクリーニングする
ことができる装置であって基板処理室２０とは別のクリ
ーニング装置を用いて、基板載置台３１のみのクリーニ
ングを行うことも可能である。この場合は、上記クリー
ニング装置として、例えば、基板処理装置１９と同様な
構成のクリーニング装置を用意して、基板処理室２０の
内部をクリーニングした方法と同様な方法で基板載置台
３１のクリーニングを行えばよい。
【００３２】さらに、以上の説明において、基板処理装
置がプラズマＣＶＤ装置である場合について説明した
が、前述の処理室内部のクリーニング方法は、エッチン
グ装置等の他の処理装置でその処理室内に載置台が配置
されるものの処理室内部のクリーニングにも適用でき
る。
置がプラズマＣＶＤ装置である場合について説明した
が、前述の処理室内部のクリーニング方法は、エッチン
グ装置等の他の処理装置でその処理室内に載置台が配置
されるものの処理室内部のクリーニングにも適用でき
る。
【００３３】
【発明の効果】この発明によれば、クリーニング作業中
におけるパーティクルの発生を抑制することができると
いう効果がある。
におけるパーティクルの発生を抑制することができると
いう効果がある。
【図１】表面に研削及び研削をした従来の基板載置台表
面保護板の表面部の断面図である。
面保護板の表面部の断面図である。
【図２】本発明の基板載置台表面保護板の第１実施形態
の熱処理法の概略説明図である。
の熱処理法の概略説明図である。
【図３】図２に示す方法により熱処理された本発明の基
板載置台表面保護板の第１実施形態の表面部の断面図で
ある。
板載置台表面保護板の第１実施形態の表面部の断面図で
ある。
【図４】本発明の基板載置台表面保護板の第２実施形態
の炭化珪素層の形成法の概略説明図である。
の炭化珪素層の形成法の概略説明図である。
【図５】図４に示す方法に基づいて炭化珪素層が形成さ
れた本発明の基板載置台表面保護板の第２実施形態の主
要部の断面図である。
れた本発明の基板載置台表面保護板の第２実施形態の主
要部の断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態の基板載置台表面保護板
の形成法の概略説明図である。
の形成法の概略説明図である。
【図７】図６に示す方法に基づいて形成された本発明の
第３実施形態の基板載置台表面保護板の主要部の断面図
である。
第３実施形態の基板載置台表面保護板の主要部の断面図
である。
【図８】本発明の基板載置台表面保護板を用いた処理室
内部のクリーニング方法の１実施形態の概略図である。
内部のクリーニング方法の１実施形態の概略図である。
１ 炭化珪素板 １Ａ 炭化珪素板 ２ 表面部 ３ 結晶粒 ４ マイクロクラック ５ 保護板載置部材 ６ レーザ光線 ７ 基板載置台表面保護板 １０ 多孔質グラファイト板 １１ 反応ガス １１Ａ 反応ガス １３ 基板載置台表面保護板 １３Ａ 基板載置台表面保護板 １９ プラズマＣＶＤ装置 ２０ 基板処理室 ２１ ヒータ ２２ 静電チャック ２３ 処理ガス供給部 ２５ （基板を設置すべき）部位 ２６ （部位２５の周りの）部分 ２７ 基板載置台表面保護板 ２８ クリーニングガス ３０ 付着物 ３１ 基板載置台 ３３ 付着物 ３５ 炭化珪素層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板載置台上の所定の部位に設置され
て、該部位をクリーニングガスから保護するための基板
載置台表面保護板であって、少なくともクリーニングガ
スにさらされる側の表面部をマイクロクラックが実質的
になく形成した炭化珪素板から成ることを特徴とする基
板載置台表面保護板。 - 【請求項２】 前記クリーニングガスにさらされる側の
前記表面部は、前記炭化珪素板の表面を炭化珪素を構成
する原子の再配列を可能にする温度で熱処理して形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の基板載置台
表面保護板。 - 【請求項３】 前記クリーニングガスにさらされる側の
前記表面部は、ＣＶＤ法によって形成された炭化珪素層
であることを特徴とする請求項１に記載の基板載置台表
面保護板。 - 【請求項４】 全体がマイクロクラックが実質的になく
形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかの１に記載の基板載置台表面保護板。 - 【請求項５】 多孔質グラファイト板と珪素ソースのガ
スを含有する反応ガスとを反応させて形成したことを特
徴とする請求項１または４に記載の基板載置台表面保護
板。 - 【請求項６】 基板載置台を内部に配置し、該基板載置
台上に基板を載置して処理するための処理室において、
該基板載置台上に請求項１乃至５のいずれかの１に記載
の基板載置台表面保護板を設置し、該処理室の内部をク
リーニングガスを用いてクリーニングすることを特徴と
する処理室の内部のクリーニング方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれかの１に記載の
基板載置台表面保護板を、基板載置台上に設置し、該基
板載置台をクリーニングガスを用いてクリーニングする
ことを特徴とする基板載置台のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300798A JPH11219939A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 基板載置台表面保護板、処理室内部のクリーニング方法及び基板載置台のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300798A JPH11219939A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 基板載置台表面保護板、処理室内部のクリーニング方法及び基板載置台のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219939A true JPH11219939A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12098449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2300798A Pending JPH11219939A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 基板載置台表面保護板、処理室内部のクリーニング方法及び基板載置台のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219939A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025247A1 (fr) * | 2001-09-18 | 2003-03-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Cible de pulverisation et procede de production |
| JP2009501452A (ja) * | 2005-07-13 | 2009-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理チャンバ用コンポーネントの局所表面アニーリング |
| JP2011146702A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | プラズマクリーニング処理への改良された適合性を有するオブジェクト |
| CN109831924A (zh) * | 2016-09-30 | 2019-05-31 | 艾克塞利斯科技公司 | 可调式圆周静电夹盘 |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP2300798A patent/JPH11219939A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025247A1 (fr) * | 2001-09-18 | 2003-03-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Cible de pulverisation et procede de production |
| JP2009501452A (ja) * | 2005-07-13 | 2009-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理チャンバ用コンポーネントの局所表面アニーリング |
| JP2011146702A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | プラズマクリーニング処理への改良された適合性を有するオブジェクト |
| CN102156388A (zh) * | 2009-12-22 | 2011-08-17 | Asml荷兰有限公司 | 具有改进的用于等离子体清洁处理的适应性的物体 |
| US8780322B2 (en) | 2009-12-22 | 2014-07-15 | Asml Netherlands B.V. | Object with an improved suitability for a plasma cleaning treatment |
| CN109831924A (zh) * | 2016-09-30 | 2019-05-31 | 艾克塞利斯科技公司 | 可调式圆周静电夹盘 |
| CN109831924B (zh) * | 2016-09-30 | 2024-02-13 | 艾克塞利斯科技公司 | 可调式圆周静电夹盘 |
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