JPS62105419A - 拡散装置温度制御方法 - Google Patents

拡散装置温度制御方法

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Publication number
JPS62105419A
JPS62105419A JP24395285A JP24395285A JPS62105419A JP S62105419 A JPS62105419 A JP S62105419A JP 24395285 A JP24395285 A JP 24395285A JP 24395285 A JP24395285 A JP 24395285A JP S62105419 A JPS62105419 A JP S62105419A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
light
temperature
light guide
quartz
Prior art date
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Pending
Application number
JP24395285A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoji Watanabe
智司 渡辺
Takuji Torii
鳥居 卓爾
Tetsuya Takagaki
哲也 高垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS62105419A publication Critical patent/JPS62105419A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体製造用拡散装置の温度制御方法に係り
、特に処理室内に置かれたウェハの温度を検知するため
に処理室外の輻射温度計に、ウェハの幅射光髪導びくの
に好適な光ガイドに関する。
〔発明の背景〕
第4図に示した従来の拡散装置では、処理室1内に置か
れたウェハ2温度を制御するのに、処理室外部に設置し
た熱電対9の出力を検知して、これを基に拡散装置制御
部8でヒータ5の発熱量を決定する方式をとっている。
これは、熱電対がウェハを汚染するため、処理室内に入
れられないからである。
それに対し、輻射温度計は非接触で温度を測定できるが
、拡散装置処理室のウェハは、外部から直視できないの
で、なんらかの光学的手段を用いてウェハの輻射光を処
理室外に導く必要がある。
1つの手段として、光ファイバを用いる方法が考えられ
るが、光フアイバ被覆材の耐熱性が約200℃であるこ
と、芯線にドープされているゲルマニウムあるいはフッ
素等がウェハを汚染するなどの問題点がある。また、石
英ロッドを光ファイバの代りに導光体として使用すれば
、fII熱11は1000で以上あり、しかも光ファイ
バと同等の効果が得られるが、石英ロッドの側面に傷等
が有ると、処理室内壁面等から放射される輻射光が石莢
捧中を伝わるウェハ幅射光に混入する。すなオ〕ち、石
英ロンド側面が平滑であれば、いかなる角度で側面に入
射する光も全て透過するが、傷等により散乱すると側面
に入射した光の一部が石英ロンド中にとらえられ、温度
を検知する場合に精度を低下させる一因となる。
なお、この種の装置として関連するものには。
例えば特開昭55−1057fi 、特開昭55−り6
431 、特開昭58−1020116 、特開昭!i
n −58:126 、特開昭511−231429等
が挙げられる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、かかる問題点差改善し、処理室内に置
かれたウェハの温度を検知することが■r能で、処理室
内に入れてもウェハを汚染することが無く、しかもプリ
ズ11のみを用いているため前述の原因による温度検知
精度の低下なもたらさない構造のソロガイドを備えた輻
射温度計を拡散装置に適用することによって、ウェハの
処理温度を検知し高精度に制御できる方法を提供するこ
とにある。
〔発明の概要〕
本発明の要点は、温度を検知するウェハの輻射光を、石
英製のプリズムを有する光ガイドで処理室外の輻射温度
計に導くことにより、ウェハを汚染することなしにウェ
ハ温度の検知が可能で、したがって処理温度を高精度に
制御できる点にある。
さらに、光ガイドはプリズムおよびその保持材のみから
構成されるため、石英ロンド等の導光体登用いた光ガイ
ドで問題となる導光体の傷、欠陥等における光の散乱に
よる湿度検知の精度低下が起こらない。ウェハからの輻
射光は、第1のプリズム14aで光路を90°曲げウェ
ハの外周部に導きさらに第2のプリズムL 4. bで
90’曲げて。
処理室外部に取り出す。処理室外部に導いた光は、レン
ズ16で集光し、レンズの焦点位t7にitQ INt
l、/た絞り17で視野髪絞った後、flfびIメンズ
1Bで、光フアイバ12先端に集光し、光フアイバ内を
伝送して輻射rtAj「li]17目−導く。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は、本発明を適用した拡散装置の概略図である。
図において、Iけ石英処理室で、その内部に複数枚(例
えば50〜150枚)のウェハ2がボート3に載せられ
ている。ボート3はフォーク4により石英処理室1内に
出し入れする。処理室1内のウェハ2は、処理室夕1に
設置されたヒータ5で加熱する。ヒータと処理室との間
には、均一加熱に好適になるように、壁温分布有一様に
する均熱管6がある(均熱管の無い拡散装置もある)。
処理管内のウェハを酸化、拡散処理する場合には処理ガ
ス人ロアから処理ガスを処理室内に入れる。
10は本発明による光ガイドでボー1−に固定されてお
り、処理室外に出された一端に、Iノンズと絞りを含む
コネクタ11を介して光ファイバ12に接続する。光フ
ァイバの他端は、輻射温度計13に接続されており、ウ
ェハの輻射光は、光ガイドおよび光ファイバを経由して
、輻射温度計に伝λられる(詳細は後で説明する)。輻
射温度計の温度信号は、拡散装置制御部8内で処理され
、ヒータの発熱敏殻決定し、ウェハの温度を制御する。
以−1−の説明では、ボートとウェハが処理室内にある
場合を想定したが、実際には、処理室内にある場合があ
る。この場合には、均熱管壁あるいはその近傍に設置し
た熱電対9の指示値を用いて温度制御を行う(均熱管壁
あるいはその近傍に熱電対を設けることは公知である)
。なお、熱電対の代りに輻射温度計を用いてもよい。
第2図は光ガイドの断面図であり、2個の石英プリズム
14および2本の中空保持管15から構成されている。
石英プリズム14 bは、第1の保持管15aと第2の
保持管1−5 bが90″になるように保持管の端に固
定する。
第3図は、光ガイドとウェハの位置関係を示す概略図で
ある。光ガイドの第2の保持管+5bは、複数枚並べら
れたウェハに沿ってボート3に固定され、第1の保持管
15 aが隣接するウェハのすき量大るように設置する
。第1の保持管の先端に付けられた第1のプリズム14
aは、温度を検知するウェハに対面させる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、処理中のウェハの温度を直接検知し、
その信号を拡散装置制御部にフィードバックすることに
より、ヒータの発熱量製決定するので、ウェハの処理温
度を高精度に制御することが可能になる。さらに、前記
の石英プリズムを用いた光ガイドは、処理室内に入れて
もウェハを汚染することがなく、しかも、光に伝えるの
に石英ロンド等の全反射を利用した導光体を用いていな
いため、導光体の表面の錫や内部欠陥における光の散乱
がないので、処理室内壁からの輻射光がウェハからの信
号光に混入することがなく、ウェハの処理温度を検知す
る場合の精度が向−1ニする。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明を適用した拡散装置の概略図、第2図
は、光ガイドの断面図、第3図は、光ガイドのウェハの
位置関係を示す概略図である。なお第4図は、従来の拡
散装置の温度制御方法を示す概略図である。 1・・・石英処理室、2・・・ウェハ、3・・・ボート
、4・・・フォーク、5・・・ヒータ、6・・・均熱管
、7・・・処理ガス人「1.8・・・拡散装置制御部、
9・・・熱電対、10・・・光ガイド、11・・・コネ
クタ、12・・・光ファイバ、13・・・輻射温度計、
14・・・石英プリズム、15・・・保持管、16・・
・レンズ、17・・・絞り、18・・・レンズ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、石英処理管と、石英処理管内に設置した複数枚のウ
    ェハを石英処理管外から加熱するヒータを有する拡散装
    置において、光を屈曲するためのプリズムおよびその保
    持材から成る光ガイドと、前記光ガイドの一端に設置さ
    れた複数個のレンズおよび絞りと、このレンズ、絞りに
    続けて設置された光ファイバと、光ファイバー端に接続
    した輻射温度計を備え、ウェハの輻射光を前記光ガイド
    を用いて屈曲させて、処理室外へ導き、レンズと絞りを
    用いて光ファイバに入射させ、輻射温度計に伝えること
    により、ウェハ温度を検知して、その温度指示値を基に
    、前記ヒータの発熱量を決定することを特徴とする拡散
    装置温度制御方法。 2、前記光ガイドのプリズムを石英で製作した事を特徴
    とする請求範囲第一項記載の拡散装置温度制御方法。
JP24395285A 1985-11-01 1985-11-01 拡散装置温度制御方法 Pending JPS62105419A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6471119A (en) * 1987-09-11 1989-03-16 Hitachi Ltd Thermal treatment equipment for semiconductor wafer
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