JP2010182919A - 基板処理システム - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】塗布現像処理システム１には、ウェハ搬送装置４０の周囲に、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４と第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４が配置されている。第１〜第４のバッファ装置４１〜４４は、複数のウェハを鉛直方向に多段に保管するバッファ部を有している。第１〜第４のバッファ装置４１〜４４は、バッファ部搬送機構によってレール４５上を第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４に対向する位置に移動可能になっている。第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４の各処理装置には、当該処理装置と第１〜第４のバッファ装置４１〜４４との間でウェハを搬送するウェハ搬送機構が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システムに関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の各種処理が行われている。
これらの一連の処理は、通常、塗布現像処理システムを用いて行われる。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位でウェハを搬入出するためのカセットステーションと、各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション等を有している。
処理ステーションには、基板を搬送する搬送装置と、搬送装置の周囲に設けられ、複数の処理装置が鉛直方向に多段に配置された処理装置群と、が設けられている。搬送装置には、ウェハを保持して搬送する１基のウェハ搬送体が設けられ、ウェハ搬送体は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であると共に、回転できるように構成されている。そして、ウェハ搬送体は、ウェハを各処理装置に搬送することができる（特許文献１）。
特開２００１−１８９３６８号公報
ところで、この塗布現像処理システムを用いてウェハに一連の処理を行う場合、ウェハ処理のスループットを向上させるために、各処理装置へのウェハの搬送を効率よく行うことが要求されている。
しかしながら、従来のように１基のウェハ搬送体のみを有する搬送装置を用いた場合、各処理装置へのウェハの搬送効率が悪い場合がある。例えば複数の処理装置でウェハの処理が同時に終了すると、処理装置では搬送装置によるウェハの搬出を待たなければならい。また、例えば搬送装置が一の処理装置にウェハを搬送中には、他の処理装置がウェハを処理できる状態になっていても、当該他の処理装置ではウェハの搬入を待たなければならない。しかも、ウェハ搬送体の動作を高速化するにも技術的な限界がある。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させるには至らなかった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、複数の基板を鉛直方向に多段に留置し、基板搬送装置を中心とする円周上を移動する複数のバッファ部と、基板に所定の処理を行う処理装置を鉛直方向に多段に備え、前記円周の外側に配置された複数の処理装置群と、を有し、前記基板搬送装置は、前記バッファ部間で基板を搬送し、前記処理装置は、当該処理装置と前記バッファ部との間で基板を搬送する基板搬送機構を有することを特徴としている。
本発明によれば、各処理装置が基板を搬送する基板搬送機構を有しているので、各処理装置において要求されるタイミングで、当該処理装置に基板を搬入出することができる。すなわち、処理装置で基板を処理ができる状態になれば、当該処理装置の基板搬送機構によって、装置内に基板を迅速に搬入することができる。また、処理装置で基板の処理が終了すれば、当該処理装置の基板搬送機構によって、装置から基板を迅速に搬出することができる。この結果、従来のように処理装置での基板の搬送待ちが発生せず、基板を効率よく搬送することができる。
また、各バッファ部は基板搬送装置を中心とする円周上を移動できるので、一の処理装置群から後続処理を行う他の処理装置群に複数の基板を一度に搬送することができる。
さらに、基板搬送装置によってバッファ部内の基板を所定の位置（鉛直方向の位置）に移動させることができるので、各処理装置の搬送機構は、所定の基板をバッファ部から処理装置内に搬送することができる。
このように本発明によれば、基板の搬送効率を格段に向上させることができる。しかも、基板処理システムは複数のバッファ部を有しているので、システム内で多数の基板に対して処理を行うことができる。したがって、基板処理のスループットを向上させることができる。
前記バッファ部は、前記円周上で移動させるバッファ部搬送機構を有していてもよい。すなわち、各バッファ部は自走式に構成されていてもよい。
前記複数のバッファ部は、回転テーブル上の前記円周上に配置され、前記回転テーブルは、前記基板搬送装置を中心に回転可能であってもよい。
前記バッファ部は、鉛直方向に移動させるバッファ部移動機構を有していてもよい。
前記バッファ部移動機構は、前記バッファ部の鉛直方向の中心軸周りに当該バッファ部を回転させてもよい。
前記基板搬送装置は、複数の基板を保持可能に構成されていてもよい。
前記基板処理システムは、複数の基板を収容するカセットを基板処理システムの外部との間で搬入出する際に載置するカセット載置部と、前記カセット載置部とカセット載置部側の前記バッファ部との間で基板を搬送する他の基板搬送装置と、を有していてもよい。
前記他の基板搬送装置は、複数の基板を保持可能に構成されていてもよい。
前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置が鉛直方向に多段に配置された液処理装置群と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置が鉛直方向に多段に配置された熱処理装置群と、を有していてもよい。
前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置とが鉛直方向に多段に配置された処理装置群を有していてもよい。
一の前記処理装置群には、前記液処理装置と前記熱処理装置とを備えた処理装置層が鉛直方向に多段に配置されていてもよい。
前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、基板を保持する保持部材と、を有していてもよい。
前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、当該フレームの内部を複数に区画する平板状部材と、前記平板状部材の上面に設けられ、基板を保持する保持部材と、を有していてもよい。
前記フレームは、側面が開口した円筒形状を有していてもよく、また側面が開口した直方体形状を有していてもよい。
前記バッファ部は、鉛直方向に延伸する支持部材と、前記支持部材において鉛直方向に所定の間隔で設けられ、基板を保持する保持部材と、を有していてもよい。
前記基板搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよい。
前記基板搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有していてもよい。
前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させてもよい。
前記基板搬送機構は、基板を保持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を有していてもよい。
前記基板搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有していてもよい。
前記基板搬送機構は、前記搬送アームを複数有していてもよい。
本発明によれば、基板の搬送を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることができる。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 ウェハ搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 ウェハ搬送装置の構成の概略を示す平面図である。 第１のバッファ装置の構成の概略を示す側面図である。 第１のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。 ウェハ搬送装置、第１のバッファ装置及び第１の処理装置群の配置を示す説明図である。 レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。 レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。 レジスト塗布装置のウェハ搬送機構がウェハを搬送する様子を示す説明図である。 熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。 熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第３の処理装置群の熱処理装置の配置を示す説明図である。 第３の処理装置群の熱処理装置の配置を示す説明図である。 ウェハ処理の各工程を示したフローチャートである。 他の実施の形態にかかる第１のバッファ装置の構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる第１のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。 他の実施の形態にかかる第１のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。 他の実施の形態にかかる第１のバッファ装置の構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる第１のバッファ装置の構成の概略を示す横断面図である。 他の実施の形態にかかる第１のバッファ装置の構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかるウェハ搬送装置周辺の構成の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。 他の実施の形態にかかるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる第２の処理装置群の処理装置の配置を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す平面図である。また、図２及び図３は、塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間でカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション１０には、カセット載置部としてのカセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、複数、例えば５つのカセット載置板２１が設けられている。カセット載置板２１は、水平方向のＸ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板２１には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
カセットステーション１０には、Ｘ方向に延びる搬送路３０上を移動自在な他の基板搬送装置としてのウェハ搬送装置３１が設けられている。ウェハ搬送装置３１は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りにも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第１のバッファ装置４１との間で受け渡し装置５２を介してウェハＷを搬送できる。
処理ステーション１１の中央部には、基板搬送装置としてのウェハ搬送装置４０が設けられている。ウェハ搬送装置４０は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在であり、後述するバッファ装置４１〜４４との間でウェハＷを搬送できる。
ウェハ搬送装置４０の周囲には、例えばウェハＷを一時的に保管する４つのバッファ装置４１〜４４が設けられている。第１〜第４のバッファ装置４１〜４４は、ウェハ搬送装置４０を中心とした円環状に設けられたレール４５上を移動可能になっている。
ウェハ搬送装置４０の周囲には、各種処理装置を備えた複数、例えば４つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ４がさらに設けられている。第１の処理装置群Ｇ１は、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）に配置され、第２の処理装置群Ｇ２は、処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）に配置され、第３の処理装置群Ｇ３は、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）に配置され、第４の処理装置群Ｇ４は、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）に配置されている。また、第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４は、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４の外側であって、後述するように、各処理装置のウェハ搬送機構１５０、１９０が第１〜第４のバッファ装置４１〜４４との間でウェハＷを搬送できるように配置されている。
第１の処理装置群Ｇ１には、図２に示すようにウェハＷを疎水化処理するアドヒージョン装置５０、５１、複数のウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し装置５２、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下、「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置５３〜５５、ウェハＷの熱処理を行う熱処理装置５６〜５８が下から順に９段に重ねて配置されている。第１の処理装置群Ｇ１の最下段には、上述した下部反射防止膜形成装置５３〜５５に処理液を供給するためのケミカル室５９が設けられている。
第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置６０〜６５、ウェハＷの熱処理を行う熱処理装置６６〜６８が下から順に９段に重ねて配置されている。第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、上述したレジスト塗布装置６０〜６５に処理液を供給するためのケミカル室６９が設けられている。
第３の処理装置群Ｇ３には、液処理装置、例えばウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下、「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置７０〜７３、ウェハＷの熱処理を行う熱処理装置７４〜７８が下から順に９段に重ねて配置されている。第３の処理装置群Ｇ３の最下段には、上述した上部反射防止膜形成装置７０〜７３に処理液を供給するためのケミカル室７９が設けられている。
第４の処理装置群Ｇ４には、図３に示すように液処理装置、例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置８０〜８４、ウェハＷの熱処理を行う熱処理装置８５〜８８が下から順に９段に重ねて配置されている。第４の処理装置群Ｇ４の最下段には、上述した現像処理装置８０〜８４に処理液を供給するためのケミカル室８９が設けられている。
インターフェイスステーション１３には、図１に示すようにウェハ搬送装置９０、受け渡し装置９１及びウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置９２が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、鉛直方向、水平方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、インターフェイスステーション１３に隣接した露光装置１２と、受け渡し装置９１、周辺露光装置９２及び第３の処理装置群Ｇ３との間でウェハＷを搬送できる。
次に、上述したカセットステーション１０のウェハ搬送装置３１と処理ステーション１１のウェハ搬送装置４０の構成について説明する。図４は、ウェハ搬送装置３１の構成の概略を示す側面図であり、図５は、ウェハ搬送装置３１の構成の概略を示す平面図である。
ウェハ搬送装置３１は、図４に示すようにウェハＷを保持して搬送する複数、例えば６本のアーム体１１０を有している。アーム体１１０は、図５に示すようにその先端が２本の先端部１１０ａ、１１０ａに分岐している。各先端部１１０ａには、ウェハＷの裏面を吸着して水平に保持する吸着パッド１１１が設けられている。このような構成により、ウェハ搬送装置３１は、一度に複数のウェハＷを搬送することができる。なお、アーム体１１０の数は、本実施の形態の数に限定されず、任意に選択することができる。
アーム体１１０は、図４に示すように支持部材１１２に支持されている。支持部材１１２の下面には、シャフト１１３を介して、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構１１４が設けられている。この駆動機構１１４によって、アーム体１１０は、鉛直方向及び水平方向に移動可能であり、かつ回転することができる。駆動機構１１４は、図１に示した搬送路３０に取り付けられ、ウェハ搬送装置３１は、搬送路３０上を移動可能になっている。
なお、処理ステーション１１のウェハ搬送装置４０の構成は、上述したウェハ搬送装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。かかるウェハ搬送装置４０においても、アーム体１１０の数を任意に選択することができ、任意の枚数のウェハＷを搬送することができる。
次に、上述した第１〜第４のバッファ装置４１〜４４の構成について説明する。図６は、第１のバッファ装置４１の構成の概略を示す側面図であり、図７は、第１のバッファ装置４１の構成の概略を示す横断面図である。
第１のバッファ装置４１は、図６に示すように複数のウェハＷを鉛直方向に多段に保持して保管するバッファ部１２０を有している。バッファ部１２０は、側面が開口した円筒形状のフレーム１２１を有している。フレーム１２１は、円板形状の天板１２１ａと、円板形状の底板１２１ｂと、天板１２１ａと底板１２１ｂとの間に設けられ、鉛直方向に延伸する枠部材１２１ｃとを有している。枠部材１２１ｃは、例えば図７に示すように天板１２１ａ及び底板１２１ｂと同心円上に等間隔に３本設けられている。各枠部材１２１ｃには、ウェハＷを保持するための保持部材１２２が鉛直方向に所定の間隔で複数設けられている。このような構成により、バッファ部１２０は、フレーム１２１の側面の開口部分からウェハＷを搬入出して保管することができる。
バッファ部１２０の下方には、図６に示すようにモータ（図示せず）などを内蔵したバッファ部搬送機構１２３が設けられている。バッファ部搬送機構１２３は、図１に示したレール４５に取り付けられている。このバッファ部搬送機構１２３によって、バッファ部１２０は、レール４５上を搬送され、第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４に対向する位置に配置される。
バッファ部１２０内に保管されたウェハＷは、図８に示すようにウェハ搬送装置４０によって所定の位置に移動される。これによって、第１の処理装置群Ｇ１内の後述する各処理装置のウェハ搬送機構１５０、１９０が、バッファ部１２０内の全てのウェハＷに対してアクセス可能になっている。
なお、第２〜第４のバッファ装置４２〜４４の構成は、上述した第１のバッファ装置４１の構成と同様であるので説明を省略する。
次に、上述したレジスト塗布装置６０〜６５の構成について説明する。図９は、レジスト塗布装置６０の構成の概略を示す横断面図であり、図１０は、レジスト塗布装置６０の構成の概略を示す縦断面図である。
レジスト塗布装置６０は、図９に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１３０を有している。処理容器１３０の第１のバッファ装置４１（第２〜第４のバッファ装置４２〜４４）に対向する側面には、ウェハＷの搬入出口１３１が形成されている。
処理容器１３０内の中央部には、図１０に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３２が設けられている。スピンチャック１３２は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１３２上に吸着保持できる。
スピンチャック１３２は、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構１３３を有し、この駆動機構１３３によって所定の速度に回転できる。また、駆動機構１３３には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３２は上下動可能である。
スピンチャック１３２の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３４が設けられている。カップ１３２の下面には、回収した液体を排出する排出管１３５と、カップ１３２内の雰囲気を排気する排気管１３６が接続されている。
図９に示すようにカップ１３４のＸ方向負方向（図９の下方向）側には、Ｙ方向（図９の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップ１３４のＹ方向負方向（図９の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図９の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、アーム１４１が取り付けられている。
アーム１４１には、レジスト液を吐出する塗布ノズル１４２が支持されている。アーム１４１は、ノズル駆動部１４３により、レール１４０上を移動自在である。また、アーム１４１は、ノズル駆動部１４３によって昇降自在であり、塗布ノズル１４２の高さを調節できる。
処理容器１３０内のスピンチャック１３２の上方には、図１０に示すように基板搬送機構としてのウェハ搬送機構１５０が設けられている。ウェハ搬送機構１５０は、ウェハＷを保持して搬送する搬送アーム１５１を有している。搬送アーム１５１は、図９に示すようにウェハＷの搬送方向Ｄ（図９中のＸ方向）に延伸する一対のアーム部１５２、１５２と、各アーム部１５２を支持し、ウェハＷの搬送方向Ｄと直角方向（図９中のＹ方向）に延伸する支持部１５３とを有している。各アーム部１５２の上面には、ウェハＷの裏面を吸着して水平に保持する保持部としての吸着パッド１５４が設けられている。
搬送アーム１５１には、図１０に示すように例えばモータ（図示せず）などを内蔵したアーム移動機構１５５が設けられている。アーム移動機構１５５は、支持部１５３をウェハＷの搬送方向Ｄと直角方向に移動させて、一対のアーム部１５２、１５２の間隔を調整することができる。また、アーム移動機構１５５は、搬送アーム１５１を鉛直方向に移動させることもできる。このように搬送アーム１５１が上下動することによって、搬送アーム１５１は、スピンチャック１３２にウェハＷを受け渡すと共に、スピンチャック１３２からウェハＷを受け取ることができる。
処理容器１３０の内側面には、図９に示すようにウェハＷの搬送方向Ｄに延伸する一対のレール１５６、１５６が設けられている。アーム移動機構１５５は、図１０に示すようにレール１５６に取り付けられ、レール１５６に沿って移動可能になっている。そしてこのアーム移動機構１５５によって、搬送アーム１５１は、図１１に示すようにウェハＷを保持した状態で、第１のバッファ装置４１とレジスト塗布装置６０との間でウェハＷを搬送することができる。
なお、レジスト塗布装置６１〜６５の構成については、上述したレジスト塗布装置６０と同様であるので説明を省略する。
また、下部反射防止膜形成装置５３〜５５、上部反射防止膜形成装置７０〜７３、現像処理装置８０〜８４も、上述したレジスト塗布装置６０〜６５と同様の構成を有し、ウェハ搬送機構１５０を備えている。さらに、アドヒージョン装置５０、５１も同様に、ウェハ搬送機構１５０を備えている。
次に、上述した熱処理装置５６〜５８、６６〜６８、７４〜７８、８５〜８８の構成について説明する。図１２は、熱処理装置５６の構成の概略を示す横断面図であり、図１３は、熱処理装置５６の構成の概略を示す縦断面図である。
熱処理装置５６は、図１２に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１６０を有している。処理容器１３０の第１のバッファ装置４１（第２〜第４のバッファ装置４２〜４４）に対向する側面には、ウェハＷの搬入出口１６１が形成されている。また、熱処理装置５６は、図１３に示すように処理容器１６０内に、ウェハＷを加熱処理する加熱部１６２と、ウェハＷを冷却処理する冷却部１６３を備えている。
加熱部１６２には、ウェハＷを載置して加熱する熱板１７０が設けられている。熱板１７０は、厚みのある略円盤形状を有している。熱板１７０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷを熱板１７０上に吸着保持できる。
熱板１７０の内部には、給電により発熱するヒータ１７１が取り付けられている。このヒータ１７１の発熱により熱板１７０を所定の設定温度に調節できる。
熱板１７０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１７２が形成されている。貫通孔１７２には、昇降ピン１７３が設けられている。昇降ピン１７３は、シリンダなどの昇降駆動機構１７４によって上下動できる。昇降ピン１７３は、貫通孔１７２内を挿通して熱板１７０の上面に突出し、ウェハＷを支持して昇降できる。
熱板１７０には、当該熱板１７０の外周部を保持する環状の保持部材１７５が設けられている。保持部材１７５には、当該保持部材１７５の外周を囲み、昇降ピン１７３を収容する筒状のサポートリング１７６が設けられている。
加熱部１６２に隣接する冷却部１６３には、ウェハＷを載置して冷却する冷却板１８０が設けられている。冷却板１８０は、厚みのある略円盤形状を有している。冷却板１８０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷを冷却板１８０上に吸着保持できる。
冷却板１８０の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材（図示せず）が内蔵されており、冷却板１８０を所定の設定温度に調整できる。
冷却部１６３のその他の構成は、加熱部１６２と同様の構成を有している。すなわち、冷却板１８０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１８１が形成されている。貫通孔１８１には、昇降ピン１８２が設けられている。昇降ピン１８２は、シリンダなどの昇降駆動機構１８３によって上下動できる。昇降ピン１８２は、貫通孔１８１内を挿通して冷却板１８０の上面に突出し、ウェハＷを支持して昇降できる。
冷却板１８０には、当該冷却板１８０の外周部を保持する環状の保持部材１８４が設けられている。保持部材１８４には、当該保持部材１８４の外周を囲み、昇降ピン１８２を収容する筒状のサポートリング１８５が設けられている。
熱板１７０と冷却板１８０の上方には、基板搬送機構としてのウェハ搬送機構１９０が設けられている。ウェハ搬送機構１９０は、図１２に示すようにウェハＷの外周部を保持して搬送する搬送アーム１９１を有している。搬送アーム１９１は、ウェハＷの外周に適合する形状、例えば略３／４円環状に構成されたアーム部１９２と、このアーム部１９２と一体に形成され、かつアーム部１９２を支持するための支持部１９３とを有している。アーム部１９２には、ウェハＷの外周部を直接支持する保持部１９４が例えば３箇所設けられている。保持部１９４はアーム部１９２の内円周に等間隔に設けられ、アーム部１９２の内側に突出している。
搬送アーム１９１には、図１３に示すように例えばモータ（図示せず）などを内蔵したアーム移動機構１９５が設けられている。アーム移動機構１９５は、搬送アーム１９１を支持し、鉛直方向に延伸する鉛直移動部１９６と、鉛直移動部１９６を支持し、ウェハＷの搬送方向Ｄと直角方向（図１２中のＹ方向）に延伸する水平移動部１９７とを有している。この鉛直移動部１９６によって、搬送アーム１９１は鉛直方向に移動することができる。このように搬送アーム１９１が上下動することによって、搬送アーム１９１は、昇降ピン１７３、１８２にウェハＷを受け渡すと共に、昇降ピン１７３、１８２からウェハＷを受け取ることができる。
処理容器１６０の内側面には、図１２に示すようにウェハＷの搬送方向Ｄ（図１２中のＸ方向）に延伸する一対のレール１９８、１９８が設けられている。アーム移動機構１９５の水平移動部１９７は、レール１９８に取り付けられ、レール１９８に沿って移動可能になっている。このアーム移動機構１９５によって、搬送アーム１９１は、ウェハＷを加熱部１６２と冷却部１６３との間を搬送することができる。また、搬送アーム１９１は、ウェハＷを保持した状態で、第１のバッファ装置４１と熱処理装置５６との間でウェハＷを搬送することができる。
なお、熱処理装置５７、５８、６６〜６８、８５〜８８の構成については、上述した熱処理装置５６と同様であるので説明を省略する。
また、熱処理装置７４〜７８は、上述した熱処理装置５６の構成に加えて、図１４及び図１５に示すように処理容器１６０の搬入出口１６１に対向する側面に、ウェハＷの搬入出口１９９が形成されている。
例えば熱処理装置７４は、図１４に示すように第１のバッファ装置４１（第２〜第４のバッファ装置４２〜４４）側からウェハ搬送装置９０側に搬送されるウェハＷに対して熱処理を行う。かかる場合、熱処理装置７４の加熱部１６２はウェハ搬送装置９０側に配置され、冷却部１６３は第１のバッファ装置４１側に配置されている。なお、熱処理装置７５、７６も熱処理装置７４と同様に配置されている。
また、例えば熱処理装置７７は、図１５に示すようにウェハ搬送装置９０側から第１のバッファ装置４１（第２〜第４のバッファ装置４２〜４４）側に搬送されるウェハＷに対して熱処理を行う。かかる場合、熱処理装置７７の加熱部１６２は第１のバッファ装置４１側に配置され、冷却部１６３はウェハ搬送装置９０側に配置されている。なお、熱処理装置７８も熱処理装置７７と同様に配置されている。
したがって、熱処理装置７４〜７８においては、処理容器１６０内に搬送されたウェハＷが、先ず冷却部１６３において温度調節され、その後加熱部１６２において加熱されるようになっている。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１は以上のように構成されている。次に、この塗布処理システム１で行われるウェハＷの処理について説明する。図１６は、かかるウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。
先ず、１ロットの複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが、カセットステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。このとき、処理ステーション１１内では、第１のバッファ装置４１が第１の処理装置群Ｇ１に対向して配置されている。その後、ウェハ搬送装置３１によってカセットＣ内のウェハＷが取り出され、処理ステーション１１の受け渡し装置５２を介して第１のバッファ装置４１に搬送される。そして、複数のウェハＷが第１のバッファ装置４１に一時的に保管される。
次に、第１のバッファ装置４１に保管されたウェハＷは、熱処理装置５８のウェハ搬送機構１９０によって当該熱処理装置５８に搬送され、温度調節される（図１６の工程Ｓ１）。温度調節後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１９０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
その後、ウェハＷは、下部反射防止膜形成装置５５のウェハ搬送機構１５０によって当該下部反射防止膜形成装置５５に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図１６の工程Ｓ２）。下部反射防止膜形成後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１５０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
その後、ウェハＷは、熱処理装置５７のウェハ搬送機構１９０によって当該熱処理装置５７に搬送され、温度調節される。温度調節後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１９０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
その後、ウェハＷは、アドヒージョン装置５１のウェハ搬送機構１５０によって当該アドヒージョン装置５１に搬送され、疎水化処理される（図１６の工程Ｓ３）。疎水化処理後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１５０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
次に、第１のバッファ装置４１は、バッファ部搬送機構１２３によってレール４５上を移動し、第２の処理装置群Ｇ２に対向して配置される。
その後、ウェハＷは、レジスト塗布装置６５のウェハ搬送機構１５０によって当該レジスト塗布装置６５に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される（図１６の工程Ｓ４）。レジスト膜形成後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１５０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
その後、ウェハＷは、熱処理装置６８の搬送機構１９０によって当該熱処理装置６８に搬送されて、プリベーク処理される（図１６の工程Ｓ５）。プリベーク処理後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１９０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
次に、第１のバッファ装置４１は、バッファ部搬送機構１２３によってレール４５上を移動し、第３の処理装置群Ｇ３に対向して配置される。
その後、ウェハＷは、上部反射防止膜形成装置７３のウェハ搬送機構１５０によって当該上部反射防止膜形成装置７３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図１６の工程Ｓ６）。上部反射防止膜後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１５０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
その後、ウェハＷは、熱処理装置７４のウェハ搬送機構１９０によって当該熱処理装置７４に搬送され、温度調節される。温度調整後、ウェハ搬送装置９０によって熱処理装置７４から周辺露光装置９２に搬送され、周辺露光処理される（図１６の工程Ｓ７）。
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって露光装置１２に搬送され、露光処理される（図１６の工程Ｓ８）。
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって露光装置１２から熱処理装置７７に搬送され、露光後ベーク処理される（図１６の工程Ｓ９）。露光後ベーク処理、ウェハＷは、熱処理装置７７のウェハ搬送機構１９０によって第１のバッファ装置４１に搬送される。
次に、第１のバッファ装置４１は、バッファ部搬送機構１２３によってレール４５上を移動し、第４の処理装置群Ｇ４に対向して配置される。
その後、ウェハＷは、現像処理装置８４のウェハ搬送機構１５０によって現像処理装置８４に搬送され、現像される（図１６の工程Ｓ１０）。現像処理後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１５０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
その後、ウェハＷは、熱処理装置８８の搬送機構１９０によって当該熱処理装置８８に搬送されて、ポストベーク処理される（図１６の工程Ｓ１１）。ポストベーク処理後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１９０によって第１のバッファ装置４１に戻される。
次に、第１のバッファ装置４１は、バッファ部搬送機構１２３によってレール４５上を移動し、第１の処理装置群Ｇ１に対向して配置される。その後、ウェハＷは、受け渡し装置５２を介してウェハ搬送装置３１に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置３１によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
以上の実施の形態によれば、第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４の各処理装置がウェハＷを搬送する搬送機構１５０、１９０を有しているので、各処理装置において要求されるタイミングで、当該処理装置にウェハＷを搬入出することができる。すなわち、処理装置でウェハＷを処理ができる状態になれば、当該処理装置の搬送機構１５０、１９０によって、装置内にウェハＷを迅速に搬入することができる。また、処理装置でウェハＷの処理が終了すれば、当該処理装置の搬送機構１５０、１９０によって、装置からウェハＷを迅速に搬出することができる。この結果、従来のように処理装置での基板の搬送待ちが発生せず、基板を効率よく搬送することができる。
また、バッファ部搬送機構１２３によってバッファ部１２０を第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４に対向する位置に搬送できるので、一の処理装置群から後続処理を行う他の処理装置群に複数のウェハＷを一度に搬送することができる。
さらに、ウェハ搬送装置４０によってバッファ部１２０内のウェハＷを所定の位置（鉛直方向の位置）に移動させることができるので、各処理装置の搬送機構１５０、１９０は、所定のウェハＷをバッファ部１２０から処理装置内に搬送することができる。
また、ウェハ搬送装置３１、４０は、複数のウェハＷを保持することができ、一度に複数のウェハＷを搬送することができる。
このように本実施の形態によれば、ウェハＷの搬送効率を格段に向上させることができる。しかも、塗布現像処理システム１は複数の第１〜第４のバッファ装置４１〜４４を有しているので、塗布現像処理システム１内で多数のウェハＷに対して処理を行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
以上の実施の形態の第１のバッファ装置４１は、図１７及び図１８に示すように別の構成のバッファ部２１０を有していてもよい。バッファ部２１０は、側面が開口した円筒形状を有するフレーム２１１を有している。フレーム２１１は、フレーム２１１は、円板形状の天板２１１ａと、円板形状の底板２１１ｂと、天板２１１ａと底板２１１ｂとの間に設けられ、鉛直方向に延伸する枠部材２１１ｃとを有している。枠部材２１１ｃは、例えば天板２１１ａ及び底板２１１ｂと同心円上に等間隔に３本設けられている。枠部材２１１ｃには、フレーム２１１の内部を複数に区画する平板状部材２１２が鉛直方向に所定の間隔で複数設けられている。平板状部材２１２の上面中央部には、ウェハＷを保持する保持部材としての保持ピン２１３が例えば３本設けられている。このような構成により、バッファ部２１０は、フレーム２１１の側面の開口部分からウェハＷを搬入出して保管することができる。かかる場合、バッファ部２１０は、複数のウェハＷを鉛直方向に多段に保持して保管することができる。なお、バッファ部２１０の下方には、上述したバッファ部搬送機構１２３が設けられている。
なお、第２〜第４のバッファ装置４２〜４４についても、上述したバッファ部２１０を有していてもよい。
以上の実施の形態のバッファ部１２０のフレーム１２１は、図１９に示すように側面が開口した直方体形状を有していてもよい。かかる場合、天板１２１ａ及び底板１２１ｂは、四角形状に形成され、枠部材１２１ｃは、例えば天板１２１ａ及び底板１２１ｂの四隅に設けられる。各枠部材１２１ｃには、ウェハＷを保持するための保持部材１２２が所定の間隔で複数設けられる。このような構成により、バッファ部１２０は、フレーム１２１の側面の開口部分からウェハＷを搬入出して保管することができる。なお、バッファ部２１０についても同様に、直方体形状のフレーム２１１を有していてもよい。
また、以上の実施の形態の第１のバッファ装置４１は、図２０及び図２１に示すように別の構成のバッファ部２２０を有していてもよい。バッファ部２２０は、鉛直方向に延伸する支持部材２２１を有している。支持部材２２１は、例えば円板形状の底板２２２に支持されている。支持部材２２１には、部材２２３を介して支持板２２４が鉛直方向に所定の間隔で複数設けられている。各支持板２２４の上面中央部には、ウェハＷを保持する保持部材としての保持ピン２２５が例えば３本設けられている。かかる場合、バッファ部２２０は、複数のウェハＷを鉛直方向に多段に保持して保管することができる。なお、バッファ部２２０の下方には、上述したバッファ部移動機構１２３が設けられている。
なお、第２〜第４のバッファ装置４２〜４４についても、上述したバッファ部２２０を有していてもよい。
以上の実施の形態の第１のバッファ装置４１において、バッファ部１２０を鉛直方向に移動させ、鉛直方向の中心軸周りに回転させてもよい。かかる場合、図２２に示すようにバッファ部１２０とバッファ部搬送機構１２３との間に、シャフト２３０が設けられる。そして、バッファ部搬送機構１２３は、上述したようにバッファ部１２０をレール４５上で搬送する機能を有すると共に、シャフト２３０を用いてバッファ部１２０を鉛直方向に移動させ、また鉛直方向の中心軸周りに回転させるバッファ部移動機構としての機能も有している。
このようにバッファ部１２０が鉛直方向に移動可能に構成されることによって、第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４の各処理装置のウェハ搬送機構１５０、１９０は、バッファ部１２０内の全てのウェハＷに対してアクセスすることができる。これによって、ウェハＷがバッファ部１２０内のどの位置に保管されていても、搬送機構１５０、１９０は所定のウェハＷを処理装置に搬送することができる。
また、バッファ部１２０が回転可能に構成されることによって、各処理装置の搬送機構１５０、１９０やウェハ搬送装置４０がバッファ部１２０にアクセスする際、バッファ部１２０の枠部材１２１ｃとの干渉を避けて円滑にウェハＷを搬送することができる。
なお、第２〜第４のバッファ装置４２〜４４についても、上述したシャフト２３０及びバッファ部搬送機構１２３を有していてもよい。また、バッファ部２１０、２２０についても、同様に上述したシャフト２３０及びバッファ部搬送機構１２３を有していてもよい。
以上の実施の形態では、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４のバッファ部１２０は、バッファ部搬送機構１２３によってレール４５上を移動していたが、図２３に示すように回転テーブル２４０を用いてバッファ部１２０を移動させてもよい。４つのバッファ部１２０は、回転テーブル２４０上に固定して設けられている。バッファ部１２０は、回転テーブル２４０と同心円上（ウェハ搬送装置４０を中心とする円周上）に等間隔に配置され、第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４に対向できるように配置されている。また、回転テーブル２４０の中央部にはウェハ搬送装置４０が配置され、ウェハ搬送装置４０の駆動機構１１４は回転テーブル２４０内に固定されている。回転テーブル２４０の下面には、シャフト２４１を介して、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構２４２が設けられている。この駆動機構２４２によって、回転テーブル２４１がウェハ搬送装置４０を中心に回転し、バッファ部１２０を移動させることができる。
以上の実施の形態の熱処理装置５６は、１つのウェハ搬送機構１９０を有していたが、複数のウェハ搬送機構１９０を有していてもよい。例えば図２４に示すように、２つのウェハ搬送機構１９０、１９０が鉛直方向に並べて設けられる。かかる場合、例えば一の搬送機構１９０によって搬送されたウェハＷに熱処理が行われた後、すぐに他の搬送機構１９０によって搬送されたウェハＷに熱処理を行うことができる。したがって、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
また、レジスト塗布装置６０についても、同様に複数のウェハ搬送機構１５０を有していてもよい。
以上の実施の形態のレジスト塗布装置６０は、図２５及び図２６に示すように別の構成のウェハ搬送機構２５０を有していてもよい。ウェハ搬送機構２５０は、ウェハＷを保持して搬送する多関節状の搬送アーム２５１を例えば２つ有している。各搬送アーム２５１は、複数、例えば４つのアーム部２５２を有している。４つのアーム部２５２は、一のアーム部２５２は、その端部において他のアーム部２５２に屈曲自在に連結されている。各アーム部２５２の間には動力が伝達され、搬送アーム２５１は屈伸及び旋回可能になっている。先端のアーム部２５２ａには、ウェハＷの裏面を吸着して水平に保持する保持部としての吸着パッド２５３が設けられている。
基端のアーム部２５２ｂの下面には、アーム移動機構２５４が設けられている。アーム移動機構２５４は、アーム部２５２ｂを支持するシャフト２５５と、シャフト２５５の下方に設けられ、例えばモータ（図示せず）などを内蔵した駆動機構２５６とを有している。このアーム移動機構２５４によって、搬送アーム２５１は、鉛直方向に移動することができる。そして、搬送アーム２５１は、ウェハＷを保持した状態で、第１のバッファ装置４１とレジスト塗布装置６０との間でウェハＷを搬送することができる。
なお、搬送アーム２５１の数は、本実施の形態に限定されず任意に選択することができる。
以上の実施の形態では、レジスト塗布装置６０などの液処理装置にウェハ搬送機構１５０、２５０を設け、熱処理装置５６などの熱処理装置にウェハ搬送機構１９０を設けていたが、液処理装置にウェハ搬送機構１９０を設け、熱処理装置にウェハ搬送機構１５０、２５０を設けてもよい。
以上の実施の形態の第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４において、各処理装置の配置は任意に選択することができる。
例えば一の処理装置群に液処理装置のみを配置し、他の処理装置群に熱処理装置のみを配置してもよい。例えば図２７及び図２８に示すように、第１の処理装置群Ｇ１には、アドヒージョン装置５０、５１、受け渡し装置５２、熱処理装置５６〜５８、６６〜６８が下から順に９段に重ねて配置されている。第２の処理装置群Ｇ２には、レジスト塗布装置６０〜６５、下部反射防止膜形成装置５３〜５５が下から順に９段に重ねて配置されている。第３の処理装置群Ｇ３には、熱処理装置７４〜７８、８５〜８８が下から順に９段に重ねて配置されている。第４の処理装置群Ｇ４には、現像処理装置８０〜８４、上部反射防止膜形成装置７０〜７３が下から順に９段に重ねて配置されている。かかる場合でも、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４を、第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４に対向する位置に移動させて、一連のウェハ処理を行うことができる。
また、一の処理装置群には、液処理装置と熱処理装置とを備えた処理装置層が鉛直方向に多段に配置されていてもよい。例えば図２９に示すように第２の処理装置群Ｇ２には、処理装置層Ｌ１〜Ｌ３が上から順に３段に配置されている。処理装置層Ｌ１には、熱処理装置６６、下部反射防止膜形成装置５３、レジスト塗布装置６０が上から順に配置されている。処理装置層Ｌ２には、熱処理装置６７、下部反射防止膜形成装置５４、レジスト塗布装置６１が上から順に配置されている。処理装置層Ｌ３には、熱処理装置６８、下部反射防止膜形成装置５５、レジスト塗布装置６２が上から順に配置されている。かかる場合、ウェハ搬送装置４０によって第１のバッファ装置４１のバッファ部１２０を各処理装置層Ｌ１〜Ｌ３の高さ分だけ鉛直方向に移動させて、ウェハＷ上に下部反射防止膜とレジスト膜を形成する処理を行うことができる。これによって、ウェハ搬送装置４０によるバッファ部１２０内の移動距離を短くできるので、ウェハＷの搬送効率をより一層向上させることができ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。なお、他の処理装置群Ｇ１、Ｇ３、Ｇ４についても同様に、液処理装置と熱処理装置とを備えた処理装置層を鉛直方向に多段に配置してもよい。
以上の実施の形態では、第１の処理装置群Ｇ１には受け渡し装置５２が設けられていたが、この受け渡し装置５２を液処理装置や熱処理装置などの他の処理装置に置き換え、ウェハ搬送装置３１から第１のバッファ装置４１に複数のウェハＷを直接搬送してもよい。かかる場合、ウェハＷをさらに効率よく搬送することができる。
以上の実施の形態では、第４の処理装置群Ｇ４には下部反射防止膜形成装置７０〜７３、熱処理装置７４〜７８が配置されていたが、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４とウェハ搬送装置９０との間でウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し装置を設けてもよい。かかる場合、例えば熱処理装置７４がインターフェイスステーション１３に設けられる。そして、ウェハＷ上に上部反射防止膜を形成後、ウェハＷが受け渡し装置を介してインターフェイスステーション１３の熱処理装置７４に搬送され、周辺露光処理前のウェハＷの温度調節が行われる。
また、インターフェイスステーション１３に設けていた周辺露光装置９２を第４の処理装置群Ｇ４に設けてもよい。
以上の実施の形態では、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４は移動可能に構成されていたが、図３０に示すように処理ステーション１１内に固定して配置されていてもよい。ウェハ搬送装置４０の周囲には、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４がウェハ搬送装置４０を中心とした円周上に等間隔に配置される。第１のバッファ装置４１は、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図３０のＹ方向負方向側）に配置され、第２のバッファ装置４２は、処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）に配置され、第３のバッファ装置４３は、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）に配置され、第４のバッファ装置４４は、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）に配置されている。第１〜第４のバッファ装置４１〜４４に対向する位置には、第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４がそれぞれ配置される。そして、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４間のウェハＷの搬送は、ウェハ搬送装置４４によって行われる。かかる場合、第１〜第４のバッファ装置４１〜４４と第１〜第４の処理装置群Ｇ１〜Ｇ４を処理ステーション１１内に密に配置することができ、塗布現像処理システム１全体の占有面積を小さくすることができる。
また、上記実施の形態において、図３１に示すように第２のバッファ装置４２と第４のバッファ装置４４に対向する位置に、液処理装置や熱処理装置を備えた他の処理装置群Ｇ５、Ｇ６をそれぞれ配置してもよい。例えば第５の処理装置群Ｇ５には第２の処理装置群２と同様の処理装置が配置され、第６の処理装置群Ｇ６には第４の処理装置群Ｇ４と同様の処理装置が配置されている。かかる場合、塗布現像処理システム１内でより多数のウェハＷに対して処理を行うことができ、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板の処理システムに有用である。
１ 塗布現像処理システム
１０ カセットステーション
１１ 処理ステーション
１３ インターフェイスステーション
２０ カセット載置台
３１ ウェハ搬送装置
４０ ウェハ搬送装置
４１ 第１のバッファ装置
４２ 第２のバッファ装置
４３ 第３のバッファ装置
４４ 第４のバッファ装置
４５ レール
５０、５１ アドヒージョン装置
５３〜５５ 下部反射防止膜形成装置
５６〜５８、６６〜６８、７４〜７８、８５〜８８ 熱処理装置
６０〜６５ レジスト塗布装置
７０〜７３ 上部反射防止膜形成装置
８０〜８４ 現像処理装置
１２０ バッファ部
１２１ フレーム
１２２ 保持部材
１２３ バッファ部搬送機構
１５０ ウェハ搬送機構
１５１ 搬送アーム
１５２ アーム部
１５４ 吸着パッド
１５５ アーム移動機構
１９０ ウェハ搬送機構
１９１ 搬送アーム
１９２ アーム部
１９４ 保持部
１９５ アーム移動機構
Ｃ カセット
Ｇ１〜Ｇ４ 第１〜第４の処理装置群
Ｗ ウェハ

Claims (22)

  1. 基板の処理システムであって、
    複数の基板を鉛直方向に多段に留置し、基板搬送装置を中心とする円周上を移動する複数のバッファ部と、
    基板に所定の処理を行う処理装置を鉛直方向に多段に備え、前記円周の外側に配置された複数の処理装置群と、を有し、
    前記基板搬送装置は、前記バッファ部間で基板を搬送し、
    前記処理装置は、当該処理装置と前記バッファ部との間で基板を搬送する基板搬送機構を有することを特徴とする、基板処理システム。
  2. 前記バッファ部は、前記円周上で移動させるバッファ部搬送機構を有することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記複数のバッファ部は、回転テーブル上の前記円周上に配置され、
    前記回転テーブルは、前記基板搬送装置を中心に回転可能であることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
  4. 前記バッファ部は、鉛直方向に移動させるバッファ部移動機構を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理システム。
  5. 前記バッファ部移動機構は、前記バッファ部の鉛直方向の中心軸周りに当該バッファ部を回転させることを特徴とする、請求項４に記載の基板処理システム。
  6. 前記基板搬送装置は、複数の基板を保持可能であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理システム。
  7. 複数の基板を収容するカセットを基板処理システムの外部との間で搬入出する際に載置するカセット載置部と、
    前記カセット載置部とカセット載置部側の前記バッファ部との間で基板を搬送する他の基板搬送装置と、を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理システム。
  8. 前記他の基板搬送装置は、複数の基板を保持可能であることを特徴とする、請求項７に記載の基板処理システム。
  9. 前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置が鉛直方向に多段に配置された液処理装置群と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置が鉛直方向に多段に配置された熱処理装置群と、を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理システム。
  10. 前記複数の処理装置群は、基板に所定の液体を供給して処理を行う液処理装置と、基板に所定の温度で熱処理を行う熱処理装置とが鉛直方向に多段に配置された処理装置群を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理システム。
  11. 一の前記処理装置群には、前記液処理装置と前記熱処理装置とを備えた処理装置層が鉛直方向に多段に配置されていることを特徴とする、請求項１０に記載の基板処理システム。
  12. 前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、基板を保持する保持部材と、を有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理システム。
  13. 前記バッファ部は、内部に基板を保管するフレームと、前記フレームにおいて鉛直方向に所定の間隔で複数設けられ、当該フレームの内部を複数に区画する平板状部材と、前記平板状部材の上面に設けられ、基板を保持する保持部材と、を有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理システム。
  14. 前記フレームは、側面が開口した円筒形状を有することを特徴とする、請求項１２又は１３に記載の基板処理システム。
  15. 前記フレームは、側面が開口した直方体形状を有することを特徴とする、請求項１２又は１３に記載の基板処理システム。
  16. 前記バッファ部は、鉛直方向に延伸する支持部材と、前記支持部材において鉛直方向に所定の間隔で設けられ、基板を保持する保持部材と、を有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理システム。
  17. 前記基板搬送機構は、一対のアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部とを備えた搬送アームと、前記一対のアーム部の間隔を調整すると共に、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の基板処理システム。
  18. 前記基板搬送機構は、基板の外周に適合する形状を有するアーム部と、前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を備えた搬送アームと、前記搬送アームを水平方向に移動させるアーム移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の基板処理システム。
  19. 前記アーム移動機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させることを特徴とする、請求項１７又は１８に記載の基板処理システム。
  20. 前記基板搬送機構は、基板を保持して搬送する搬送アームを有し、前記搬送アームは、屈曲自在に連結された複数のアーム部と、先端の前記アーム部に設けられ、基板を保持する保持部と、を有することを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の基板処理システム。
  21. 前記基板搬送機構は、前記搬送アームを鉛直方向に移動させるアーム移動機構を有することを特徴とする、請求項２０に記載の基板処理システム。
  22. 前記基板搬送機構は、前記搬送アームを複数有することを特徴とする、請求項１７〜２１のいずれかに記載の基板処理システム。
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