TWI538054B - 用於半導體晶圓的退火模組 - Google Patents
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Description
本發明係關於半導體晶圓的退火模組。
微電子電路和其他微尺度裝置通常是由基板或晶圓製成，所述基板或晶圓諸如是矽或其他半導體材料晶圓。多個金屬層被施加於基板上以形成微電子或其他微尺度部件，或以提供電互連。這些通常是銅的金屬層被電鍍到基板上，且以光刻、電鍍、蝕刻、拋光或其他步驟的順序形成部件和互連。
為了獲得所需的材料性質，一般使基板經受退火處理，在所述處理中，基板被迅速地加熱，通常被加熱至約200℃至500℃且更通常被加熱至300℃至400℃的溫度。基板可被保持在這些溫度下達相對短的時間，例如，60至300秒。基板然後被快速地冷卻，其中整個處理通常僅花費幾分鐘。退火可用於改變基板上的層的材料性質。退火也可用於啟動摻雜劑、驅動基板上的薄膜之間的摻雜劑、改變薄膜至薄膜，或薄膜至基板介面、緻密化沉積膜，或用以修復來自離子佈植的損害。
隨著微電子裝置和互連的特徵尺寸變得較小，可允許的缺陷大體上減少。缺陷由污染物顆粒產生，以便在退火腔室中減少顆粒產生元素將降低缺陷。晶圓的溫度均勻性是另一顯著設計因素，因為溫度均勻性影響晶圓上的銅或其他材料的晶體結構。另一考慮之處是可維修性。能夠盡可能快速且有效地恢復和維護腔室是非常重要的。
過去已使用各種退火腔室。在單片式處理設備中，這些退火腔室一般地將基板定位在加熱和冷卻元件之間或之上，以控制基板的溫度分佈。然而，獲得精確和可重複的溫度分佈可帶來工程挑戰。
此外，在超過約70℃的溫度下，諸如銅的某些材料當暴露於氧氣時將快速地氧化。如果銅或其他材料氧化，那麼基板可能不再可用，或者氧化層必須在進一步處理之前被去除。在高效的製造中，這些都是不能接受的選擇。因此，另一設計因素是當基板溫度超過約70℃時，將基板與氧氣隔離。因為氧氣一定存在於環境空氣中，所以避免在退火期間的銅的氧化也可能帶來工程挑戰。需要改進的退火方法和設備。
在一態樣中，本發明揭示：一種退火設備，該退火設備包括：一金屬主體；一蓋，該蓋在該金屬主體上，其中一處理腔室在該金屬主體和該蓋之間形成；一或多個冷卻管線，該一或多個冷卻管線在該金屬主體中或該金屬主體上；一熱板，該熱板具有在該主體上的一熱扼流器上支撐的一基
座；一氣體分佈器，該氣體分佈器在該熱板之上的該蓋中；一冷板，該冷板在該金屬主體上；一裝載槽，該裝載槽鄰近於該冷板在該金屬主體中；一傳送機構，該傳送機構具有一環箍，該環箍可移動到該冷板之上的一第一位置和移動到該熱板之上的一第二位置，其中該傳送機構還具有用於上升和下降該環箍的一升降機構；和至少一個電子元件，該至少一個電子元件附接於該金屬主體。
在另一態樣中，本發明揭示：一種退火設備，該退火設備包括：一金屬主體；一或多個冷卻管線，該一或多個冷卻管線在該金屬主體中或該金屬主體上；第一和第二圓形槽，該第一和第二圓形槽在該金屬主體中；一熱板和一冷板，該熱板在該主體中的該第一圓形槽中，該冷板在該主體中的該第二圓形槽中，其中該第一圓形槽與該第二圓形槽相交；在該熱板上的一基座，該基座支撐在該主體上的一熱扼流器上；在該主體上的一或多個電子元件，該一或多個電子元件電氣連接到該傳送機構且連接到該熱板中的一加熱器；一蓋，該蓋在該金屬主體上，其中一處理腔室在該金屬主體和該蓋之間形成；一氣體分佈器，該氣體分佈器在該熱板之上的該蓋中；一裝載槽，該裝載槽鄰近於該冷板在該金屬主體中；和一傳送機構，該傳送機構具有一環箍，該環箍可移動到該冷板之上的一第一位置和移動到該熱板之上的一第二位置，其中該傳送機構還具有用於上升和下降該環箍的一升降機構。
30‧‧‧退火模組
32‧‧‧主體
34‧‧‧處理腔室
36‧‧‧熱板
38‧‧‧冷板
40‧‧‧蓋
42‧‧‧底板
44‧‧‧電子單元
46‧‧‧電子單元
48‧‧‧加熱控制單元
52‧‧‧加熱控制單元
54‧‧‧對準襯套
56‧‧‧進氣口/出氣口
58‧‧‧加熱器
60‧‧‧冷卻液入口
62‧‧‧冷卻液出口
64‧‧‧裝配凹槽
66‧‧‧基座
68‧‧‧熱扼流器
70‧‧‧傳送機構
72‧‧‧前端
74‧‧‧裝載/卸載槽
76‧‧‧墊塊
78‧‧‧圓形槽
80‧‧‧噴頭
82‧‧‧蓋排氣口
84‧‧‧間隙凹口
88‧‧‧空氣/氣隙
100‧‧‧基座
104‧‧‧框架
106‧‧‧耦合器
108‧‧‧絲杠
110‧‧‧滾珠花鍵
112‧‧‧保護罩
114‧‧‧電動機
116‧‧‧花鍵螺母
120‧‧‧電動機
130‧‧‧皮帶
132‧‧‧鏈輪
134‧‧‧第二皮帶
138‧‧‧鏈輪
140‧‧‧鏈輪
142‧‧‧環箍
144‧‧‧指狀件
146‧‧‧凸緣
148‧‧‧平面
150‧‧‧臂
156‧‧‧排氣溝槽
158‧‧‧空間交換通道
160‧‧‧外殼
162‧‧‧頂部腔室
164‧‧‧頂部間隙
166‧‧‧底部腔室
168‧‧‧底部間隙
170‧‧‧排氣口
172‧‧‧上罩
200‧‧‧層疊組件
202‧‧‧支架
204‧‧‧前端
206‧‧‧裝載/卸載機械手
208‧‧‧軌道/導軌
210‧‧‧機械手外殼
212‧‧‧終端受動器
214‧‧‧腔室門
216‧‧‧組槽/間隔
218‧‧‧進氣管線
220‧‧‧出氣管線/排氣管線
222‧‧‧基準板
224‧‧‧排氣室
225‧‧‧安裝孔
240‧‧‧板槽
242‧‧‧排氣槽段
250‧‧‧保養支架
300‧‧‧晶圓
圖1是退火模組的透視圖。
圖2A是圖1中所示的退火模組的上視圖。
圖2B是沿圖2A的線2B-2B獲得的截面圖。
圖2C是圖2B中所示的熱扼流器的放大詳細視圖。
圖3是圖1和圖2中所示的退火模組的分解圖。
圖4是圖3中所示的傳送機構的分解頂部透視圖。
圖5是圖3和圖4中所示的傳送機構的分解底部透視圖。
圖6是圖3至圖5中所示的傳送機構的截面圖。
圖7和圖8是傳送機構的替代截面圖。
圖9是保持多個退火模組的退火層疊元件的前部和頂部透視圖。
圖10是圖9中所示的退火層疊組件的上視圖。
圖11是圖9至圖10中所示的退火層疊組件的側視圖。
圖12是圖示額外特徵的退火層疊元件的放大前部透視圖。
圖13是圖9和圖12中所示的基準板的透視圖。
圖14是圖1中所示的模組的前視圖。
圖15是圖13中所示的基準板的前視圖。
圖16是沿圖15的線16-16獲得的視圖。
圖17是圖16中所示的槽中的一個槽的放大視圖。
圖18是沿圖17的線18-18獲得的視圖。
如圖1至圖3中所示，退火模組30具有主體32和蓋40，形成晶圓或基板腔室34。主體可作為單個鑄件或其他所製造的金屬件提供，以提高導熱性。熱板36和冷板38被附接到主體32的底板42上。如圖1中的虛線所示，主體32可包括冷卻管90，冷卻管90連接到冷卻液入口60和冷卻液出口62。冷卻管90可以是在主體32之內就地澆鑄的管。或者，主體32可以由兩個或更多個連接部分形成，其中冷卻管90位於所述部分之間。如圖1中所示，冷卻劑入口60和出口62可位於主體32後端的裝配凹槽64中。在使用中，經由冷卻管抽出的冷卻液將模組30的表面溫度保持為接近環境溫度。冷卻管可為不銹鋼以更好地抗腐蝕。
熱板36的頂表面可與冷板38的頂表面共平面。如圖2B和圖3中所示，可在每個板的頂表面上提供凸起或墊塊(risers)76的圖案，以更好地對晶圓提供均勻支撐，所述支撐進而提供更均勻和一致的晶圓溫度控制。墊塊76可以是附接於板的頂表面的球體，以將晶圓保持為向上離開板0.2mm至1mm。冷板38可被熱接合至底板42。在熱板36的底側上，或在熱板36之內提供電阻加熱器58。
如圖2B和圖2C中所示，熱板36可被支撐在基座66上，所述基座66通過熱扼流器68附接於底板42，所述熱扼流器68僅在熱板36和冷卻劑冷卻的主體32之間提供薄的環形接觸圈(例如，1mm至2mm寬)。在此設計中，如圖2B中所示，熱板36是經由空氣或氣隙88與底板間隔開，且熱板36僅通過
熱扼流器68接觸主體32。如此允許熱板36為500℃的晶圓處理溫度提供足夠熱量，而無需過度地加熱模組30的其餘部分。諸如封裝件的模組的相對更加熱敏感的部件不受高熱量的影響。如圖3中所示，主體32可具有圓形槽78以容納熱板和冷板，其中圓形槽78彼此鄰接或接觸，或部分地重疊或相交。
如圖2A中所示，電子伺服系統控制單元44和加熱控制單元46可都被包括在退火模組30之內且附接於主體32。如圖3中所示，退火模組30可具有安裝架48和52以及在電子單元44和46之上的獨立蓋件，所述安裝架48和52用於將模組30在如下所述的較高層次組件中固定就位。在主體32上提供電子單元44和46允許模組30的測試和模組化結構。此外，主體提供電子部件的傳導冷卻，以便不需要風扇或對流散熱片。
同樣，如圖3中所示，在退火模組30的前端72中提供裝載/卸載槽74。對準襯套(alignment bushings)54和進氣口/出氣口56也可位於退火模組30的前端上。如圖3中所示，蓋40包括噴頭80，用於在熱板36之上分佈淨化氣體。可以是惰性氣體或合成氣體的淨化氣體被通過蓋排氣口82供應至噴頭，所述惰性氣體諸如是氮氣，所述蓋排氣口82連接到氣源。
現轉到圖3至圖5，在退火模組30中提供傳送機構70以將來自冷板38的晶圓或基板移動到熱板36，且然後將所述基板移動回到冷板38，所述冷板38相鄰於裝載/卸載槽74。傳送機構70執行上升、旋轉(例如，約1/8轉)和下降運動，以將晶圓從冷板38移動到熱板36，反之亦然。傳送機構70還提升晶圓以允許晶圓到傳送機器人的傳送。可為此目的使用各
種設計。在圖示的實例中，傳送機構可包括在基座100上的耦合器框架104中的耦合器106。絲杠108是例如經由旋轉在絲杠108的下端上的鏈輪132的皮帶130而由旋轉電動機114驅動。
環箍142的臂150被附接於絲杠108，以便旋轉電動機114的致動引起環箍142旋轉，以將環箍142定位在冷板38或熱板36之上。滾珠花鍵110被經由第二皮帶134和鏈輪138和140連接到提升電動機120，如圖5至圖8中所示。提升電動機120的致動旋轉滾珠花鍵110，滾珠花鍵110升高或降低花鍵螺母116，進而升高或降低環箍142。保護罩112被附接於耦合器106，且保護罩112可包括空間交換通道158。皮帶和滑輪的使用提供180°傳動箱，以最小化傳送機構70的高度。電動機114和電動機120可同時被安裝到基座100，如此允許傳送機構70在被組裝到模組30中之前被裝配和預先檢驗。
隨時地參看回到圖4，環箍142具有三個或多個向內凸出的指狀件144，其中每一指狀件144具有凸緣146，所述凸緣146具有平面148。在使用時，當環箍142被上升以將晶圓提升離開熱板36或冷板38時，平面148接觸晶圓的向下的一側。可在熱板和冷板中提供間隙凹口84以允許環箍指狀件148移動為與板36或38的頂表面垂直對準，或位於所述頂表面之下。
傳送機構70將模組30中的移動或潤滑部件的數目降至最低。這些部件是通過外殼160與處理腔室34隔離。外殼160之內的主動排氣系統將處理氣體抽入傳送機構70中。如此幫助防止顆粒進入所述顆粒可能引起缺陷的處理腔室34中。如
圖6和圖7中所示，此舉是經由基座100中的排氣溝槽156，且經由位於外殼160和基座100之間的空間交換通道158來獲得。頂部腔室162是形成在外殼160的頂部和上罩172之間。頂部間隙164允許頂部腔室162和底部間隙168之間的流動。底部腔室166是形成在基座100和上罩172之間。如圖6中所示，底部間隙168連接到底部腔室166中。同樣，如圖6中所示，基座100中的排氣口170連接到底部腔室166中。
空間交換通道158將傳送機構外殼160中的任何氣體壓縮最小化，所述氣體壓縮是由外殼之內的部件的運動所引起。如此避免讓外殼160之內的氣體壓力上升到處理腔室34中的氣體壓力之上，如此可允許顆粒從傳送機構70流動到處理腔室34中且污染晶圓。
參看圖2A，板36或38的半徑，或槽78的半徑被圖示為尺寸RR。圖示為BB的環箍樞軸線被從板或槽的中心線CC間隔開小於RR的尺寸。如此提供減小的空間處理腔室34和降低的顆粒產生的可能性，所述減小的空間處理腔室34降低了氣源需求，且還減小了環箍的移動距離，允許更快的晶圓運動。
現轉到圖9至圖12，多個退火模組30可被放入層疊組件200中，以允許多個晶圓在緊湊空間之內被同時退火。如圖9和圖11中所示，層疊組件200可包括支架202，所述支架202被分成垂直層疊的各個模組槽或間隔216。可在支架202的前端204處提供裝載/卸載機械手206。在所圖示的實例中，機械手206包括附接於支架202的軌道或導軌208。具有終端受動器
212的機械手外殼210沿著導軌208垂直地可移動，以便終端受動器可被移動為在每個模組槽216處與腔室門214垂直對準。
如圖9和圖12中所示，退火模組30可被放入每個模組槽216中，在所圖示的例子中，八個退火模組30被垂直地層疊在層疊組件200中。每一退火模組30的主體32可被螺栓固定到基準板222上。進氣管線218和出氣或排氣管線220可被連接到基準板222上的管線。通過基準板222供應的氣體可用於將處理腔室34和所述處理腔室的環境隔離，以更好地避免污染。基準板222和腔室主體32之間的封裝介面保持通過處理腔室34的氣流。
如圖12至圖16中所示，模組30可經由穿過基準板中的安裝孔225的螺栓被附接於基準板222，其中在基準板背側上的銷用於更加精確地將模組30定位在基準板上。在模組30的前部上的排氣口56上的封裝相抵基準板的背表面封裝。基準板具有足夠剛性(例如，3至12mm或4至10mm厚的金屬板)以牢固地支撐和定位模組。退火模組30和層疊元件200之間的連接數目被降低以從層疊元件200快速去除和保養退火模組30。保養支架250可被附接到支架202的背端上，用於在保養期間保持退火模組30。
如圖13至圖16中所示，基準板222中的每一模組槽或位置216、板槽240與模組30的前端中的裝載槽74對準。可在每一模組位置216處的基準板222中提供排氣室(exhaust plenum)224。排氣室224可被從板的一側鑽入基準板222中，其中排氣室與每一板槽240的上邊緣和下邊緣相鄰且平行。排氣
室與板槽240對準以經由排氣管線220從處理腔室34排放氣體。
如圖15至圖18中所示，此舉可經由在每一模組位置216處從排氣室224延伸到板槽240的排氣槽段242獲得。排氣槽段可例如通過定位圓形刀片切割工具或銑刀(具有名義上小於圖15中的槽高度HH的直徑)，且隨後移動刀具直到產生通向排氣室的弓形開口，而貫通每一板槽240的面向下的表面，如圖17和圖18中所示。
在使用中，排氣槽段242通向排氣室224，所述排氣室224可被連接到真空源。當腔室門214在處理期間關閉時，可能在腔室門214周圍存在間隙，以便模組30不被封裝。在每一板槽240處通過排氣槽段242抽吸的真空主要地防止環境空氣進入模組30中。當門打開時，在裝載和卸載期間，如果模組的內部被保持在高於周圍環境的氣體壓力下，那麼氣體通過模組槽74和板槽240流出模組30。排氣槽段242的尺寸可沿著板槽240的長度變化，其中距真空源更上游的槽段242比接近於真空源的槽段242更大，以橫跨板槽240的長度提供大體上均勻的吸入或進氣。例如，接近於真空源，即，接近於圖15的頂部的槽段可以是1mm寬和20mm至40mm長，其中接近於圖15的底部的槽段製造得更寬或更長。
如圖14中所示，所提供的排氣口56的數目可取決於由模組30執行的具體退火處理而變化。例如，可使用兩個氦氣出口56，以分別地提供氦氣至熱板36和至冷板38。一或多個其他惰性氣體出口56可用以供應氮氣到模組中。額外排氣
口56可供應氫氣，以便可在模組之內使用合成氣體。單獨的供氣口和排氣口也可被直接地送達到傳送機構，以更好地降低污染的可能性。
退火模組30在有層疊組件200或者無層疊元件200的情況下均可被使用。當用於層疊組件200中時，機械手206被致動以運輸終端受動器212上的晶圓300與層疊元件200中的一個退火模組30對準。腔室門214被打開。機械手206將終端受動器212和晶圓300推進到處理腔室34中，且將晶圓放下到傳送機構70的環箍142上。一般地，在此步驟處，環箍142處於高於冷板38的抬起位置，以便終端受動器212下降且將晶圓300放到環箍142的凸緣146上。或者，如果環箍處於放下位置，那麼晶圓300隨後可被直接放下到冷板38上。
在晶圓300目前由環箍142保持的情況下，傳送機構被致動以旋轉環箍達約1/8轉，在熱板36之上移動晶圓300。在一些方法中，加熱器58可連續地以熱板36操作，所述熱板相應地停留在所需穩態溫度下。在其他方法中，加熱器58可被迴圈，或僅在晶圓的緊急傳送之後開啟。傳送機構70將環箍142下降，以便晶圓的底表面變得靜置在熱板36的頂表面上的墊塊76上。氣體通過腔室34而迴圈，其中腔室之內的氣體壓力相對於周圍環境保持為正壓力。如此幫助排除來自腔室34的氧氣和污染物顆粒。
晶圓300可保持在熱板36上達特定的停留時間。傳送機構70隨後被再次致動以向上離開熱板提升晶圓300，且旋轉環箍142回到冷板38上的初始位置。傳送機構70然後將晶圓下
降到冷板38上，其中晶圓被支撐在冷板38的頂表面上的墊塊76上。冷卻液被通過冷卻管90抽出以冷卻冷板和基座32。在晶圓被充分冷卻之後，晶圓可被經由環箍142提升離開冷板以便傳送回到機械手206。腔室門214被打開，且終端受動器212延伸到腔室34中，位於環箍142之下。然後，終端受動器212可被提升，或環箍142被下降以完成傳送。隨後，機械手206將退火的晶圓300移動到隨後的站，且機械手206可進行以傳送另一晶圓至退火腔室30以便處理。
當腔室門214在處理期間被關閉時，模組30可被設計以提供小於100ppm的氧含量。腔室34中的氣流可被最佳化以掠過整個腔室。噴頭80可具有間隔和孔口大小最佳化的排氣口以增強晶圓溫度均勻性。排氣室224可剛好位於距熱板36最遠點處的腔室門214後面，且氣體被通過橫跨腔室入口的一系列槽排出。槽大小可被最佳化以確保橫跨腔室的均勻氣流。在起動時或在傳送機器人傳送之後，流動和內部腔室幾何形狀可被設計以最小化排空腔室中的任何氧氣所需的時間。例如，腔室空間被最小化，且可能花費較長時間淨化的深的角落或凹處被去除。不論門是開啟還是關閉，流動離開路徑被限制以對腔室稍微施加壓力而高於大氣壓力，以避免氧氣滲入腔室中。
30‧‧‧退火模組
32‧‧‧主體
34‧‧‧處理腔室
36‧‧‧熱板
38‧‧‧冷板
40‧‧‧蓋
42‧‧‧底板
44‧‧‧電子單元
46‧‧‧電子單元
48‧‧‧加熱控制單元
52‧‧‧加熱控制單元
54‧‧‧對準襯套
56‧‧‧進氣口/出氣口
58‧‧‧加熱器
64‧‧‧裝配凹槽
70‧‧‧傳送機構
72‧‧‧前端
74‧‧‧裝載/卸載槽
76‧‧‧墊塊
78‧‧‧圓形槽
80‧‧‧噴頭
82‧‧‧蓋排氣口
84‧‧‧間隙凹口
Claims (20)
- 一種退火設備，該退火設備包括：一金屬主體；一蓋，該蓋在該金屬主體上，其中一處理腔室在該金屬主體和該蓋之間形成；一或多個冷卻管線，該一或多個冷卻管線在該金屬主體中或該金屬主體上；一熱板，該熱板具有在該主體上的一熱扼流器上支撐的一基座；一氣體分佈器，該氣體分佈器在該熱板之上的該蓋中；一冷板，該冷板在該金屬主體上；一裝載槽，該裝載槽鄰近於該冷板在該金屬主體中；一傳送機構，該傳送機構具有一環箍，該環箍可移動到該冷板之上的一第一位置和移動到該熱板之上的一第二位置，其中該傳送機構還具有用於上升和下降該環箍的一升降機構，該升降機構包括包圍在一外殼中的一滾珠花鍵和附接於該環箍的一花鍵螺母；一空間交換通道，該空間交換通道連接該外殼中的上部腔室和下部腔室；和至少一個電子元件，該至少一個電子元件附接於該金屬主體。
- 如請求項1所述的設備，其中該熱扼流器包括一凸出環，該凸出環具有小於2mm的一寬度。
- 如請求項1所述的設備，其中該熱板的一上表面和該冷板的一上表面共面。
- 如請求項3所述的設備，其中該熱板在該主體中的一第一圓形槽中，且該冷板在該主體中的一第二圓形槽中，且其中該第一圓形槽與該第二圓形槽相交。
- 如請求項1所述的設備，包括在該主體上的第一和第二電子元件，其中該第一電子元件控制該傳送機構，且其中該第二電子元件控制該熱板中的一加熱器。
- 如請求項1所述的設備，其中該傳送機構具有連接到該環箍的一提升電動機和一旋轉電動機，該環箍適合於安裝在該熱板和該冷板之上。
- 如請求項6所述的設備，其中該傳送機構進一步包括：將該提升電動機連接至該環箍的一提升皮帶；和將該旋轉電動機連接到該環箍的一旋轉皮帶。
- 如請求項6所述的設備，進一步包括在該外殼中的連接到該旋轉電動機的一絲杠。
- 如請求項5所述的設備，其中該電子元件在該熱板的一第 一側上，且其中該冷板在與該第一側相對的該熱板的一第二側上。
- 如請求項1所述的設備，其中該外殼附接於一基座且進一步包括連接到該下部腔室中的該基座中的一排氣口。
- 如請求項1所述的設備，其中該熱板具有一第一半徑，而該冷板具有一第二半徑，且該環箍具有與該等板的一中心線間隔開達一尺寸的一旋轉軸，該尺寸小於該第一半徑並小於該第二半徑。
- 一種退火設備，該退火設備包括：一金屬主體；一或多個冷卻管線，該一或多個冷卻管線在該金屬主體中或該金屬主體上；第一和第二圓形槽，該第一和第二圓形槽在該金屬主體中；一熱板和一冷板，該熱板在該主體中的該第一圓形槽中，該冷板在該主體中的該第二圓形槽中，其中該第一圓形槽與該第二圓形槽相交；在該熱板上的一基座，該基座支撐在該主體上的一熱扼流器上；在該主體上的一或多個電子元件，該一或多個電子元件電氣連接到該傳送機構且連接到該熱板中的一加熱器； 一蓋，該蓋在該金屬主體上，其中一處理腔室在該金屬主體和該蓋之間形成；一氣體分佈器，該氣體分佈器在該熱板之上的該蓋中；一裝載槽，該裝載槽鄰近於該冷板在該金屬主體中；和一傳送機構，該傳送機構具有一環箍，該環箍可移動到該冷板之上的一第一位置和移動到該熱板之上的一第二位置，其中該傳送機構還具有用於上升和下降該環箍的一升降機構。
- 如請求項12所述的設備，其中該傳送機構具有：包圍一滾珠花鍵的一外殼和附接於該環箍的一花鍵螺母；和連接到該環箍的一提升電動機和一旋轉電動機。
- 如請求項12所述的設備，其中該電子元件在該熱板的一第一側上，且其中該冷板在與該第一側相對的該熱板的一第二側上。
- 如請求項12所述的設備，其中該傳送機構具有附接於一基座的一外殼、在該外殼中的上部腔室及下部腔室、及連接到該下部腔室中的該基座中的一排氣口。
- 如請求項12所述的設備，其中該環箍具有與該等板的一中心線間隔開達一尺寸的一旋轉軸，該尺寸小於任一板的半徑。
- 一種退火設備，該退火設備包括：一金屬主體；一蓋，該蓋在該金屬主體上，其中一處理腔室在該金屬主體和該蓋之間形成；一或多個冷卻管線，該一或多個冷卻管線在該金屬主體中或該金屬主體上；一熱板，該熱板具有在該主體上的一熱扼流器上支撐的一基座；一氣體分佈器，該氣體分佈器在該熱板之上的該蓋中；一冷板，該冷板在該金屬主體上，其中該熱板具有一第一半徑，而該冷板具有一第二半徑；一裝載槽，該裝載槽鄰近於該冷板在該金屬主體中；一傳送機構，該傳送機構具有一環箍，該環箍可移動到該冷板之上的一第一位置和移動到該熱板之上的一第二位置，其中該環箍具有與該熱板與該冷板的一中心線間隔開達一尺寸的一旋轉軸，該尺寸小於該第一半徑並小於該第二半徑，且還包括用於上升和下降該環箍的一升降機構；和至少一個電子元件，該至少一個電子元件附接於該金屬主體。
- 如請求項17所述的設備，其中該熱扼流器包括一凸出環，該凸出環具有小於2mm的一寬度。
- 如請求項17所述的設備，其中該熱板的一上表面和該冷板的一上表面共面，該熱板在該金屬主體中的一第一圓形槽中，且該冷板在該金屬主體中的一第二圓形槽中，且其中該第一圓形槽與該第二圓形槽相交。
- 如請求項17所述的設備，其中該傳送機構具有：一包圍一滾珠花鍵的外殼和附接於該環箍的一花鍵螺母；和一空間交換通道，該空間交換通道連接該外殼中的上部腔室和下部腔室。
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