JP2003338496A

JP2003338496A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2003338496A
Application number: JP2002146593A
Authority: JP
Inventors: Makoto Muramatsu; 誠村松
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-05-21
Filing date: 2002-05-21
Publication date: 2003-11-28
Anticipated expiration: 2022-05-21
Also published as: JP4073251B2

Abstract

(57)【要約】【課題】１台の装置で銅の拡散を抑制して銅使用プロ
セスと銅不使用プロセスとを並行して行うことができる
基板処理装置を提供する。【解決手段】ＳＯＤシステム１００は、銅配線を有す
るウエハＷに絶縁膜を形成する第１処理ブロックと、銅
配線を有していないウエハＷに銅を用いない処理、例え
ば絶縁膜を形成する第２処理ブロックと、第１処理ブロ
ックに配置された処理ユニットに対してウエハＷの搬送
を行う第１搬送アーム群１９ａおよび第２処理ブロック
に配置された処理ユニットに対してウエハＷの搬送を行
う第２搬送アーム群１９ｂとを有する主ウエハ搬送装置
１８を具備する。第１処理ブロックと第２処理ブロック
をその境界面について略対称となるように水平方向に並
べて配置することによって第１処理ブロックと第２処理
ブロックの処理雰囲気を実質的に分離し、第１処理ブロ
ックから第２処理ブロックへの銅の拡散を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して所定
の液処理とこの液処理に伴う熱的処理を行う基板処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、配線
用の導体材料として銅が広く使用されており、例えば、
銅配線が形成されたウエハの表面に塗布法（Spin On De
position）によって層間絶縁膜を形成する場合には、ウ
エハをスピンチャックに保持してウエハの略中心に所定
量の塗布液を供給し、スピンチャックを所定の回転数で
回転させることによって塗布液をウエハの周縁に拡げ、
その後に塗布膜が形成されたウエハを熱処理している。

【０００３】ここで、銅は固体中を拡散しやすい性質を
有しているために、このような処理の過程でスピンチャ
ックにはウエハを介して銅が拡散する。したがって、そ
の後にこのスピンチャックに銅配線が形成されていない
ウエハを保持させると、スピンチャックからこのウエハ
への銅の拡散が生じることによって、半導体デバイスの
絶縁特性が低下する。

【０００４】そこで、半導体製造メーカーでは、銅配線
が形成されているウエハに所定の処理を施し、または銅
を含む材料を使用してウエハを処理し、或いは銅配線が
形成されているウエハを検査する（以下このような処理
等を「銅使用プロセス」という）ために使用される各種
処理ユニットおよび検査ユニット等からなる製造装置
（以下「銅使用プロセス用製造装置」という）と、銅配
線を有していないウエハに銅を用いない所定の処理を施
し、または銅配線が形成されていないウエハを検査する
（以下このような処理等を「銅不使用プロセス」とい
う）ために使用される各種処理ユニットおよび検査ユニ
ット等からなる製造装置（以下「銅不使用プロセス用製
造装置」という）を、別々に用意して使い分けており、
これによって、銅配線を有していないウエハへの銅の拡
散を防止している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、銅使用プロセス用製造装置と銅不使用プロセス用
製造装置を別々に準備した場合には、装置コストが嵩む
問題がある。また、これらの製造装置を配置するために
広いスペースのクリーンルームが必要となる問題もあ
る。

【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、１台の装置で、銅の拡散を抑制して銅使用
プロセスと銅不使用プロセスとを並行して行うことがで
きる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点によ
れば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを
有する第１処理ブロックと、銅配線を有していない基板
に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する
第２処理ブロックと、前記第１処理ブロックに備えられ
た処理ユニットに対して基板の搬送を行う第１搬送アー
ムおよび前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニッ
トに対して基板の搬送を行う第２搬送アームを有する基
板搬送装置と、を具備し、前記第１処理ブロックと前記
第２処理ブロックはその境界面について略対称となるよ
うに水平方向に並べて配置され、前記第１処理ブロック
と前記第２処理ブロックの処理雰囲気が実質的に分離さ
れていることを特徴とする基板処理装置、が提供され
る。

【０００８】本発明の第２の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理装置であって、銅配線を有する基
板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブ
ロックと、銅配線を有していない基板に銅を用いない所
定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロック
と、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに
対して基板の搬送を行う第１搬送アームおよび前記第２
処理ブロックに備えられた処理ユニットに対して基板の
搬送を行う第２搬送アームを有する第１基板搬送装置
と、前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収
容された容器を載置する第１容器載置部、および前記第
１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロック
との間で基板を搬送する第２基板搬送装置を有する第１
基板搬送ステーションと、前記第２処理ブロックにおい
て処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器
載置部、および前記第２容器載置部に載置された容器と
前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板
搬送装置を有する第２基板搬送ステーションと、を具備
し、前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送
ステーションは前記第１処理ブロックと前記第２処理ブ
ロックを挟んで配置され、前記第１処理ブロックと前記
第２処理ブロックはその境界面について略対称となるよ
うに水平方向に並べて配置され、前記第１処理ブロック
と前記第２処理ブロックの処理雰囲気が実質的に分離さ
れていることを特徴とする基板処理装置、が提供され
る。

【０００９】本発明の第３の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理装置であって、銅配線を有する基
板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブ
ロックと、銅配線を有していない基板に銅を用いない所
定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロック
と、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロック
にそれぞれ備えられた処理ユニットに対して基板の搬送
を行う基板搬送装置と、を具備し、前記第２処理ブロッ
クは前記第１処理ブロックの上側に設けられ、前記第１
処理ブロックと前記第２処理ブロックの処理雰囲気が実
質的に分離されていることを特徴とする基板処理装置、
が提供される。

【００１０】本発明の第４の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理装置であって、銅配線を有する基
板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブ
ロックと、銅配線を有していない基板に銅を用いない所
定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロック
と、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに
対して基板の搬送を行う第１搬送アームおよび前記第２
処理ブロックに備えられた処理ユニットに対して基板の
搬送を行う第２搬送アームを有する第１基板搬送装置
と、前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収
容された容器を載置する第１容器載置部、および前記第
１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロック
との間で基板を搬送する第２基板搬送装置を有する第１
基板搬送ステーションと、前記第２処理ブロックにおい
て処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器
載置部、および前記第２容器載置部に載置された容器と
前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板
搬送装置を有する第２基板搬送ステーションと、を具備
し、前記第２処理ブロックは前記第１処理ブロックの上
側に設けられて、前記第１処理ブロックと前記第２処理
ブロックの処理雰囲気が実質的に分離され、前記第１基
板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステーション
は、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックを水
平方向で挟んで配置されていることを特徴とする基板処
理装置、が提供される。

【００１１】このような基板処理装置においては、銅を
有する基板の処理を行う第１処理ブロックと、銅を有し
ない基板を銅を使用せずに処理する第２処理ブロックの
雰囲気が実質的に分かれているために、第１処理ブロッ
クから第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制される。ま
た、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する
基板の搬送を行う基板搬送装置と、第１処理ブロックを
構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬
送装置を区別して用いることによって、基板搬送装置を
介した銅の拡散もまた抑制される。これにより第１処理
ブロックから第２処理ブロックにおいて処理される基板
への銅の拡散による基板の汚染が抑制され、第２処理ブ
ロックで処理される基板の絶縁特性の低下が防止され
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、本発
明の基板処理装置を、低誘電率層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ
膜）を塗布法（Spin On Deposition）によって形成する
ＳＯＤシステムに適用した場合について説明することと
する。図１はＳＯＤシステム１００の概略平面図であ
り、図２はその概略側面図であり、図３はＳＯＤシステ
ム１００内に装着された処理ユニット群の概略断面図で
ある。

【００１３】ＳＯＤシステム１００は、大別して、処理
ステーション１と、第１搬送ステーション２と、第２搬
送ステーション５とを具備している。処理ステーション
１は、銅配線を有するウエハＷに所定の処理を施す処理
ユニットを有する第１処理ブロックと、銅配線を有して
いないウエハＷに銅を用いない所定の処理を施す処理ユ
ニットを有する第２処理ブロックと、第１処理ブロック
に備えられた処理ユニットに対してウエハＷの搬送を行
う第１搬送アーム群１９ａおよび第２処理ブロックに備
えられた処理ユニットに対してウエハＷの搬送を行う第
２搬送アーム群１９ｂを有する主ウエハ搬送装置１８
と、を具備している。

【００１４】この第１処理ブロックは、ウエハＷに対し
てｌｏｗ−ｋ膜（低誘電率層間絶縁膜）の塗布形成を行
う２台の絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１が積み
重ねられた第１処理ユニット群Ｇ_１と、第１処理ユニッ
ト群Ｇ_１においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの
熱的処理を行う第３処理ユニット群Ｇ_３とを有してい
る。第１処理ユニット群Ｇ_１の下部は、第１処理ユニッ
ト群Ｇ_１において使用される各種の塗布液等を貯留する
ための薬液貯留室２０ａとなっている。

【００１５】また、第３処理ユニット群Ｇ_３では、第１
処理ユニット群Ｇ_１においてｌｏｗ−ｋ膜が形成された
ウエハＷの硬化処理を行う２台のキュア処理ユニット
（ＤＬＣ）２４と、ウエハＷの加熱処理を行う２台のベ
ーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、ウエハＷの冷却を
行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６と、第
１搬送ステーション２と主ウエハ搬送装置１８との間で
ウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第
１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３が積み重ねら
れている。なお、第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−
１）２３は、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５におい
て処理されたウエハＷの自然冷却ユニットとして使用す
ることもできる。

【００１６】この第２処理ブロックは、ウエハＷの表面
にｌｏｗ−ｋ膜を形成する２台の絶縁膜塗布処理ユニッ
ト（ＳＣＴ）２７が積み重ねられた第２処理ユニット群
Ｇ_２と、第２処理ユニット群Ｇ_２において塗布膜が形成
されたウエハＷの熱的処理を行う第４処理ユニット群Ｇ
_４とを有している。第２処理ユニット群Ｇ_２の下部は、
第２処理ユニット群Ｇ_２において使用する各種の塗布液
等を貯留するための薬液貯留室２０ｂとなっている。

【００１７】また、第４処理ユニット群Ｇ_４では、第２
処理ユニット群Ｇ_２においてｌｏｗ−ｋ膜が形成された
ウエハＷの硬化処理を行う２台のキュア処理ユニット
（ＤＬＣ）２９と、ウエハＷの加熱処理を行う２台のベ
ーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、ウエハＷの冷却を
行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１と、第
２搬送ステーション５と主ウエハ搬送装置１８との間で
ウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第
２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８が積み重ねら
れている。なお、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−
２）２８は、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０におい
て処理されたウエハＷの自然冷却ユニットとして使用す
ることもできる。

【００１８】このように、第１処理ブロックでは銅配線
が形成されたウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する一連の
処理（銅使用プロセス）が行われ、第２処理ブロックで
は銅を有しないウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する一連
の処理（銅不使用プロセス）が行われる。図１から図３
の各図に示すように、第１処理ブロックと第２処理ブロ
ックはその境界面（Ｚ−Ｘ面）について略対称となるよ
うに水平方向に並べて配置されており、第１処理ブロッ
クと第２処理ブロックの処理雰囲気は実質的に分離され
ている。

【００１９】第１処理ブロック側に設けられている第１
搬送ステーション２は、第１処理ブロックにおいて処理
を行うウエハＷが所定枚数、例えば２５枚収容されたキ
ャリア（ＣＲ）を載置する第１キャリア載置台３と、第
１キャリア載置台３に載置されたキャリア（ＣＲ）と第
１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３との間でウエ
ハＷを搬送するウエハ搬送装置１１が設けられた第１搬
送ユニット４と、を有している。

【００２０】この第１キャリア載置台３には、図１に示
すように、図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位
置決め突起１０が形成されており、この位置決め突起１
０の位置にキャリア（ＣＲ）が、それぞれのウエハ出入
口を第１搬送ユニット４側に向けて１列に載置できるよ
うになっている。キャリア（ＣＲ）においてはウエハＷ
は略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に所定の間隔で配列
されている。

【００２１】ウエハ搬送装置１１はキャリア配列方向
（Ｘ方向）にスライド可能である。また、ウエハ搬送装
置１１は、Ｚ方向に移動可能であり、かつ、図１中のＹ
方向に進退可能であり、かつ、図１中のθ方向に回転可
能であるウエハ搬送ピック１１ａを有している。このよ
うな可動機構によって、ウエハ搬送ピック１１ａは、第
１キャリア載置台３に載置されたいずれかのキャリア
（ＣＲ）に収容された任意のウエハＷおよび第１ウエハ
載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３に対してアクセス可能
であり、これらの間でウエハＷを搬送することができ
る。

【００２２】第２処理ブロック側に設けられている第２
搬送ステーション５は、第２処理ブロックにおいて処理
を行うウエハＷが収容されたキャリア（ＣＲ）を載置す
る第２キャリア載置台６と、第２キャリア載置台６に載
置されたキャリア（ＣＲ）と第２ウエハ載置ユニット
（ＴＲＳ−２）２８との間でウエハＷを搬送するウエハ
搬送装置１３が設けられた第２搬送ユニット７と、を有
している。

【００２３】第２キャリア載置台６には、図中Ｘ方向に
沿って４箇所に位置決め突起１２が形成されており、こ
の位置決め突起１２の位置にキャリア（ＣＲ）が、それ
ぞれのウエハ出入口を第２搬送ユニット７側に向けて１
列に載置できるようになっている。キャリア（ＣＲ）に
おいてはウエハＷは略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に
所定の間隔で配列されている。第２キャリア載置台６に
載置されるキャリア（ＣＲ）に収容されているウエハＷ
としては、例えば、アルミニウム配線が形成されている
ウエハＷ等が挙げられる。

【００２４】ウエハ搬送装置１３はキャリア配列方向
（Ｘ方向）にスライド可能である。また、ウエハ搬送装
置１３は、Ｚ方向に移動可能であり、かつ、図１中のＹ
方向に進退可能であり、かつ、図１中のθ方向に回転可
能であるウエハ搬送ピック１３ａを有している。このよ
うな可動機構によって、ウエハ搬送ピック１３ａは、第
２キャリア載置台６に載置されたいずれかのキャリア
（ＣＲ）に収容された任意のウエハＷおよび第２ウエハ
載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８に対してアクセス可能
であり、これらの間でウエハＷを搬送することができ
る。

【００２５】ＳＯＤシステム１００においては、このよ
うに、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第１搬
送ステーション２と、銅不使用プロセスを行うウエハＷ
を取り扱う第２搬送ステーション５とが、処理ステーシ
ョン１を挟んで隔離して配置されている。これにより第
１搬送ステーション２と第２搬送ステーション５の雰囲
気が実質的に分離されている。

【００２６】例えば、銅使用プロセスを行うウエハＷと
銅不使用プロセスを行うウエハＷを同じウエハ搬送ピッ
クで処理ステーション１に搬送する構造とした場合に
は、銅使用プロセスを行うウエハＷからウエハ搬送ピッ
クに銅が拡散し、さらにウエハ搬送ピックから銅不使用
プロセスを行うウエハＷへ銅が拡散して銅不使用プロセ
スを行うウエハＷが汚染される事態が生じるおそれがあ
る。しかし、ＳＯＤシステム１００においては、このよ
うなウエハ搬送ピックを介した銅不使用プロセスを行う
ウエハＷへの銅の拡散が起こらないようになっている。

【００２７】主ウエハ搬送装置１８は、Ｚ方向に延在
し、垂直壁５１ａ・５１ｂおよびこれらの間の側面開口
部５１ｃを有する筒状支持体５１と、その内側に筒状支
持体５１に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられたウエハ
搬送体５２とを有している。筒状支持体５１はモータ５
３の回転駆動力によって回転可能となっており、それに
伴ってウエハ搬送体５２も一体的に回転されるようにな
っている。また、ウエハ搬送体５２は、モータ５８によ
ってベルト５９を駆動させることにより昇降自在となっ
ている。なお、符号４０は駆動プーリー、４１は従動プ
ーリーである。

【００２８】ウエハ搬送体５２は搬送基台５４を備えて
おり、第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム群１９
ｂは搬送基台５４に取り付けられている。第１搬送アー
ム群１９ａは３本の搬送アーム５５ａ・５５ｂ・５５ｃ
を有し、第２搬送アーム群１９ｂは３本の搬送アーム５
６ａ・５６ｂ・５６ｃを有している。搬送アーム５５ａ
〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃは筒状支持体５１の側面開口
部５１ｃを通過可能な大きさを有しており、搬送基台５
４内に内蔵されたモータおよびベルト機構によって個々
に独立して進退移動することが可能となっている。

【００２９】筒状支持体５１を所定角度回転させて側面
開口部５１ｃを第１処理ユニット群Ｇ_１〜第４処理ユニ
ット群Ｇ_４に向けることによって、搬送アーム５５ａ〜
５５ｃを第１処理ユニット群Ｇ_１と第３処理ユニット群
Ｇ_３を構成する各処理ユニットにアクセスさせることが
でき、搬送アーム５６ａ〜５６ｃを第２処理ユニット群
Ｇ_２と第４処理ユニット群Ｇ_４を構成する各処理ユニッ
トにアクセスさせることができる。このように、主ウエ
ハ搬送装置１８では、銅使用プロセスを行うウエハＷを
搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱
う搬送アームとを区別しており、これによって搬送アー
ムを介して銅不使用プロセスを行うウエハＷへ銅が拡散
することが防止される。

【００３０】主ウエハ搬送装置１８の上方には、主ウエ
ハ搬送装置１８に清浄な空気をダウンフローとして供給
するフィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２が設けら
れている。図４はフィルターファンユニット（ＦＦＵ）
３２からの空気の流れを示す説明図である。

【００３１】主ウエハ搬送装置１８が設けられている床
部には排気口（図示せず）が設けられており、フィルタ
ーファンユニット（ＦＦＵ）３２から吹き出されるダウ
ンフローの一部は、主ウエハ搬送装置１８にあたった後
に、その床部から排気される。第２搬送アーム群１９ｂ
は第１搬送アーム群１９ａの上側に配置されているため
に、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第１搬送
アーム群１９ａから銅不使用プロセスを行うウエハＷを
取り扱う第２搬送アーム群１９ｂへの銅の拡散が抑制さ
れる。また、第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム
群１９ｂとの間には遮蔽板３３が設けられており、これ
によっても第１搬送アーム群１９ａから第２搬送アーム
群１９ｂへの銅の拡散が抑制される。

【００３２】フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２
から吹き出されるダウンフローの一部は、第３処理ユニ
ット群Ｇ_３の各処理ユニットを通って、図示しないフィ
ルターによってパーティクルが除去された後に第１搬送
ユニット４へ流出し、また、第４処理ユニット群Ｇ_４の
各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによっ
てパーティクルが除去された後に第２搬送ユニット７へ
流出するようになっている。これにより、第３処理ユニ
ット群Ｇ_３と第４処理ユニット群Ｇ_４の各処理ユニット
の内部が清浄に保持され、しかも第３処理ユニット群Ｇ
_３から第４処理ユニット群Ｇ_４への銅の拡散が抑制され
る。

【００３３】搬送アーム５５ａと搬送アーム５５ｂとの
間には遮熱板３４ａが設けられている。例えば、搬送ア
ーム５５ａを常温近傍の温度となっているウエハＷの搬
送用に用い、搬送アーム５５ｂ・５５ｃをベーク処理ユ
ニット（ＤＬＢ）２５等で加熱処理されたウエハＷの搬
送に用いた場合に、この遮熱板３４ａによって、加熱さ
れたウエハＷからの熱拡散によって搬送アーム５５ａが
温められることが抑制される。同様の目的で、搬送アー
ム５６ａと搬送アーム５６ｂとの間には遮熱板３４ｂが
設けられている。また、遮蔽板３３によって、搬送アー
ム５６ｃから搬送アーム５５ａへの熱拡散が抑制され、
搬送アーム５５ａが温められることが抑制される。な
お、図１と図３において、遮蔽板３３と遮熱板３４ａ・
３４ｂを保持する保持部材は図示していないが、この保
持部材は搬送基台５４に設けられている。

【００３４】上記のように構成されたＳＯＤシステム１
００においては、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフ
ィルム法、フォックス法等の各種の方法によってｌｏｗ
−ｋ膜を形成することができる。第１処理ブロックにお
いて、銅配線が形成されたウエハＷの表面にこれら各種
の方法によってｌｏｗ−ｋ膜を形成する場合の基本的な
ウエハＷの処理は、（１）ウエハ搬送装置１１によるキ
ャリア（ＣＲ）から第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−
１）２３へのウエハＷの搬送、（２）クーリングプレー
トユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と温度調
整、（３）絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１への
ウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニ
ット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、
（５）キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４へのウエハＷ
の搬送とキュア処理、（６）クーリングプレートユニッ
ト（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、
（７）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介
したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で行
われる。なお、第２処理ブロックにおけるｌｏｗ−ｋ膜
の形成処理もこれと同様に行われる。

【００３５】このようなＳＯＤシステム１００を用いた
場合には、従来のように銅使用プロセス用のＳＯＤシス
テムと銅不使用プロセス用のＳＯＤシステムを２台用い
ることなく、これらの両プロセスを１台のＳＯＤシステ
ム１００内で並行して行うことができる。また、銅使用
プロセスを行うエリアと銅不使用プロセスを行うエリア
を分離して、さらに銅使用プロセスを行うウエハを搬送
する搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハを搬送
する搬送アームを区別させた構成とすることによって、
銅不使用プロセスを行うウエハＷの銅による汚染が抑制
され、銅不使用プロセスを行うウエハＷの絶縁特性の低
下を防止することができる。

【００３６】ＳＯＤシステム１００においては、主ウエ
ハ搬送装置１８における第１搬送アーム群１９ａと第２
搬送アーム群１９ｂの構成を、図５の側面図に示すよう
に変更してもよい。図５に示す構成では、第１搬送アー
ム群１９ａにおいて常温近傍のウエハＷを取り扱う搬送
アーム５５ａと第２搬送アーム群１９ａにおいて常温近
傍のウエハＷを取り扱う搬送アーム５６ａが遮蔽板３３
の上側に配置され、かつ、搬送アーム５６ａが搬送アー
ム５５ａの上側に配置されている。また、第１搬送アー
ム群１９ａにおいて加熱されたウエハＷを取り扱う搬送
アーム５５ｂ・５５ｃと第２搬送アーム群１９ａにおい
て加熱されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５６ｂ・５
６ｃが遮蔽板３３の下側に配置され、かつ、搬送アーム
５６ｂ・５６ｃが搬送アーム５５ｂ・５５ｃの上側に配
置されている。

【００３７】主ウエハ搬送装置１８の構成を図５に示す
ようにした場合には、遮蔽板３３が遮熱板として機能す
るために、図３に示す構成のように遮熱板３４ａ・３４
ｂを設けなくともよい。但し、銅使用プロセスを行うウ
エハＷを取り扱う搬送アームと銅不使用プロセスを行う
ウエハＷを取り扱う搬送アームとを近接させないように
するか、または搬送アーム５５ａ・５６ａ間と搬送アー
ム５５ｂ・５６ｃ間のそれぞれに銅の拡散を抑制する遮
蔽板または浮遊する銅を吸着する部材を設ける等して、
銅の拡散を防止することがより好ましい。

【００３８】次に、ＳＯＤシステムの別の形態について
説明する。図６はＳＯＤシステム１００´の概略平面図
であり、図７はその概略側面図であり、図８はＳＯＤシ
ステム１００´内に装着された処理ユニット群の概略断
面図である。ＳＯＤシステム１００´は、大別して、処
理ステーション１´と、第１搬送ステーション２と、第
２搬送ステーション５とを具備している。ＳＯＤシステ
ム１００´の第１搬送ステーション２と第２搬送ステー
ション５の構成は、先に説明したＳＯＤシステム１００
の第１搬送ステーション２および第２搬送ステーション
５の構成と同じである。このため第１搬送ステーション
２と第２搬送ステーション５の構成についての説明はこ
こでは省略する。

【００３９】処理ステーション１´は、銅配線を有する
ウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する絶縁膜塗布処理ユニ
ット（ＳＣＴ）２１が水平方向に２台並べて配置された
第１処理ユニット群Ｇ_１´と、銅配線を有しないウエハ
Ｗにｌｏｗ−ｋ膜を形成する絶縁膜塗布処理ユニット
（ＳＣＴ）２７が水平方向に２台並べて配置された第２
処理ユニット群Ｇ_２´を有し、第２処理ユニット群Ｇ_２
´は第１処理ユニット群Ｇ_１´の上側に配置されてい
る。

【００４０】処理ステーション１´にはまた、第１処理
ユニット群Ｇ_１´と第２処理ユニット群Ｇ_２´において
塗布膜が形成されたウエハＷに対して熱的処理を行う第
１ユニットタワーＴ_１および第２ユニットタワーＴ
_２と、銅配線を有するウエハＷを搬送する第１搬送部１
８ａおよび銅配線を有しないウエハＷを搬送する第２搬
送部１８ｂを有する主ウエハ搬送装置１８´が配置され
ている。

【００４１】第１ユニットタワーＴ_１は、第３処理ユニ
ット群Ｇ_３´と第５処理ユニット群Ｇ_５を有し、第５処
理ユニット群Ｇ_５が第３処理ユニット群Ｇ_３´の上側に
配置されている。第２ユニットタワーＴ_２は、第４処理
ユニット群Ｇ_４´と第６処理ユニット群Ｇ_６を有し、第
６処理ユニット群Ｇ_６が第４処理ユニット群Ｇ_４´の上
側に配置されている。

【００４２】第３処理ユニット群Ｇ_３´と第４処理ユニ
ット群Ｇ_４´では銅配線を有するウエハＷが取り扱われ
る。第３処理ユニット群Ｇ_３´では、第１搬送ステーシ
ョン２と主ウエハ搬送装置１８´との間でウエハＷの受
け渡しを行うためにウエハＷを載置する第１ウエハ載置
ユニット（ＴＲＳ−１）２３と、第１処理ユニット群Ｇ
_１´においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの加熱
処理を行うベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、その
ウエハＷの硬化処理を行うキュア処理ユニット（ＤＬ
Ｃ）２４が積み重ねられている。また、第４処理ユニッ
ト群Ｇ_４´では、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレ
ートユニット（ＣＰＬ）２６と、ベーク処理ユニット
（ＤＬＢ）２５と、キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４
が積み重ねられている。

【００４３】第５処理ユニット群Ｇ_５と第６処理ユニッ
ト群Ｇ_６では銅配線を有しないウエハＷが取り扱われ、
第５処理ユニット群Ｇ_５では、ウエハＷの冷却を行うク
ーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１と、第２処理
ユニット群Ｇ_２´においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウ
エハＷの加熱処理をベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０
と、そのウエハＷの硬化処理を行うキュア処理ユニット
（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。また、第６処理
ユニット群Ｇ_６では、第２搬送ステーション５と主ウエ
ハ搬送装置１８´との間でウエハＷの受け渡しを行うた
めにウエハＷを載置する第２ウエハ載置ユニット（ＴＲ
Ｓ−２）２８と、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０
と、キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９が積み重ねられ
ている。

【００４４】主ウエハ搬送装置１８´では、第２搬送部
１８ｂが第１搬送部１８ａの上側に配置されており、主
ウエハ搬送装置１８´の上方にフィルターファンユニッ
ト（ＦＦＵ）３２が設けられている。第１搬送部１８ａ
と第２搬送部１８ｂを仕切る隔壁板３９には孔部（図示
せず）が設けられており、フィルターファンユニット
（ＦＦＵ）３２からのダウンフローは第２搬送部１８ｂ
を通って、第１搬送部１８ａに送られるようになってお
り、第１搬送部１８ａから第２搬送部１８ｂへ銅が拡散
しないようになっている。また、第２搬送部１８ｂにお
いて発塵が起こりやすい部分には局所排気装置（図示せ
ず）が設けられており、第１搬送部１８ａへのパーティ
クルの流入が抑制されるようになっている。

【００４５】第１搬送部１８ａと第２搬送部１８ｂはそ
れぞれ、ＳＯＤシステム１００に設けられた主ウエハ搬
送装置１８と同等の構造を有しており、独立して駆動可
能となっている。第１搬送部１８ａは、搬送アーム５５
ａ〜５５ｃを有する第１搬送アーム群１９ａを有し、搬
送アーム５５ａ〜５５ｃは、第１処理ユニット群Ｇ_１´
と、第３処理ユニット群Ｇ_３´と、第４処理ユニット群
Ｇ_４´にアクセス自在である。搬送アーム５５ａと搬送
アーム５５ｂとの間には遮熱板３４ａが設けられてい
る。

【００４６】第２搬送部１８ｂは、搬送アーム５６ａ〜
５６ｃを有する第２搬送アーム群１９ｂを有し、搬送ア
ーム５６ａ〜５６ｃは、第２処理ユニット群Ｇ_２´と、
第５処理ユニット群Ｇ_５と第６処理ユニット群Ｇ_６にア
クセス自在となっている。搬送アーム５６ａと搬送アー
ム５６ｂとの間には遮熱板３４ｂが設けられている。

【００４７】フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２
からのダウンフローの一部は、第６処理ユニット群Ｇ_６
を構成する各処理ユニットを通って、図示しないフィル
ターによってパーティクルが除去された後に第２搬送ユ
ニット７へ流出するようになっているが、図示しない排
気管によって第４処理ユニット群Ｇ_４´を通って第２搬
送ステーション５へ流れ出さないようになっている。ま
た、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からのダ
ウンフローの一部は、第３処理ユニット群Ｇ_３´と第５
処理ユニット群Ｇ_５を構成する各処理ユニットを通っ
て、図示しないフィルターによってパーティクルが除去
された後に第１搬送ステーション２へ流出するようにな
っている。これは、銅不使用プロセスを行う処理ユニッ
トから銅使用プロセスを行う処理ブロックへの空気の流
れは、銅使用プロセスを行うウエハＷに対して悪影響を
与えないためである。

【００４８】このようにＳＯＤシステム１００´の処理
ステーション１´は、銅配線を有するウエハＷに所定の
処理を施す処理ユニットおよび銅配線を有するウエハＷ
を搬送する搬送装置を有する処理ブロックが下側に配置
され、銅配線を有していないウエハＷに銅を用いない所
定の処理を施す処理ユニットおよび銅配線を有しないウ
エハＷを搬送する搬送装置を有する処理ブロックが上側
に配置された構造を有している。つまり、銅使用プロセ
スを行う処理ブロックと銅不使用プロセスを行う処理ブ
ロックが上下に分けられて、処理雰囲気が実質的に分離
されている。

【００４９】また、ＳＯＤシステム１００´において
は、銅配線を有するウエハＷを搬送する第１搬送ステー
ション２と銅配線を有しないウエハＷを搬送する第２搬
送ステーション５が処理ステーション１´を介して水平
方向で分離して配置されている。このように、ＳＯＤシ
ステム１００´もまた、銅配線を有しないウエハＷの銅
による汚染が抑制される構造となっている。

【００５０】ＳＯＤシステム１００´においては、主ウ
エハ搬送装置１８´と第１ユニットタワーＴ_１と第２ユ
ニットタワーＴ_２の構成を図９に示すように変更しても
よい。第１ユニットタワーＴ_１´は、第３処理ユニット
群Ｇ_３″と第５処理ユニット群Ｇ_５を有し、第３処理ユ
ニット群Ｇ_３″の上側に第５処理ユニット群Ｇ_５が配置
されている。第２ユニットタワーＴ_２´は、第４処理ユ
ニット群Ｇ_４´と第６処理ユニット群Ｇ_６´を有し、第
４処理ユニット群Ｇ_４´の上側に第６処理ユニット群Ｇ
_６´が配置されている。第１ユニットタワーＴ_１´と第
２ユニットタワーＴ_２´の間には主ウエハ搬送装置１
８″が配置されている。

【００５１】第３処理ユニット群Ｇ_３″と第４処理ユニ
ット群Ｇ_４´では銅配線を有するウエハＷが取り扱われ
る。第３処理ユニット群Ｇ_３″では、ベーク処理ユニッ
ト（ＤＬＢ）２５と、２台のキュア処理ユニット（ＤＬ
Ｃ）２４と、第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２
３が積み重ねられている。第４処理ユニット群Ｇ_４´の
構成は先に図８に示した構成と同じである。

【００５２】第５処理ユニット群Ｇ_５と第６処理ユニッ
ト群Ｇ_６´では銅配線を有しないウエハＷが取り扱われ
る。第５処理ユニット群Ｇ_５の構成は先に図８に示した
構成と同じである。第６処理ユニット群Ｇ_６´では、第
２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８と、ベーク処
理ユニット（ＤＬＢ）３０と、２台のキュア処理ユニッ
ト（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。

【００５３】主ウエハ搬送装置１８″は、ＳＯＤシステ
ム１００に装備された主ウエハ搬送装置１８に２台の搬
送基台５４ａ・５４ｂが設けられた構造を有している。
搬送基台５４ａ・５４ｂは、同一のベルト５９に取り付
けられており、その間隔は一定であって、ベルト機構の
稼働によって同時に昇降する。搬送基台５４ａに設けら
れた第１搬送アーム群１９ａ（搬送アーム５５ａ〜５５
ｃ）は、第３処理ユニット群Ｇ_３″と、第４処理ユニッ
ト群Ｇ_４´と、第６処理ユニット群Ｇ_６´に配置された
第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８にアクセス
可能である。また、搬送基台５４ｂに設けられた第２搬
送アーム群１９ｂ（搬送アーム５６ａ〜５６ｃ）は、第
５処理ユニット群Ｇ_５と、第６処理ユニット群Ｇ_６´
と、第３処理ユニット群Ｇ_３″に配置された第１ウエハ
載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３にアクセス可能であ
る。

【００５４】主ウエハ搬送装置１８″では、搬送基台５
４ａ・５４ｂの距離が一定であるために、搬送アーム５
５ａ〜５５ｃと搬送アーム５６ａ〜５６ｃが同時にアク
セスできる処理ユニットが一定の組合せに限定される
が、例えば、処理レシピを最適化することによって、ス
ループットの低下を防止することが可能である。

【００５５】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明はこのような形態に限定されるもので
はない。例えば、ＳＯＤシステム１００に設けられた第
３処理ユニット群Ｇ_３や第４処理ユニット群Ｇ_４、ＳＯ
Ｄシステム１００´に設けられた第１ユニットタワーＴ
_１や第２ユニットタワーＴ_２には、塗布膜が形成された
ウエハＷの温度を一定にするエージングユニット（ＤＡ
Ｃ）や、ベーク処理前にベーク処理温度よりも低い温度
で前もって熱処理を行う低温用ホットプレートユニット
（ＬＨＰ）を設けることもできる。また、各処理ユニッ
トには銅を含む浮遊物等を吸着する機構（例えば、活性
炭層や水槽）や排気する機構を設けることも好ましい。

【００５６】また、ＳＯＤシステム１００・１００´に
は、銅の膜を形成するための銅膜塗布処理ユニット（Ｃ
ｕ−ＳＣＴ）２２を設けることも可能である。図１０
は、例として、ＳＯＤシステム１００に銅膜塗布処理ユ
ニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を搭載した形態を示す概略
側面図である。銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）
２２の横の空きスペースには、銅不使用プロセスにおい
て使用する絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７をさ
らに配置することができる。

【００５７】ＳＯＤシステム１００の第１処理ブロック
に銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を設け
て、ウエハＷの表面に銅の膜を形成する例としては、例
えば、銅配線上にトレンチが形成されるようにｌｏｗ−
ｋ膜が形成されているウエハＷのこのトレンチ部分に銅
を充填する塗布処理を行う場合が挙げられる。

【００５８】この場合の処理は、（１）ウエハ搬送装置
１１によるキャリア（ＣＲ）から第１ウエハ載置ユニッ
ト（ＴＲＳ−１）２３へのウエハＷの搬送、（２）クー
リングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの
搬送と温度調整、（３）銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−
ＳＣＴ）２２へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、
（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷ
の搬送と熱処理、（５）クーリングプレートユニット
（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、（６）
第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介したキ
ャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で行うこと
ができる。このような方法で銅膜を形成した場合には、
ＣＶＤ法やメッキ法によってトレンチ部分を銅で埋設す
る場合と比較して、短時間で処理を行うことができ、か
つ、化学機械研磨（ＣＭＰ；chemical mechanical poli
shing）による処理を省略し、または処理時間を短縮す
ることができる利点がある。

【００５９】銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２
２は、ＳＯＤシステム１００´では、例えば、絶縁膜塗
布処理ユニット（ＳＣＴ）２１と薬液貯留室２０ａ・２
０ｂとの間に設けることができる。

【００６０】この場合において、さらに主ウエハ搬送装
置１８″（図９参照）が配置されている場合には、例え
ば、（１）ウエハ搬送装置１３によるキャリア（ＣＲ）
から第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８へのウ
エハＷの搬送、（２）クーリングプレートユニット（Ｃ
ＰＬ）３１へのウエハＷの搬送と温度調整、（３）絶縁
膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７へのウエハＷの搬送
と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）
３０へのウエハＷの搬送と熱処理、（５）キュア処理ユ
ニット（ＤＬＣ）２９へのウエハＷの搬送とキュア処
理、（６）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１
へのウエハＷの搬送と冷却処理、（７）搬送アーム５６
ａ（または５６ｂ、５６ｃ）によるウエハＷの第１ウエ
ハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３（または第２ウエハ
載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８）への搬送、（８）搬
送アーム５５ａ（または５５ｂ、５５ｃ）による銅膜塗
布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２へのウエハＷの搬
送と塗布膜の形成、（９）ベーク処理ユニット（ＤＬ
Ｂ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、（１０）クーリ
ングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬
送と冷却処理、（１１）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲ
Ｓ−１）２３を介したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの
収容、の順序で処理を行うことができる。

【００６１】このような銅不使用プロセス後に銅使用プ
ロセスを連続して行う処理は、ＳＯＤシステム１００´
において、主ウエハ搬送装置１８´が配置されている場
合において、さらに、第１ユニットタワーＴ_１の背面
に、クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１から第
１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へウエハＷを
搬送する搬送装置を設け、および／または、第２ユニッ
トタワーＴ_２の背面に、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲ
Ｓ−２）２８からクーリングプレートユニット（ＣＰ
Ｌ）２６へウエハＷを搬送する搬送装置をさらに設ける
ことによっても行うことができる。

【００６２】例えば、層間絶縁膜が形成されてクーリン
グプレートユニット（ＣＰＬ）３１に載置されたウエハ
Ｗを、第１ユニットタワーＴ_１の背面に設けた搬送装置
によって第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へ
搬送し、その後に銅膜を形成することができる。また、
層間絶縁膜が形成されて第２ウエハ載置ユニット（ＴＲ
Ｓ−２）２８に載置されたウエハＷを、第２ユニットタ
ワーＴ_２の背面に設けた搬送装置によってクーリングプ
レートユニット（ＣＰＬ）２６へ搬送し、その後に銅膜
を形成することも可能である。

【００６３】このような銅不使用プロセス後に銅使用プ
ロセスを連続して行う処理は、ＳＯＤシステム１００に
設けられた主ウエハ搬送装置１８をＳＯＤシステム１０
０´に主ウエハ搬送装置１８´・１８″に代えて装備さ
せた場合でも行うことができる。また、銅不使用プロセ
ス後に銅使用プロセスの連続処理は、ＳＯＤシステム１
００において、主ウエハ搬送装置１８の備える搬送アー
ム５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃのアクセスの制限を
緩和して、例えば、搬送アーム５５ａ〜５５ｃが第２ウ
エハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８またはクーリング
プレートユニット（ＣＰＬ）３１にアクセス可能とする
ことによっても、行うことができる。

【００６４】なお、銅不使用プロセス後に銅使用プロセ
スを連続して行う処理では、例えば、本来は銅不使用プ
ロセスのウエハＷのみを取り扱うべき第２ウエハ載置ユ
ニット（ＴＲＳ−２）２８とクーリングプレートユニッ
ト（ＣＰＬ）３１に銅使用プロセスで使用する搬送アー
ム５５ａ〜５５ｃを進入させなければならないか、また
は、銅使用プロセスで使用する第１ウエハ載置ユニット
（ＴＲＳ−２）２３とクーリングプレートユニット（Ｃ
ＰＬ）２６に銅不使用プロセスで使用する搬送アーム５
６ａ〜５６ｃを進入させるために、第２ウエハ載置ユニ
ット（ＴＲＳ−２）２８とクーリングプレートユニット
（ＣＰＬ）３１または搬送アーム５６ａ〜５６ｃが銅で
汚染されやすくなる。したがって、これらの部位につい
ては、例えば、定期的なメンテナンスの間隔を縮める等
して対処することが好ましい。

【００６５】上記説明では、基板として半導体ウエハを
取り上げたが、基板はこれに限定されるものではなく、
本発明は、ＬＣＤガラス基板やセラミックス基板（例え
ば、強誘電体セラミックス基板等）の他の銅配線が形成
される基板の処理にも適用することができる。

【００６６】

【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、銅を有す
る基板の処理または基板に銅を使用した処理を行う第１
処理ブロックと、銅を有しない基板を銅を使用せずに処
理する第２処理ブロックの雰囲気が実質的に分かれてい
るために、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの
銅の拡散が抑制される。また、第１処理ブロックを構成
する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装
置と、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対す
る基板の搬送を行う基板搬送装置を区別して用いること
によって、基板搬送装置を介した銅の拡散が抑制され
る。こうして第２処理ブロックで処理される基板の絶縁
特性の低下を防止することができるため、基板の品質ひ
いては製品の品質が高められる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるＳＯＤシステムの概
略平面図。

【図２】図１に示すＳＯＤシステムの概略側面図。

【図３】図１に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユ
ニット群の概略断面図。

【図４】フィルターファンユニット（ＦＦＵ）からの空
気の流れを示す説明図。

【図５】図１に示すＳＯＤシステムに装着された主ウエ
ハ搬送装置の別の実施形態を示す側面図。

【図６】ＳＯＤシステムの別の実施形態を示す概略平面
図。

【図７】図６に示すＳＯＤシステムの概略側面図。

【図８】図６に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユ
ニット群の概略断面図。

【図９】図６に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユ
ニット群の別の形態を示す概略断面図。

【図１０】ＳＯＤシステムのさらに別の実施形態を示す
概略側面図。

【符号の説明】

１・１´；処理ステーション２；第１搬送ステーション５；第２搬送ステーション１８・１８´・１８″；主ウエハ搬送装置１９ａ；第１搬送アーム群１９ｂ；第２搬送アーム群２１・２７；絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２２；銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２３；第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２４・２９；キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２５・３０；ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２６・３１；クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２８；第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）３３；遮蔽板３４ａ・３４ｂ；遮熱板５４・５４ａ・５４ｂ；搬送基台５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃ；搬送アーム１００・１００´；ＳＯＤシステムＧ_１・Ｇ_１´；第１処理ユニット群Ｇ_２・Ｇ_２´；第２処理ユニット群Ｇ_３・Ｇ_３´・Ｇ_３″；第３処理ユニット群Ｇ_４・Ｇ_４´；第４処理ユニット群Ｇ_５；第５処理ユニット群Ｇ_６・Ｇ_６´；第６処理ユニット群Ｔ_１；第１ユニットタワーＴ_２；第２ユニットタワー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に所定の処理を施す基板処理装置で
あって、銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを
有する第１処理ブロックと、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を
施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対し
て基板の搬送を行う第１搬送アームおよび前記第２処理
ブロックに備えられた処理ユニットに対して基板の搬送
を行う第２搬送アームを有する基板搬送装置と、を具備し、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックはその境
界面について略対称となるように水平方向に並べて配置
され、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックの
処理雰囲気が実質的に分離されていることを特徴とする
基板処理装置。
【請求項２】前記第１処理ブロックと前記第２処理ブ
ロックはそれぞれ、基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニッ
トと、前記液処理ユニットにおいて塗布膜が形成された基板に
熱的処理を施す熱的処理ユニットと、を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理
装置。
【請求項３】基板に所定の処理を施す基板処理装置で
あって、銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを
有する第１処理ブロックと、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を
施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対し
て基板の搬送を行う第１搬送アームおよび前記第２処理
ブロックに備えられた処理ユニットに対して基板の搬送
を行う第２搬送アームを有する第１基板搬送装置と、前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容さ
れた容器を載置する第１容器載置部、および前記第１容
器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの
間で基板を搬送する第２基板搬送装置を有する第１基板
搬送ステーションと、前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容さ
れた容器を載置する第２容器載置部、および前記第２容
器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの
間で基板を搬送する第３基板搬送装置を有する第２基板
搬送ステーションと、を具備し、前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステ
ーションは前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロッ
クを挟んで配置され、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックはその境
界面について略対称となるように水平方向に並べて配置
され、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックの
処理雰囲気が実質的に分離されていることを特徴とする
基板処理装置。
【請求項４】前記第１処理ブロックは、基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニッ
トが多段に積み重ねられた第１液処理ユニット群と、前記第１基板搬送装置と前記第２基板搬送装置との間で
基板の受け渡しを行うために基板を載置する第１基板載
置ユニット、および前記第１液処理ユニット群において
塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の
熱的処理ユニットが多段に積み重ねられた第１熱的処理
ユニット群と、を有し、前記第２処理ブロックは、基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニッ
トが多段に積み重ねられた第２液処理ユニット群と、前記第１基板搬送装置と前記第３基板搬送装置との間で
基板の受け渡しを行うために基板を載置する第２基板載
置ユニット、および前記第２液処理ユニット群において
塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の
熱的処理ユニットが多段に積み重ねられた第２熱的処理
ユニット群と、を有することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装
置。
【請求項５】前記第１基板搬送装置に対して上側から
下側に向けて清浄な空気を供給する送風装置をさらに具
備し、前記第２搬送アームは前記第１搬送アームの上側に配置
され、前記第１搬送アームから前記第２搬送アームへの
銅の拡散が抑制されていることを特徴とする請求項３ま
たは請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】前記第１基板搬送装置において、前記第
１搬送アームと前記第２搬送アームとの間に遮蔽板が設
けられていることを特徴とする請求項３から請求項５の
いずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】前記第１基板搬送装置は前記第１搬送ア
ームと前記第２搬送アームをそれぞれ複数装備し、前記複数の第１搬送アームと前記複数の第２搬送アーム
はそれぞれ、加熱された基板を搬送する高温基板搬送用
アームと常温近傍の基板を搬送する常温基板搬送用アー
ムとに区別して用いられ、前記高温基板搬送用アームと前記常温基板搬送用アーム
との間に遮熱板が設けられていることを特徴とする請求
項３から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装
置。
【請求項８】前記複数の第１搬送アームと前記複数の
第２搬送アームの中の前記高温基板搬送用アームは、前
記複数の第１搬送アームと前記複数の第２搬送アームの
中の前記常温基板搬送用アームの下側に、前記遮熱板を
介して配置され、かつ、前記複数の第１搬送アームの中の高温基板搬送用アーム
は前記複数の第２搬送アームの中の高温基板搬送用アー
ムの下側に配置され、かつ、前記複数の第１搬送アームの中の常温基板搬送用アーム
は前記複数の第２搬送アームの中の常温基板搬送用アー
ムの下側に配置されていることを特徴とする請求項７に
記載の基板処理装置。
【請求項９】基板に所定の処理を施す基板処理装置で
あって、銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを
有する第１処理ブロックと、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を
施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックにそ
れぞれ備えられた処理ユニットに対して基板の搬送を行
う基板搬送装置と、を具備し、前記第２処理ブロックは前記第１処理ブロックの上側に
設けられ、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロッ
クの処理雰囲気が実質的に分離されていることを特徴と
する基板処理装置。
【請求項１０】前記第１処理ブロックと前記第２処理
ブロックはそれぞれが、基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニッ
トと、前記液処理ユニットにおいて塗布膜が形成された基板に
熱的処理を施す熱的処理ユニットと、を具備することを特徴とする請求項９に記載の基板処理
装置。
【請求項１１】前記基板搬送装置は、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対し
て基板の搬送を行う第１基板搬送部と、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対し
て基板の搬送を行う第２基板搬送部と、を有し、前記第２基板搬送部は前記第１基板搬送部の上側に設け
られていることを特徴とする請求項９または請求項１０
に記載の基板処理装置。
【請求項１２】基板に所定の処理を施す基板処理装置
であって、銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを
有する第１処理ブロックと、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を
施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対し
て基板の搬送を行う第１搬送アームおよび前記第２処理
ブロックに備えられた処理ユニットに対して基板の搬送
を行う第２搬送アームを有する第１基板搬送装置と、前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容さ
れた容器を載置する第１容器載置部、および前記第１容
器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの
間で基板を搬送する第２基板搬送装置を有する第１基板
搬送ステーションと、前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容さ
れた容器を載置する第２容器載置部、および前記第２容
器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの
間で基板を搬送する第３基板搬送装置を有する第２基板
搬送ステーションと、を具備し、前記第２処理ブロックは前記第１処理ブロックの上側に
設けられて、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロ
ックの処理雰囲気が実質的に分離され、前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステ
ーションは、前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロ
ックを水平方向で挟んで配置されていることを特徴とす
る基板処理装置。
【請求項１３】前記第１処理ブロックは、基板に対して塗布膜を形成する第１液処理ユニットが水
平方向に並べて配置された第１液処理ユニット群と、前記第１基板搬送装置と前記第２基板搬送装置との間で
基板の受け渡しを行うために基板を載置する第１基板載
置ユニット、および前記第１液処理ユニット群において
塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の
熱的処理ユニットが多段に積み重ねられた第１熱的処理
ユニット群と、前記第１熱的処理ユニット群と離隔して設けられ、前記
第１液処理ユニット群において塗布膜が形成された基板
に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが多段
に積み重ねられた第２熱的処理ユニット群と、を有し、前記第２処理ブロックは、基板に対して塗布膜を形成する第２液処理ユニットが水
平方向に並べて前記第１液処理ユニット群の上側に配置
された第２液処理ユニット群と、前記第１基板搬送装置と前記第３基板搬送装置との間で
基板の受け渡しを行うために基板を載置する第２基板載
置ユニット、および前記第２液処理ユニット群において
塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の
熱的処理ユニットが、前記第２熱的処理ユニット群の上
側に多段に積み重ねられた第３熱的処理ユニット群と、前記第２液処理ユニット群において塗布膜が形成された
基板に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが
前記第１熱的処理ユニット群の上側に多段に積み重ねら
れた第４熱的処理ユニット群と、を有することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理
装置。
【請求項１４】前記第１基板搬送装置に対して清浄な
空気を上側から下側に向けて供給する送風装置をさらに
具備し、前記第１基板搬送装置において、前記第２搬送アームは
前記第１搬送アームの上側に配置されて、前記第２搬送
アームから前記第１搬送アームへの銅の拡散が抑制され
ていることを特徴とする請求項１２または請求項１３に
記載の基板処理装置。
【請求項１５】前記第１基板搬送装置において、前記
第１搬送アームと前記第２搬送アームとの間に遮蔽板が
設けられていることを特徴とする請求項１２から請求項
１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】前記第１基板搬送装置は、前記第１搬
送アームと前記第２搬送アームをそれぞれ複数装備し、前記複数の第１搬送アームと前記複数の第２搬送アーム
はそれぞれ、加熱された基板を搬送する高温基板搬送用
アームと常温近傍の基板を搬送する常温基板搬送用アー
ムとに区別して用いられ、前記高温基板搬送用アームと前記常温基板搬送用アーム
との間に遮熱板が設けられていることを特徴とする請求
項１２から請求項１４のいずれか１項に記載の基板処理
装置。
【請求項１７】前記第１処理ブロックは、基板に施す
処理に銅を含む材料を使用する処理ユニットをさらに具
備することを特徴とする請求項１から請求項１６のいず
れか１項に記載の基板処理装置。