JP4972125B2 - 熱処理装置、ヒータユニットおよび半導体製造方法 - Google Patents
熱処理装置、ヒータユニットおよび半導体製造方法 Download PDFInfo
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バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置(以下、バッチ式熱処理装置という)は、ウエハが搬入される処理室を形成するインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、ヒータユニットによって処理室内が加熱されることにより、ウエハに熱処理が施されるように構成されている。
(1)基板を処理する処理室を形成した処理容器と、
該処理容器の外部に設置され、前記処理室を加熱するヒータ素線および該ヒータ素線の外側に設けられた断熱槽を有し、前記断熱槽に開設された貫通孔を有するヒータユニットと、
前記貫通孔の内部に設けられ、前記ヒータ素線と平行になる平行部を有するエルボ形状に屈曲された保護管と、
前記保護管に挿入され、前記平行部に測温接点が位置する熱電対と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
(2)基板を処理する処理室を形成した処理容器の外部に設置されるヒータユニットであって、
前記処理室を加熱するヒータ素線と、
該ヒータ素線の外側に設けられた断熱槽と、
前記断熱槽に開設された貫通孔と、
前記ヒータ素線と平行になる平行部に測温接点が位置する熱電対を内部に挿入されたエルボ形状に屈曲された保護管を保持した状態で前記貫通孔に着脱可能に構成される断熱ブロックと、
を備えることを特徴とするヒータユニット。
(3)ヒータ素線および該ヒータ素線の外側に設けられた断熱槽を有し、前記断熱槽に開設された貫通孔を有するヒータユニットの内部に設けられた処理室に基板が搬入される工程と、
前記ヒータ素線と平行になる平行部を有するエルボ形状に屈曲された保護管が、前記貫通孔の内部で、断熱ブロックに保持されており、前記保護管に挿入され、前記平行部に測温接点が位置する熱電対によって、前記ヒータ素線の温度が測定され、その測温データに基づいて設定温度に安定させる制御が実行される工程と、
前記処理室に処理ガスが流されて前記基板が処理される工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、
を備えている半導体製造方法。
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る半導体製造装置は、ICの製造方法における熱処理工程を実施するバッチ式熱処理装置(バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置)10として構成されている。
ボート21とシールキャップ20との間には内部に断熱材(図示せず)が封入された断熱キャップ部26が配置されており、断熱キャップ部26はボート21をシールキャップ20の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート21の下端を炉口15の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。
断熱槽31はステンレス鋼等の薄板から円筒形状に形成されたカバーの内部に、繊維状または球状のアルミナやシリカ等の断熱材が使用されてバキュームファーム法の成形型によってプロセスチューブ11の外径よりも大径で長さが同程度の円筒形状に形成されており、バッチ式熱処理装置の筐体2に支持されることによって垂直に据え付けられている。ヒータ素線32は鉄−クロム−アルミニウム合金やモリブデンシリサイド(MoSi2 )等の電気抵抗発熱体が使用されて、発熱面積が大きくなるように波形形状に形成されて短尺の円筒形状に丸められおり、断熱槽31の内周面に垂直方向に互いに平行に配列されて取付具(図示せず)によってそれぞれ吊持されている。
垂直方向に並んだ複数段のヒータ素線32群は上側から順に、第一加熱ゾーン32a、第二加熱ゾーン32b、第三加熱ゾーン32cおよび第四加熱ゾーン32dを構成しており、これら加熱ゾーン32a〜32dは温度コントローラ33によって互いに連携および独立してシーケンス制御されるように構成されている。
各貫通孔34には第一加熱ゾーン32a、第二加熱ゾーン32b、第三加熱ゾーン32cおよび第四加熱ゾーン32dにおけるヒータ素線32の温度をそれぞれ測定する第一熱電対35a、第二熱電対35b、第三熱電対35cおよび第四熱電対35dがそれぞれ挿入されている。以下、区別する必要がない場合には、熱電対35とする。
図2に示されているように、熱電対35は保護管36に挿入されて固定ブロック37によって水平に固定されている。保護管36はアルミナが使用されて貫通孔34よりも若干小径の円筒形状に形成されており、断熱槽31の外部から貫通孔34に挿入されて断熱槽31の外面で据え付けられている。熱電対35は温度コントローラ33に電気的に接続されて、温度計測結果を温度コントローラ33に送信するようになっている。
温度コントローラ33は第一熱電対35a、第二熱電対35b、第三熱電対35cおよび第四熱電対35dからの計測温度に基づいて、第一加熱ゾーン32a、第二加熱ゾーン32b、第三加熱ゾーン32cおよび第四加熱ゾーン32dの各ヒータ素線32をそれぞれフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ33は各加熱ゾーン32a〜32dの目標温度と各熱電対35a〜35dの計測温度との誤差をそれぞれ求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御をそれぞれ実行するようになっている。
なお、被測温部材が、シリコン(Si)を含む材料で形成される場合には、その表面に酸化被膜を生成することで、白金線との反応による低融点化合物を形成し、起電力や機械的強度の低下を抑制することができる。
熱接点38は被測温部材40の一主面に当接されて、アルミナ(セラミック)接着材等の耐熱性を有する接着材からなる接着材層39によって固定されている。熱電対35の熱接点38に固定された被測温部材40は貫通孔34の内部におけるヒータ素線32の真裏に近接する位置に配置されており、被測温部材40は保護管36に被覆されずにヒータ素線32の裏面に直接的に臨んでいる。断熱槽31の貫通孔34に対向する位置にはヒータ素線32の貫通孔34に対向した部分を被覆するカバー41が設置されている。
なお、熱電対の熱接点と被測温部材との固定手段としては、接着法を使用するに限らず、溶接法や圧接法等を使用してもよい。
細長い保護管42には四本の熱電対43a、43b、43c、43dが纏めて封入されており、四本の熱電対43a〜43dの測温接点である熱接点44a〜44dの高さは四箇所の加熱ゾーン32a〜32dの高さにそれぞれ対応するように設定されている。四本の熱電対43a、43b、43cおよび43dは温度コントローラ33にそれぞれ接続されており、各熱電対43a〜43dは温度計測結果を温度コントローラ33にそれぞれ送信するようになっている。
温度コントローラ33は各熱電対43a〜43dからの計測温度に基づいて各加熱ゾーン32a〜32dをフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ33は各加熱ゾーン32a〜32dの目標温度と各熱電対43a〜43dの計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
この際、ヒータ素線32の各加熱ゾーン32a〜32dにおける加熱(出力)による実際の上昇温度と、各加熱ゾーン32a〜32dのシーケンス制御の目標温度(入力)との誤差は、各熱電対(以下、外部熱電対という。)35a〜35dの測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。また、ヒータ素線32の各加熱ゾーン32a〜32dの加熱によるプロセスチューブ11の内部の実際の上昇温度と、各加熱ゾーン32a〜32dのシーケンス制御の目標温度との誤差は、各熱電対(以下、内部熱電対という。)43a〜43dの測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
この際においても、ヒータ素線32の各加熱ゾーン32a〜32dによるプロセスチューブ11の内部の実際の下降温度と、各加熱ゾーン32a〜32dのシーケンス制御の目標温度との誤差は、各外部熱電対35a〜35dおよび各内部熱電対43a〜43dの測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
なお、カバー41は充分な熱容量を有し、カバー41自体が他の加熱ゾーンからの熱輻射によって温度が容易に変化しないか、たとえ変化があっても断熱槽31の温度と同等となるように熱伝導が妨げられない構造に構成することが望ましい。また、カバー41の表面に熱線を反射する反射膜を形成することも好ましい。
ここで、被測温部材40の熱特性はヒータ素線32のそれと同等または近似していることにより、被測温部材40の温度はヒータ素線32の温度変化に良好な応答性をもって追従する。他方、被測温部材40には外部熱電対35の熱接点38が固定されているため、外部熱電対35は被測温部材40の温度変化に良好な応答性をもって追従する。したがって、外部熱電対35は被測温部材40の温度変化を良好な応答性をもって追従することにより、ヒータ素線32の温度変化を良好な応答性をもって追従して計測することになる。つまり、外部熱電対35の測温結果に基づいて各加熱ゾーン32a〜32dをフィードバック制御する温度コントローラ33は、各加熱ゾーン32a〜32dを良好な応答性をもってフィードバック制御することになる。
なお、被測温部材40の熱特性はシリコンや炭化シリコンのそれと同等または近似させてもよい。
断熱槽61はステンレス鋼等の薄板から円筒形状に形成されたカバーの内部に、繊維状または球状のアルミナやシリカ等の断熱材が使用されてバキュームファーム法の成形型によってプロセスチューブ51の外径よりも大径で長さが同程度の角筒形状に形成されている。ヒータ素線62は鉄−クロム−アルミニウム合金やモリブデンシリサイド(MoSi2 )等の電気抵抗発熱体が使用されて、発熱面積が大きくなるように波形形状に形成されて短尺の角筒形状に成形されており、断熱槽61の内周面に敷設されている。
複数のヒータ素線62群は内側から順に、中央加熱ゾーン62a、中間加熱ゾーン62bおよび周辺加熱ゾーン62cを構成しており、これら加熱ゾーン62a〜62cは温度コントローラ63によって互いに連携および独立してシーケンス制御されるように構成されている。
以下、区別する必要がない場合には、熱電対65とする。
温度コントローラ63は中央熱電対65a、中間熱電対65bおよび周辺熱電対65cからの計測温度に基づいて中央加熱ゾーン62a、中間加熱ゾーン62bおよび周辺加熱ゾーン62cの各ヒータ素線62をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ63は各加熱ゾーン62a〜62cの目標温度と各熱電対65a〜65cの計測温度との誤差をそれぞれ求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御をそれぞれ実行するようになっている。
熱電対65の熱電対素線としては白金線と白金・ロジウム線とが使用されている。熱接点68は被測温部材70の一主面に当接されて、アルミナ(セラミック)接着材等の耐熱性を有する接着材からなる接着材層69によって固定されている。熱電対65の熱接点68に固定された被測温部材70は貫通孔64の内部におけるヒータ素線62の真裏に対向する位置には配置されており、被測温部材70は保護管66に被覆されずにヒータ素線62の裏面に直接的に臨んでいる。断熱槽61の貫通孔64に対向する位置にはヒータ素線62の貫通孔64に対向した部分を被覆するカバー71が設置されている。
両端の保護管72a、72bには二本の熱電対73a、73bが一本宛それぞれ封入されており、中央の保護管72cには三本の熱電対73c、73d、73eが纏めて封入されている。五本の熱電対73a、73b、73c、73d、73eは温度コントローラ63にそれぞれ接続されており、各熱電対73a、73b、73c、73d、73eは温度計測結果を温度コントローラ63にそれぞれ送信するようになっている。
温度コントローラ63は各熱電対73a、73b、73c、73d、73eからの計測温度に基づいてヒータユニット60をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ63はヒータ素線62の目標温度と各熱電対73a、73b、73c、73d、73eの計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
この際、温度コントローラ63の目標温度とヒータ素線62の実際の上昇温度との誤差は、断熱槽61に配置された熱電対(以下、外部熱電対という。)65a〜65cの測温結果に基づくフィードバック制御によって補正される。また、ヒータユニット60の加熱による処理室52の内部の実際の上昇温度とヒータユニット60のシーケンス制御の目標温度との誤差は、処理室52に挿入された熱電対(以下、内部熱電対という。)73a、73b、73c、73d、73eの測温結果に基づくフィードバック制御によってそれぞれ補正される。
ここで、被測温部材70の熱特性はヒータ素線62のそれと同等または近似していることにより、被測温部材70の温度はヒータ素線62の温度変化に良好な応答性をもって追従する。他方、被測温部材70には外部熱電対65の熱接点68が固定されているため、外部熱電対65は被測温部材70の温度変化に良好な応答性をもって追従する。したがって、外部熱電対65は被測温部材70の温度変化を良好な応答性をもって追従することにより、ヒータ素線62の温度変化を良好な応答性をもって追従して計測することになる。つまり、外部熱電対65の測温結果に基づいて各加熱ゾーン62a〜62cをフィードバック制御する温度コントローラ63は、各加熱ゾーン62a〜62cを良好な応答性をもってフィードバック制御することになる。外部熱電対65は被測温部材70の近傍に配置した固定ブロック67によって固定されていることにより、被測温部材70の位置ずれを防止することができるので、位置ずれによる測定誤差の発生を防止することができる。
なお、被測温部材70の熱特性はシリコンや炭化シリコンのそれと同等または近似させてもよい。
なお、37Bは不透明保護管36Bを固定する固定パイプである。
なお、モジュール化することにより、着脱が容易となる。このエルボ形保護管36Cは断熱ブロック37Cによって被覆されているので、外部熱電対35の外部への熱の逃げによる温度低下はあるものの被測温部材40とは充分な距離があるので、測温に影響が及ばない。エルボ形保護管36Cのヒータ素線32と平行になる垂直部分は、ヒータ素線32に加熱されるのに充分な長さを有しているために、ヒータ素線32の温度を正確に測定することができる。また、図8に示されているように、先端部のみを透明石英によって形成し、その他の部分を不透明石英としてもよい。また、熱の放出を防止するように不透明石英部にカバーを設置してもよい。
(1)基板を処理する処理室を形成した処理容器と、断熱槽およびヒータ素線を有し前記処理容器の外部に設置され前記処理室を加熱するヒータユニットとを備えている半導体製造装置において、
前記断熱槽における前記ヒータ素線の幅内でかつ外周側には前記ヒータ素線の温度を測定する熱電対の測温接点が位置されていることを特徴とする半導体製造装置。
この半導体製造装置によれば、熱電対の測温接点が断熱槽におけるヒータ素線の幅内でかつ外周側に配置されているために、熱電対は他の加熱ゾーンによる輻射熱の影響を回避することができる。
(2)前記測温接点には、少なくとも前記ヒータ素線の幅内の大きさの被測温部材が固定されていることを特徴とする。
この半導体製造装置によれば、熱電対は被測温部材の温度を測定することにより、ヒータ素線の現在の実際の温度を応答性よく計測することができる。
(3)基板が処理室に搬入される工程と、断熱槽における前記ヒータ素線の幅内でかつ外周側に測温接点が位置する熱電対によって、前記ヒータ素線の温度が測定され、その測温データに基づいて設定温度に安定させる制御が実行される工程と、前記処理室に処理ガスが流されて前記基板が処理される工程と、前記処理室から前記基板を搬出する工程と、を備えている半導体製造方法。
この半導体製造方法によれば、熱電対の測温接点が断熱槽におけるヒータ素線の幅内でかつ外周側に配置されているために、熱電対の測温は他のヒータ素線による輻射熱の影響を回避することができ、かつまた、熱電対は被測温部材の温度を測定することにより、基板の現在の実際の温度を応答性よく計測することができる。したがって、熱電対の測温結果に基づいてヒータ素線をフィードバック制御するコントローラは、基板の現在の実際の温度に基づいてヒータを応答性よくフィードバック制御することができるため、熱処理を適正に実行することができる。
Claims (3)
- 基板を処理する処理室を形成した処理容器と、
該処理容器の外部に設置され、前記処理室を加熱するヒータ素線および該ヒータ素線の外側に設けられた断熱槽を有し、前記断熱槽に開設された貫通孔を有するヒータユニットと、
前記貫通孔の内部に設けられ、前記ヒータ素線と平行になる平行部を有するエルボ形状に屈曲された保護管と、
前記保護管に挿入され、前記平行部に測温接点が位置する熱電対と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 基板を処理する処理室を形成した処理容器の外部に設置されるヒータユニットであって、
前記処理室を加熱するヒータ素線と、
該ヒータ素線の外側に設けられた断熱槽と、
前記断熱槽に開設された貫通孔と、
前記ヒータ素線と平行になる平行部に測温接点が位置する熱電対を内部に挿入されたエルボ形状に屈曲された保護管を保持した状態で前記貫通孔に着脱可能に構成される断熱ブロックと、
を備えることを特徴とするヒータユニット。 - ヒータ素線および該ヒータ素線の外側に設けられた断熱槽を有し、前記断熱槽に開設された貫通孔を有するヒータユニットの内部に設けられた処理室に基板が搬入される工程と、
前記ヒータ素線と平行になる平行部を有するエルボ形状に屈曲された保護管が、前記貫通孔の内部で、断熱ブロックに保持されており、前記保護管に挿入され、前記平行部に測温接点が位置する熱電対によって、前記ヒータ素線の温度が測定され、その測温データに基づいて設定温度に安定させる制御が実行される工程と、
前記処理室に処理ガスが流されて前記基板が処理される工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、
を備えている半導体製造方法。
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