JPH05198660A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH05198660A JPH05198660A JP4136523A JP13652392A JPH05198660A JP H05198660 A JPH05198660 A JP H05198660A JP 4136523 A JP4136523 A JP 4136523A JP 13652392 A JP13652392 A JP 13652392A JP H05198660 A JPH05198660 A JP H05198660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum
- processing chamber
- wafer
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manipulator (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に較べて装置コストを低減することがで
きるとともに、設置スペースを削減することができ、設
備コストの削減による製品コストの低減を図ることがで
きる半導体製造装置を提供する。 【構成】 真空処理室２の側方に隣接して、予備真空室
３が1 つのみ設けられており、予備真空室３内には、半
導体ウエハ４を搬送するための搬送アーム５と、上下に
棚状に2 枚の半導体ウエハ４を支持可能に構成されたウ
エハ支持機構６が設けられている。
きるとともに、設置スペースを削減することができ、設
備コストの削減による製品コストの低減を図ることがで
きる半導体製造装置を提供する。 【構成】 真空処理室２の側方に隣接して、予備真空室
３が1 つのみ設けられており、予備真空室３内には、半
導体ウエハ４を搬送するための搬送アーム５と、上下に
棚状に2 枚の半導体ウエハ４を支持可能に構成されたウ
エハ支持機構６が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、真空処理室内に半導体ウエハ等の被処理物を設
け、減圧雰囲気下で処理を行う工程が多い。
いては、真空処理室内に半導体ウエハ等の被処理物を設
け、減圧雰囲気下で処理を行う工程が多い。
【０００３】このように減圧雰囲気下で処理を施す半導
体製造装置では、半導体ウエハ等の被処理物を真空処理
室内に搬入・搬出する度に、真空処理室内を常圧に戻す
と、再び真空処理室内を減圧して処理を開始するまでに
多くの時間を要し、スループットの悪化を招く。このた
め、真空処理室に隣接して、内部の容積の少ない予備真
空室いわゆるロードロック室を設けたものが多い。
体製造装置では、半導体ウエハ等の被処理物を真空処理
室内に搬入・搬出する度に、真空処理室内を常圧に戻す
と、再び真空処理室内を減圧して処理を開始するまでに
多くの時間を要し、スループットの悪化を招く。このた
め、真空処理室に隣接して、内部の容積の少ない予備真
空室いわゆるロードロック室を設けたものが多い。
【０００４】すなわち、図６に示すように、減圧雰囲気
下で処理を行う従来の半導体製造装置（例えばエッチン
グ装置等）では、真空処理室２に隣接して2 つのロード
ロック室３ａ、３ｂを設け、一方のロードロック室３ａ
を介して半導体ウエハ等の被処理物４を真空処理室２内
に搬送アーム５ａにより搬入し、他方のロードロック室
３ｂを介して処理の終了した半導体ウエハ等の被処理物
４を搬送アーム５ｂにより搬出するようにする。このよ
うにして、真空処理室２内を常圧に戻すことなく半導体
ウエハ等の被処理物４を、真空処理室２内に搬入・搬出
するようにして、スループットの向上を図っている。
下で処理を行う従来の半導体製造装置（例えばエッチン
グ装置等）では、真空処理室２に隣接して2 つのロード
ロック室３ａ、３ｂを設け、一方のロードロック室３ａ
を介して半導体ウエハ等の被処理物４を真空処理室２内
に搬送アーム５ａにより搬入し、他方のロードロック室
３ｂを介して処理の終了した半導体ウエハ等の被処理物
４を搬送アーム５ｂにより搬出するようにする。このよ
うにして、真空処理室２内を常圧に戻すことなく半導体
ウエハ等の被処理物４を、真空処理室２内に搬入・搬出
するようにして、スループットの向上を図っている。
【０００５】なお、エッチング装置の場合、真空処理室
２内に、上部電極５０と下部電極５１が配置されてい
る。上部電極５０には、多数のガス供給口５２が設けら
れており、ここから下部電極５１上に載置した半導体ウ
エハ等の被処理物４に所定のエッチングガスを供給す
る。一方、下部電極５１には、半導体ウエハ等の被処理
物４を冷却するための冷媒循環機構５３と、電極間に所
定の高周波電圧を印加するための高周波電源５４、マッ
チング回路５５が設けられている。また。真空処理室２
およびロードロック室３ａ、３ｂには、それぞれ図示し
ない真空ポンプに接続された排気配管５６が接続されて
おり、これらの内部を真空排気可能に構成されている。
２内に、上部電極５０と下部電極５１が配置されてい
る。上部電極５０には、多数のガス供給口５２が設けら
れており、ここから下部電極５１上に載置した半導体ウ
エハ等の被処理物４に所定のエッチングガスを供給す
る。一方、下部電極５１には、半導体ウエハ等の被処理
物４を冷却するための冷媒循環機構５３と、電極間に所
定の高周波電圧を印加するための高周波電源５４、マッ
チング回路５５が設けられている。また。真空処理室２
およびロードロック室３ａ、３ｂには、それぞれ図示し
ない真空ポンプに接続された排気配管５６が接続されて
おり、これらの内部を真空排気可能に構成されている。
【０００６】ところで、半導体デバイスの製造工程にお
いては、塵埃が微細な回路パターンの形成に悪影響を及
ぼす。このため、半導体製造装置は天井から床に向けて
清浄化空気の流れ（ダウンフロー）が形成されたクリー
ンルーム内に配置される。
いては、塵埃が微細な回路パターンの形成に悪影響を及
ぼす。このため、半導体製造装置は天井から床に向けて
清浄化空気の流れ（ダウンフロー）が形成されたクリー
ンルーム内に配置される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体デバイスは、急速に高集積化および微細化される傾
向にある。このため半導体製造工程においては、工程数
の増加に伴って半導体製造装置数が増大し、これらの装
置を収容するクリーンルーム面積の増大により、設備コ
ストが増大し、製品コストの上昇を招くという問題が発
生している。
導体デバイスは、急速に高集積化および微細化される傾
向にある。このため半導体製造工程においては、工程数
の増加に伴って半導体製造装置数が増大し、これらの装
置を収容するクリーンルーム面積の増大により、設備コ
ストが増大し、製品コストの上昇を招くという問題が発
生している。
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて装置コストを低減すること
ができるとともに、設置スペースを削減することがで
き、設備コストの削減による製品コストの低減を図るこ
とのできる半導体製造装置を提供しようとするものであ
る。
されたもので、従来に較べて装置コストを低減すること
ができるとともに、設置スペースを削減することがで
き、設備コストの削減による製品コストの低減を図るこ
とのできる半導体製造装置を提供しようとするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の半導体製造装置は、減圧雰囲気下で被処理物に所定の
処理を施す真空処理室と、前記真空処理室に隣接して設
けられ、内部に、前記被処理物を搬送するための搬送ア
ームと前記被処理物を支持するための支持機構とを備え
た1 つの予備真空室とを具備し、前記予備真空室を介し
て、前記真空処理室に前記被処理物を搬入・搬出するよ
う構成されたことを特徴とする半導体製造装置。
の半導体製造装置は、減圧雰囲気下で被処理物に所定の
処理を施す真空処理室と、前記真空処理室に隣接して設
けられ、内部に、前記被処理物を搬送するための搬送ア
ームと前記被処理物を支持するための支持機構とを備え
た1 つの予備真空室とを具備し、前記予備真空室を介し
て、前記真空処理室に前記被処理物を搬入・搬出するよ
う構成されたことを特徴とする半導体製造装置。
【００１０】また、請求項２記載の半導体製造装置は、
減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、前記真空処理室に隣接して設けられ、内部に、少な
くとも2 つの前記被処理物を支持して搬送可能に構成さ
れた搬送アームを備えた1 つの予備真空室とを具備し、
前記予備真空室を介して、前記真空処理室に前記被処理
物を搬入・搬出するよう構成されたことを特徴とする。
減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、前記真空処理室に隣接して設けられ、内部に、少な
くとも2 つの前記被処理物を支持して搬送可能に構成さ
れた搬送アームを備えた1 つの予備真空室とを具備し、
前記予備真空室を介して、前記真空処理室に前記被処理
物を搬入・搬出するよう構成されたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明の半導体製造装置では、予備真空室を1
つとすることによって、装置コストの低減および設置ス
ペースの削減を実現することができる。また、予備真空
室内に設けた被処理物を支持するための支持機構あるい
は2 つの被処理物を支持して搬送可能に構成された搬送
アームによって、2 つの被処理物を取扱うことができる
ため、効率的に搬入・搬出を実施することができ、搬入
用予備真空室と搬出用予備真空室の2 つの予備真空室を
備えた従来の半導体製造装置とほぼ同様なスループット
を確保することができる。
つとすることによって、装置コストの低減および設置ス
ペースの削減を実現することができる。また、予備真空
室内に設けた被処理物を支持するための支持機構あるい
は2 つの被処理物を支持して搬送可能に構成された搬送
アームによって、2 つの被処理物を取扱うことができる
ため、効率的に搬入・搬出を実施することができ、搬入
用予備真空室と搬出用予備真空室の2 つの予備真空室を
備えた従来の半導体製造装置とほぼ同様なスループット
を確保することができる。
【００１２】したがって、従来に較べて装置コストを低
減することができるとともに、設置スペースを削減する
ことができ、設備コストの削減による製品コストの低減
を図ることができる。
減することができるとともに、設置スペースを削減する
ことができ、設備コストの削減による製品コストの低減
を図ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハにエッチング処
理を施すエッチング装置に適用した実施例を図面を参照
して説明する。
理を施すエッチング装置に適用した実施例を図面を参照
して説明する。
【００１４】図１に示すように、エッチング装置１に
は、減圧雰囲気下で半導体ウエハにエッチング処理を施
す真空処理室２が設けられている。この真空処理室２の
側方に隣接して、予備真空室３が1 つのみ設けられてお
り、予備真空室３内には、半導体ウエハ４を搬送するた
めの搬送アーム５と、上下に棚状に2 枚の半導体ウエハ
４を支持可能に構成されたウエハ支持機構６が設けられ
ている。このウエハ支持機構６は、図示しない駆動機構
により、上下動可能に構成されている。
は、減圧雰囲気下で半導体ウエハにエッチング処理を施
す真空処理室２が設けられている。この真空処理室２の
側方に隣接して、予備真空室３が1 つのみ設けられてお
り、予備真空室３内には、半導体ウエハ４を搬送するた
めの搬送アーム５と、上下に棚状に2 枚の半導体ウエハ
４を支持可能に構成されたウエハ支持機構６が設けられ
ている。このウエハ支持機構６は、図示しない駆動機構
により、上下動可能に構成されている。
【００１５】また、予備真空室３には、ゲートバルブ７
ａを備えた搬入・搬出用開口７が設けられており、この
搬入・搬出用開口７の外側には、カセット載置台８が設
けられている。このカセット載置台８は、複数枚（例え
ば25枚程度）の半導体ウエハ４を収容したウエハカセッ
ト９を1 台あるいは数台（図示のものでは2 台）載置で
きるよう構成されている。図示矢印の如く、このウエハ
カセット９は、ボールスクリュー１２を駆動して上下動
させることができるとともに他のスクリュー１２ａによ
ってスライド台８ａを介して左右動できるよう構成され
ている。
ａを備えた搬入・搬出用開口７が設けられており、この
搬入・搬出用開口７の外側には、カセット載置台８が設
けられている。このカセット載置台８は、複数枚（例え
ば25枚程度）の半導体ウエハ４を収容したウエハカセッ
ト９を1 台あるいは数台（図示のものでは2 台）載置で
きるよう構成されている。図示矢印の如く、このウエハ
カセット９は、ボールスクリュー１２を駆動して上下動
させることができるとともに他のスクリュー１２ａによ
ってスライド台８ａを介して左右動できるよう構成され
ている。
【００１６】また、真空処理室２と予備真空室３との間
には、ゲートバルブ１０ａを備えた搬入・搬出用開口１
０が設けられている（図２参照）。なお、予備真空室３
には、排気管３３と仕切り弁３３ａを介して真空ポンプ
３５が接続され、予備真空室３の内部を所定の真空度に
排気可能に構成されている。また、予備真空室３内をパ
ージしてＯ2 フリー状態に保つＮ2 ガス源３４が、仕切
り弁３２ａと供給管３２を介して予備真空室３に接続さ
れている。真空処理室２にも同様に真空源とＮ2 ガス源
が接続されている。
には、ゲートバルブ１０ａを備えた搬入・搬出用開口１
０が設けられている（図２参照）。なお、予備真空室３
には、排気管３３と仕切り弁３３ａを介して真空ポンプ
３５が接続され、予備真空室３の内部を所定の真空度に
排気可能に構成されている。また、予備真空室３内をパ
ージしてＯ2 フリー状態に保つＮ2 ガス源３４が、仕切
り弁３２ａと供給管３２を介して予備真空室３に接続さ
れている。真空処理室２にも同様に真空源とＮ2 ガス源
が接続されている。
【００１７】次に、上記構成の本実施例のエッチング装
置１の動作を説明する。
置１の動作を説明する。
【００１８】まず、カセット載置台８を上下動及び左右
動させてウエハカセット９を搬入・搬出用開口７に位置
させ、搬入・搬出用開口１０を閉じた状態で、搬入・搬
出用開口７を開け、搬送アーム５をＯ点を中心に旋回さ
せて、カセット載置台８に設けたウエハカセット９か
ら、一枚ずつ半導体ウエハ４を取り出し、予備真空室３
内に搬入する。そして、搬送アーム５のアーム５０を伸
ばして上下どちらか一方のウエハ支持機構６上に半導体
ウエハ４を位置させ、この状態でウエハ支持機構６を上
昇させることにより、半導体ウエハ４をウエハ支持機構
６に受け渡す。この際、アーム５０の伸縮には2 〜3 秒
要する。また、この際、半導体ウエハ４が搬送アーム５
上で移動するとダストが生じるので、極力その移動を阻
止する。
動させてウエハカセット９を搬入・搬出用開口７に位置
させ、搬入・搬出用開口１０を閉じた状態で、搬入・搬
出用開口７を開け、搬送アーム５をＯ点を中心に旋回さ
せて、カセット載置台８に設けたウエハカセット９か
ら、一枚ずつ半導体ウエハ４を取り出し、予備真空室３
内に搬入する。そして、搬送アーム５のアーム５０を伸
ばして上下どちらか一方のウエハ支持機構６上に半導体
ウエハ４を位置させ、この状態でウエハ支持機構６を上
昇させることにより、半導体ウエハ４をウエハ支持機構
６に受け渡す。この際、アーム５０の伸縮には2 〜3 秒
要する。また、この際、半導体ウエハ４が搬送アーム５
上で移動するとダストが生じるので、極力その移動を阻
止する。
【００１９】次に、予備真空室３の搬入・搬出用開口７
を閉じて予備真空室３内の排気を真空ポンプ３５により
実施し、予備真空室３内が所定の真空度に到達した後、
Ｎ2 ガスを導入してパージを行い、搬入・搬出用開口１
０を開ける。この際、予備真空室３の真空引きには通常
30〜40秒、また、Ｎ2 によるパージには30〜40秒要す
る。そして、そして、搬送アーム５によって、真空処理
室２内の処理部に設けられた処理済みの半導体ウエハ４
を取り出し、上述したようにして予備真空室３内の空い
ている方のウエハ支持機構６に受け渡す。
を閉じて予備真空室３内の排気を真空ポンプ３５により
実施し、予備真空室３内が所定の真空度に到達した後、
Ｎ2 ガスを導入してパージを行い、搬入・搬出用開口１
０を開ける。この際、予備真空室３の真空引きには通常
30〜40秒、また、Ｎ2 によるパージには30〜40秒要す
る。そして、そして、搬送アーム５によって、真空処理
室２内の処理部に設けられた処理済みの半導体ウエハ４
を取り出し、上述したようにして予備真空室３内の空い
ている方のウエハ支持機構６に受け渡す。
【００２０】この後、搬送アーム５によって、ウエハ支
持機構６に支持された未処理の半導体ウエハ４を搬送
し、真空処理室２内の処理部にこの未処理の半導体ウエ
ハ４を配置する。
持機構６に支持された未処理の半導体ウエハ４を搬送
し、真空処理室２内の処理部にこの未処理の半導体ウエ
ハ４を配置する。
【００２１】しかる後、搬入・搬出用開口１０を閉じ、
予備真空室３内を常圧に戻し、搬入・搬出用開口７を開
ける。そして、搬送アーム５によって、ウエハ支持機構
６に支持された処理済みの半導体ウエハ４を搬出し、カ
セット載置台８に設けたウエハカセット９内に戻す。こ
の時、真空処理室２内では、上述のようにして搬入した
半導体ウエハ４のエッチング処理を並行して行う。
予備真空室３内を常圧に戻し、搬入・搬出用開口７を開
ける。そして、搬送アーム５によって、ウエハ支持機構
６に支持された処理済みの半導体ウエハ４を搬出し、カ
セット載置台８に設けたウエハカセット９内に戻す。こ
の時、真空処理室２内では、上述のようにして搬入した
半導体ウエハ４のエッチング処理を並行して行う。
【００２２】そして、ウエハカセット９内に未処理の半
導体ウエハ４がある場合は、次の半導体ウエハ４を上述
したようにして真空処理室２内の処理部に配置し、エッ
チング処理を行う。
導体ウエハ４がある場合は、次の半導体ウエハ４を上述
したようにして真空処理室２内の処理部に配置し、エッ
チング処理を行う。
【００２３】このように、本実施例のエッチング装置１
では、真空処理室２に対して、予備真空室３が1 つのみ
設けられているので、搬入用予備真空室と搬出用予備真
空室の2 つの予備真空室を備えた従来の装置に較べて装
置コストの低減および設置スペースの削減を行うことが
できる。
では、真空処理室２に対して、予備真空室３が1 つのみ
設けられているので、搬入用予備真空室と搬出用予備真
空室の2 つの予備真空室を備えた従来の装置に較べて装
置コストの低減および設置スペースの削減を行うことが
できる。
【００２４】また、予備真空室３内に設けられたウエハ
支持機構６に、一旦半導体ウエハ４を仮置きすることに
より、効率的に半導体ウエハ４の搬入・搬出を実施する
ことができ、搬入用予備真空室と搬出用予備真空室の2
つの予備真空室を備えた従来の装置とほぼ同様なスルー
プットを確保することができる。
支持機構６に、一旦半導体ウエハ４を仮置きすることに
より、効率的に半導体ウエハ４の搬入・搬出を実施する
ことができ、搬入用予備真空室と搬出用予備真空室の2
つの予備真空室を備えた従来の装置とほぼ同様なスルー
プットを確保することができる。
【００２５】なお、例えば予備真空室３内にウエハ支持
機構６がない場合は、これに半導体ウエハ４を仮置きす
ることができないので、処理済みの半導体ウエハ４を搬
出してからでないと、次の半導体ウエハ４の搬入動作を
実施することができず、大幅なスループットの低下を招
くことになる。
機構６がない場合は、これに半導体ウエハ４を仮置きす
ることができないので、処理済みの半導体ウエハ４を搬
出してからでないと、次の半導体ウエハ４の搬入動作を
実施することができず、大幅なスループットの低下を招
くことになる。
【００２６】したがって、従来に較べて装置コストを低
減することができるとともに、設置スペースを削減する
ことができ、設備コストの削減による製品コストの低減
を図ることができる。
減することができるとともに、設置スペースを削減する
ことができ、設備コストの削減による製品コストの低減
を図ることができる。
【００２７】次に、図２および図３に、本発明の第２の
実施例の半導体製造装置を示す。この第２の実施例で
は、予備真空室３内には、天井部から吊り下げられる如
く、ウエハ支持機構６ａが2 つ設けられている。これら
のウエハ支持機構６ａは、天井部に設けた液圧シリンダ
等の往復動機構１３により上下動可能に構成されてい
て、そのロッド１３ａはベロー１４によって保護されて
いる。図中に矢印で示すように液圧シリンダ１５のロッ
ド１５ａによって回動可能に構成された複数の爪２０に
よって、半導体ウエハ４の周縁部を係止するよう構成さ
れている。そして、搬送アーム５によって半導体ウエハ
４を搬送し、ウエハ支持機構６ａの下方に位置させる
と、ウエハ支持機構６ａが、爪２０の回動によって半導
体ウエハ４を係止し、この後僅かに上昇することによ
り、半導体ウエハ４を搬送アーム５から受け取る。一
方、爪２０の逆の動作によって、その係止を解除してこ
の半導体ウエハ４を搬送アーム５に受け渡すよう構成さ
れている。
実施例の半導体製造装置を示す。この第２の実施例で
は、予備真空室３内には、天井部から吊り下げられる如
く、ウエハ支持機構６ａが2 つ設けられている。これら
のウエハ支持機構６ａは、天井部に設けた液圧シリンダ
等の往復動機構１３により上下動可能に構成されてい
て、そのロッド１３ａはベロー１４によって保護されて
いる。図中に矢印で示すように液圧シリンダ１５のロッ
ド１５ａによって回動可能に構成された複数の爪２０に
よって、半導体ウエハ４の周縁部を係止するよう構成さ
れている。そして、搬送アーム５によって半導体ウエハ
４を搬送し、ウエハ支持機構６ａの下方に位置させる
と、ウエハ支持機構６ａが、爪２０の回動によって半導
体ウエハ４を係止し、この後僅かに上昇することによ
り、半導体ウエハ４を搬送アーム５から受け取る。一
方、爪２０の逆の動作によって、その係止を解除してこ
の半導体ウエハ４を搬送アーム５に受け渡すよう構成さ
れている。
【００２８】このように構成された予備真空室３を用い
れば、前述した実施例と同様な効果を得ることができる
とともに、予備真空室３をより小形化することができ、
例えばその内部の排気に要する時間の短縮等を図ること
ができる。
れば、前述した実施例と同様な効果を得ることができる
とともに、予備真空室３をより小形化することができ、
例えばその内部の排気に要する時間の短縮等を図ること
ができる。
【００２９】上述した各実施例では、予備真空室３内に
ウエハ支持機構６、６ａを設けた例について説明した
が、例えば図４および図５に示すように、2 枚の半導体
ウエハ４を支持可能に構成された搬送アーム５ａを用い
ることもできる。
ウエハ支持機構６、６ａを設けた例について説明した
が、例えば図４および図５に示すように、2 枚の半導体
ウエハ４を支持可能に構成された搬送アーム５ａを用い
ることもできる。
【００３０】すなわち、この第３の実施例では、搬送ア
ーム５ａは、軸３０を中心として回動可能に構成され、
2 枚の半導体ウエハ４を支持可能に構成されたウエハ支
持部３１を備えており、ウエハ支持部３１を軸３０を中
心に回転させることにより、例えば処理済みの半導体ウ
エハ４のアンロード動作と、未処理の半導体ウエハ４の
ロード動作とを続けて行うことができるよう構成されて
いる。このような搬送アーム５ａを用いれば、前述した
実施例のようにウエハ支持機構６、６ａ等を使用せずに
スループットの低下を防止することができる。また、例
えば前述した搬送アーム５等を、例えば上下2 段に重ね
る如く予備真空室内に2 つ設け、2 枚の半導体ウエハ４
を支持できるようにしてもよい。
ーム５ａは、軸３０を中心として回動可能に構成され、
2 枚の半導体ウエハ４を支持可能に構成されたウエハ支
持部３１を備えており、ウエハ支持部３１を軸３０を中
心に回転させることにより、例えば処理済みの半導体ウ
エハ４のアンロード動作と、未処理の半導体ウエハ４の
ロード動作とを続けて行うことができるよう構成されて
いる。このような搬送アーム５ａを用いれば、前述した
実施例のようにウエハ支持機構６、６ａ等を使用せずに
スループットの低下を防止することができる。また、例
えば前述した搬送アーム５等を、例えば上下2 段に重ね
る如く予備真空室内に2 つ設け、2 枚の半導体ウエハ４
を支持できるようにしてもよい。
【００３１】なお、本発明は、エッチング装置に限ら
ず、真空雰囲気下で処理を行う枚葉式の半導体製造装置
であればあらゆる装置に適用することができる。
ず、真空雰囲気下で処理を行う枚葉式の半導体製造装置
であればあらゆる装置に適用することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造装置によれば、従来に較べて装置コストを低減するこ
とができるとともに、設置スペースを削減することがで
き、設備コストの削減による製品コストの低減を図るこ
とができる。
造装置によれば、従来に較べて装置コストを低減するこ
とができるとともに、設置スペースを削減することがで
き、設備コストの削減による製品コストの低減を図るこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体製造装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の他の実施例の予備真空室の構成を示す
図である。
図である。
【図３】図２の予備真空室の横断面図である。
【図４】本発明の他の実施例の搬送アームの構成を示す
図である。
図である。
【図５】図４の搬送アームの側面図である。
【図６】従来の半導体製造装置の構成を示す図である。
１ エッチング装置 ２ 真空処理室 ３ 予備真空室 ４ 半導体ウエハ ５ 搬送アーム ６ ウエハ支持機構 ７ 搬入・搬出用開口 ８ カセット載置台 ９ ウエハカセット １０ 搬入・搬出用開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/205 7454−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を
施す真空処理室と、 前記真空処理室に隣接して設けられ、内部に、前記被処
理物を搬送するための搬送アームと前記被処理物を支持
するための支持機構とを備えた1 つの予備真空室とを具
備し、 前記予備真空室を介して、前記真空処理室に前記被処理
物を搬入・搬出するよう構成されたことを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項２】 減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を
施す真空処理室と、 前記真空処理室に隣接して設けられ、内部に、少なくと
も2 つの前記被処理物を支持して搬送可能に構成された
搬送アームを備えた1 つの予備真空室とを具備し、 前記予備真空室を介して、前記真空処理室に前記被処理
物を搬入・搬出するよう構成されたことを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13652392A JP3429786B2 (ja) | 1991-05-29 | 1992-05-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12426191 | 1991-05-29 | ||
| JP3-124261 | 1991-05-29 | ||
| JP13652392A JP3429786B2 (ja) | 1991-05-29 | 1992-05-28 | 半導体製造装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003059773A Division JP2003309113A (ja) | 1991-05-29 | 2003-03-06 | 半導体製造装置 |
| JP2003059774A Division JP2003303818A (ja) | 1991-05-29 | 2003-03-06 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198660A true JPH05198660A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3429786B2 JP3429786B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=26460965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13652392A Expired - Fee Related JP3429786B2 (ja) | 1991-05-29 | 1992-05-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3429786B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042650A1 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-20 | Tokyo Electron Limited | Vacuum treatment device |
| JP2001148410A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理用の搬送装置及び収容装置、並びに半導体処理システム |
| JP2006310471A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置システム |
| JP2014123758A (ja) * | 2007-05-18 | 2014-07-03 | Brooks Automation Inc | 基板搬送システム、基板処理装置、及び基板搬送方法 |
| JP2014150109A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 減圧処理装置 |
| US9859140B2 (en) | 2001-07-02 | 2018-01-02 | Brooks Automation, Inc. | Fast swap dual substrate transport for load lock |
| WO2020083731A1 (en) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13652392A patent/JP3429786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042650A1 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-20 | Tokyo Electron Limited | Vacuum treatment device |
| US6746196B1 (en) | 1999-01-12 | 2004-06-08 | Tokyo Electron Limited | Vacuum treatment device |
| JP2001148410A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理用の搬送装置及び収容装置、並びに半導体処理システム |
| US9859140B2 (en) | 2001-07-02 | 2018-01-02 | Brooks Automation, Inc. | Fast swap dual substrate transport for load lock |
| JP2006310471A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置システム |
| KR100796052B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2008-01-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리장치 시스템 |
| JP2014123758A (ja) * | 2007-05-18 | 2014-07-03 | Brooks Automation Inc | 基板搬送システム、基板処理装置、及び基板搬送方法 |
| JP2014150109A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 減圧処理装置 |
| WO2020083731A1 (en) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus |
| NL2024032A (en) * | 2018-10-23 | 2020-05-07 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus |
| US11474438B2 (en) | 2018-10-23 | 2022-10-18 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3429786B2 (ja) | 2003-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0162102B1 (ko) | 반도체 제조장치 | |
| US6641350B2 (en) | Dual loading port semiconductor processing equipment | |
| KR100230697B1 (ko) | 감압 처리 장치 | |
| JP4916140B2 (ja) | 真空処理システム | |
| US6457253B2 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| KR100960773B1 (ko) | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 | |
| KR100312046B1 (ko) | 2개이상의웨이퍼를동시에처리하기위한멀티데크식웨이퍼처리시스템및방법 | |
| JP3030160B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH11195688A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101106803B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 처리용 반도체 제조 시스템, 대기중 로봇핸들링 장비 및 반도체 웨이퍼의 반송 방법 | |
| US5759334A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP3429786B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100961583B1 (ko) | 종형 열처리 장치 및 그 운용 방법 | |
| JP2873761B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2003309113A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2003303818A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2582578Y2 (ja) | 多室式半導体処理装置 | |
| JP3121022B2 (ja) | 減圧処理装置 | |
| JPH08181183A (ja) | 試料の搬送装置 | |
| JP2939378B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2000323549A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH05129240A (ja) | 半導体製造装置 | |
| USRE39824E1 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors | |
| JPH08115968A (ja) | 多段式複数チャンバ真空熱処理装置 | |
| KR200444491Y1 (ko) | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001017 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |