JP5647502B2 - 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法。 - Google Patents
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Description
この時、前記反応管79や筐体等が前記円筒発熱材72からの輻射熱によって加熱されない様、前記反応管79と前記円筒発熱材72との間に断熱材80が設けられ、該断熱材80は主に石英からなる断熱材ケーシングによって保持されている。尚、前記断熱材80には、高温に耐え、不純物が少ないものとして、一般にはカーボンが使用されることが多い。
従来の熱処理装置に於いて、前記制御用TC71を用いて前記円筒発熱材72の加熱温度の監視や制御を行う場合、前記制御用TC71はウェーハ73や前記ボート74、ガス供給ノズル75と同様、前記円筒発熱材72の内部に設けられ、モリブデンやタンタル等の高融点金属や、サファイヤによって形成された保護管により保護される様になっている。
然し乍ら、前記保護管は高温場では水素によりエッチングされる為、エッチングされた前記保護管の構成物質がウェーハ73内に取込まれ、ウェーハ73が汚染される虞れがある。又、前記保護管にSiC膜が成膜されることで、前記制御用TC71によって検出される温度が経時変化してしまうという問題があった。
成膜処理時には前記断熱材80に穿設した前記孔81を通り、断熱材ケーシング82及び前記反応管79を透過した前記円筒発熱材72外周部からの放射光が前記放射温度計78によって検出され、検出結果に基づいて前記反応室76への加熱、維持、冷却の温度監視及び制御が行われる。
又、前記断熱材80に前記孔81を穿設して直接前記円筒発熱材72の温度を測定する場合には、前記放射温度計78が検出する放射光は前記断熱材ケーシング82と前記反応管79を2重に透過する為、石英による屈折が発生し、正確な温度測定が困難であった。
尚、処理室内壁の温度分布を詳細に測定した結果に基づいてウェーハの温度を計算で予測し、それを最適にするヒータ設定温度を解析的に求め、温度制御を行う半導体熱処理装置として、特許文献1に示されるものがある。
又本発明は斯かる実情に鑑み、断熱材に孔を穿設することにより生じる反応室内の温度分布の悪化及び前記孔からの放射熱による石英材への影響を防止すると共に、測定誤差のない安定した温度制御を可能とした熱処理装置を提供するものである。
先ず、図1に於いて、本発明が実施される熱処理装置の一例を説明する。
本発明に係る熱処理装置1では、SiC(シリコンカーバイド)基板であるウェーハ6は基板収納容器としてのカセット2に収納され、搬入出される。
前記熱処理装置1は、筐体3を備え、該筐体3の正面壁にはカセット搬入搬出口4がフロントシャッタ(図示せず)によって開閉される様設けられている。前記筐体3の内部に、前記カセット搬入搬出口4に隣接してカセットステージ5が設けられている。
該カセットステージ5は、工程内搬送装置によって、カセット2内のウェーハ6が垂直姿勢となり、カセット2のウェーハ出入り口が上方向を向く様に載置され、前記カセットステージ5は、カセット2のウェーハ出入り口が筐体3後方を向く様に回転する。
前記筐体3内の前後方向の略中央部には、カセット棚(基板収容器載置棚)7が設置されており、該カセット棚7は複数段複数列にて各複数個のカセット2を保管する様に構成されている。前記カセット棚7にはウェーハ移載装置8の搬送対象となるカセット2が収納される移載棚9が設けられている。又、前記カセットステージ5の上方には予備カセット棚11が設けられ、予備的にカセット2を保管する様に構成されている。
前記筐体3の後部上方には、処理炉14が設けられ、該処理炉14の下端開口部(炉口部)は、炉口シャッタ15により開閉される様に構成されている。
前記処理炉14の下方にはボート13を昇降し、前記処理炉14に装入、引出しする昇降機構としてのボートエレベータ16が設けられている。該ボートエレベータ16は昇降アーム17を具備し、該昇降アーム17には蓋体としてのシールキャップ18が水平に設けられており、該シールキャップ18は前記ボート13を垂直に支持し、前記炉口部を開閉する様に構成されている。
前記カセット棚7の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット19が設けられ、該クリーンユニット19はクリーンエアを前記筐体3の内部に流通させる様になっている。
前記カセット搬入搬出口4が開放され、カセット2がカセットステージ5に供給される。その後、前記カセット2は前記カセット搬入搬出口4から搬入され、前記カセット搬送装置12によって前記カセット棚7又は前記予備カセット棚11に搬送され、一時的に保管された後、前記カセット棚7又は前記予備カセット棚11から前記カセット搬送装置12によって前記移載棚9に移載されるか、若しくは該移載棚9に直接搬送される。
前記カセット2が前記移載棚9に移載されると、ウェーハ6は前記ウェーハ移載装置8によって前記カセット2から降下した状態の前記ボート13に装填される。
予め指定された枚数の未処理ウェーハ6が前記ボート13に装填されると、前記炉口シャッタ15によって閉じられていた前記処理炉14の下端部が、前記炉口シャッタ15によって開放され、前記ボート13が前記処理炉14内に装入され、ウェーハ6に所定の処理が行われる。続いて、前記ボート13が降下され、前記ウェーハ移載装置8により処理済ウェーハ6が前記カセット2に移載され、処理済ウェーハ6が装填された前記カセット2は前記筐体3の外部へ払出される。
SiC(シリコンカーバイド)基板であるウェーハ6を処理する反応管21が設けられ、該反応管21の下端には、例えばステンレス製であり、上端と下端にそれぞれ上部フランジ22aと下部フランジ22bが形成された円筒形状のインレットフランジ22が気密に設けられ、該インレットフランジ22の下端開口は炉口部を形成し、該炉口部は前記炉口シャッタ15、前記シールキャップ18のいずれかによって択一的に閉塞される。
前記反応管21内には、前記ボート13装入時に該ボート13を覆う様、有天筒状の円筒発熱材23が前記インレットフランジ22に立設され、前記円筒発熱材23の外周面には、矩形形状で該円筒発熱材23と同材質の温度測定用チップ24が突設されている。
前記反応管21上部の外側には、該反応管21の周囲を囲む様に加熱用コイル28が設けられ、該加熱用コイル28は図示しない温度制御部と電気的に接続され、該温度制御部により前記加熱用コイル28による加熱が制御される。又、該加熱用コイル28は、例えば絶縁体であるアルミナ等のセラミック材からなる支持柱29によって支持され、該支持柱29は前記反応管21を冷却する水冷壁や電磁波及び熱の外部への漏洩を防止する筐体カバー等の外壁31によって覆われており、前記支持柱29及び前記外壁31はヒータベース20によって支持されている。
前記ボート13が前記反応室32に装入された状態では、前記加熱用コイル28と対向する位置にウェーハ6が装填され、該ウェーハ6よりも下方には断熱板33が装填されており、前記反応管21と前記インレットフランジ22、該インレットフランジ22と前記シールキャップ18の接続部等に設けられたシール部材(図示せず)の温度上昇が抑制される様になっている。
又、前記シールキャップ18はボート回転機構34によって支持されており、該ボート回転機構34が回転することで、前記ボート13が回転される。
又、前記ガス排気口36はガスクーラ39と接続され、該ガスクーラ39は図示しない真空ポンプ等の排気装置に接続されており、前記反応室32内で1500℃〜1800℃程度迄加熱されたガスは、前記ガスクーラ39によって冷却され、排気装置より排出される様になっている。
又、該温度測定用チップ24と前記円筒発熱材23は同材質であり、前記温度測定用チップ24は前記円筒発熱材23より突設されていることから、前記温度測定用チップ24は前記円筒発熱材23と同様に加熱され、前記温度測定用チップ24の温度は前記円筒発熱材23の温度と等しくなり、前記温度測定用チップ24の温度を測定することで前記円筒発熱材23の温度の正確な測定が可能となる。
次に、図示しない処理ガス供給源より、前記処理ガス供給ノズル35を介して前記反応室32にモノシランやプロパン等の処理ガスが導入されると共に、前記加熱用コイル28に、例えば30kHzの高周波電流を印加する。該加熱用コイル28に高周波電流を印加することで交番磁場を発生させ、該交番磁場により前記円筒発熱材23に誘導電流が生じ、該誘導電流によって前記円筒発熱材23に過電流が流れ、該円筒発熱材23がジュール熱によって加熱され、前記温度測定用チップ24も前記円筒発熱材23と同様に加熱される。
前記円筒発熱材23が加熱されることにより、該円筒発熱材23に覆われた前記ボート13及びウェーハ6が前記円筒発熱材23からの輻射熱によって所定の温度迄加熱され、活性化した前記処理ガスによりウェーハ6上にSiC結晶膜が成膜される。成膜処理が終了すると、前記第1パージガス供給ノズル37aより導入されたパージガスが前記第1パージガス排気口40aから排気され、前記第2パージガス供給ノズル37bより導入されたパージガスが前記第2パージガス排気口40bから排気されると共に、前記反応室32内の処理ガスが前記ガス排気口36からそれぞれ図示しない排気装置によって排気され、前記ボート13が前記反応室32から装脱される。
又、前記断熱部25が加熱された前記円筒発熱材23からの輻射熱を遮り、前記反応管21及び前記外壁31等への熱伝達を抑制すると共に、前記断熱板33がウェーハ6や前記ボート13等からの輻射熱を遮り、前記インレットフランジ22や前記ビューポート38等への熱伝達を抑制している。
又、前記ビューポート38を前記インレットフランジ22に設け、前記温度測定用チップ24から放出された放射光30は前記ビューポート38を透過し、前記放射光反射ミラー41で反射され、前記放射温度計42に入光される様にしたので、前記円筒発熱材23の温度を測定する為に前記断熱材26に孔を穿設する必要がなく、前記反応室32内の温度分布を良好に保つことができると共に、前記孔からの放射熱により前記反応管21や前記断熱材ケーシング27が石英耐熱温度(1200℃)以上となり、破損するのを防止することができる。
又、放射光30を反射する前記放射光反射ミラー41を設けたことで、前記放射温度計42で放射光30を直接検出する必要がなくなり、前記放射温度計42の設置場所を自在に選択することができるので、前記温度測定用チップ24と対向する位置に前記放射温度計42を設置するのが困難である場合でも容易に適用することができる。
更に、前記ビューポート38は前記円筒発熱材23の外側、即ち前記反応室32の外に設けられると共に、前記ビューポート38が設けられた前記円筒発熱材23と前記断熱材26との間の空間をパージガスによりパージする様にしたので、前記ビューポート38に処理ガスが接触し、該ビューポート38に副生成物が付着することにより発生する該ビューポート38の透明度の悪化を防止し、前記放射温度計42による測定値の信頼性及び再現性を大きく向上させることができる。
図4は、処理炉14及びその周辺部を示し、図5は反応室32下部の拡大図を示している。気密な予備室43上に前記処理炉14が立設され、前記予備室43と前記処理炉14とは炉口部44と同心に円筒発熱材23、断熱部25、加熱用コイル28(図2参照)等から構成される加熱機構46が設けられ、前記円筒発熱材23には同材質で矩形の温度測定用チップ24が外周面に突設されている。
該中途部フランジ45cには、前記円筒発熱材23及び前記断熱部25が立設され、前記円筒発熱材23及び前記断熱部25との間であり、前記温度測定用チップ24と対向する位置には、放射光透過孔47が穿設されている。
尚、中途部フランジ45cにより開口部49が形成され、前記ボート13装入時には、前記開口部49が、前記ボート13の底板13aにより略真空に閉塞される様になっている。
前記炉口部44の下方には、昇降部51が配置され、該昇降部51の上面には前記炉口部44を気密に閉塞するシールキャップ18が設けられ、該シールキャップ18の前記放射光透過孔47と対向する位置には孔が穿設されており、該孔が石英で埋められ、ビューポート52を形成している。
又、前記予備室43の側方には、ボートエレベータ16が取付けられている。該ボートエレベータ16はボール螺子53を有し、昇降台55が前記ボール螺子53に回転自在に螺合している。該ボール螺子53の上端には昇降モータ56が連結され、該昇降モータ56の駆動により前記ボール螺子53が回転される。
前記予備室43と前記昇降台55との間には、前記昇降シャフト57の周囲を覆う様に伸縮性を有するベローズ59が設けられ、該ベローズ59は前記予備室43を気密に保ち、伸縮した際には前記昇降シャフト57と接触しない様になっている。
成膜処理を行う際には、先ず所定枚数のウェーハ6及び断熱板33(図2参照)が装填された前記ボート13を前記反応室32に装入し、処理ガスを前記反応室32内に導入し、前記加熱用コイル28に高周波電流を印加すると共に、パージガスを前記反応管21と前記断熱材ケーシング27との間の空間及び前記円筒発熱材23と前記断熱材26との間の空間に導入する。
尚、パージガス排気口は第1の実施例に於けるパージガス排気口40(図2参照)の様に前記インレットフランジ45の上部フランジ45aに形成してもよいし、前記排気口48を設ける際に前記反応室32と前記排気口48を連通させる為に、前記円筒発熱材23と前記断熱部25に穿設した孔をパージガス排気口として使用してもよい。
又、前記断熱部25が加熱された前記円筒発熱材23からの輻射熱を遮り、前記反応管21及び前記外壁31(図2参照)等への熱伝達を抑制すると共に、前記断熱板33(図2参照)がウェーハ6や前記ボート13等からの輻射熱を遮り、前記インレットフランジ45や前記シールキャップ18、前記ビューポート52等、前記反応室32の下方への熱伝達を抑制している。
更に、前記放射温度計42及び該放射温度計42に接続された前記ファイバーケーブル54を前記シールキャップ18下方の前記昇降部51内に設けたことで、前記反応室32内の熱を前記シールキャップ18及び昇降部51によって遮ることができるので、前記放射温度計42に接続された前記ファイバーケーブル54の様に、耐熱温度が低くても前記放射温度計42による測定が可能となる。
又、前記円筒発熱材23及び前記断熱部25が立設される前記中途部フランジ45cを形成し、該中途部フランジ45cには前記放射光透過孔47を穿設するだけの構造としたので、放射光30が透過する石英材は前記ビューポート52のみとなり、前記断熱材ケーシング27、前記反応管21と2重に石英を透過させる必要がなくなり、放射光30の屈折等を抑制し、安定した温度測定及び温度制御が可能となる。
第1の実施例及び第2の実施例では、円筒発熱材23の外周面に温度測定用チップ24を1つ突設し、該温度測定用チップ24から放出された放射光30を放射温度計42によって検出し、円筒発熱材23の温度を測定していたが、第3の実施例では、前記温度測定用チップ24を異なる位置に複数設け、該温度測定用チップ24の温度をそれぞれ測定することで、前記円筒発熱材23の温度分布が測定できる様にしている。
該円筒発熱材23の外周面には、該円筒発熱材23と同材質で矩形の前記温度測定用チップ24が複数(図示では4つ)突設されている。該温度測定用チップ24a〜24dは、それぞれ異なる高さに設けられ、又周方向に異なる位置に設けられ、該温度測定用チップ24a〜24d同士が鉛直方向で重ならない様になっている。
成膜処理を行う際には、加熱用コイル28(図2参照)に高周波電流が印加され、前記円筒発熱材23が加熱され、成膜処理中、該円筒発熱材23の温度は前記温度測定用チップ24a〜24dを介して前記放射温度計42a〜42dにより常時測定されており、該放射温度計42a〜42dは測定結果を図示しない温度制御部にフィードバックし、該温度制御部はフィードバックされた測定結果に従って前記加熱用コイル28に印加する高周波電流を調整している。
尚、第3の実施例では、第2の実施例と同様に前記温度測定用チップ24a〜24dから放出される放射光30a〜30dが、直接前記放射温度計42a〜42dに入光される構成としたが、第1の実施例と同様、前記温度測定用チップ24a〜24dと対向する位置に放射光反射ミラーをそれぞれ設け、該放射光反射ミラーにより反射された放射光30a〜30dが前記放射温度計42a〜42dに入光される構成としてもよいことは言う迄もない。
尚、第6の実施例及びその変形例では、前記保護部105a〜105dを有天筒状或は円筒形状とし、円板形状の前記温度測定部104a〜104dを用いて前記円筒発熱材23の温度を測定しているが、前記保護管103a〜103dの内径が前記放射温度計42a〜42dに入射する放射光30a〜30dのスポット径よりも大きければ、矩形板の温度測定部及び方柱形状の保護管等任意の形状としてもよい。
第7の実施例では、第1の実施例〜第6の実施例とは異なり、温度検出手段として熱電対である制御用TC61を使用している。
ウェーハ6を処理する反応管21の下端には、上端と下端に上部フランジ22aと下部フランジ22bが形成されたインレットフランジ22が気密に設けられ、該インレットフランジ22にはガス排気口36が設けられており、前記インレットフランジ22の内側に筒状の排気空間が形成される。
前記反応管21内には、円筒発熱材23が前記インレットフランジ22に立設され、該円筒発熱材23と前記反応管21との間には、内層側に設けられた断熱材26と外層側に設けられた断熱材ケーシング27とが一体化された断熱部25が立設されている。尚、前記インレットフランジ22の内径は、前記円筒発熱材23の内径よりも小さくなっている。
又、少なくとも、前記円筒発熱材23、前記インレットフランジ22及びシールキャップ18により反応室32が画成される。
該反応室32内に処理ガスを供給する処理ガス供給ノズル35が、前記インレットフランジ22を水平方向に貫通し、更に前記円筒発熱材23の内壁に沿って立上がる様設けられる。
成膜処理時には、前記ボート13を前記反応室32内に装入し、前記処理ガス供給ノズル35より前記反応室32内に処理ガスを供給すると共に、前記加熱用コイル28に高周波電流を印加し、前記円筒発熱材23を加熱する。
成膜処理が終了すると、前記反応室32内の処理ガスや、前記反応管21と前記断熱材ケーシング27との間の空間及び前記円筒発熱材23と前記断熱材26との間の空間のパージガスが前記ガス排気口36を介して図示しない排気装置によって排気され、ボート13が前記反応室32から装脱される。
上記処理中、前記円筒発熱材23の温度は、前記制御用TC61により常時測定されており、測定結果は図示しない温度制御部にフィードバックされ、該温度制御部はフィードバックされた測定結果に基づいて、前記加熱用コイル28に印加する高周波電流を制御する様になっている。
又、前記円筒発熱材23と前記断熱材26との間の空間にパージガスを供給する様にしたことで、前記円筒発熱材23の下端と前記上部フランジ22a上面の隙間から処理ガス等が浸入するのを防止することができ、前記保護管62に対する処理ガスの接触を更に抑制し、前記制御用TC61の測定値の信頼性及び再現性を向上させることができる。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
6 ウェーハ
14 処理炉
21 反応管
22 インレットフランジ
23 円筒発熱材
24 温度測定用チップ
26 断熱材
28 加熱用コイル
32 反応室
38 ビューポート
41 放射光反射ミラー
42 放射温度計
45 インレットフランジ
61 制御用TC
62 保護管
102 保護管
103 保護管
104 温度測定部
105 保護部
108 保護部
109 断熱部
111 温度測定部
112 保護部
113 温度測定部
Claims (5)
- 基板を保持する基板保持具と、該基板保持具を囲む様に設けられ反応室を構成する筒状発熱材と、該筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管と、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部と、前記筒状発熱材と前記筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップと、該温度測定用チップの温度を測定する放射温度計とを具備し、該放射温度計が前記反応管の下端より下方に配置される熱処理装置。
- 前記温度測定用チップと前記放射温度計との間に、前記温度測定用チップからの放射光の光路を囲む様に筒状の保護管が設けられた請求項1の熱処理装置。
- 前記温度測定用チップが前記保護管の上端に固定された請求項2の熱処理装置。
- 筒状発熱材の内部に構成された反応室内に基板を搬送する工程と、前記筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管の下端より下方に配置された放射温度計により、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部と前記筒状発熱材との間に設けられた温度測定用チップの温度を測定し前記筒状発熱材の温度を制御し前記基板を熱処理する工程と、前記基板を前記反応室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
- 筒状発熱材の内部に構成された反応室内に基板を搬送する工程と、前記筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管の下端より下方に配置された放射温度計により、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部と前記筒状発熱材との間に設けられた温度測定用チップの温度を測定し前記筒状発熱材の温度を制御し前記基板を熱処理する工程と、前記基板を前記反応室内から搬出する工程と、を有する基板処理方法。
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---|---|---|---|---|
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JP6080451B2 (ja) | 2012-09-25 | 2017-02-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び熱電対支持体 |
JP6579974B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-09-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、温度センサ及び半導体装置の製造方法 |
US10228291B2 (en) | 2015-02-25 | 2019-03-12 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, and thermocouple |
CN108028214B (zh) * | 2015-12-30 | 2022-04-08 | 玛特森技术公司 | 用于毫秒退火系统的气体流动控制 |
JP1582475S (ja) * | 2016-10-14 | 2017-07-31 | ||
JP6820816B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-01-27 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
CN111413002A (zh) * | 2019-01-08 | 2020-07-14 | 日新离子机器株式会社 | 基板温度测定装置和半导体制造装置 |
KR102559935B1 (ko) * | 2019-03-18 | 2023-07-27 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1458221A (en) * | 1973-03-12 | 1976-12-08 | Electricity Council | Production of beta-alumina ceramic articles |
JPS62105419A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Hitachi Ltd | 拡散装置温度制御方法 |
DE3855871T2 (de) * | 1987-09-11 | 1997-10-16 | Hitachi Ltd | Vorrichtung zur Durchführung einer Wärmebehandlung an Halbleiterplättchen |
US5128515A (en) * | 1990-05-21 | 1992-07-07 | Tokyo Electron Sagami Limited | Heating apparatus |
JP2947604B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1999-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理炉 |
JPH10170343A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Sony Corp | 温度測定装置 |
JPH11209198A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | SiC単結晶の合成方法 |
JP2001274092A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
ES2231366T3 (es) * | 2000-09-07 | 2005-05-16 | E.G.O. Elektro-Geratebau Gmbh | Horno de radiacion debajo de una placa de coccion, en particular una placa vitroceramica. |
JP4210041B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3984820B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2007-10-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 縦型減圧cvd装置 |
JP2004221138A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体熱処理方法および装置 |
JP3941727B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2007-07-04 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
JP2004349479A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Koyo Thermo System Kk | 枚葉式熱処理装置 |
JP4994724B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
CN101168926A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 韩楠林 | 一种纤维制品及其制造和应用方法 |
JP5529634B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-06-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
JP2012054408A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び被処理基板の製造方法 |
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