JP2004146449A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上下方向に伸びる搬送領域Zの周囲に複数のタワーT1〜T8を設け、これら複数のタワーT1〜T8の各々を3段の処理ゾーンに分割し、これら処理ゾーンの各々に設けられる、互いに積層された複数の処理ユニットに対して専用の基板搬送手段によりウエハの受け渡しを行うと共に、前記処理ゾーンを、ウエハに対して行われる処理の順番に下段側から上段側に向かって、または上段側から下段側に向かって配列することにより、ウエハの搬送を効率よく行うことができ、高いスループットを確保できる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハやFPD基板(フラットパネルディスプレイ用基板)等の基板に層間絶縁膜を形成するための基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程において、例えばSOD(Spin on Dielectric)システムにより層間絶縁膜を形成する場合がある。このSODシステムでは、例えば半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)上に塗布材料をスピンコートし、加熱等の物理的処理や化学的処理を施して層間絶縁膜を形成している。例えばシロキサン系ポリマーや有機ポリマーの層間絶縁膜を形成する場合、有機溶媒を混ぜ、液状にした塗布材料をウエハ表面に吐出し、スピンコータにより塗布する。次に、段階的に目的に応じた環境下にて熱処理等を行う。また、塗布材料によっては、塗布後にアンモニア雰囲気による処理や溶剤置換処理等の化学的処理を追加する必要がある。
【0003】
このような処理は、例えば図24に示すシステムにより実施される。このシステムでは、例えばウエハWを25枚収納したカセット10はキャリアステ−ジ11に搬入され、受け渡しアーム12により取り出されて、棚ユニット13aの受け渡し部を介して処理ゾーン14に搬送される。処理ゾーン14には、中央に搬送手段15が設けられており、この周りにウエハに前記塗布液を塗布するための塗布ユニット16、前記塗布液を乾燥させるための低温加熱ユニット、ベーク処理を行うためのベークユニット、キュア処理を行うためのキュアユニットなどの処理ユニットを備えた例えば3個の棚ユニット13a,13b,13cが設けられていて、搬送手段15によりこれらの各ユニットに対してウエハの受け渡しが行われるようになっている。
【0004】
ところで、このようなシステムでは、例えば20個以上の処理ユニットを組み合わせる構成を想定した場合、処理ゾーン14と同様の構成の処理ゾーンを、処理ゾーン14に隣接して設けることにより、処理ユニットの増加に対応せざるを得ず、装置が拡張して占有面積が大きくなってしまう。また、処理ユニットと共に搬送手段も増えるものの、キャリアステージ11と離れた方向に装置が拡張するので、カセットから取り出したウエハが、所定の処理後、再びカセットに戻るまでの移動距離が長くなると共に、搬送手段15の移動動作も増え、搬送に時間がかかって、搬送のスループットが低下してしまう。
【0005】
このため、本発明者らは、処理ユニットを縦方向に積層する構成を検討している。このような構成としては、例えば、レジスト材の塗布現像装置において、ウエハを送り出す部分と、ウエハにレジスト材をスピンコート、あるいは現像処理を施す部分と、ウエハに熱処理を施す部分、およびウエハを受ける部分の少なくとも2構成部以上を上下に配設して鉛直方向に接続し、各段の間では専用のフォークリフトによりウエハを搬送する構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0006】
また、基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置において、前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構を空間の周囲に放射状に配置し、この空間の内部に前記複数の処理機構の夫々に対して基板を搬入出するための搬送機構を設け、この処理機構は前記空間をループ状に移動するという構成もある(例えば、特許文献2参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開昭63−5523号公報(第1−2頁、第1,2図)
【特許文献2】
特開平2000−353648号公報(第2,4−6頁、第1,2,5図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献1の構成では、処理ユニット毎に専用のフォークリフトを備えているので、処理ユニットを増加した場合、その分フォークリフトも増やす必要がある。このためフォークリフト同士を干渉させずに、効率のよい搬送を行うことは難しく、搬送の制御が複雑化して、結果として搬送のスループットが悪化してしまう。
【0009】
一方、特許文献2の構成では、搬送機構が1個であるので、処理ユニットを増加させると、搬送経路が複雑化して、搬送機構がウエハの処理に追いつかずに、処理済みのウエハを処理ユニット内で待機させる事態が生じ、やはりスループットが悪くなってしまう。また、仮に搬送機構を増やしたとしても、共通の搬送領域を移動するのでは、搬送機構同士の干渉を抑えながら効率よくウエハを搬送することは困難である。
【0010】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、複数段の処理ゾーンが上下方向に積層された基板処理装置において、処理ゾーンを処理の順序に沿って配列し、処理ゾーンに対応する基板搬送手段により基板の搬送を行うことにより、スループットの向上を図ることができる技術を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このため本発明の基板処理装置は、基板に対して複数の処理ユニットにて順次処理されることにより所定の処理が行われる基板処理装置において、
基板を搬送するために上下方向に伸び、複数段の搬送ゾーンに分割された搬送領域と、
この搬送領域の周囲に設けられた複数のタワーと、
これら複数のタワーの各々において、前記複数段の搬送ゾーンに対応して夫々割り当てられた複数段の処理ゾーンと、
これら複数段の処理ゾーンの各々に設けられ、互いに積層された複数の処理ユニットと、
前記複数段の搬送ゾーンの夫々に設けられ、その搬送ゾーンに対応する処理ゾーンに設けられた各処理ユニットに対して基板の受け渡しを行うと共に、互いに独立して駆動される複数の基板搬送手段と、
少なくとも一つのタワーに設けられ、前記所定の処理が行われる前の基板が搬入される基板搬入部と、
少なくとも一つのタワーに設けられ、前記所定の処理が終了した基板が搬出される基板搬出部と、を備え、
前記複数段の処理ゾーンは、基板に対して行われる処理の順番に下段側から上段側に向かって、または上段側から下段側に向かって配列されていることを特徴とする。
【0012】
このような構成では、処理ユニットが多段に積層されるタワーを搬送領域のまわりに設けているので、装置の低フットプリントを確保しながら、処理ユニットの数を増加することができる。また、複数段の処理ゾーンが処理の順番に配列され、かつ各処理ゾーンの処理ユニットに対しては、専用の基板搬送手段により基板が搬送されるので、各基板搬送手段の搬送エリアが分割され、搬送エリアが集約されていることになる。このため、複数の基板搬送手段同士の間での干渉が抑えられ、効率よく基板の搬送を行うことができて、高いスループットを得ることができる。
【0013】
ここで、前記基板搬入部及び基板搬出部は、互いに上下に隣接する処理ゾーンの間に設けられる構成でもよいし、基板搬入部は、最上段の搬送ゾーン及び最下段の搬送ゾーンの一方に対応する位置に設けられ、基板搬出部は、最上段の搬送ゾーン及び最下段の搬送ゾーンの他方に対応する位置に設けられる構成でもよい。また、基板搬入部は基板搬出部を兼用するものであってもよいし、基板搬入部及び基板搬出部は、各々多数枚の基板を収納する基板カセットが載置されるカセット載置部であってもよい。
【0014】
さらに、本発明では、前記処理ゾーンの少なくとも一つは、基板に塗布液の塗布処理を行う塗布ユニットが設けられ、前記処理ゾーンの他の少なくとも一つは、塗布液が塗布された基板の加熱処理を行う加熱ユニットが設けられる。さらにまた、本発明では、少なくとも一つのタワーにおいて、互いに隣接する処理ゾーンの間に基板の受け渡し部を設け、互いに隣接する基板搬送手段の間で前記受け渡し部を介して基板の受け渡しを行うようにしてもよい。
【0015】
さらにまた、一の処理ゾーンにて処理された基板は、当該一の処理ゾーンに対応する基板搬送手段または当該一の処理ゾーンに隣接する他の処理ゾーンに対応する基板搬送手段により、当該他の処理ゾーンに搬送されるようにしてもよい。また、前記塗布ユニットを最下段の処理ゾーンに設け、加熱ユニットを前記最下段の処理ゾーンの上の処理ゾーンに設けるようにしてもよいし、基板に塗布された塗布膜の硬化処理を行うキュアユニットをさらに設け、このキュアユニットと、前記加熱ユニットとを、同じ処理ゾーンに設けてもよい。さらに、前記キュアユニットは、前記加熱ユニットが設けられた処理ゾーンの上の処理ゾーンに設けるレイアウトであってもよい。
【0016】
さらに、一の搬送ゾーンと他の搬送ゾーンとは仕切り壁により互いに雰囲気が区画されると共に、互いに異なる雰囲気に設定されるように構成してもよいし、前記一の搬送ゾーン及び他の搬送ゾーンの少なくとも一方を低酸素雰囲気に設定するようにしてもよい。この場合前記低酸素雰囲気は不活性ガス雰囲気であってもよいし、減圧雰囲気であってもよい。また、前記一の搬送ゾーンに対応する処理ゾーンと他の搬送ゾーンに対応する処理ゾーンとの間には、基板の受け渡し部をなすロードロック室が設けられ、このロードロック室は、一の搬送ゾーンに連通する基板搬送口及び他の搬送ゾーンに連通する基板搬送口を夫々開閉する開閉部を備えるように構成してもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の基板処理装置の一実施の形態について、層間絶縁膜をSOD法によって形成するSODシステムに適用した場合を例にして説明する。ここで、図1は本発明の基板処理装置の一実施の形態に係る全体構成を示す平面図であって、図2はその概略斜視図、図3はその側部断面図である。
図1〜3中Zは、基板例えばウエハを搬送するために上下方向に伸びる搬送領域であり、この搬送領域Zの周囲には、この搬送領域Zを取り囲むように複数個例えば8個のタワーT(T1〜T8)が設けられている。ここで、前記タワーT1〜T8とは、複数の処理ユニットを上下方向に多段に積層して配列して構成されたものであり、本実施の形態では、スループットの向上を図るために、5個以上のタワーTを配設することが好ましい。
【0018】
これらタワーT1〜T8の各々は、例えば図3に示すように、上下方向に複数個例えば3個の処理ゾーンS(S1〜S3)に分割されており、この例では、各々のタワーT1〜T8の下段側から上段側に向かって、第1の処理ゾーンS1、第2の処理ゾーンS2、第3の処理ゾーンS3がこの順で割り当てられている。そしてこれら処理ゾーンS1〜S3の各ゾーンに対応して前記搬送領域Zも複数段の搬送ゾーンZ1〜Z3に分割されている。つまり、第1の処理ゾーンS1に対応して第1の搬送ゾーンZ1、第2の処理ゾーンS2に対応して第2の搬送ゾーンZ2、第3の処理ゾーンS3に対応して第3の搬送ゾーンZ3が夫々割り当てられている。なお、ここでいう処理ゾーンS及び搬送ゾーンZとは、後述する基板搬送手段によるウエハの搬送の便宜上設定されたものであり、隣接する処理ゾーンS同士、及び搬送ゾーンZ同士が実際に仕切り壁にて区画されているものではない。
【0019】
前記処理ゾーンS1〜S3の各々には、複数段の互いに積層された処理ユニットが割り当てられている。これら複数段の処理ユニットは、前記複数段の処理ゾーンS1〜S3が、タワーT1〜T8内において、ウエハに対して行われる処理の順番に下段側から上段側に向かって、または上段側から下段側に向かって配列されるように、夫々の処理ゾーンS1〜S3に割り当てられる。
【0020】
この例では、前記処理ゾーンS1〜S3が、処理の順序に沿ってタワーT1〜T8の下段側から上段側に向かって配列されている場合を例にして説明する。つまり各処理ゾーンS1〜S3には、第1の処理ゾーンS1→第2の処理ゾーンS2→第3の処理ゾーンS3の順序で処理が進行するように、夫々処理ユニットが配列される。具体的にSODシステムにおける処理ユニットとは、塗布液の塗布前にウエハを所定温度に温調するための温調ユニット(CPL)21、ウエハ表面に塗布液を塗布する処理を行う塗布ユニット(SCT)22、ウエハ表面に塗布された塗布膜の溶剤を熱により乾燥させる処理を行う低温加熱ユニット(LHP)23、ウエハを加熱して塗布膜の化学反応を進行させるベーク処理を行うベークユニット(DLB)24、ウエハを加熱して塗布膜の硬化を進行させるキュア処理を行うキュアユニット(DLC)25等が相当する。
【0021】
そして、SOD法では、ウエハの温調処理→塗布処理→低温加熱処理→ベーク処理→キュア処理の順序で処理が進行するので、前記複数段の処理ゾーンS1〜S3が、この順序に沿ってタワーT1〜T8の下段側から上段側に向かって配列されるように、前記処理ユニットを第1〜第3の処理ゾーンS1〜S3に割り当てて配列すればよい。このようにして配列した処理ユニットのレイアウトの一例について、図2、図3により説明する。ここで、図2では、タワーT3,タワーT4、図3では、タワーT1,タワーT5を、夫々代表して示している。
【0022】
この例では、タワーT1〜T8の第1の処理ゾーンS1には、前記温調ユニット21と、前記塗布ユニット22と、第1の処理ゾーンS1と第2の処理ゾーンS2との間でウエハの受け渡しを行うための第1の受け渡し部(TRS1)26Aとが、配列されている。
【0023】
またタワーT1〜T8の第2の処理ゾーンS2には、前記低温加熱ユニット23と、前記ベークユニット24と、第2の処理ゾーンS2と第3の処理ゾーンS3との間でウエハの受け渡しを行うための第2の受け渡し部(TRS2)26Bとが配列されている。ここで、前記低温加熱ユニット23と、ベークユニット24と、キュアユニット25とは、本発明の加熱ユニットに相当する。これに加えて、例えばタワーTの内の例えば2個、この例ではタワーT1,T2の第2の処理ゾーンS2には、例えば25枚の基板であるウエハWが収納された基板カセット(以下「カセット」という)C1,C2のカセット載置部27A,27Bが夫々設けられている。
【0024】
ここでカセットC1は、この基板処理装置における所定の処理が行われる前のウエハを収納するためのカセットであり、カセットC2は前記所定の処理が終了したウエハを収納するためのカセットである。また前記カセット載置部27Aは本発明の基板搬入部、前記カセット載置部27Bは本発明の基板搬出部に夫々相当するものであり、これらカセット載置部27A,27Bには、外部からカセットC1,C2が載置できるようになっている。そしてタワーT1〜T8の第3の処理ゾーンS3には、複数個の前記キュアユニット25が配列されている。
【0025】
前記搬送領域Zには、各搬送ゾーンZ1〜Z3の夫々に対応して複数例えば3個の基板搬送手段3(3A〜3C)が設けられている。これら基板搬送手段3A〜3Cは、当該基板搬送手段3A〜3Cが設けられた搬送ゾーンZ1〜Z3に対応する処理ゾーンS1〜S3の各処理ユニットに対してウエハの搬送を行うものである。つまり、前記搬送領域Z内には、第1の処理ゾーンS1の各処理ユニットに対してウエハの搬送を行う第1の基板搬送手段3Aと、第2の処理ゾーンS2の各処理ユニットに対してウエハの搬送を行う第2の基板搬送手段3Bと、第3の処理ゾーンS3の各処理ユニットに対してウエハの搬送を行う第3の基板搬送手段3Cとが、下段側から上段側に向けて順番に設けられている。
【0026】
これら基板搬送手段3(3A〜3C)は夫々同様に構成され、例えば図4,図5に示すように、夫々の基台30(30A〜30C)の基端側に設けられた駆動部31(31A〜31C)により、例えば共通の略鉛直な駆動軸32に沿って、互いに独立して昇降自在、かつ前記駆動軸32のまわりに回転自在に構成されている。
【0027】
各基板搬送手段3は、例えば3本の保持アーム33a,33b,33cを備えており、例えば上側の2本の保持アーム33a,33bが各処理ユニットに対してウエハの受け渡しを行うための、ウエハの裏面側周縁部を保持する円弧状アーム、下の1本の保持アーム33cがカセットC1,C2や受け渡し部26A,26Bに対してウエハの受け渡しを行うための、例えばセラミックス製の板状アームとなっている。これら3本のアーム33a〜33cは、前記駆動部31に取り付けられた基台30に沿って、夫々独立して進退自在に構成されている。
【0028】
前記駆動部31は、例えば中央部に駆動軸32用の開口部34が形成されており、回動用ギア35と歯車36との組み合わせにより駆動軸32を中心として回動し、昇降用ローラ37により駆動軸32に沿って昇降するように構成されている。これにより3個の基板搬送手段3A〜3Cの保持アーム33a〜33cは、夫々独立して昇降自在、略鉛直軸まわりに回動自在、進退自在に構成されることとなる。
【0029】
これら基板搬送手段3A〜3Cは、既述のように対応する処理ゾーンS1〜S3内にて、ウエハの搬送を行うものであり、隣接する処理ゾーンS同士の間では、受け渡し部26A,26Bを介してウエハの受け渡しを行う。このため、第1の基板搬送手段3Aは、第1の処理ゾーンS1の処理ユニットの夫々に対してアクセスできるように、また、第2の基板搬送手段3Bは、第1の処理ゾーンS1の第1の受け渡し部26Aと、第2の処理ゾーンS2の処理ユニットに対して夫々アクセスできるように、第3の基板搬送手段3Cは、第2の処理ゾーンS2の第2の受け渡し部26Bと、第3の処理ゾーンS3の処理ユニットに対して夫々アクセスできるように、夫々構成されている。
【0030】
こうして、この実施の形態では、当該駆動軸32を中心として各タワーT1〜T8が放射状に配列され、前記基板搬送手段3A〜3Cの駆動軸32から、各タワーT1〜T8に設けられる処理ユニットのウエハの載置位置(受け渡し位置)が径方向にほぼ同じ距離に位置し、各基板搬送手段3A〜3Cが搬送しようとする各処理ユニットに対応して、鉛直軸まわり回動でき、かつ上下方向に移動できるように構成されている。
【0031】
これら各タワーT1〜T8と基板搬送手段3A〜3Cとは、例えば筐体100内に収容されており、例えばタワーT1〜T8と搬送領域Zの上部側には、図示しないフィルタユニットが設けられていて、タワーT1〜T8及び搬送領域Z内に清浄な空気がダウンフロ−として供給されるようになっている。
【0032】
続いて、処理ユニットを構成する塗布ユニット22、低温加熱ユニット23、ベークユニット24、キュアユニット25の構成について図6〜9に基づいて夫々簡単に説明する。先ず、塗布ユニット22は、ウエハの表面に例えばシロキサン(Siloxane)を溶剤に分散させた塗布液を塗布する処理が行われる処理ユニットである。この塗布ユニット22は、例えば図6に示すように、ウエハWの周囲を囲むカップ41内にてウエハWを昇降可能、回転可能なスピンチャック42に保持させて、ウエハW表面にノズル43から前記塗布液を供給し、ウエハWを回転させることによって、前記塗布液をウエハ表面に広げて均一な塗布膜を形成するものである。
【0033】
また、塗布ユニット22では、例えば塗布液の塗布処理が行われた後、ウエハを高速で回転させることにより、塗布液中の前記溶剤の乾燥させる処理が行われる。塗布ユニット22としては、例えば塗布液を吐出するためのノズルをウエハに対して相対的にX,Y方向に走査させることにより、ウエハ表面に前記塗布液を塗布する、いわゆるスキャン方式を採用するようにしてもよい。
【0034】
続いて、低温加熱ユニット23は、塗布液が塗布された基板を加熱して、塗布膜に残った溶剤を熱により乾燥させるための、低温の加熱処理が行われる処理ユニットである。このユニット23では、図7に示すように、基板載置台を兼ねる加熱プレート44上にウエハを載置し、加熱プレート44と蓋体45とにより形成される処理容器内に、不活性ガス供給機構46から不活性ガス例えば窒素ガスを供給する。一方、蓋体45の排気機構47を介して不活性ガスを排気させることにより、前記処理容器内を低酸素雰囲気に設定し、この状態で加熱プレート44にて、ウエハを所定温度例えば100℃程度に加熱することにより、前記塗布液に含まれる溶剤の乾燥が行われる。図中44aはヒータである。
【0035】
また、ベークユニット24は、低酸素雰囲気にてウエハを加熱して縮重合反応を起こさせ、化学的に塗布膜を硬化させるための低酸素加熱処理(ベーク処理)が行われる処理ユニットである。このユニット24は、図8に示すように、前記低温加熱ユニット23と概ね同様の構成であるが、前記低温加熱ユニット23よりも更に低酸素雰囲気とするために、処理時において多量の不活性ガスが供給されることから、処理後のウエハを搬出するために蓋体45を上昇させた際に、残ガスを排気して周辺に広がらないようにするために、側面部に排気孔48aを備えたケーシング体48が、前記処理容器の外側にさらに設けられている。
【0036】
これにより、ベークユニット24では、ケーシング体48と蓋体45とにより形成される加熱処理室(処理容器)内にて、不活性ガス供給機構46から不活性ガス例えば窒素ガスを供給する。一方、蓋体45の排気機構47及びケーシング48体の排気口48aから不活性ガスを排気させることにより、前記加熱処理室内を例えば許容酸素濃度20ppm以下の低酸素雰囲気に設定する。そして、この雰囲気内にて、加熱プレート44によりウエハを所定温度例えば100℃〜300℃程度に加熱することにより、所定のベーク処理が行われる。
【0037】
前記キュアユニット25は、塗布膜を焼成するための加熱処理が行われる処理ユニットであり、ここでは、塗布膜が加熱されることにより、架橋またはポロジェンの離脱が行われて、塗布膜の硬化及び低誘電率化を図る処理が行われる。このキュアユニット25では、例えば図9に示すように、ウエハ搬送口50aを介して基板載置部を兼ねる加熱プレート51上にウエハを受け渡し、加熱室50内の雰囲気を図示しない真空ポンプを介して排気することにより、当該加熱室50内を所定の減圧状態例えば許容酸素濃度20ppm以下に設定する。そしてこの雰囲気内において、加熱プレート51を回転機構52により略鉛直軸まわりに回転させた状態で、ウエハを所定温度例えば350℃〜450℃に加熱し、こうして所定のキュア処理が行われる。
【0038】
この後、加熱プレート51に対向して設けられた冷却ガス供給機構53から当該加熱室50内に冷却ガスを供給し、これによりウエハを所定の温度例えば200℃以下に温調する処理が行われる。なお、加熱室50内に図示しない不活性ガス供給機構から不活性ガスを供給する構成としてもよいし、加熱室と温調室とを別個に備え、温調室を介して加熱室にウエハを搬送する構成のキュアユニットを用いるようにしてもよい。
【0039】
また前記温調ユニット21は、基板載置台の内部に、ヒータ44aに替えて冷却手段が設けられたことを除いて、概ね前記低温加熱ユニット23と同様に構成されており、基板載置部(冷却プレート)の表面にウエハを所定時間載置することにより、ウエハを所定温度に調整する処理が行われる。
【0040】
このような基板処理装置では、先ず自動搬送ロボット(あるいは作業者)により例えば25枚のウエハWを収納したカセットC1が、外部からタワーT1のカセット載置部27Aに搬入される。次いで、第2の基板搬送手段3BによりこのカセットC1内からウエハWが取り出され、タワーT1,T5の第1の受け渡し部26Aを介して第1の基板搬送手段3Aに受け渡される。
【0041】
そして、第1の基板搬送手段3Aは、先ずウエハを第1の処理ゾーンS1の温調ユニット21に搬送して、ここで所定の温度に調整した後、塗布ユニット22に搬送し、当該ユニット22にて既述の塗布液の塗布処理が1分程度が行われ、続いてウエハWは第1の受け渡し部26Aに搬送される。
【0042】
第1の受け渡し部26AのウエハWは、第2の基板搬送手段3Bにより第2の処理ゾーンS2に搬送され、低温加熱ユニット23にて、例えば1分〜3分程度、既述の低温加熱処理が行われる。この後、ウエハWは第2の基板搬送手段3Bによりベークユニット24に搬送されて、ここで例えば1分〜3分程度、既述のベーク処理が行われる。ベーク処理が行われたウエハWは、第2の基板搬送手段3Bにより第2の処理ゾーンS2の第2の受け渡し部26Bに搬送される。
【0043】
次いで、前記受け渡し部26BのウエハWは、第3の基板搬送手段3Cによりキュアユニット25に搬送され、ここで例えば3分〜30分程度、既述のキュア処理が行われて、塗布膜が形成される。この後、ウエハWは、第3の基板搬送手段3Cにより第2の処理ゾーンS2の第2の受け渡し部26Bを介して第2の基板搬送手段3Bに受け渡され、第2の基板搬送手段3BによりタワーT2のカセットC2内に戻される。
【0044】
このような構成では、上下方向に複数個並んで設けた基板搬送手段3のまわりに処理ユニットを多段に積層したタワーTを配列することにより、処理ユニットが搬送効率の良好な状態で配列されることになる。このため処理ユニットを増加させる場合、タワーの上下方向の伸張と、基板搬送手段の増加により対処でき、装置の占有面積を拡張させずに、処理ユニットの個数を多くすることができる。このように装置の低フットプリント化を図ることができるので、この基板処理装置が配設されるクリーンルームや、タワーT1〜T8等の上部に設けられるフィルタユニットが小型化され、コスト的に有利となる。またタワーT1〜T8の内側に搬送領域がまとめられているので、この領域をメンテナンス時に利用でき、メンテナンスが容易となる。
【0045】
この際、タワーTに設けられた複数段の処理ゾーンS1〜S3の各々は、専用の基板搬送手段3A〜3Cを有するので、当該基板搬送手段3A〜3Cのまわりに、搬送を担当する処理ユニットが集中して設けられる状態となる。このように1個の基板搬送手段3の搬送エリアが集約されるので、ウエハの搬送効率がよく、搬送のスループットが向上する。このため、処理済みのウエハが基板搬送手段3を待機する状態が起こりにくくなり、処理全体として高いスループットを得ることができる。
【0046】
また、複数の基板搬送手段3を設けても、各々の搬送ゾーンZが分割されており、担当する搬送ゾーンZ内において各々の基板搬送手段3が独立して駆動される。このため、互いの基板搬送手段3同士の干渉を考慮することなく、夫々の搬送ゾーンZにおいて異なるウエハの搬送フロ−を同時に進行させることができ、各搬送ゾーンZ毎に効率のよいウエハの搬送を行うことができる。この際、隣接する基板搬送手段3との干渉を考慮することなく、当該搬送ゾーンZにおける効率のよい搬送を行うための搬送プログラムを作成すればよいので、搬送の制御が容易となる。なお、受け渡し部26にアクセスするときのみ、隣接する搬送ゾーンに移動する場合はあるものの、前記受け渡し部26は隣接する搬送ゾーンとの間に存在するので、この受け渡し部26へのアクセス時に起こる隣接する基板搬送手段3との干渉については問題のない範囲である。
【0047】
また、タワーT1〜T8の処理ゾーンS1〜S3を処理の順序に沿って下段側から上段側に向けて順番に積層するように配列したので、ウエハがタワーT1〜T8内を下段側から上段側に向けて順番に搬送されることになる。これにより、ウエハはタワーT内の処理ゾーンS1〜S3間を、一方向にスムーズに搬送されることになり、搬送経路の複雑化が抑えられる。このためさらに搬送時間が短縮され、スループットの向上を図ることができる。
【0048】
さらに、カセット載置部27A,27BをタワーT1,T2内に設けたので、基板搬送手段3BにてカセットC1,C2に直接アクセスすることができる。このため、カセット載置部をタワーTの外部に設ける場合に比べて、カセットCとタワーT1〜T8との間でウエハの受け渡しを行う役割を果たす受け渡しアームが不用となるので、装置の構成要素が少なくて済むほか、外部のカセット載置部と受け渡しアームの設置に要する領域が不用となり、この分の装置の占有面積を小さくすることができる。
【0049】
さらにまた、カセット載置部27A,27Bを上下に隣接する処理ゾーンの間、この例では第2の処理ゾーンS2に設け、カセット載置部27A,27Bの下段側に第1の処理ゾーンS1、上段側に第3の処理ゾーンS3を設けたので、カセットC1,C2と第1の処理ゾーンS1、第3の処理ゾーンS3が近くなる。このため、カセットC1から第1の処理ゾーンS1に所定の処理が行われる前のウエハを搬送する際や、第3の処理ゾーンS3から所定の処理が終了したウエハをカセットC2に搬送する際の搬送距離が短くなる。また、カセットC1からウエハを取り出す基板搬送手段3と、カセットC2にウエハを受け渡す基板搬送手段3とが異なるので、基板搬送手段3の干渉を抑えて、効率良いウエハの搬送を行ないやすい。これによりさらなるスループットの向上を図ることができる。
【0050】
なお、カセット載置部27はタワーT1〜T8の内の2箇所に割り当てたが、これに限らず、1箇所のみでもよいし、2箇所以上設けるようにしてもよい。この際、1つのタワーT内に複数のカセット載置部27を設けるようにしてもよい。また、カセットCは所定の処理が終了したウエハを、元のカセットC内に収容するようにして、基板搬入部が基板搬出部を兼用する構成であってもよい。
【0051】
さらにこの例では、第1の処理ゾーンS1には、温調ユニット21と塗布ユニット22、第2の処理ゾーンS2には、低温加熱ユニット23とベークユニット24、第3の処理ゾーンS3にはキュアユニット25と、処理温度毎に異なる処理ゾーンSに配列しており、処理温度が高く、処理時間が長いキュアユニット25と、処理温度が低い温調ユニット21と塗布ユニット22とは、離れた位置に配置されているので、両者を熱的に分離でき、有効である。
【0052】
ここで、この実施の形態においては、タワーT1〜T8の複数段の処理ゾーンS1〜S3に割り当てられる処理ユニットは、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って下段側から上段側に向かって、または上段側から下段側へ向かって配列されるものであれば、上述のレイアウトに限られるものではなく、例えば図10に示すように、最下段の処理ゾーン(第1の処理ゾーンS1)に塗布ユニット22を設け、その上の段(第2の処理ゾーンS2)に加熱系のユニット例えばベークユニット24を設け、さらにその上の段(第3の処理ゾーンS3)にキュアユニット25を設けるレイアウトで、各処理ユニットを配列するようにしてもよい。
【0053】
また、例えば図11に示すように、加熱系のユニットである低温加熱ユニット23と、ベークユニット24と、キュアユニット25とを同じ処理ゾーンS(ここでは第2の処理ゾーンS2)に設けるレイアウトで、各処理ユニットを配列するようにしてもよい。なお、この例ではタワーT1〜T8は2段に分割されており、第1の処理ゾーンS1に、温調ユニット21、塗布ユニット22、受け渡し部26が配列されている。
【0054】
さらに、この実施の形態では、カセット載置部27A,27Bは、第2の処理ゾーンS2に限らず、例えば図12に示すように、カセット載置部27Aが、最下段の処理ゾーン及び最上段の処理ゾーンの一方の対応する位置に設けられ、カセット載置部27Bが、最下段の処理ゾーン及び最上段の処理ゾーンの他方の対応する位置に設けられる構成であってもよい。この例では、タワーT1の第1の処理ゾーンS1にカセットC1が載置されるカセット載置部27Aが設けられ、タワーT5の第3の処理ゾーンS3にカセットC2が載置されるカセット載置部27Bが設けられる。これ以外のタワーT1〜T8内の処理ユニットの配列については、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って配列されるものであれば、適宜選択できる。
【0055】
このようにすると、カセットC1内の所定の処理が行われる前のウエハは、第1の処理ゾーンS1の第1の基板搬送手段3Aに受け取られ、夫々の処理を行いながら、第1の処理ゾーンS1から第3の処理ゾーンS3へ下段側から上段側に向けて搬送され、所定の処理が終了したウエハがタワーT5の処理ゾーンS3のカセットC2内に戻される。このためカセットC1からウエハを受け取り、カセットC2へウエハを受け渡すまでの間に、基板搬送手段3A〜3Cが、搬送ゾーンZ1〜Z3同士の間で、上段側から下段側に向けて逆向きに移動することがないので、ウエハの搬送をより効率よく行うことができ、スループットのさらなる向上を図ることができる。
【0056】
ここで、各実施の形態においては、各タワーT1〜T8の各処理ゾーンS1〜S3内において、先に処理を行うユニットが下段側に配列され、処理ユニットが処理の順序に沿って配列されているが、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って配列されれば十分な搬送効率を確保できるので、処理ゾーンS1〜S3内の処理ユニットは必ずしも処理の順序に沿って配列されなくてもよい。
【0057】
また、基板搬送手段3A〜3C同士の間でウエハの受け渡しを行うための受け渡し部26A,26Bは、隣接する処理ゾーンS1〜S3同士の間にあれば、どちらのゾーン内に設けてもよい。さらに、前記受け渡し部26A,26Bを設けるタワーTは1個であってもよいし、3個以上のタワーTに設けるようにしてもよい。さらにまた、タワーT1〜T8に設けられる処理ゾーンは複数であればよく、2個であってもよいし、4個以上であってもよい。
【0058】
続いて他の実施の形態について、図13により説明する。この例は、受け渡し部26A,26Bを介して隣接する処理ゾーンS1〜S3同士の間でウエハの受け渡しを行う代わりに、一の処理ゾーンにて処理されたウエハを、当該一の処理ゾーンに対応する基板搬送手段または当該一の処理ゾーンに隣接する他の処理ゾーンに対応する基板搬送手段により、前記他の処理ゾーンに搬送するというものである。
【0059】
具体的に、図13のレイアウトにて説明すると、第1の基板搬送手段S1は第1の処理ゾーンS1の各処理ユニットと、第2の処理ゾーンS2内の、例えば当該処理ゾーンS2の最初の処理ユニットである低温加熱ユニット23とにアクセスできるようになっており、第2の基板搬送手段S2は第2の処理ゾーンS2の各処理ユニットと、第1の処理ゾーンS1内の、例えば当該処理ゾーンS1の最後の処理ユニットである塗布ユニット22と、第3の処理ゾーンS3内の、例えば当該処理ゾーンS3の最初の処理ユニットであるキュアユニット25とにアクセスできるようになっており、第3の基板搬送手段S3は第3の処理ゾーンS3の各処理ユニットと、第2の処理ゾーンS2内の、例えば当該処理ゾーンS2の最後の処理ユニットであるベークユニット24とにアクセスできるようになっている。その他の構成は上述の実施の形態と同様であり、タワーT1〜T8内の処理ユニットの配列については、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って配列されるものであれば、適宜選択できる。
【0060】
ここで、3個の基板搬送手段3A〜3Cの位置と、ウエハの位置は、常時コンピュータによりモニタされており、制御部55にて、この位置情報に基づいて各基板搬送手段3A〜3Cの駆動が制御される。そして、一の処理ゾーンSから当該一の処理ゾーンSに隣接する処理ゾーンSに対してウエハが受け渡されるときには、基板搬送手段3同士が干渉しないように、一の処理ゾーンSに対応する基板搬送手段が前記隣接する処理ゾーンSの処理ユニットにウエハを受け渡すか、または前記隣接する処理ゾーンSに対応する基板搬送手段が前記一の処理ゾーンSの処理ユニットにウエハを受け取りにいくかの制御を行って、両処理ゾーンSの間でウエハの受け渡しが行われる。
【0061】
このような構成では、上述の実施の形態と同様に、装置の低フットプリント化や高いスループットの確保等の効果が得られる他、搬送タワーT1〜T8内にウエハの受け渡し部を用意する必要がないので、その分タワーT1〜T8内に処理ユニットを割り当てることができる。このため、限られた領域により多くの処理ユニットを設けることができ、スペース的に有利である。
【0062】
続いて、さらに他の実施の形態について図14により説明する。この実施の形態は、処理ユニットの一つ例えばキュアユニット25をタワーT1〜T8の外部に設ける構成である。この例では、タワーT1〜T8は、例えば2段の処理ゾーンS1,S2に分割され、第1の処理ゾーンS1には、温調ユニット21と塗布ユニット22とカセット載置部27と受け渡し部26とが配列され、第2の処理ゾーンS2には、低温加熱ユニット23とベークユニット24とが配列されている。その他の構成は上述の図3に示す実施の形態と同様である。またタワーT1〜T8内の処理ユニットの配列については、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って配列されるものであれば、図14の例に限らず、適宜選択できる。
【0063】
このような構成では、上述の実施の形態と同様に、高いスループットの確保等の効果が得られる他、処理温度が高く、処理時間が長いキュアユニット25をタワーT1〜T8とは別個に設けたので、タワーT1〜T8内の処理ゾーンS1,S2と熱的に分離され、熱影響を抑えることができて、有効である。
【0064】
続いて、他の実施の形態について図15に基づいて説明する。この例は、隣接する処理ゾーンS同士の間に仕切り壁61,62を設け、処理ゾーンS同士の雰囲気自体を分離したものである。その他の構成については上述の図3に示す実施の形態と同様であるので、異なる点について説明すると、隣接する処理ゾーンS同士の間、例えば第1の処理ゾーンSと第2の処理ゾーンS2との間には、これらの間でウエハの受け渡しを行うための第1の受け渡しユニット63A、第2の処理ゾーンS2と第3の処理ゾーンS3との間には、これらの間でウエハの受け渡しを行うための第2の受け渡しユニット63Bが設けられている。これら受け渡しユニット63A,63Bは本発明の受け渡し部に相当するものであり、この例ではタワーT5に設けられているが、その他のタワーT1〜T4,T6〜T8に設けるようにしてもよいし、2個以上のタワーT1〜T8に設けるようにしてもよい。
【0065】
これら受け渡しユニット63(63A,63B)について、第1の受け渡しユニット63Aを例にして図16により説明する。受け渡しユニット63は、隣接する2つの処理ゾーンSに開口する第1及び第2の受け渡し口64a,64bを備えている。図中65はウエハを載置するための基板載置台であり、複数本の突出ピン65a上に第1の基板搬送手段3Aの板状アーム33cにより第1の受け渡し口64aを介してウエハが受け渡されるようになっている。
【0066】
図中66は、基板載置台65に保持されたウエハを裏面側から保持して受け取る昇降アームであり、この昇降アーム66は上下方向に伸びる昇降軸67aに沿って昇降機構67bにより、基板載置台65からウエハを受け取る位置と、上段側の第2の処理ゾーンS2の第2の受け渡し口64bに対応する位置との間で昇降でき、前記第2の受け渡し口64bを介して対応する第2の基板搬送手段3Bの板状アーム33cとの間でウエハの受け渡しが行われるように構成されている。
【0067】
そして下段側の処理ゾーンS1(S2)に対応する基板搬送手段3A(3B)が基板載置台65にウエハを受け渡し、その後昇降アーム66を上昇させると、当該昇降アーム66は基板載置台65からウエハを受け取りながら上昇する。こうしてウエハは上段側の処理ゾーンS2(S3)まで搬送され、前記上段側の搬送ゾーンZ2(Z3)の受け渡し口64bを介して上段側の処理ゾーンS2(S3)に対応する基板搬送手段3B(3C)に受け渡されることにより、両処理ゾーンS同士の間でウエハの受け渡されるようになっている。
【0068】
逆に、上段側の処理ゾーンS2(S3)から下段側の処理ゾーンS1(S2)にウエハの受け渡しを行うときには、先ず昇降アーム66を上段側の搬送ゾーンZ2(Z3)側の受け渡し位置に位置させた状態で、上段側の搬送ゾーンZ2(Z3)側の受け渡し口64bを介して、夫々の基板搬送手段3B(3C)により前記昇降アーム66にウエハを受け渡し、その後、昇降アーム66を下段側の処理ゾーンS1(S2)まで下降させることにより、ウエハを基板載置台65に受け渡す。そして下段側の搬送ゾーンZ1(Z2)側の受け渡し口64aを介して下段側の基板搬送手段3A(3B)にウエハを受け渡す。
【0069】
このような構成では、上述の実施の形態と同様に、装置の低フットプリント化や高いスループットの確保等の効果が得られる他、隣接する処理ゾーン同士の間が仕切り壁61,62にて区画され、夫々の雰囲気が隔離されているので、処理ゾーン同士の間の雰囲気の干渉が抑えられる。このため他の処理ユニットへの熱影響を防ぐことができるので、精度の高い処理を行うことができ、有効である。
【0070】
また、この実施の形態では、分離された処理ゾーンS1〜S3の1つのゾーンにアンモニア等を使用したケミカル雰囲気にて処理を行う処理ユニットを配設する場合であっても、当該処理ゾーンと他の処理ゾーンとは隔離されているので、前記他の処理ゾーンにおけるケミカル汚染を防止することができて、有効である。なお、タワーT1〜T8内の処理ユニットの配列については、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って配列されるものであれば、上述の例に限らず、適宜選択できる。
【0071】
続いて、さらに他の実施の形態について図17により説明する。この実施の形態は、複数段の処理ゾーンS1〜S3の少なくとも1個の処理ゾーンSにて低酸素雰囲気で基板を処理する場合、その処理ゾーンSに対応する搬送ゾーンZを低酸素雰囲気に設定したものである。ここで低酸素雰囲気には、不活性ガス雰囲気と、真空雰囲気と、が含まれる。その他の構成については上述の図3に示す実施の形態と同様であるので、異なる点について以下に説明する。
【0072】
この例では、図17の構成のように、各隣接する搬送ゾーンZ1〜Z3同士の間に夫々仕切り壁61,62が設けられて、搬送ゾーンZ1〜Z3が互いに分離され、第1の処理ゾーンS1と第1の搬送ゾーンZ1とは大気雰囲気で処理を行う大気エリア、第2の処理ゾーンS2と第2の搬送ゾーンZ2とは例えば大気圧不活性ガス雰囲気で処理を行う不活性ガスエリア、第3の処理ゾーンS3と第3の搬送ゾーンZ3とは真空雰囲気で処理を行う真空エリアに設定されている。なお、各処理ユニットは筐体100で囲まれているので、互いに隣接する処理ゾーンの処理ユニット間は、筐体100の壁面部で仕切られている。
【0073】
そして、前記大気エリアには、温調ユニット21や塗布ユニット22、低温加熱ユニット23が配列されている。また第2の処理ゾーンS2である不活性ガスエリアにはベークユニット24が配列され、第3の処理ゾーンS3である真空エリアにはEB(電子ビーム)キュアユニット28が配列されている。ここでEBキュアユニットとは、電子ビーム照射によるエネルギー印加方式によるキュア装置であり、EBキュアユニットの代わりに、減圧下で高温に設定された加熱プレートによりウエハを高温に加熱し、キュア処理するという減圧HP(Hot Plate)キュア装置を設けるようにしてもよい。さらに不活性ガスエリアには、既述のキュアユニット25を設けるようにしてもよい。
【0074】
前記不活性ガスエリアに設けられた各処理ユニットと、第2の搬送ゾーンZ2とは、夫々不活性ガス供給部73に夫々接続されると共に、図示しない排気手段に接続されており、所定量の不活性ガス例えば窒素ガスの供給と、所定の排気量との組み合わせにより、所定の大気圧不活性ガス雰囲気に設定されている。また、前記真空エリアに設けられた各処理ユニットと、第3の搬送ゾーンZ3は、夫々排気手段74例えば真空ポンプに接続され、所定の真空度に設定されている。
【0075】
この例においては、隣接する処理ゾーンS1〜S3の間、つまり第1の処理ゾーンS1と第2の処理ゾーンS2との間に、第1のロードロック室7A、第2の処理ゾーンS2と第3の処理ゾーンS3との間に、第2のロードロック室7Bが夫々設けられている。これら第1及び第2のロードロック室7A,7Bは、本発明の受け渡し部に相当するものである。
【0076】
ロードロック室7A,7Bは、夫々の搬送ゾーンZに開口するウエハの受け渡し口64a,64bを開閉する開閉部(開閉部)71,72が設けられて、ロードロック室7A,7B内を密閉空間に設定できると共に、これら第1のロードロック室7Aは、不活性ガス供給部73と、図示しない排気手段に接続され、第2のロードロック室7Bは、不活性ガス供給部(図示せず)と排気手段74例えば真空ポンプと、に接続され、これによりこれら当該室内が所定の不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気に設定されるようになっている。他は、上述の受け渡しユニットと同様の構成である。
【0077】
そして、下段側の処理ゾーンS1(S2)から上段側の処理ゾーンS2(S3)にウエハの受け渡しを行うときには、先ずロードロック室7A(7B)を下段側の搬送ゾーンZ1(Z2)と同じ雰囲気にしておき、下段側の搬送ゾーンZ1(Z2)側の開閉部71を開いて、夫々の基板搬送手段3A(3B)により対応するロードロック室7A(7B)の基板載置台65にウエハWを受け渡し、前記開閉部71を閉じる。その後、ウエハWを昇降アーム66が上段側の処理ゾーンS2(S3)まで搬送するが、この際、ロードロック室7A(7B)内を上段側の搬送ゾーンZ2(Z3)の雰囲気とほぼ同じ雰囲気の低酸素雰囲気に設定し、この後、上段側の搬送ゾーンZ2(Z3)側の開閉部72を開いて上段側の基板搬送手段3B(3C)にウエハを受け渡す。
【0078】
逆に、上段側の処理ゾーンS2(S3)から下段側の処理ゾーンS1(S2)にウエハの受け渡しを行うときには、先ずロードロック室7A(7B)を上段側の搬送ゾーンZ2(Z3)と同じ雰囲気にしておくと共に、昇降アーム66を上段側の搬送ゾーンZ2(Z3)側の受け渡し位置に位置させた状態で、上段側の開閉部72を開いて、夫々の基板搬送手段3B(3A)により前記昇降アーム66にウエハWを受け渡し、前記開閉部72を閉じる。その後、昇降アーム66が下段側の処理ゾーンS1(S2)まで下降することによりウエハWを基板載置台65に受け渡す。そして、例えばロードロック室7A(7B)内を下段側の搬送ゾーンZ1(Z2)の雰囲気とほぼ同じ雰囲気に設定した後、下段側の開閉部71を開いて、下段側の基板搬送手段3A(3B)にウエハWを受け渡す。
【0079】
このような実施の形態においては、基板搬入部及び基板搬出部は、例えば一つのタワーにおける最下段の処理ゾーン及び最上段の処理ゾーンに夫々設けるようにしてもよく、図18には基板搬入部及び基板搬出部をカセット載置部27により構成した例を示してある。この場合、最上段の処理ゾーンのカセット載置部27Bは、搬送ゾーンZ側及びタワーTの背面側に夫々開閉部を備えたロードロック室として構成され、搬送ゾーンZ側の開閉部を開いておいて、カセット載置部27Bに載置されたカセットC2内に処理済みのウエハWが基板搬送手段3Cから受け渡されて満載された後、搬送ゾーンZ側の開閉部を閉じて大気雰囲気とし、その後背面側の開閉部を開いて当該カセットC2を搬出するように構成することができる。
【0080】
このように構成すれば、ウエハWが下段側から搬入されて上段側から搬出されるので、搬送シーケンスが簡単になるが、基板搬入部及び基板搬出部のいずれをも最下段の処理ゾーン内に設けるようにしてもよい。
【0081】
このような構成では、処理ゾーンS同士の間のウエハの受け渡し部をロードロック室7A,7Bとして構成することにより、雰囲気の異なる処理ゾーンSを積層して配列することができるので、雰囲気の異なる処理ゾーンを要する処理にも適用でき、装置の低フットプリント化や高いスループットの確保等の効果が得られ、有効である。つまり従来では、雰囲気の異なる処理ゾーンを要する場合には、処理ゾーン毎に装置を用意し、これらを横方向に隣接して配列していたが、この場合に比べて装置の占有面積を大幅に縮小できると共に、既述のように、処理ゾーンを複数段、処理の順序に沿って上下方向に配列し、処理ゾーン内のウエハを搬送を専用の基板搬送手段により行うことにより、搬送スループットの向上を図ることができる。
【0082】
続いて、他の実施の形態について図19により説明する。この実施の形態では、仕切り壁により搬送ゾーンZ同士を区画せずに、複数段の処理ゾーンSの少なくとも1個の処理ゾーンSと、その処理ゾーンSに対応する搬送ゾーンZとを、低酸素雰囲気で処理を行う低酸素エリアに設定したものである。その他の構成については上述の図3に示す実施の形態と同様であるので、異なる点について以下に説明する。
【0083】
この例は、図16に示す実施の形態において、搬送ゾーン同士間に仕切り壁61,62が設けられていない構成であるので、搬送領域Zは大気エリアとなっている。このため、第2の処理ゾーンS2及び第3の処理ゾーンS3の各処理ユニットは、夫々のウエハの受け渡し口に開閉部(ゲートバルブ)75が設けられていて、密閉容器として構成されている。なお、図19では、図示の便宜上、各処理ユニットは省略してある。
【0084】
そして、第2の処理ゾーンS2の各処理ユニットは、不活性ガス供給部73に接続されると共に、図示しない排気手段に接続され、所定の不活性ガス雰囲気に設定されるようになっており、第3の処理ゾーンの処理ユニットは、排気手段74例えば真空ポンプに接続され、所定の不活性ガス雰囲気に設定されるようになっている。また隣接する処理ゾーン同士の間には夫々受け渡し部2A,26Bが設けられていて、この受け渡し部26A,26Bを介してウエハの受け渡しが行われる。
【0085】
こうして、第2及び第3の処理ゾーンS2,S3内では、対応する基板搬送手段3B,3Cより各々の処理ユニットにウエハを搬送するときには、先ず処理ユニットの開閉部75を開けてウエハを当該処理ユニットに搬入した後、開閉部75を閉じ、当該ユニット内を所定の低酸素雰囲気に設定する。
【0086】
このような構成では、上述の実施の形態と同様に、装置の低フットプリント化や高いスループットの確保等の効果が得られる他、各搬送ゾーンは大気雰囲気であるので、所定の処理ユニットの内部のみが所定の低酸素雰囲気に設定される。このため低酸素雰囲気に設定する領域が狭いので、省用力化を図ることができる。
【0087】
続いて他の実施の形態について図20により説明する。この例は、複数段の処理ゾーンS1〜S3の夫々において異なる膜を形成すると共に、これらの処理ゾーンS1〜S3で形成された膜を積層して3層膜を形成するものである。ここで3層膜とは、例えばSOD法により形成される層間絶縁膜を3層に積層した構造の膜をいい、第1の層を形成するための処理ユニットが最下段または最上段の処理ゾーンに、第2の層を形成するための処理ユニットが中段の処理ゾーンに、第3の層を形成するための処理ユニットが最上段または最下段の処理ゾーンに配列される。本実施の形態は、例えば多層構造の層間絶縁膜の形成手法の一つに、予め3層の層間絶縁膜を形成した後、3層分のエッチングをまとめて行って銅の配線層を形成するというデュアルダマシン法という手法があり、この3層膜の形成に適用される。
【0088】
このように、本発明でいう処理の順番に沿って処理ゾーンS1〜S3を配列するとは、1つの膜を形成するための処理ゾーンの配列の順番に限られず、例えば3層膜を形成する場合、第1の層を形成するための処理ユニットを含む処理ゾーンSと、第2の層を形成するための処理ユニットを含む処理ゾーンSと、第3の層を形成するための処理ゾーンSとを、下段側から上段側に向けて、または上段側から下段側に向けて配列することも含まれる。
【0089】
図20には、SOD法を用いて3層膜を形成する場合のレイアウトの一例が示されており、第1の処理ゾーンS1、第2の処理ゾーンS2、第3の処理ゾーンS3は、温調ユニット21、塗布ユニット22、低温加熱ユニット23、ベークユニット24、キュアユニット25を夫々備えており、各処理ゾーンS1〜S3において、SOD法により絶縁膜が形成されるようになっている。そして第1の処理ゾーンS1にて第1の層を形成した後、第2の処理ゾーンS2にて第1の層の上に第2の層が連続して形成され、この後第3の処理ゾーンS3にて第2の層の上に第3の層が連続して形成される。
【0090】
このような例では、3層膜を形成する場合に、上述の実施の形態と同様に、装置の低フットプリント化や高いスループットの確保等の効果が得られる他、複数段の処理ゾーンにて連続して順番に処理を行うことにより、異なる複数の膜を積層した構造の膜を形成することができるので、搬送効率よく、多層膜を形成することができて、高いスループットを得ることができる。なお、第1の処理ゾーンで第1の層、第2の処理ゾーンS2で第2の層、第3の処理ゾーンS3で第3の層を形成する構成であれば、各タワーT1〜T8内のレイアウトは上述の例に限らず、適宜選択可能である。
【0091】
続いて他の実施の形態について図21〜図23により説明する。この実施の形態は、カセット載置部がタワーT1〜T8の外部に設けられている例であり、図21,図22中81は、例えば所定の処理が行われる前のウエハが収納されたカセットC1や、所定の処理が終了したウエハが収納されたカセットC2(図示せず)等の複数のカセットを載置するためのカセット載置部であり、82はカセット載置部81上のカセットC1,C2と後述するタワーTの受け渡しステージ83との間でウエハの受け渡しを行うための受け渡しアームである。この受け渡しアーム82は、昇降自在、鉛直軸まわりに回転自在、進退自在に構成されている。
【0092】
前記受け渡しステージ83は、本発明の基板搬入部及び基板搬出部に相当するものであり、複数個のウエハの受け渡し台83aを備えている。この受け渡しステージ83は、例えば前記受け渡しアーム81が当該受け渡しステージ83に対してアクセスできるように、タワーT1〜T8の内の所定のタワー(ここではタワーT1)に設けられている。また、タワーT1において、例えば互いに隣接する処理ゾーンの間、例えば第2の処理ゾーンS2に設けられる。さらに、この受け渡しステージ83は、第2の搬送ゾーンZ2側が開口しており、第2の基板搬送手段3Bにより、当該受け渡しステージ83に対してウエハの受け渡しが行われるようになっている。
【0093】
この例では、受け渡しステージ83は、第1の処理ゾーンS1と第2の処理ゾーンS2との間でウエハWの受け渡しを行う受け渡し部26としての機能も有している。なお、受け渡しステージ83は、受け渡しアーム82がアクセスできる複数のタワーT1〜T8に設けるようにしてもよい。
【0094】
これによりカセット載置部81上のカセットC1内のウエハは、受け渡しアーム82により取り出されてタワーT1の受け渡しステージ83を介して第2の基板搬送手段3Bに受け渡される。そして、第1の処理ゾーンS1から第3の処理ゾーンS3まで順番に搬送されて所定の処理が行われた後、再び第2の基板搬送手段3Bにより受け渡しステージ83に戻され、ここから受け渡しアーム82によりカセットC2内に収納される。
【0095】
このように、カセット載置部をタワーT1〜T8の外部に設ける構成であっても、処理ゾーンS1〜S3を処理の順序に沿って配列することにより、搬送効率が向上し、高いスループットを確保することができる。なお、タワーT1〜T8内の処理ユニットの配列については、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って配列されるものであれば、上述の例に限らず、適宜選択可能である。
【0096】
さらに、図23に示す実施の形態のように、所定の処理が行われる前のウエハ用の受け渡しステージ84と、所定の処理が終了したウエハ用の受け渡しステージ85とを別個に設け、一方の受け渡しステージ(この例では受け渡しステージ84)をタワーT1の最下段の処理ゾーン(第1の処理ゾーンS1)に、他方の受け渡しステージ(この例では受け渡しステージ85)をタワーT1の最上段の処理ゾーン(第3の処理ゾーンS3)に配設するようにしてもよい。また、受け渡しステージ84をタワーT1の第3の処理ゾーンS3に、受け渡しステージ85をタワーT1の第1の処理ゾーンS1に配設するようにしてもよい。
【0097】
このような構成では、ウエハは処理ゾーンS1〜S3を下段側から上段側に向けて、または上段側から下段側に向けて搬送されるので、さらに搬送経路が簡易化され、さらなる搬送効率の向上を得ることができる。なお、タワーT1〜T8内の処理ユニットの配列については、処理ゾーンS1〜S3が処理の順序に沿って配列されるものであれば、上述の例に限らず、適宜選択可能である。
【0098】
また、図22,図23に示す例では、図21に示すように、カセット載置部81と受け渡しアーム82とをカセットステーション200内に設け、このカセットステーション200とタワーT1〜T8を備えた処理ステーション210とを接続するようにしてもよい。
【0099】
以上において、本発明は、複数段の処理ゾーンを、ウエハに対して行われる処理の順序に沿って、上段側から下段側に向けて配列するようにしてもよい。また、複数段の処理ゾーンSと、これに対応する複数段の搬送ゾーンZとを有し、処理ゾーンSに対応する専用の基板搬送手段3によりウエハWの搬送を行い、前記処理ゾーンSが処理の順序に沿って配列される構成であればよく、上述のいずれの実施の形態も、適宜他の実施の形態と組み合わせることができる。
【0100】
また、上述の実施の形態では、複数の基板搬送手段3は共通の駆動軸32を介して昇降自在、略鉛直軸まわりに回動自在に構成されていたが、複数の基板搬送手段が対応する処理ユニットにアクセスできる構成であれば、複数の基板搬送手段毎に別個の駆動軸を有するようにしてもよい。また基板搬送手段3に設けられる保持アーム33は、少なくとも2枚あればよい。
【0101】
さらに、基板処理装置に設けられるタワーの数は8個に限られず、タワーに設けられる処理ユニットの数も上述の例に限定されない。さらに、タワー内の処理ユニットの配列は、第1の処理ゾーンから第3の処理ゾーンへ処理の順番に沿って配列されるものであれば、タワー毎にレイアウトが異なっていてもよい。さらにまた、タワーは、基板搬送手段により所定の処理ユニットにアクセスできる位置に配設されれば、互いに基板搬送手段から略等距離離れた位置に設けられる必要はない。また、隣接するタワー同士の間で、処理ユニットを互い違いに積層する等の処理ユニットの積層の仕方により、ユニット直下に配管等を接続することでき、スペース的に有効である。
【0102】
また、本発明は、SOD法による低誘電率層間絶縁膜の形成のみならず、SOG(Spin On Glass)膜の形成や、レジスト膜、ポリイミド膜、強誘電体、他の絶縁膜等の形成に適用することができる。ここで前記SOG膜とは、CVDで形成された膜は表面が凹凸状態であるので、これを平坦化するために、前記CVD法により形成された膜の表面に形成されるSiO2膜であり、SOD法と同様に、塗布液をウエハ表面にスピンコートした後、ウエハに対して加熱処理を施すことにより、塗布液に含まれる溶媒などを蒸発させ、膜を硬化させることにより形成される。
【0103】
さらに、上述の実施の形態では半導体ウエハを処理する装置について説明したが、FRD(フラットパネルディスプレイ)やマスク等に使用されるガラス基板を処理する装置についても本発明は適用可能である。
【0104】
【発明の効果】
本発明によれば、上下方向に設けられた複数段の処理ゾーンと、これに対応する複数段の搬送ゾーンとを有し、前記搬送ゾーン毎に設けられた基板搬送手段により処理ゾーンに対して基板の搬送を行い、前記処理ゾーンが処理の順序に沿って上下方向に配列されているので、搬送エリアが集約され、基板の搬送を効率よく行うことができて、高いスループットを確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる基板処理装置の一実施の形態の全体構成を示す平面図である。
【図2】前記基板処理装置に設けられるタワーを示す斜視図である。
【図3】前記タワーに配列される処理ユニットのレイアウトを示す側部断面図である。
【図4】前記基板処理装置に設けられる基板搬送手段を示す斜視図である。
【図5】前記基板搬送手段を示す側面図である。
【図6】前記基板処理装置に設けられる塗布ユニットを示す断面図である。
【図7】前記基板処理装置に設けられる低温加熱ユニットを示す断面図である。
【図8】前記基板処理装置に設けられるベークユニットを示す断面図である。
【図9】前記基板処理装置に設けられるキュアユニットを示す断面図である。
【図10】前記タワーに配列される処理ユニットの他のレイアウト例を示す側部断面図である。
【図11】前記タワーに配列される処理ユニットのさらに他のレイアウト例を示す側部断面図である。
【図12】前記タワーに配列される処理ユニットのさらに他のレイアウト例を示す側部断面図である。
【図13】前記基板処理装置の他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図14】前記基板処理装置のさらに他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図15】前記基板処理装置のさらに他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図16】前記基板処理装置に設けられる受け渡しユニットを示す側部断面図である。
【図17】前記基板処理装置のさらに他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図18】前記基板処理装置のさらに他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図19】前記基板処理装置のさらに他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図20】前記基板処理装置のさらに他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図21】前記基板処理装置のさらに他の実施の形態を示す平面図である。
【図22】図21に示す基板処理装置のタワーを示す側部断面図である。
【図23】図21に示す基板処理装置の他の実施の形態のタワーを示す側部断面図である。
【図24】従来のSOD法による塗布膜形成システムを示す平面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
S1〜S3 処理ゾーン
Z 搬送領域
Z1〜Z3 搬送ゾーン
T1〜T8 タワー
C1,C2 カセット
21 温調ユニット
22 塗布ユニット
23 低温加熱ユニット
24 ベークユニット
25 キュアユニット
26 受け渡し部
27,81 カセット載置部
3A〜3C 基板搬送手段
61,62 仕切り壁
63 受け渡しユニット
7 ロードロック室
82 受け渡しアーム
83〜85 受け渡しステージ
Claims (16)
- 基板に対して複数の処理ユニットにて順次処理されることにより所定の処理が行われる基板処理装置において、
基板を搬送するために上下方向に伸び、複数段の搬送ゾーンに分割された搬送領域と、
この搬送領域の周囲に設けられた複数のタワーと、
これら複数のタワーの各々において、前記複数段の搬送ゾーンに対応して夫々割り当てられた複数段の処理ゾーンと、
これら複数段の処理ゾーンの各々に設けられ、互いに積層された複数の処理ユニットと、
前記複数段の搬送ゾーンの夫々に設けられ、その搬送ゾーンに対応する処理ゾーンに設けられた各処理ユニットに対して基板の受け渡しを行うと共に、互いに独立して駆動される複数の基板搬送手段と、
少なくとも一つのタワーに設けられ、前記所定の処理が行われる前の基板が搬入される基板搬入部と、
少なくとも一つのタワーに設けられ、前記所定の処理が終了した基板が搬出される基板搬出部と、を備え、
前記複数段の処理ゾーンは、基板に対して行われる処理の順番に下段側から上段側に向かって、または上段側から下段側に向かって配列されていることを特徴とする基板処理装置。 - 基板搬入部及び基板搬出部は、互いに上下に隣接する処理ゾーンの間に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 基板搬入部は、最上段の搬送ゾーン及び最下段の搬送ゾーンの一方に対応する位置に設けられ、基板搬出部は、最上段の搬送ゾーン及び最下段の搬送ゾーンの他方に対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板搬入部は基板搬出部を兼用していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板搬入部及び基板搬出部は、各々多数枚の基板を収納する基板カセットが載置されるカセット載置部であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 少なくとも一つのタワーにおいて、互いに隣接する処理ゾーンの間に基板の受け渡し部を設け、互いに隣接する基板搬送手段の間で前記受け渡し部を介して基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 一の処理ゾーンにて処理された基板は、当該一の処理ゾーンに対応する基板搬送手段または当該一の処理ゾーンに隣接する他の処理ゾーンに対応する基板搬送手段により、当該他の処理ゾーンに搬送されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理ゾーンの少なくとも一つは、基板に塗布液の塗布処理を行う塗布ユニットが設けられ、前記処理ゾーンの他の少なくとも一つは、塗布液が塗布された基板の加熱処理を行う加熱ユニットが設けられることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記塗布ユニットは最下段の処理ゾーンに設けられ、加熱ユニットは前記最下段の処理ゾーンの上の処理ゾーンに設けられていることを特徴とする請求項8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板に塗布された塗布膜の硬化処理を行うキュアユニットをさらに設け、このキュアユニットと、前記加熱ユニットとが、同じ処理ゾーンにあることを特徴とする請求項8または9に記載の基板処理装置。
- 前記キュアユニットは、前記加熱ユニットが設けられた処理ゾーンの上の処理ゾーンに設けられていることを特徴とする請求項8または9に記載の基板処理装置。
- 一の搬送ゾーンと他の搬送ゾーンとは仕切り壁により互いに雰囲気が区画されると共に、互いに異なる雰囲気に設定されていることを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記一の搬送ゾーン及び他の搬送ゾーンの少なくとも一方は低酸素雰囲気に設定されていることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記低酸素雰囲気は不活性ガス雰囲気であることを特徴とする請求項13記載の基板処理装置。
- 前記低酸素雰囲気は減圧雰囲気であることを特徴とする請求項13記載の基板処理装置。
- 前記一の搬送ゾーンに対応する処理ゾーンと他の搬送ゾーンに対応する処理ゾーンとの間には、基板の受け渡し部をなすロードロック室が設けられ、このロードロック室は、一の搬送ゾーンに連通する基板搬送口及び他の搬送ゾーンに連通する基板搬送口を夫々開閉する開閉部を備えたことを特徴とする請求項12ないし15のいずれかに記載の基板処理装置。
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