KR100960773B1 - 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 시스템을 제공하며, 상기 기판 처리 시스템은 카세트 로드 스테이션; 로드록 챔버; 중앙에 위치된 전달 챔버; 및 상기 전달 챔버 주변에 위치된 하나 이상의 처리 챔버를 포함한다. 로드록 챔버는 동일한 위치에 형성된 두 개의 이중 슬롯 로드록을 포함한다. 이러한 시스템은 반도체 제조를 위해 기판을 처리하는데 이용될 수도 있다.

Description

처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 {DOUBLE DUAL SLOT LOAD LOCK FOR PROCESS EQUIPMENT}
도 1은 본원에서 개시된, 카세트 로드 스테이션(101), 로드록 챔버(102), 중앙 전달 챔버(103), 하나 또는 그 이상의 처리 챔버(104), 가열 챔버(105), 및 제어타워 및 가스 챔버(106)를 포함하여 이루어진 시스템, 즉 AGV/MGV 인터페이스 및 대기 카세트 로드 스테이션(ACLS)을 구비한 AKT Gen4,의 개관이고,
도 2는 기판 전달 링크(107)를 구비하는 시스템(AKT Gen4)의 개략도이고,
도 3은 시스템(AKT Gen4)의 더블 이중 슬롯 로드록 및 전달 챔버 구조의 측면도를 도시하고,
도 4는 더블 이중 슬롯 로드록을 사용하는 예비 처리 기판을 로딩하는 단계와 언로딩하는 단계를 도시하는 대략적인 도면으로, 여기서 기판은 ACLS로부터 상부 로드록까지 로딩된 후, 하부 로드록을 거쳐 전달 챔버로 언로드되고,
도 5는 더블 이중 슬롯 로드록을 사용하여 예비 처리 기판을 로딩하는 단계와 언로딩하는 단계를 도시하는 대략적인 도면으로, 여기서 기판은 ACLS로부터 하부 로드록까지 로딩된 후, 상부 로드록을 거쳐 전달 챔버로 언로드되고,
도 6은 더블 이중 슬롯 로드록을 사용하여 처리된 기판을 로딩하는 단계와 언로딩하는 단계를 도시하는 대략적인 도면으로, 여기서 기판은 전달 챔버로부터 하부 로드록까지 로딩된 후, 상부 로드록을 거쳐 ACLS로 언로드되고,
도 7은 더블 이중 슬롯 로드록에서 일어나는 펌핑 단계와 벤팅 단계를 도시하는 대략적인 도면으로, 여기서는 벤팅 단계시 특히 필터링된 디퓨저 N2 벤트(filtered diffuser N2 vent)가 처리된 기판을 냉각시키는데 사용되며,
도 8a 내지 도 8c는 AKT5500(현재 기술수준의 시스템)(도 8a), AKT 스트레치(AKT stretch, 도 8b), 및 AKT Gen4(도 8c)들 간의 시스템의 크기를 비교하는 것을 도시한다. AKT 스트레치는 AKT5500의 133% 스트레치이고 AKT Gen4에 대한 전통적인 접근법이다. AKT5500과 AKT 스트레치는 두 개의 위치에서 구성되는 두 개의 이중 슬롯 로드록을 구비하는 반면, AKT Gen4는 한 개의 더블 이중 슬롯 로드록을 구비한다.
본 발명은 넓게는 반도체 제조 분야에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 더블 이중 슬롯 로드록(double dual slot load lock)을 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판 처리 시스템 및 이러한 시스템을 사용하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조에 있어서 생산성(throughput) 및 수율(yield)을 더욱 높게 하려는 필요에 따라, 한층 더 자동화된 웨이퍼 처리 시스템의 개발 및 사용이 촉진 되었다. 또 처리가 이루어지는 동안 웨이퍼의 입자 오염을 최소로 하고자하는 필요에 따라, 진공에서 작동되는 진공 로드록 및 웨이퍼 전달 메커니즘이 사용되게 되었다.
연속 생산 시스템(continuous throughput system)에서는 웨이퍼가 로드록을 통해 진공 챔버로 반입되어, 챔버 내의 진공 조건이 챔버 바깥의 대기에 노출되는 것을 방지한다. 웨이퍼가 챔버에 로드되어야 할 때, 밀봉 플레이트(sealing plate)와 같은 안쪽 폐쇄 수단(inner closure means)이 개구의 내부를 밀봉하도록 작동되고, 이어 밀봉 도어(sealing door)와 같은 바깥쪽 폐쇄 수단(outer closure means)이 열린다. 도어가 열린 뒤 개구를 통해 웨이퍼가 반입되고, 도어는 다시 닫힌다. 이제 웨이퍼를 포함하는 로드록 챔버는 진공 처리 챔버의 분위기와 호환될 수 있는 분위기를 가지도록 배기되고, 이후 내부 밀봉 플레이트가 개구로부터 멀리 옮겨져 주 진공 챔버에서의 처리를 위해 웨이퍼를 노출시킨다. 생산성을 높이기 위해, 일부 시스템에서는 두 개의 로드록 챔버를 채용함으로써, 하나의 로드록 챔버를 개방, 제거, 재로드 및 재평형화의 필요성에 의해 야기되는 지연에 따라 웨이퍼 처리가 중단되는 일이 없이, 계속될 수 있게 한다.
향상된 진공 격리(vacuum isolation)에도 불구하고, 현재 기술 수준의 시스템에서는 고진공 처리에 대해 상업적으로 수용할 수 있는 생산성을 제공하기에는 문제가 있는 것이 보통이다. 현재의 전형적인 로드록 챔버는 단일 웨이퍼를 고립시키기 위해 슬라이딩 또는 회전 밸브를 이용한다. 이러한 로드록은 각각의 처리 웨이퍼에 대해 펌프다운 사이클(pumpdown cycle)을 요하여 작업 처리량을 감소시킨다. 더욱이 로드록은 인라인 장치(in-line devices)인 것이 보통이다; 즉 웨이퍼는 로드록을 지나 곧장 통과한다. 이는 웨이퍼 처리 기계의 전체 폭을 정하는데 상당한 결정요소가 된다. 더욱이 종래의 설계에 따르면, 진공 밀봉을 통해 운동을 전달하기 위하여 사용되는 기계적 피드스루(feedthroughs)는, 로드록 밸브를 작동시키고 내부 웨이퍼 카세트를 인덱싱하는(indexing) 작업을 동시에 하기에는 적절하지 않다.
따라서, 상기 종래 기술은 높은 처리량을 달성함과 동시에 처리중 미립자 오염을 최소화하는 효과적인 기판 처리 시스템/수단이 결여되었다는 단점을 갖는다. 상세히 말하면, 상기 종래 기술은 한 바디에 구성된 더블 이중 슬롯 로드록(double dual slot load lock)을 포함하는, 고도로 자동화된 기판 처리 시스템이 결여되어 있다는 단점을 갖는다. 본 발명은 이와 같은 본 기술분야에서의 다년간의 요구와 열망을 성취하는 것이다.
본 발명의 한 양태에서, 카세트 로드 스테이션; 로드록 챔버; 중앙에 위치된 전달 챔버; 및 상기 전달 챔버의 주변에 위치된 하나 또는 그 이상의 처리 챔버를 포함하여 이루어지는 기판 처리 시스템이 제공된다. 이 시스템에서, 로드록 챔버는 같은 위치에 구성된 두 개의 이중 슬롯 로드록을 포함한다.
본 발명의 다른 양태에서, 반도체 제조를 위해 여기에 개시된 시스템에서 기판의 처리 방법이 제공된다. 이 방법은 첫째, 카세트 로드 스테이션으로부터 로드 록 챔버를 통해서 전달 챔버로 기판을 이동시키는 단계; 둘째, 상기 전달 챔버로부터 처리 챔버로 기판을 전달하는 단계; 셋째, 상기 처리 챔버 내에서 기판을 처리하는 단계; 및, 마지막으로, 처리된 기판을 상기 처리 챔버로부터 동일한 로드록 챔버를 통해서 동일한 카세트 로드 스테이션으로 언로딩하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이 방법에서, 하나의 로드록은 진공 상태에 있고 동시에 나머지 로드록은 대기/벤팅 상태(atmospheric/venting condition)에 있다.
본 발명의 다른 추가적인 양태, 특징, 및 장점은 개시의 목적으로 제공된 본 발명의 하기 실시예로부터 잘 알 수 있다.
본 발명의 전술한 특징, 장점 및 목적이 달성되고 보다 상세히 이해될 수 있도록, 앞서 간략히 요약된 본 발명에 대한 보다 상세한 설명을 첨부 도면에 예시된 몇몇 실시예를 참고로하여 기술한다. 이 도면은 명세서의 일부를 형성한다. 그러나, 이러한 첨부 도면은 본 발명의 실시예를 예시하는 것이므로 그 범위를 제한하려는 의도로 간주되어서는 안된다.
여기에 카셋트 로드 스테이션(101), 로드록 챔버(102), 중앙 전달 챔버(103), 하나 이상의 처리 챔버(104), 가열 챔버(105)와 제어 타워와 가스 챔버(106)(도 1)를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 시스템이 제공되어 있다.
로드록 챔버(102)는 통상적으로 고진공에 있는 전달 챔버(103)와 외부, 통상적으로 대기압의 클린 룸(clean room) 사이로 웨이퍼를 전달하기 위해서 제공되어 있다. 중앙 전달 챔버(103)에는 전달 챔버(103)의 주변 둘레에 위치설정된 처리 챔버(104)/가열 챔버(105)와 로드록 챔버(102)사이에 웨이퍼를 전달하기 위해서 위 치된 진공 전달 로봇이 제공되어 있다. 도 2는 기판 전달 링크(107)를 가진 시스템의 개략도이다.
특히, 로드록 챔버(102)는 한 바디(즉, 한 위치, 한 챔버내)에 구성되어진 더블 이중 슬롯 로드록을 포함한다. 각 로드록은 이중 슬롯 로드록(DSL) 기능을 가지는데, 즉 카세트 로드 스테이션(101)(대기측)으로부터 예비 처리된 기판을 로딩하기 위한 상부 슬롯과 처리된 기판을 카세트 로드 스테이션(101)으로 언로딩하기 위한 하부 슬롯을 가진다. 대부분의 경우에, 기판은 웨이퍼 또는 유리 기판이다.
기판은 진공 로봇과 대기압 로봇 양자에 의해서 로딩/언로딩된다. 중앙 전달 챔버(103)내의 진공 로봇은 슬릿 밸브를 통해 기판을 다양하게 연결된 처리 챔버(104) 또는 가열 챔버(105)내로 통과시키고 챔버 내에서의 처리가 끝난 후 복귀시킨다. 개별적 처리 챔버들(104) 사이와, 전달 챔버(103)와 로드록 챔버(102) 사이의 접근은 (전달 챔버(103) 내의) 로봇으로부터 처리 챔버(104) 또는 가열 챔버(105)를 그리고 로드록 챔버(102)로부터 로봇을 선택적으로 고립시키는 플립 도어타입 슬릿 밸브에 의한다. 그러나, 대기 측에 있는 로드록 챔버는 플립 도어타입 슬릿 밸브가 아닐 수 있다. 다른 타입의 도어가 또한 챔버 외측의 대기 상태로부터 로드록 챔버에 있는 진공 상태를 분리하기 위해 사용될 수 있다.
도 3은 더블 이중 슬롯 로드록 및 전달 챔버의 구성을 보여주는 시스템의 측면도이다. 플립형 밸브는 대기측으로부터 폐쇄되며, 이는 작은 토크 액츄에이터로 로드록 진공 상태를 유지하는 것을 가능하게 한다. 밸브는 입자 노출을 감소시키 도록 항상 기판 전달면 아래에서 작동되고 기판의 로딩 및 언로딩 전에 개방된다.
이러한 시스템 구성으로 인해 웨이퍼가 다른 처리 챔버에서 또는 로드록 챔버에서 로딩 또는 언로딩되는 동안 하나 이상의 챔버에서 처리가능하고 웨이퍼가 전달 챔버를 경유하여 하나의 처리 챔버로부터 또 다른 처리 챔버로 전달될 수 있다. 상이한 처리 챔버에서 상이한 기판상에 상이한 처리 공정이 동시에 수행될 수 있다. 로드록으로부터 분배되는 각각의 웨이퍼는 동일한 타입의 웨이퍼를 생산하도록 동일한 처리 단계를 통할 수 있다. 이와 달리, 상이한 타입의 웨이퍼가 생산되도록, 동일한 로드록으로부터 상이한 웨이퍼가 상이한 단계 및/또는 프로세스 시간을 포함하는 상이한 "레서피(recipe)"를 거치도록 프로그래밍될 수 있다.
특별히, 진공 로봇은 상하 운동하는 Z-드라이브에 의해 작동되었다. Z-드라이브 샤프트는 동시에 질소 퍼지 및 진공으로 챔버에 구성된 진공 시일이다.
상기 시스템은 반도체 제조를 위해 기판을 처리하는데 사용될 수 있다. 더욱 상세하게는, 예비 처리된 기판은 카세트 로드 스테이션으로부터 로드록 중 하나에 있는 상부 슬롯으로 로딩된다(도 4 내지 5). 상부 슬롯은 선택적으로 기판을 가열하기 위한 가열 플레이트를 가진다. 가열 플레이트는 고정식 플레이트 또는 이동식 플레이트이다. 가열 효율이 증가되도록, 가열 플레이트가 Z 드라이브에 의해 기판으로 접근될 수 있다. 펌핑하는 동안, 가열 온도는 400℃로 상승될 수 있다. 가열된 기판은 그리고나서 다른 로드록으로부터 전달 챔버로, 그리고 추가적으로 처리를 위해 처리 챔버로, 또는 예열 또는 어닐링을 위해 가열 챔버로 언로딩될 수 있다.
챔버 내에서의 처리가 완료된 후, 처리된 기판은 그리고나서 로드록 중 하나에 있는 하부 슬롯으로부터 카세트 로드 스테이션으로 언로딩된다(도 6). 하부 슬롯은 처리된 기판을 냉각시키기 위한 냉각 플레이트를 가진다. 냉각 플레이트는 고정식 플레이트 또는 이동식 플레이트이며, 냉각 효율이 증가되도록, 냉각 플레이트는 Z 드라이브에 의해 기판으로 접근될 수 있다. 또한, 소량의 헬륨 가스(He)는 냉각을 위해 질소 가스(N2)와 함께 공급될 수 있다. 필터링된 디퓨저 N2 벤트는 로드록에서의 입자 발생을 방지하기 위해 사용된다(도 7). 벤팅 동안, 온도는 350℃로부터 80℃로 냉각될 수 있다. 작동될 때, 각각의 로드록은 기판을 각각 로딩 및 언로딩한다. 통상적으로, 진공 펌프가 두 개의 로드록 사이에서 공유되도록 하나는 벤팅되고 다른 것은 펌핑된다.
여기에 개시된 더블 이중 슬롯 로드록(DDSL) 시스템은 AKT5500 또는 AKT 스트레치와 같은 종래의 하나의 DSL 시스템과 비교할 때 여러 장점을 제공한다(도 8a 내지 도 8c). 첫째로, 두 개의 이중 슬롯 로드록이 하나의 바디(하나의 위치)로 구성됨으로써, 시스템 비용 효율이 증가되는데, 즉 시스템 풋 프린트(system footprint)가 최소화되고, 로드록 펌핑/벤팅 작동에 의해 제한되었던 시스템 수율이 증가된다. 종래의 (4개의 처리 챔버를 갖춘) 하나의 이중 슬롯 로드록 시스템에 있어서, 로드록 작동에 의해 결정되는 시스템 최대 수율은 대략 30 기판/시간이다. 이와 대조적으로, 여기에 개시된 더블 이중 슬롯 로드록 시스템의 일 실시예에 있어서는, 시스템 최대 수율이 대략 60 기판/시간이다. 예컨대, 단층 막(패시 베이션(passivation)) 처리는 종래의 하나의 DSL 시스템에 있어서 대략 26기판/시간의 수율을 가지는 한편, 여기에 개시된 더블 이중 슬롯 로드록 시스템의 일 실시예에 있어서는, 패시베이션 처리 공정은 대략 50 기판/시간의 수율을 가진다. 로드록 작동에 의해 수율이 제한되었으므로, 3개의 처리 챔버를 갖춘 종래의 하나의 DSL 시스템은 4개의 처리 챔버를 갖춘 종래의 DSL 시스템과 동일한 수율을 가진다. 활성 층 처리 공정에 대해서는, (4개의 처리 챔버를 갖춘) 종래의 DSL 시스템은, 여기에 개시된 더블 이중 슬롯 로드록 시스템의 일 실시예와 동일하게, 대략 18 기판/시간의 수율을 가진다. 이 경우에, 시스템 수율은 하나의 DSL 시스템과 더블 DSL 시스템 모두에 대해 동일하며, 따라서, 시스템은 두 개의 이중 슬롯 로드록 중 하나를 사용할 수 있다. 대부분의 고객은 제조 상황에 따라 처리공정을 전환할 수 있는 시스템을 선호하므로, 시스템은 신속한 처리를 조종하도록 구성되어야 한다. 예컨대, 시스템은 보다 단축된 처리 시간을 가지거나, 처리 데이타에 근거하여 처리 시간을 변화시킬 수 있도록 구성되어야 한다.
여기 개시된 더블 이중 슬롯 로드록 시스템의 사용의 다른 장점은 그 시스템의 컴팩트(compact)한 크기이다. 상기 더블 이중 슬롯 로드록 시스템은 두 개의 DSL 시스템에 비해 보다 협소한 대기 카세트 로드 스테이션을 필요로 한다. 대량 전달에 대해, 대략 3.0m 규모의 장비 크기 제한이 존재한다. 더블 이중 슬롯 로드록 시스템의 일 실시예에서, 전달 챔버는 7각형의 형상으로 구성되며, 최대 처리 챔버량은 5이다. 동일한 크기의 조건을 충족하기 위해, 두 개의 DSL 시스템은 최대 처리 챔버량이 3이 될 것이다.
따라서, 여기에 기판 처리 시스템이 제공되는데, 이 기판 처리 시스템은 카세트 로드 스테이션, 로드록 챔버, 전달 챔버, 및 하나 이상의 처리 챔버를 포함한다. 전달 챔버는 중앙에 위치되며, 다수의 처리 챔버는 전달 챔버의 둘레에 위치된다. 로드록 챔버는 한 위치에서 구성된 두 개의 이중 슬롯 로드록을 포함한다.
구체적으로, 각각의 이중 슬롯 로드록은 상이한 슬롯 내에 위치한 냉각 플레이트 및 가열 플레이트를 구비한다. 이 가열 플레이트는 Z-드라이브에 의해 작동되는 이동식 플레이트 또는 고정식 플레이트이며, 펌핑 동안 400℃까지의 온도로 가열할 수 있다. 유사하게, 냉각 플레이트는 Z-드라이브에 의해 작동되는 이동식 플레이트 또는 고정식 플레이트이며, 벤팅 동안 약 350℃으로부터 약 80℃까지 온도를 냉각시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 이러한 냉각은 헬륨과 혼합된 질소 가스를 사용하여 벤팅에 의해 또는 물에 의해 달성된다.
여기에 설명된 기판 처리 시스템은 진공 로봇을 더 포함할 수 있으며, 이는 기판을 전달하기 위해 전달 챔버에 위치된다. 진공 로봇은 Z-드라이브에 의해 작동된다. 또한, 상기 시스템은 카세트 로드 스테이션 및 로드록 챔버 사이에 위치된 플립형 도어를 더 포함할 수 있다. 또한, 플립형 슬릿 밸브가 로드록 챔버 및 전달 챔버 사이에 구성될 수 있다. 이러한 슬릿 밸브는 대기측으로부터 차단되며 항상 기판이 전달되는 평면 아래에서 작동되어 입자 노출을 감소시키도록 한다. 또한, 기판 처리 시스템은 필터 디퓨저를 더 포함할 수 있으며, 이는 입자 발생을 방지하도록 두 개의 이중 슬롯 로드록에 위치된다.
또한, 상기 개시된 반도체 제조용 시스템을 이용하는 기판 처리 방법이 제공 된다. 이 방법은 카세트 로드 스테이션으로부터 로드록 챔버를 통해 전달 챔버까지 기판을 이동시키는 단계와, 상기 기판을 전달 챔버로부터 처리 챔버로 전달하는 단계와, 처리 챔버내에서 기판을 처리하는 단계와, 그리고 처리된 기판을 처리 챔버로부터 로드록 챔버를 통해 카세트 로드 스테이션으로 언로딩시키는 단계를 포함하여 구성된다. 이러한 방법에서, 이중 슬롯 로드록 중 하나는 로드록 챔버로부터 전달 챔버까지 예비 처리된 기판을 언로딩하기 위하여 진공 상태에 있으며, 이와 동시에 다른 이중 슬롯 로드록은 로드록 챔버로부터 카세트 로드 스테이션까지 처리된 기판을 언로딩하여 대기 상태에 있게 된다.
또한, 예비 처리된 기판은 전달 챔버에 로드되기 전에 약 400℃까지 가열된다. 그리하여, 가열된 기판은 Z-드라이브에 의해 구동되는 진공 로봇에 의해 전달 챔버로 전달된다. 처리 이후에, 처리된 기판은 카세트 로드 스테이션으로 로드되기 전에 약 350℃로부터 약 80℃로 냉각된다. 냉각 효율을 증가시키기 위해, 소량의 헬륨 가스가 질소 가스와 함께 제공된다. 이와는 달리, 냉각은 물에 의해 달성될 수도 있다.
이러한 방법에서, 하나의 로드록은 진공 상태에 있으며 동시에, 다른 로드록은 대기/벤팅 상태에 있다. 단일 진공 펌프가 상기 두 개의 로드록 사이에서 공유된다. 또한, 필터 디퓨저가 두 개의 로드록 상에 위치되어 입자 발생을 방지하도록 한다. 증가된 벤팅 속도는 또한 입자 발생을 방지하는데 사용될 수 있다.
본 발명에서 개시된 시스템/방법은 개선된 웨이퍼 지지 및 전달 수단을 제공 하여 개별 웨이퍼가 로드록으로 이동하며 로드록으로부터 이동되어 처리 챔버로, 처리 챔버를 통해, 그리고 처리 챔버 사이에서 이동하는 것을 자동화하며 반복적으로 할 수 있게 하면서 웨이퍼의 손상과 오염을 최소화한다. 또한, 같은 챔버내에 구성된 두 개의 이중 슬롯 로드록의 이용은 시스템 비용 성능을 증가시키는데, 즉 시스템 풋 프린트를 최소화하며 로드록 펌핑/벤팅 활성화에 의해 제한된 시스템 작업 처리량을 증가시킨다.
본 명세서에 언급된 특허 또는 공개문헌들은 본 발명이 속하는 본 기술분야의 당업자의 수준을 나타낸다. 본 명세서에서는 이러한 특허들과 공개문헌들 각각이 특정적이고 개별적으로 참조되는 수준으로 참조하였다.
본 기술분야의 당업자들은, 본 발명이 앞서 언급된 목적을 실행하며 언급된 효과와 장점을 얻는 것은 물론 내재적인 목적, 효과 및 장점을 달성하기에도 적합하다는 것을 용이하게 이해할 것이다. 본 발명의 범주나 기본 사상으로부터 벗어나지 않은 채 본 발명의 실제 실행시 다양한 변형과 변화가 가능하다는 것이 본 기술분야의 당업자들에게 명백할 것이다. 본 청구범위의 범주에 의해 한정된 본 발명의 기본 사상에 포함되는 변화와 여타의 이용들이 본 기술분야의 당업자들에게 발생할 것이다.

Claims (31)

  1. 시스템의 생산성을 향상시키기 위해 처리 시스템 내의 기판을 처리하는 방법으로서,
    제 1 기판을 대기 상태로부터 고정 로드록 챔버를 통해 전달 챔버로 이동시키는 단계,
    상기 고정 로드록 챔버는 수직 관계로 배치된 두 개의 고립된 로드록 영역을 포함하고, 상기 로드록 영역 각각은 두 개의 기판 슬롯을 포함하며,
    제 1 기판을 대기 상태로부터 전달 챔버로 이동시키는 상기 단계는,
    상기 제 1 기판을 상기 대기 상태로부터 상기 로드록 영역 중 한 영역의 제 1 기판 슬롯 내로 이동시키고 제 2 기판을 로드록 영역 중 상기 한 영역의 제 2 기판 슬롯으로부터 대기 상태로 이동시키는 단계와,
    제 3 기판을 상기 로드록 영역 중 나머지 영역의 제 1 기판 슬롯으로부터 상기 전달 챔버로 이동시키고, 제 4 기판을 상기 전달 챔버로부터 상기 나머지 영역의 제 2 기판 슬롯으로 이동시키는 단계와,
    후속적으로 로드록 영역 중 상기 한 영역이 언로딩을 위해 진공 상태에 있을 때 상기 제 1 기판을 상기 한 영역으로부터 상기 전달 챔버로 언로딩하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 기판을 상기 전달 챔버로부터 상기 전달 챔버 주위에 배치된 하나 이상의 처리 챔버로 이동시키는 단계,
    상기 제 1 기판을 상기 하나 이상의 처리 챔버 내에서 처리하는 단계, 및
    상기 제 1 기판을 상기 하나 이상의 처리 챔버로부터 상기 로드록 챔버를 통해 상기 대기 상태로 이동시키는 단계를 포함하는,
    기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 상기 전달 챔버로 이동시키기 전에 로드록 영역 중 상기 한 영역 내에 있는 상기 기판 슬롯 중 한 슬롯 상의 상기 제 1 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 기판을 상기 대기 상태로 이동시키기 전에 상기 로드록 챔버 내에 있는 상기 기판 슬롯 중 한 슬롯 상의 상기 제 2 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드록 영역 중 상기 한 영역 내의 제 1 기판 슬롯 상의 상기 제 1 기판을 상기 전달 챔버로 언로딩하기 전에 상기 제 1 기판을 가열하는 단계와 상기 한 영역 내의 상기 제 2 기판 슬롯 상의 상기 제 2 기판을 상기 대기 상태로 이동시키기 전에 상기 제 2 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  5. 삭제
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  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 시스템의 생산성을 향상시키기 위해 처리 시스템 내의 기판을 처리하는 방법으로서,
    제 1 기판을 대기 상태로부터 고정 로드록 챔버를 통해 전달 챔버로 이동시키는 단계,
    상기 고정 로드록 챔버는 수직 관계로 배치된 두 개의 로드록 영역을 포함하고, 상기 로드록 영역 각각은 두 개의 기판 슬롯 및 이동식 냉각 플레이트를 포함하며,
    제 1 기판을 대기 상태로부터 전달 챔버로 이동시키는 상기 단계는,
    상기 제 1 기판을 상기 대기 상태로부터 상기 로드록 영역 중 한 영역의 제 1 기판 슬롯 내로 이동시키고 제 2 기판을 로드록 영역 중 상기 한 영역의 제 2 기판 슬롯으로부터 대기 상태로 이동시키는 단계와,
    제 3 기판을 상기 로드록 영역 중 나머지 영역의 제 1 기판 슬롯으로부터 상기 전달 챔버로 이동시키고, 제 4 기판을 상기 전달 챔버로부터 상기 나머지 영역의 제 2 기판 슬롯으로 이동시키는 단계와,
    후속적으로 상기 로드록 영역 중 상기 한 영역이 언로딩을 위해 진공 상태에 있을 때 상기 제 1 기판을 상기 한 영역으로부터 상기 전달 챔버로 언로딩하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 기판을 상기 전달 챔버로부터 상기 전달 챔버 주위에 배치된 하나 이상의 처리 챔버로 이동시키는 단계,
    상기 제 1 기판을 상기 하나 이상의 처리 챔버 내에서 처리하는 단계, 및
    상기 제 1 기판을 상기 하나 이상의 처리 챔버로부터 상기 로드록 챔버를 통해 상기 대기 상태로 이동시키는 단계를 포함하는,
    기판 처리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 상기 전달 챔버로 이동시키기 전에 로드록 영역 중 상기 한 영역 내에 있는 상기 기판 슬롯 중 한 슬롯 내의 상기 제 1 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 기판을 상기 대기 상태로 이동시키기 전에 상기 로드록 챔버 내에 있는 상기 기판 슬롯 중 한 슬롯 내의 상기 제 2 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 상기 전달 챔버로 이동시키기 전에 상기 기판 슬롯 중 한 슬롯 내의 상기 제 1 기판을 가열하는 단계와 상기 제 2 기판을 상기 대기 상태로 이동시키기 전에 상기 기판 슬롯 중 다른 하나의 슬롯 상의 상기 제 2 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
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  21. 삭제
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  23. 삭제
  24. 삭제
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  26. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 상기 하나 이상의 처리 챔버로부터 상기 로드록 챔버를 통해 상기 대기 상태로 이동시키는 단계가,
    상기 로드록 영역 중 상기 제 1 기판을 갖는 상기 한 영역을 상기 제 1 기판 윗쪽에 배열된 디퓨저를 통해 벤팅하는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 갖는 상기 한 영역을 상기 제 1 기판 윗쪽에 배열된 디퓨저를 통해 벤팅하는 단계가,
    헬륨 가스(He) 또는 질소 가스(N2) 중 하나 이상을 상기 제 1 기판을 갖는 상기 한 영역 내로 유동시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  28. 제 3 항에 있어서,
    상기 냉각시키는 단계가,
    상기 제 2 기판에 인접한, 물에 의해 냉각되는 플레이트로 상기 제 2 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  29. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 상기 하나 이상의 처리 챔버로부터 상기 로드록 챔버를 통해 상기 대기 상태로 이동시키는 단계가,
    상기 로드록 영역 중 상기 제 1 기판을 갖는 상기 한 영역을 상기 제 1 기판 윗쪽에 배열된 디퓨저를 통해 벤팅하는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 갖는 상기 한 영역을 상기 제 1 기판 윗쪽에 배열된 디퓨저를 통해 벤팅하는 단계가,
    헬륨 가스(He) 또는 질소 가스(N2) 중 하나 이상을 상기 제 1 기판을 갖는 상기 한 영역 내로 유동시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
  31. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 기판을 상기 하나 이상의 처리 챔버로부터 상기 로드록 챔버를 통해 상기 대기 상태로 이동시키는 단계가,
    상기 제 2 기판에 인접한, 물에 의해 냉각되는 플레이트로 상기 제 2 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 처리 방법.
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