JPH07183230A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH07183230A JPH07183230A JP32838393A JP32838393A JPH07183230A JP H07183230 A JPH07183230 A JP H07183230A JP 32838393 A JP32838393 A JP 32838393A JP 32838393 A JP32838393 A JP 32838393A JP H07183230 A JPH07183230 A JP H07183230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cassette
- semiconductor manufacturing
- shelf
- buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 カセットのバッファ棚へのアクセス時間が無
くなり、ウェーハキャリア搬送時間を短くすることがで
き、装置の稼動効率がよくなると共に、ウェーハの品質
及び歩留りを向上させることのできる半導体製造装置を
提供する。 【構成】 ウェーハの加熱処理を行うバッチ式の半導体
製造装置において、十字形状で且つ突出した４つのウイ
ングに上下方向に複数段となるカセット収容部分１６を
有し、かつその中心に回転機構１５を設けて回転可能で
あるバッファ棚１２を有することを特徴とする。また、
上記バッファ棚１２を気密室２１で囲い、該気密室２１
中を不活性ガス置換する。
くなり、ウェーハキャリア搬送時間を短くすることがで
き、装置の稼動効率がよくなると共に、ウェーハの品質
及び歩留りを向上させることのできる半導体製造装置を
提供する。 【構成】 ウェーハの加熱処理を行うバッチ式の半導体
製造装置において、十字形状で且つ突出した４つのウイ
ングに上下方向に複数段となるカセット収容部分１６を
有し、かつその中心に回転機構１５を設けて回転可能で
あるバッファ棚１２を有することを特徴とする。また、
上記バッファ棚１２を気密室２１で囲い、該気密室２１
中を不活性ガス置換する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハをバッチ式で加
熱処理（ＣＶＤ，拡散）を施す半導体製造装置、特に従
来技術の問題点であるウェーハキャリアのカセット棚へ
のアクセスの時間を短縮し、スループットの向上した半
導体製造装置に関するものである。
熱処理（ＣＶＤ，拡散）を施す半導体製造装置、特に従
来技術の問題点であるウェーハキャリアのカセット棚へ
のアクセスの時間を短縮し、スループットの向上した半
導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置について、図７及
び図１０により説明する。図において１は反応室、２は
ボート、３はキャップ、４はボート２のエレベータ、５
は移載機６を上下動させるエレベータである。図１０示
のようにこの移載機６はウェーハカセット１４内に収容
された多数のウェーハ１９，１９・・・を一挙に取り出
して搬送する多数のプレート２０，２０・・・（図９参
照）を有する。７は移載カセット棚８を左右に移動させ
る移動部で、カセット棚８はウェーハカセット１４を２
列４段に収納する。９はカセットローダ１０を上下動さ
せるエレベータ、１１はカセット受け渡し位置である。
１８は反応室１の外側に置いた加熱用のヒータである。
び図１０により説明する。図において１は反応室、２は
ボート、３はキャップ、４はボート２のエレベータ、５
は移載機６を上下動させるエレベータである。図１０示
のようにこの移載機６はウェーハカセット１４内に収容
された多数のウェーハ１９，１９・・・を一挙に取り出
して搬送する多数のプレート２０，２０・・・（図９参
照）を有する。７は移載カセット棚８を左右に移動させ
る移動部で、カセット棚８はウェーハカセット１４を２
列４段に収納する。９はカセットローダ１０を上下動さ
せるエレベータ、１１はカセット受け渡し位置である。
１８は反応室１の外側に置いた加熱用のヒータである。
【０００３】この装置の動作を説明すると、カセット受
け渡し位置１１で図９示のウェーハカセット１４をカセ
ットローダ１０にセットする。次にカセットローダ１０
により、ウェーハカセット１４を２カセット若しくは１
カセットずつ２列４段の移載カセット棚８に載置する。
但し、受け渡しの際は、ウェーハカセット１４の受け渡
し位置にカセット棚８をカセット棚移動部７により移動
させておく。以上の動作を繰り返し、所要数のウェーハ
カセット１４が載置され終わると、移載機６が回転，摺
動及び上下動の動作をし、そのプレート２０，２０・・
・によりウェーハカセット１４に保持されたウェーハ１
９，１９・・・をボート２へ搬送し、該ボート２上に保
持させる。なお、これらの動作は本発明の要旨と関係が
ないのでその詳細な説明を省略する。この場合、図８の
カセット棚Ｂの位置からウェーハ１９を搬送する場合
は、カセット棚８はウェーハカセット１４の受け渡し位
置で行い、図８のカセット棚Ａの位置から右側（図８に
おいて上方）に移動した位置で行う。
け渡し位置１１で図９示のウェーハカセット１４をカセ
ットローダ１０にセットする。次にカセットローダ１０
により、ウェーハカセット１４を２カセット若しくは１
カセットずつ２列４段の移載カセット棚８に載置する。
但し、受け渡しの際は、ウェーハカセット１４の受け渡
し位置にカセット棚８をカセット棚移動部７により移動
させておく。以上の動作を繰り返し、所要数のウェーハ
カセット１４が載置され終わると、移載機６が回転，摺
動及び上下動の動作をし、そのプレート２０，２０・・
・によりウェーハカセット１４に保持されたウェーハ１
９，１９・・・をボート２へ搬送し、該ボート２上に保
持させる。なお、これらの動作は本発明の要旨と関係が
ないのでその詳細な説明を省略する。この場合、図８の
カセット棚Ｂの位置からウェーハ１９を搬送する場合
は、カセット棚８はウェーハカセット１４の受け渡し位
置で行い、図８のカセット棚Ａの位置から右側（図８に
おいて上方）に移動した位置で行う。
【０００４】これらのウェーハ１９は、ボートエレベー
タ４により反応室１内に挿入され、ヒータ１８により各
種加熱処理を施される。処理が終わると、ボートエレベ
ータ４により、ウェーハ１９は反応室１外に取り出さ
れ、ウェーハ１９が自然放熱して温度が下がってから、
上記搬送の反対の動作でウェーハ１９が取り出される。
タ４により反応室１内に挿入され、ヒータ１８により各
種加熱処理を施される。処理が終わると、ボートエレベ
ータ４により、ウェーハ１９は反応室１外に取り出さ
れ、ウェーハ１９が自然放熱して温度が下がってから、
上記搬送の反対の動作でウェーハ１９が取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来の装置にお
いては、移載機６でカセット棚Ａ側のウェーハカセット
１４に保持されているウェーハ１９を搬送する場合、カ
セット棚８がカセット棚Ｂの位置に移動する必要があ
り、この移動するスペースを確保するために装置内には
２列のカセット棚８しか設置できず、図７，８の従来例
の場合にはカセット棚８に、４×２＝８個の８カセット
しか置けず、この１バッチ分しか置くことができないと
いう問題があった。また、従来のカセット棚８は２バッ
チ以上のウェーハカセットを収納可能にすることから、
バッチ間の待機ウェーハが、大気中に露出し、その酸素
による自然酸化膜をウェーハ表面に形成してしまい、デ
バイス特性が劣化もしくは不能になるという問題点があ
った。
いては、移載機６でカセット棚Ａ側のウェーハカセット
１４に保持されているウェーハ１９を搬送する場合、カ
セット棚８がカセット棚Ｂの位置に移動する必要があ
り、この移動するスペースを確保するために装置内には
２列のカセット棚８しか設置できず、図７，８の従来例
の場合にはカセット棚８に、４×２＝８個の８カセット
しか置けず、この１バッチ分しか置くことができないと
いう問題があった。また、従来のカセット棚８は２バッ
チ以上のウェーハカセットを収納可能にすることから、
バッチ間の待機ウェーハが、大気中に露出し、その酸素
による自然酸化膜をウェーハ表面に形成してしまい、デ
バイス特性が劣化もしくは不能になるという問題点があ
った。
【０００６】本発明の第１の目的は、カセット数が１バ
ッチ分程度しか置けないという従来の問題点を解決し、
連続処理をすることができる半導体製造装置を提供する
ことにある。また、本発明の第２の目的は、従来技術の
問題点であるウェーハ表面の自然酸化膜の形成を防ぎ、
デバイス特性の向上及び歩留りの向上のためＮ2 ガス等
の不活性ガスで酸素をパージできるダブルラック式のバ
ッファ棚を有する縦型拡散・ＣＶＤ装置を提供すること
にある。
ッチ分程度しか置けないという従来の問題点を解決し、
連続処理をすることができる半導体製造装置を提供する
ことにある。また、本発明の第２の目的は、従来技術の
問題点であるウェーハ表面の自然酸化膜の形成を防ぎ、
デバイス特性の向上及び歩留りの向上のためＮ2 ガス等
の不活性ガスで酸素をパージできるダブルラック式のバ
ッファ棚を有する縦型拡散・ＣＶＤ装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハの加
熱処理を行うバッチ式の半導体製造装置において、十字
形状で且つ突出した４つのウイングに上下方向に複数段
となるカセット収容部分１６を有し、かつその中心に回
転機構１５を設けて回転可能であるバッファ棚１２を有
することを特徴とする半導体製造装置である。また、上
記バッファ棚１２を気密室２１で囲い、該気密室２１中
を不活性ガス置換することを特徴とする。
熱処理を行うバッチ式の半導体製造装置において、十字
形状で且つ突出した４つのウイングに上下方向に複数段
となるカセット収容部分１６を有し、かつその中心に回
転機構１５を設けて回転可能であるバッファ棚１２を有
することを特徴とする半導体製造装置である。また、上
記バッファ棚１２を気密室２１で囲い、該気密室２１中
を不活性ガス置換することを特徴とする。
【０００８】
【作用】ウェーハカセット１４はバッファ棚１２の対面
する部分１６内に直接置くことができる。その後回転機
構１５によりバッファ棚１２を移載機６側へ回転し、移
載機６のプレート２０，２０・・・と移載機エレベータ
５とによりウェーハ１９，１９・・・をカセット１４か
らボート２上へ搬送する。カセット投入及び移載動作中
以外は、気密室２１内において不活性ガスがウェーハ１
９表面上に直接流れるので、自然にその表面の酸化膜の
形成を防ぐことができる。
する部分１６内に直接置くことができる。その後回転機
構１５によりバッファ棚１２を移載機６側へ回転し、移
載機６のプレート２０，２０・・・と移載機エレベータ
５とによりウェーハ１９，１９・・・をカセット１４か
らボート２上へ搬送する。カセット投入及び移載動作中
以外は、気密室２１内において不活性ガスがウェーハ１
９表面上に直接流れるので、自然にその表面の酸化膜の
形成を防ぐことができる。
【０００９】
【実施例】以下、図１乃至２につき本発明の実施例１を
従来と同じ部分は同じ符号を用い、異なる部分のみを説
明する。従来のカセット棚８の代わりにバッファ棚１２
を設ける。このバッファ棚１２はその中心の回転機構１
５により回転機能を持たせると共に、平面形状を十字状
にしてダブルラック方式とし、この各４つのウイングに
夫々ウェーハカセット１４を収納する部分１６を４段に
設け、この部分１６の十字方向外側にウェーハカセット
１４のウェーハ１９の取出口が外側を向く形で置けるよ
うにする。図２では４つのウェーハカセット１４を一度
に置くことができるように４段棚であるが、図３では５
つのウェーハカセットを一度に置くことができるように
５段棚である。
従来と同じ部分は同じ符号を用い、異なる部分のみを説
明する。従来のカセット棚８の代わりにバッファ棚１２
を設ける。このバッファ棚１２はその中心の回転機構１
５により回転機能を持たせると共に、平面形状を十字状
にしてダブルラック方式とし、この各４つのウイングに
夫々ウェーハカセット１４を収納する部分１６を４段に
設け、この部分１６の十字方向外側にウェーハカセット
１４のウェーハ１９の取出口が外側を向く形で置けるよ
うにする。図２では４つのウェーハカセット１４を一度
に置くことができるように４段棚であるが、図３では５
つのウェーハカセットを一度に置くことができるように
５段棚である。
【００１０】この構成により従来の段数の倍の数８×２
＝１６個或いは５×４＝２０個のウェーハカセット１４
を置くことができる。バッファ棚１２の開口部の前方に
は左右開閉フロントシャッタ１７を配置する。このバッ
ファ棚１２と移載機６と左右開閉フロントシャッタ１７
からのウェーハキャリア受け渡し位置を一直線上に配置
すると、移載途中でも反対側の棚へウェーハカセットを
置くことができる。
＝１６個或いは５×４＝２０個のウェーハカセット１４
を置くことができる。バッファ棚１２の開口部の前方に
は左右開閉フロントシャッタ１７を配置する。このバッ
ファ棚１２と移載機６と左右開閉フロントシャッタ１７
からのウェーハキャリア受け渡し位置を一直線上に配置
すると、移載途中でも反対側の棚へウェーハカセットを
置くことができる。
【００１１】次にこの装置の動作を説明する。ウェーハ
カセット１４は左右開閉フロットシャッタ１７を開いて
バッファ棚１２の対面する部分１６内に直接置くことが
できる。その際、バッファ棚１２の段数分を一度に置
く。その後回転機構１５によりバッファ棚１２を移載機
６側へ回転し、移載機６のプレート２０，２０・・・と
移載機エレベータ５とによりウェーハ１９，１９・・・
をカセット１４からボート２上へ搬送する。この搬送終
了後、ボート２上のウェーハ１９，１９・・・はボート
エレベータ４にて反応室１内へ運ばれ、加熱時の処理が
行われる。このウェーハの加熱処理中に、次の処理用ウ
ェーハ１９を保持したウェーハカセット１４をバッファ
棚１２の空いている２列の部分１６に載置しておけば、
ウェーハ処理後、ボート２からウェーハ１９を取り出し
た後、連続して次の処理用ウェーハ１９をボート２に移
替え動作が行なえる。そのため、装置の稼動効率が良く
なる。またバッファ棚１２は回転機構１５で駆動してい
るので、従来のものより装置の可動部を減らすことがで
きると共に、装置前面の高さを低くでき、またメンテナ
ンスが手の届く範囲でできる。
カセット１４は左右開閉フロットシャッタ１７を開いて
バッファ棚１２の対面する部分１６内に直接置くことが
できる。その際、バッファ棚１２の段数分を一度に置
く。その後回転機構１５によりバッファ棚１２を移載機
６側へ回転し、移載機６のプレート２０，２０・・・と
移載機エレベータ５とによりウェーハ１９，１９・・・
をカセット１４からボート２上へ搬送する。この搬送終
了後、ボート２上のウェーハ１９，１９・・・はボート
エレベータ４にて反応室１内へ運ばれ、加熱時の処理が
行われる。このウェーハの加熱処理中に、次の処理用ウ
ェーハ１９を保持したウェーハカセット１４をバッファ
棚１２の空いている２列の部分１６に載置しておけば、
ウェーハ処理後、ボート２からウェーハ１９を取り出し
た後、連続して次の処理用ウェーハ１９をボート２に移
替え動作が行なえる。そのため、装置の稼動効率が良く
なる。またバッファ棚１２は回転機構１５で駆動してい
るので、従来のものより装置の可動部を減らすことがで
きると共に、装置前面の高さを低くでき、またメンテナ
ンスが手の届く範囲でできる。
【００１２】図４乃至図６は本発明の実施例２を示すも
ので、実施例１と同じ部分は同じ符号を用いて説明す
る。従来、大気中に露出していたカセット棚８を大気と
遮断する為、この実施例では気密室２１内にバッファ棚
１２を収納する。この気密室２１のカセット投入側２２
と移載機側２３に、アクセス用のスライド扉２４，２５
を設け、必要以上に大気と接触できない構造とする。図
４は窒素（Ｎ2 ）等の不活性ガスの流量系統及び搬送系
統を示すもので、バッファ棚12の中心に窒素ガスを噴出
するノズル管３０を挿入し、このノズル管３０はバルブ
ＡＶ１を介して窒素ガス源に連通する。気密室２１内の
四隅に排気ポート３１，３１・・・を設け、これらの排
気ポート３１，３１・・・は循環用ファン３２及びバル
ブＡＶ２を介して上記ノズル管３０に連通し、またバル
ブＡＶ３を介して外界に連通する。なお図中３３は酸素
濃度計、３４は検知ポート、３５は炉口シャッタであ
る。
ので、実施例１と同じ部分は同じ符号を用いて説明す
る。従来、大気中に露出していたカセット棚８を大気と
遮断する為、この実施例では気密室２１内にバッファ棚
１２を収納する。この気密室２１のカセット投入側２２
と移載機側２３に、アクセス用のスライド扉２４，２５
を設け、必要以上に大気と接触できない構造とする。図
４は窒素（Ｎ2 ）等の不活性ガスの流量系統及び搬送系
統を示すもので、バッファ棚12の中心に窒素ガスを噴出
するノズル管３０を挿入し、このノズル管３０はバルブ
ＡＶ１を介して窒素ガス源に連通する。気密室２１内の
四隅に排気ポート３１，３１・・・を設け、これらの排
気ポート３１，３１・・・は循環用ファン３２及びバル
ブＡＶ２を介して上記ノズル管３０に連通し、またバル
ブＡＶ３を介して外界に連通する。なお図中３３は酸素
濃度計、３４は検知ポート、３５は炉口シャッタであ
る。
【００１３】次にこの装置の動作を説明する。カセット
投入及び移載動作中以外は、スライド扉２４，２５を閉
じ、バルブＡＶ１，ＡＶ３を開け、窒素導入用ノズル管
３０を通じ気密室２１内を窒素雰囲気にする。これによ
り、図４〜６の矢視のように窒素ガスは流れ、図６示の
ようにウェーハカセット１４の背面側から窒素を吹き出
してウェーハ１９表面上に直接窒素を流せるので、自然
にその表面の酸化膜の形成を防ぐことができる。また、
気密室２１内の四隅に排気ポート３１を設けているの
で、酸素溜まりは出来にくい。これにより、ウェーハの
品質を維持でき、また歩留りが向上する。また、窒素の
循環システムを用いることで窒素の使用量を最少限に抑
えることができる。
投入及び移載動作中以外は、スライド扉２４，２５を閉
じ、バルブＡＶ１，ＡＶ３を開け、窒素導入用ノズル管
３０を通じ気密室２１内を窒素雰囲気にする。これによ
り、図４〜６の矢視のように窒素ガスは流れ、図６示の
ようにウェーハカセット１４の背面側から窒素を吹き出
してウェーハ１９表面上に直接窒素を流せるので、自然
にその表面の酸化膜の形成を防ぐことができる。また、
気密室２１内の四隅に排気ポート３１を設けているの
で、酸素溜まりは出来にくい。これにより、ウェーハの
品質を維持でき、また歩留りが向上する。また、窒素の
循環システムを用いることで窒素の使用量を最少限に抑
えることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、バッファ
棚を設けているので、カセットのバッファ棚へのアクセ
ス時間が無くなり、ウェーハキャリア搬送時間を短くす
ることができ、装置の稼動効率がよくなると共に、バッ
ファ棚を気密室で囲い、該気密室中を不活性ガス置換す
るのでウェーハの品質及び歩留りが向上し、装置の高性
能化と共に経済性においても効果がある。
棚を設けているので、カセットのバッファ棚へのアクセ
ス時間が無くなり、ウェーハキャリア搬送時間を短くす
ることができ、装置の稼動効率がよくなると共に、バッ
ファ棚を気密室で囲い、該気密室中を不活性ガス置換す
るのでウェーハの品質及び歩留りが向上し、装置の高性
能化と共に経済性においても効果がある。
【図１】本発明の一実施例の全体の概略図である。
【図２】そのダブルラック部の斜視図である。
【図３】そのダブルラックの他の例を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２実施例の全体の概略図である。
【図５】そのダブルラックの平面図である。
【図６】そのカセット１４における気流の説明図であ
る。
る。
【図７】従来のウェーハキャリア搬送装置の全体の概略
図である。
図である。
【図８】その平面図である。
【図９】（イ）はウェーハ１９とその搬送用のプレート
２０の平面図、（ロ）はその縦断面図である。
２０の平面図、（ロ）はその縦断面図である。
【図１０】従来の回転機構の側面図である。
１６ カセット収容部分 １５ 回転機構 １２ バッファ棚 ２１ 気密室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｔ (72)発明者 開発 秀樹 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 吉田 久志 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 狩野 利一 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェーハの加熱処理を行うバッチ式の半
導体製造装置において、十字形状で且つ突出した４つの
ウイングに上下方向に複数段となるカセット収容部分
（１６）を有し、かつその中心に回転機構（１５）を設
けて回転可能であるバッファ棚（１２）を有することを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 上記バッファ棚（１２）を気密室（２
１）で囲い、該気密室（２１）中を不活性ガス置換する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32838393A JPH07183230A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32838393A JPH07183230A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183230A true JPH07183230A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18209638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32838393A Pending JPH07183230A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183230A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299262A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック室及びその排気方法 |
| JP2006002970A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Koyo Thermo System Kk | 板状処理物冷却装置。 |
| JP2010182919A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム |
| JP2021504932A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| CN117049179A (zh) * | 2023-07-11 | 2023-11-14 | 上海稷以科技有限公司 | 半导体自动化设备及自动化控制方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32838393A patent/JPH07183230A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299262A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック室及びその排気方法 |
| JP2006002970A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Koyo Thermo System Kk | 板状処理物冷却装置。 |
| JP4544515B2 (ja) * | 2004-06-16 | 2010-09-15 | 光洋サーモシステム株式会社 | 板状処理物冷却装置。 |
| JP2010182919A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム |
| JP4665037B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
| JP2021504932A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| CN117049179A (zh) * | 2023-07-11 | 2023-11-14 | 上海稷以科技有限公司 | 半导体自动化设备及自动化控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE43023E1 (en) | Dual loading port semiconductor processing equipment | |
| KR100960773B1 (ko) | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 | |
| US8177550B2 (en) | Vertical heat treatment apparatus and method for operating the same | |
| JP3258748B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR100618355B1 (ko) | 전방 말단 연장부 및 내부 기판 버퍼를 갖춘 기판수송기를 구비한 기판 처리 장치 | |
| US7316966B2 (en) | Method for transferring substrates in a load lock chamber | |
| JP3239977B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| US6234107B1 (en) | Auxiliary vacuum chamber and vacuum processing unit using same | |
| US20040083955A1 (en) | Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism | |
| WO2004007318A2 (en) | Loadport apparatus and method for use thereof | |
| KR102491212B1 (ko) | 진공 처리 장치 및 기판 반송 방법 | |
| JP2000124301A (ja) | 容器載置ユニット、容器収納装置、及び処理装置 | |
| JPH07183230A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH08148503A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3599322B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP3380570B2 (ja) | 搬送装置 | |
| JPH07254538A (ja) | 加熱処理装置 | |
| JP2003068726A (ja) | 冷却機能を備えた加熱処理装置 | |
| KR100364089B1 (ko) | 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치 | |
| JP2003142552A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR200444491Y1 (ko) | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 | |
| JP3608065B2 (ja) | 縦型熱処理装置およびそのボートと保温筒のメンテナンス方法 | |
| JP2001044183A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001284277A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002043389A (ja) | 基板処理装置 |