JPH0693440B2 - 急速加熱装置及び方法 - Google Patents
急速加熱装置及び方法Info
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- JPH0693440B2 JPH0693440B2 JP3503582A JP50358291A JPH0693440B2 JP H0693440 B2 JPH0693440 B2 JP H0693440B2 JP 3503582 A JP3503582 A JP 3503582A JP 50358291 A JP50358291 A JP 50358291A JP H0693440 B2 JPH0693440 B2 JP H0693440B2
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
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- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は一般に、急速加熱装置及び基板を加熱するため
の方法に関し、より詳細には、基板加熱の空間制御を有
する装置に関する。
の方法に関し、より詳細には、基板加熱の空間制御を有
する装置に関する。
発明の背景 半導体工業においては、基板の温度サイクルの際、基板
の温度均一性を達成するのが望ましい。温度均一性は、
フィルム蒸着、酸化物生成、エッチングのような温度活
性化工程に対して基板の均一な処理変数（例えば、層
厚、反応度、エッチング深さ）を提供する。さらに、基
板の温度均一性は、ワーペイジや欠陥の生成、スリップ
のような、熱応力を受けるウェーハの損傷を回避する必
要がある。
の温度均一性を達成するのが望ましい。温度均一性は、
フィルム蒸着、酸化物生成、エッチングのような温度活
性化工程に対して基板の均一な処理変数（例えば、層
厚、反応度、エッチング深さ）を提供する。さらに、基
板の温度均一性は、ワーペイジや欠陥の生成、スリップ
のような、熱応力を受けるウェーハの損傷を回避する必
要がある。
第１図は、室12内に配置されたウェーハ11が複数のラン
プ13からの輻射によって加熱される、従来技術のフルー
ド型の急速加熱装置を概略的に示している。この型の加
熱装置は、温度の完全な空間制御を提供しない。主要な
問題点は、ウェーハ上の異なる領域が異なるエネルギ吸
収、即ち放射率特性を有することである。例えば、熱的
に隔離されたウェーハを10〜300℃／秒程度で熱を照射
する急速熱処理サイクルの際、（ウェーハに均一な照射
を仮定する）フルード加熱源を使用してウェーハを加熱
する場合には、縁部は中央部とは異なる温度を維持す
る。何故ならば、縁部がより広範囲から放射エネルギを
受け入れ或いはより広範囲にエネルギを放出するからで
ある。
プ13からの輻射によって加熱される、従来技術のフルー
ド型の急速加熱装置を概略的に示している。この型の加
熱装置は、温度の完全な空間制御を提供しない。主要な
問題点は、ウェーハ上の異なる領域が異なるエネルギ吸
収、即ち放射率特性を有することである。例えば、熱的
に隔離されたウェーハを10〜300℃／秒程度で熱を照射
する急速熱処理サイクルの際、（ウェーハに均一な照射
を仮定する）フルード加熱源を使用してウェーハを加熱
する場合には、縁部は中央部とは異なる温度を維持す
る。何故ならば、縁部がより広範囲から放射エネルギを
受け入れ或いはより広範囲にエネルギを放出するからで
ある。
第２図は、フルード型の加熱源について、ウェーハの中
央部及び縁部での温度を時間の関数として示したもので
ある。加熱サイクルの温度上昇部の際は、縁部は中央部
よりも温度が高く、温度安定状態及び温度下降部の際
は、縁部は中央部よりも温度が低い。縁部と中央部との
温度のかかる相違は、ウェーハに半径方向の応力を生じ
させ、かかる半径方向の応力は、十分に大きい場合に
は、ウェーハを損傷させ、多くの処理（特に、ウェーハ
の機械的強度がかなり減少する高温処理）において、許
容できる程度ではなくなる。例えば、1150℃において、
４インチのシリコンウェーハでの中央部と縁部の約５℃
の温度差は、転位の形成及びスリップを引き起こす。タ
ングステンハロゲンランプ列又は単一のアークランプの
ような、いくつかの普通のフルード型の加熱源を変形し
て、例えば温度上昇の際、１つのサインの中央部対縁部
の温度差を補整することができる。シェーディング又は
リフレクタを使用して、ウェーハの縁部よりも中央部に
より多くの光エネルギを提供することができるが、かか
る加熱源は、熱サイクルの全ての部分において温度均一
性を提供することは不可能である。
央部及び縁部での温度を時間の関数として示したもので
ある。加熱サイクルの温度上昇部の際は、縁部は中央部
よりも温度が高く、温度安定状態及び温度下降部の際
は、縁部は中央部よりも温度が低い。縁部と中央部との
温度のかかる相違は、ウェーハに半径方向の応力を生じ
させ、かかる半径方向の応力は、十分に大きい場合に
は、ウェーハを損傷させ、多くの処理（特に、ウェーハ
の機械的強度がかなり減少する高温処理）において、許
容できる程度ではなくなる。例えば、1150℃において、
４インチのシリコンウェーハでの中央部と縁部の約５℃
の温度差は、転位の形成及びスリップを引き起こす。タ
ングステンハロゲンランプ列又は単一のアークランプの
ような、いくつかの普通のフルード型の加熱源を変形し
て、例えば温度上昇の際、１つのサインの中央部対縁部
の温度差を補整することができる。シェーディング又は
リフレクタを使用して、ウェーハの縁部よりも中央部に
より多くの光エネルギを提供することができるが、かか
る加熱源は、熱サイクルの全ての部分において温度均一
性を提供することは不可能である。
また、他の加熱源によって温度勾配を生じさせることも
できる。例えばウェーハは、ウェーハの表面積又は容積
の空間的な修正のため、非均一な放射率を有する。これ
らの修正は、フォトリトグラフィ又はバイポーラトラン
ジスタの層のような局所的にドープされた領域によって
かたどられたフィルムを有する。さらに、局部的な冷却
及び加熱作用、並びに、処理の際に基板面に引き起こさ
れる吸熱又は発熱反応によって、温度勾配を生ずること
がある。
できる。例えばウェーハは、ウェーハの表面積又は容積
の空間的な修正のため、非均一な放射率を有する。これ
らの修正は、フォトリトグラフィ又はバイポーラトラン
ジスタの層のような局所的にドープされた領域によって
かたどられたフィルムを有する。さらに、局部的な冷却
及び加熱作用、並びに、処理の際に基板面に引き起こさ
れる吸熱又は発熱反応によって、温度勾配を生ずること
がある。
発明の目的及び要約 本発明の一般的な目的は、半導体ウェーハ又は基板を急
速加熱処理するための改良された加熱源を提供すること
にある。
速加熱処理するための改良された加熱源を提供すること
にある。
本発明の別の目的は、基板に加えられる加熱エネルギの
空間的な制御を可能にする加熱源を提供することにあ
る。
空間的な制御を可能にする加熱源を提供することにあ
る。
本発明の別の目的は、ウェーハ又は基板に加えられた熱
を空間的に制御して、ウェーハが熱エネルギを放出し又
は吸収することができる局部的な変化にもかかわらず、
温度均一性を維持することができる加熱源を提供するこ
とを目的とする。
を空間的に制御して、ウェーハが熱エネルギを放出し又
は吸収することができる局部的な変化にもかかわらず、
温度均一性を維持することができる加熱源を提供するこ
とを目的とする。
本発明の別の目的は、基板又はウェーハの所定の重なり
領域にエネルギを提供する、複数の独立の制御された加
熱源を提供することを目的とする。
領域にエネルギを提供する、複数の独立の制御された加
熱源を提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、基板又はウェーハの所定領域にエ
ネルギを各々提供する複数の独立の制御された加熱源
と、加えられるエネルギの制御がウェーハの均一な温度
を維持することができるように前記領域の温度を検知す
るためのセンサとを有する加熱源を提供することを目的
とする。
ネルギを各々提供する複数の独立の制御された加熱源
と、加えられるエネルギの制御がウェーハの均一な温度
を維持することができるように前記領域の温度を検知す
るためのセンサとを有する加熱源を提供することを目的
とする。
本発明の別の目的は、エネルギ源からのエネルギをウェ
ーハ又は基板の所定の重なり領域に差し向ける、複数の
光ガイドを有する加熱源を提供することを目的とする。
ーハ又は基板の所定の重なり領域に差し向ける、複数の
光ガイドを有する加熱源を提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、改良された光ガイド源および処理
室窓組立体を提供することを目的とする。
室窓組立体を提供することを目的とする。
本発明の上述の、並びにその他の目的は、基板の所定領
域を輻射するように各々作用する複数の輻射エネルギ源
と、隣接する源の輻射された領域の一部が重なり合い、
かつ、該一部で異なる源からのエネルギ強度が加算され
るように、輻射エネルギ源を互いに隣接して取付けるた
めの手段と、輻射エネルギ源の各々の強度を制御するた
めの手段とを有し、これにより、ウェーハ又は基板の異
なる領域で輻射強度を制御する加熱源によって達成され
る。
域を輻射するように各々作用する複数の輻射エネルギ源
と、隣接する源の輻射された領域の一部が重なり合い、
かつ、該一部で異なる源からのエネルギ強度が加算され
るように、輻射エネルギ源を互いに隣接して取付けるた
めの手段と、輻射エネルギ源の各々の強度を制御するた
めの手段とを有し、これにより、ウェーハ又は基板の異
なる領域で輻射強度を制御する加熱源によって達成され
る。
より詳細には、本発明は、互いに隣接して取付けられて
いる光ガイドと各々関連した複数の輻射エネルギ源を有
しており、該光ガイドは、基板の所定領域に相対輻射強
度のパターンで輻射するため、関連した源から基板の方
へ輻射エネルギを差し向けるように作用する。光ガイド
は、隣接する光ガイドの輻射された領域の一部が重なり
合うように間隔を隔てられており、前記一部での輻射強
度は、輻射エネルギ源の組み合わせの強度に依存するウ
ェーハの相対強度を提供するように加算される。
いる光ガイドと各々関連した複数の輻射エネルギ源を有
しており、該光ガイドは、基板の所定領域に相対輻射強
度のパターンで輻射するため、関連した源から基板の方
へ輻射エネルギを差し向けるように作用する。光ガイド
は、隣接する光ガイドの輻射された領域の一部が重なり
合うように間隔を隔てられており、前記一部での輻射強
度は、輻射エネルギ源の組み合わせの強度に依存するウ
ェーハの相対強度を提供するように加算される。
図面の簡単な説明 第１図は、従来技術の急速加熱源の概略図である。第２
図は、ウェーハがフルード型の加熱源によって輻射され
たとき、ウェーハの中央部と縁部の温度を時間の関数と
して示したグラフである。第３図は、本発明の一実施例
の急速加熱装置の、第４図の線３−３における横断面図
である。第４図は、本発明の急速加熱装置の、第３図の
線４−４における断面図である。第５図は、本発明によ
る光ガイド及び温度検知管を示す拡大図である。第６図
は、第３図に示した真空窓の一部の拡大図である。第７
図は、２種類の表面仕上げに対する、光ガイドからの相
対的な輻射強度を距離の関数として示したグラフであ
る。第８図は、輻射を、入射及び反射エネルギの波長の
関数として示した曲線である。第９図は、処理すべきウ
ェーハの前部を観察する赤外線カメラを有する急速加熱
装置の概略図である。第10図は、本発明の急速加熱装置
を制御するのに使用される代表的な制御回路の概略図で
ある。
図は、ウェーハがフルード型の加熱源によって輻射され
たとき、ウェーハの中央部と縁部の温度を時間の関数と
して示したグラフである。第３図は、本発明の一実施例
の急速加熱装置の、第４図の線３−３における横断面図
である。第４図は、本発明の急速加熱装置の、第３図の
線４−４における断面図である。第５図は、本発明によ
る光ガイド及び温度検知管を示す拡大図である。第６図
は、第３図に示した真空窓の一部の拡大図である。第７
図は、２種類の表面仕上げに対する、光ガイドからの相
対的な輻射強度を距離の関数として示したグラフであ
る。第８図は、輻射を、入射及び反射エネルギの波長の
関数として示した曲線である。第９図は、処理すべきウ
ェーハの前部を観察する赤外線カメラを有する急速加熱
装置の概略図である。第10図は、本発明の急速加熱装置
を制御するのに使用される代表的な制御回路の概略図で
ある。
好適な実施例の説明 第３図及び第４図を参照すると、本発明の装置は、排気
された処理室13と関連するものとして示されている。室
の壁は、参照符号14で示されている。装置は室の上壁を
形成しており、窓組立体17と協同するＯリング16によっ
て上壁に密封されている。輻射エネルギ光ガイド組立体
18が、窓17の上に位置するものとして示されている。輻
射エネルギ組立体は、複数のタングステンハロゲンラン
プ19（例えばシルバニアEYTランプ）を有しており、こ
れらのランプは、ステンレス鋼や真鍮、アルミニウム等
の材料で作られた光ガイド21の内側に各々取付けられて
いる。円筒形壁24が壁22、23の周縁に溶接付けされてお
り、壁22、23とともに冷却室26を構成する。水のような
冷却液が入口27から室に導入され、出口28から除去され
る。特に第４図を参照すると、流体は種々の光ガイド間
の空隙を移動し、光ガイドを冷却するのに役立つ。室内
を流体が適当に流れるように、バッフル29を設けても良
い。
された処理室13と関連するものとして示されている。室
の壁は、参照符号14で示されている。装置は室の上壁を
形成しており、窓組立体17と協同するＯリング16によっ
て上壁に密封されている。輻射エネルギ光ガイド組立体
18が、窓17の上に位置するものとして示されている。輻
射エネルギ組立体は、複数のタングステンハロゲンラン
プ19（例えばシルバニアEYTランプ）を有しており、こ
れらのランプは、ステンレス鋼や真鍮、アルミニウム等
の材料で作られた光ガイド21の内側に各々取付けられて
いる。円筒形壁24が壁22、23の周縁に溶接付けされてお
り、壁22、23とともに冷却室26を構成する。水のような
冷却液が入口27から室に導入され、出口28から除去され
る。特に第４図を参照すると、流体は種々の光ガイド間
の空隙を移動し、光ガイドを冷却するのに役立つ。室内
を流体が適当に流れるように、バッフル29を設けても良
い。
ランプ19は、軸線がランプ包囲体の軸線と平行になるよ
うにコイル状に巻かれたフィラメントを有する。光の大
部分は、周囲の光ガイドの壁の方へこの軸線と直交方向
に放出される。第５図では、光ガイド21のランプ19の好
適な組立体が示されている。上部のステンレス鋼のスリ
ーブ31が光ガイド内に配置されており、下部のステンレ
ス鋼のスリーブ32も光ガイド内に配置されている。スリ
ーブ32の内面は、表面が酸化しないように、かつ、高反
射率を維持するように、金めっきされている。ステンレ
ス鋼のスリーブに直接金めっきし、そしてスリーブをラ
ンプからの輻射によって加熱したときには、金はステン
レス鋼を散乱させて、反射率を幾分損なう。この問題
は、ステンレス鋼と金との間にニッケルの散乱バリヤを
使用することによって解決される。非電着性金属析出の
ニッケルめっき技術を使用してニッケルバリヤを設け、
次いで金めっきによって高純度の金を付けた。
うにコイル状に巻かれたフィラメントを有する。光の大
部分は、周囲の光ガイドの壁の方へこの軸線と直交方向
に放出される。第５図では、光ガイド21のランプ19の好
適な組立体が示されている。上部のステンレス鋼のスリ
ーブ31が光ガイド内に配置されており、下部のステンレ
ス鋼のスリーブ32も光ガイド内に配置されている。スリ
ーブ32の内面は、表面が酸化しないように、かつ、高反
射率を維持するように、金めっきされている。ステンレ
ス鋼のスリーブに直接金めっきし、そしてスリーブをラ
ンプからの輻射によって加熱したときには、金はステン
レス鋼を散乱させて、反射率を幾分損なう。この問題
は、ステンレス鋼と金との間にニッケルの散乱バリヤを
使用することによって解決される。非電着性金属析出の
ニッケルめっき技術を使用してニッケルバリヤを設け、
次いで金めっきによって高純度の金を付けた。
ランプからの輻射エネルギの略半分が、多くの反射の
後、関連した光ガイドの端から出る。他の半分は、ラン
プの底部で吸収される。このことは、開放空間に放射す
るランプと比較して、ランプの底部をより高温にさせ
る。底部が高温になりすぎると、ランプの平均寿命はか
なり減少する。ランプのかかる性能低下は、フィラメン
トに電気エネルギを運ぶモリブデン板のまわりのシール
を破損することによって引き起こされる。約300℃以上
では、モリブデンは容易に酸化され、その結果得られた
酸化モリブデンは体積膨張を引き起こし、かかる体積膨
張は石英を破壊し回路の開放の原因となる。かくして、
ランプ底部を冷却するための手段を提供することが必要
であった。スリーブ31とランプ底部34との間に、適所で
容易に溶融することができるはんだ合金36のような金属
を配置することによって、金属から周囲のステンレス鋼
壁31への良好な熱伝達が得られる。このことは、ランプ
底部34が許容可能な温度で作動するのを可能にする。か
かるはんだ付けは、まずセラミックのポッティング混合
物37を置いてダムを形成し、次いでランプ底部34とステ
ンレス鋼壁31との間の空隙に金属を付けることによって
実施される。次いで、組立体にはセラミックのポッティ
ング混合物38が嵌め込まれる。
後、関連した光ガイドの端から出る。他の半分は、ラン
プの底部で吸収される。このことは、開放空間に放射す
るランプと比較して、ランプの底部をより高温にさせ
る。底部が高温になりすぎると、ランプの平均寿命はか
なり減少する。ランプのかかる性能低下は、フィラメン
トに電気エネルギを運ぶモリブデン板のまわりのシール
を破損することによって引き起こされる。約300℃以上
では、モリブデンは容易に酸化され、その結果得られた
酸化モリブデンは体積膨張を引き起こし、かかる体積膨
張は石英を破壊し回路の開放の原因となる。かくして、
ランプ底部を冷却するための手段を提供することが必要
であった。スリーブ31とランプ底部34との間に、適所で
容易に溶融することができるはんだ合金36のような金属
を配置することによって、金属から周囲のステンレス鋼
壁31への良好な熱伝達が得られる。このことは、ランプ
底部34が許容可能な温度で作動するのを可能にする。か
かるはんだ付けは、まずセラミックのポッティング混合
物37を置いてダムを形成し、次いでランプ底部34とステ
ンレス鋼壁31との間の空隙に金属を付けることによって
実施される。次いで、組立体にはセラミックのポッティ
ング混合物38が嵌め込まれる。
包囲体の温度が550℃以上に上昇したとき、第２のラン
プ破損機構が発生する。この温度で、石英包囲体は、包
囲体内部のガス種と反応し始める。さらに、包囲体は、
バルーン又はブリスタに十分な程軟化する。何故なら
ば、タングステンハロゲン電球が極めて高いガス圧力で
作動するからである。この問題は、電球包囲体と金めっ
き反射スリーブ32との間に正確な接地石英スリーブ39を
挿入して空気よりも良好な熱伝導路を形成することによ
って、軽減される。
プ破損機構が発生する。この温度で、石英包囲体は、包
囲体内部のガス種と反応し始める。さらに、包囲体は、
バルーン又はブリスタに十分な程軟化する。何故なら
ば、タングステンハロゲン電球が極めて高いガス圧力で
作動するからである。この問題は、電球包囲体と金めっ
き反射スリーブ32との間に正確な接地石英スリーブ39を
挿入して空気よりも良好な熱伝導路を形成することによ
って、軽減される。
また、定格電圧以下の電圧でランプを作動させることに
よって、ランプの寿命延ばすことができる。何故なら
ば、一般的に寿命が印加された電圧に指数的に依存する
からである。かくして、電圧を下げることによって、寿
命を大幅に増大させることができる。
よって、ランプの寿命延ばすことができる。何故なら
ば、一般的に寿命が印加された電圧に指数的に依存する
からである。かくして、電圧を下げることによって、寿
命を大幅に増大させることができる。
光ガイドの長さは、関連したランプの長さと少なくとも
同じであるように選定される。ウェーハに到達する電力
が増加した反射によって実質的に弱められない場合に
は、より長くしても良い。第７図は、円筒形ガイドにつ
いて、磨かれた面が、サイドブラスト仕上げの管よりも
より焦点の合った形体となることを示す。第７図の強度
スキャンは、光ガイドの端部にモニタを走査することに
よって得られた。かくして、輻射の領域及び強度パター
ンを、表面仕上げの制御によって制御することができ
る。
同じであるように選定される。ウェーハに到達する電力
が増加した反射によって実質的に弱められない場合に
は、より長くしても良い。第７図は、円筒形ガイドにつ
いて、磨かれた面が、サイドブラスト仕上げの管よりも
より焦点の合った形体となることを示す。第７図の強度
スキャンは、光ガイドの端部にモニタを走査することに
よって得られた。かくして、輻射の領域及び強度パター
ンを、表面仕上げの制御によって制御することができ
る。
均一な照度即ち所望の空間形体を得るように、ガイドの
形体、横断面形状、長さ、空間レイアウト及び仕上げを
実験的に最適にすることができる。これは、単一のラン
プ光ガイドの空間強度形体を測定し、次いでコンピュー
タを使用して線形重ね合わせによって多数のランプ光ガ
イドの強度形体を総計することによって得られる。かく
して、光ガイドの金スリーブ仕上げやランプ間隔、形状
のような重要なパラメータを制御して隣接する光ガイド
からの輻射の重複を調整することによって、均一な強度
形体を達成することができ、この均一な強度形体は、個
々のランプへのランプ電力を制御して動的温度均一性、
即ち改良した定常状態均一性を得ることによって調整す
ることができる。
形体、横断面形状、長さ、空間レイアウト及び仕上げを
実験的に最適にすることができる。これは、単一のラン
プ光ガイドの空間強度形体を測定し、次いでコンピュー
タを使用して線形重ね合わせによって多数のランプ光ガ
イドの強度形体を総計することによって得られる。かく
して、光ガイドの金スリーブ仕上げやランプ間隔、形状
のような重要なパラメータを制御して隣接する光ガイド
からの輻射の重複を調整することによって、均一な強度
形体を達成することができ、この均一な強度形体は、個
々のランプへのランプ電力を制御して動的温度均一性、
即ち改良した定常状態均一性を得ることによって調整す
ることができる。
複数の光ガイド及び関連したランプからなる輻射エネル
ギ源18により、薄い石英窓を使用すると、排気された処
理室内で基板を加熱するための光学ポートとなる。普通
の真空照射及び加熱システムは、大気圧に耐えるため比
較的厚い石英窓を必要としている。窓は、熱い基板から
の、或いは加熱源自体からの赤外線光を吸収することに
よって極めて熱くなる。熱い石英窓は、真空処理室にと
って幾つかの欠点を有する。窓の密封材料は分解するこ
とがある。基板の冷却速度は減少し、かくして、処理機
械のスループット即ち生産性を減少させる。反応ガスが
熱分解して窓を覆い、これにより、窓の透過性状を減少
させ非均一にする。熱い石英窓は、光学的高温計を使用
してウェーハ温度を検出するのに使用されるスペクトル
の領域において、黒体輻射を放出する。かかる干渉は、
正確なウェーハ温度の測定の複雑さを増大させる。
ギ源18により、薄い石英窓を使用すると、排気された処
理室内で基板を加熱するための光学ポートとなる。普通
の真空照射及び加熱システムは、大気圧に耐えるため比
較的厚い石英窓を必要としている。窓は、熱い基板から
の、或いは加熱源自体からの赤外線光を吸収することに
よって極めて熱くなる。熱い石英窓は、真空処理室にと
って幾つかの欠点を有する。窓の密封材料は分解するこ
とがある。基板の冷却速度は減少し、かくして、処理機
械のスループット即ち生産性を減少させる。反応ガスが
熱分解して窓を覆い、これにより、窓の透過性状を減少
させ非均一にする。熱い石英窓は、光学的高温計を使用
してウェーハ温度を検出するのに使用されるスペクトル
の領域において、黒体輻射を放出する。かかる干渉は、
正確なウェーハ温度の測定の複雑さを増大させる。
本発明の好適な実施例によれば、第６図により詳細に示
した水冷石英窓組立体17が使用される。窓組立体は短い
光ガイド41を有しており、これらの光ガイドは、外縁が
壁44に密封された上部及び下部フランジ板42、43にはん
だ付けされている。冷却水は光ガイド間の空隙46に注入
され、光ガイド及びフランジを冷却するのに役立つ。光
ガイドは、反射器の光ガイド21と位置合わせされてい
る。ランプハウジングと位置合わせされた光ガイドパタ
ーンをもつ水冷フランジは、２つの石英板47、48との間
に挟まれている。これらの板は、フランジの周囲の近く
でＯリング49、51によってフランジに密封されている。
上部及び下部フランジ板42、43は、光ガイド間を連通さ
せる溝52を有する。フランジ面の微小凹部即ち溝によっ
て管の残部に連結されている光ガイドの１つに接続され
た管53を通して圧送することによって、管に真空が引か
れる。かくして、この挿入構造体が真空室に配置される
とき、金属（代表的には、良好な機械的強度を有するス
テンレス鋼）のフランジは、良好な構造支持体となる。
真空室を実際に密封している下部石英窓は、各々の側が
真空であるので、殆ど或いは全く差圧を受けず、かくし
て、石英窓を極めて薄くすることができる。
した水冷石英窓組立体17が使用される。窓組立体は短い
光ガイド41を有しており、これらの光ガイドは、外縁が
壁44に密封された上部及び下部フランジ板42、43にはん
だ付けされている。冷却水は光ガイド間の空隙46に注入
され、光ガイド及びフランジを冷却するのに役立つ。光
ガイドは、反射器の光ガイド21と位置合わせされてい
る。ランプハウジングと位置合わせされた光ガイドパタ
ーンをもつ水冷フランジは、２つの石英板47、48との間
に挟まれている。これらの板は、フランジの周囲の近く
でＯリング49、51によってフランジに密封されている。
上部及び下部フランジ板42、43は、光ガイド間を連通さ
せる溝52を有する。フランジ面の微小凹部即ち溝によっ
て管の残部に連結されている光ガイドの１つに接続され
た管53を通して圧送することによって、管に真空が引か
れる。かくして、この挿入構造体が真空室に配置される
とき、金属（代表的には、良好な機械的強度を有するス
テンレス鋼）のフランジは、良好な構造支持体となる。
真空室を実際に密封している下部石英窓は、各々の側が
真空であるので、殆ど或いは全く差圧を受けず、かくし
て、石英窓を極めて薄くすることができる。
アダプタ板の方式により、石英窓を清掃又は分解のため
容易に交換することができる。さらに、アダプタ板の石
英窓間の真空は、毒性ガスが反応室から漏洩しないよう
に、特別な保護を提供する。この真空の圧力の変化は、
窓の破壊を検出するのに使用される。一旦検出される
と、安全な係止信号が反応器をパージし安全状態に戻
す。
容易に交換することができる。さらに、アダプタ板の石
英窓間の真空は、毒性ガスが反応室から漏洩しないよう
に、特別な保護を提供する。この真空の圧力の変化は、
窓の破壊を検出するのに使用される。一旦検出される
と、安全な係止信号が反応器をパージし安全状態に戻
す。
ランプの輻射強度を調整するために、基板又はウェーハ
の温度を測定することが必要である。ウェーハの温度分
布は、熱電対を使用して監視することができる。しかし
ながら、多くの熱電対をウェーハに取付け、良好な空間
分解能をもつ温度均一データを得るのは困難である。さ
らに、熱電対自体がウェーハの局部的な加熱及び冷却を
変え、間違った温度測定値を与えることがある。熱電対
を取付ける技術は、ウェーハを実際に処理するときには
使用することができず、かくして、設備を設置し校正す
るのに有用なだけである。
の温度を測定することが必要である。ウェーハの温度分
布は、熱電対を使用して監視することができる。しかし
ながら、多くの熱電対をウェーハに取付け、良好な空間
分解能をもつ温度均一データを得るのは困難である。さ
らに、熱電対自体がウェーハの局部的な加熱及び冷却を
変え、間違った温度測定値を与えることがある。熱電対
を取付ける技術は、ウェーハを実際に処理するときには
使用することができず、かくして、設備を設置し校正す
るのに有用なだけである。
別の技術は、ウェーハの前面及び後面に焦点を合わせる
ことができるAgemaによって作られるカメラのような赤
外線カメラを使用することである。第９図を参照する
と、カメラ51は、照射器18によって照射されるウェーハ
52の背面を見るものとして示されている。カメラは、ウ
ェーハによって放出される８〜12μｍの波長領域の輻射
を検出する。加熱源からの光は検出されない。何故なら
ば、波長が約４μｍ以上の光は全て石英窓によって吸収
されるからである。赤外線カメラは、6in（152.4mm）径
のウェーハについて1inの1/10（0.254mm）以上の空間分
解能で、1200℃までの温度に対して３℃以下の差を検出
することができる。さらに、ウェーハの温度の色付きマ
ップを毎秒何回もの速度で記憶し、かくして、急速な熱
上昇の際、ウェーハの温度均一性を監視することができ
る。カメラの使用については、個々のランプに各々加え
られる電力を手動調節しさえすれば、温度均一性を得る
ことが可能である。或いは、カメラは、輻射パターンを
検出し、かつ、電球の各々に対してシリコン制御された
整流器又は他の電力供給部を制御してウェーハの正確な
温度均一性を維持するコンピュータにビデオ入力を供給
する光学的ピックアップと関連してもよい。
ことができるAgemaによって作られるカメラのような赤
外線カメラを使用することである。第９図を参照する
と、カメラ51は、照射器18によって照射されるウェーハ
52の背面を見るものとして示されている。カメラは、ウ
ェーハによって放出される８〜12μｍの波長領域の輻射
を検出する。加熱源からの光は検出されない。何故なら
ば、波長が約４μｍ以上の光は全て石英窓によって吸収
されるからである。赤外線カメラは、6in（152.4mm）径
のウェーハについて1inの1/10（0.254mm）以上の空間分
解能で、1200℃までの温度に対して３℃以下の差を検出
することができる。さらに、ウェーハの温度の色付きマ
ップを毎秒何回もの速度で記憶し、かくして、急速な熱
上昇の際、ウェーハの温度均一性を監視することができ
る。カメラの使用については、個々のランプに各々加え
られる電力を手動調節しさえすれば、温度均一性を得る
ことが可能である。或いは、カメラは、輻射パターンを
検出し、かつ、電球の各々に対してシリコン制御された
整流器又は他の電力供給部を制御してウェーハの正確な
温度均一性を維持するコンピュータにビデオ入力を供給
する光学的ピックアップと関連してもよい。
しかしながら、市販の機械では、高価すぎて各反応器に
別々の赤外線カメラを使用することはできない。何故な
らば、赤外線カメラの価格が高く、また多くの場合、ガ
スインジェクタや他の処理機械がウェーハの視界をぼか
すからである。かくして、照射された側からウェーハの
温度を測定するのが望ましい。
別々の赤外線カメラを使用することはできない。何故な
らば、赤外線カメラの価格が高く、また多くの場合、ガ
スインジェクタや他の処理機械がウェーハの視界をぼか
すからである。かくして、照射された側からウェーハの
温度を測定するのが望ましい。
本発明の別の特徴によれば、光ガイド間の空隙には、ウ
ェーハから出る光が光学的高温計又は整流器に到達する
路を形成する小さな中空管58が設けられている。
ェーハから出る光が光学的高温計又は整流器に到達する
路を形成する小さな中空管58が設けられている。
次に第５図を参照すると、高温計又は整流器56は、上部
フランジ22と下部フランジ23との間に延びた光ガイド58
に連結されたアダプタ57と協同するものとして示されて
いる。フィルタ59が高温計の前に挿入されており、石英
窓によって通過される波長領域外である4.8〜5.2μｍの
波長領域の赤外線を通過するように選定される。かくし
て、ランプからの光は、整流器によって検出されるウェ
ーハからの輻射と干渉しない。
フランジ22と下部フランジ23との間に延びた光ガイド58
に連結されたアダプタ57と協同するものとして示されて
いる。フィルタ59が高温計の前に挿入されており、石英
窓によって通過される波長領域外である4.8〜5.2μｍの
波長領域の赤外線を通過するように選定される。かくし
て、ランプからの光は、整流器によって検出されるウェ
ーハからの輻射と干渉しない。
窓組立体では、光ガイド58に隣接した石英窓47、48は、
切り欠かれており、そして約6.5μｍ外の波長の光を伝
達するサファイア窓61を備えたものとして示されてい
る。かくして、ウェーハからの光は、サファイア窓から
フィルタ59を介して光ガイド58まで、そして整流器56へ
通り、この整流器56は、光ガイドの観測場の範囲内にお
いてウェーハの表面温度を表す出力信号を出す。
切り欠かれており、そして約6.5μｍ外の波長の光を伝
達するサファイア窓61を備えたものとして示されてい
る。かくして、ウェーハからの光は、サファイア窓から
フィルタ59を介して光ガイド58まで、そして整流器56へ
通り、この整流器56は、光ガイドの観測場の範囲内にお
いてウェーハの表面温度を表す出力信号を出す。
第８図を参照すると、ランプ及びウェーハの輻射波長
は、注釈付きの曲線によって示されている。フィルタ59
の帯域は、石英のカットオフ波長とサファイアのカット
オフ波長との間の窓部60によって示されている。エネル
ギは主としてウェーハのエネルギであることが分かる。
は、注釈付きの曲線によって示されている。フィルタ59
の帯域は、石英のカットオフ波長とサファイアのカット
オフ波長との間の窓部60によって示されている。エネル
ギは主としてウェーハのエネルギであることが分かる。
光ガイドの寸法は代表的には、直径が0.15in（3.81m
m）、長さが5in（127mm）である。この形体は、高温計
によって調べられたウェーハの領域が小さくなるように
する。何故ならば、このような光ガイドの許容角度が小
さいからである。多くの高温計を使用してウェーハの多
くの領域を調べることができる。
m）、長さが5in（127mm）である。この形体は、高温計
によって調べられたウェーハの領域が小さくなるように
する。何故ならば、このような光ガイドの許容角度が小
さいからである。多くの高温計を使用してウェーハの多
くの領域を調べることができる。
適当な調整されたソフトウェアを使用して、各高温計に
接近したランプ群への電力は、局所的な領域に加えられ
るエネルギを制御するように調節される。この技術を使
用して、動的なウェーハ温度均一性は、自動化される。
かくして、基板の温度は、時間と位置の関数として制御
される。所望の温度対時間の関係が制御コンピュータに
入力され、多数の高温計のフィードバックループが、ウ
ェーハ温度が均一であり熱サイクル全体にわたって維持
されることを確実にする。かかる技術の一層の利点は、
処理室の光学的性質の変化又は前の熱履歴にもかかわら
ず、温度均一性を達成することができ、かくして、通常
使用時に多くの反応器にとって問題となる室のメモリ効
果を除去することである。高温計とランプとの組み合わ
せは、ウェーハを回転させることによって単純化され
る。何故ならば、ランプを半径に応じて高温計の制御ル
ープを選定することができるからである。このことは、
必要とされる高温計及び制御ループの数を著しく減少さ
せる。また、ウェーハの回転は、ウェーハ表面へのガス
注入及び質量搬送のような他の処理パラメータの均一性
を向上させる。
接近したランプ群への電力は、局所的な領域に加えられ
るエネルギを制御するように調節される。この技術を使
用して、動的なウェーハ温度均一性は、自動化される。
かくして、基板の温度は、時間と位置の関数として制御
される。所望の温度対時間の関係が制御コンピュータに
入力され、多数の高温計のフィードバックループが、ウ
ェーハ温度が均一であり熱サイクル全体にわたって維持
されることを確実にする。かかる技術の一層の利点は、
処理室の光学的性質の変化又は前の熱履歴にもかかわら
ず、温度均一性を達成することができ、かくして、通常
使用時に多くの反応器にとって問題となる室のメモリ効
果を除去することである。高温計とランプとの組み合わ
せは、ウェーハを回転させることによって単純化され
る。何故ならば、ランプを半径に応じて高温計の制御ル
ープを選定することができるからである。このことは、
必要とされる高温計及び制御ループの数を著しく減少さ
せる。また、ウェーハの回転は、ウェーハ表面へのガス
注入及び質量搬送のような他の処理パラメータの均一性
を向上させる。
第３図を参照すると、ウェーハ61は、支持管63に取付け
られた間隔を隔てた支持フィンガ62によって、縁部が支
持されている。支持管63は、ベアリング組立体64によっ
て室14の壁から回転可能に支持されている。磁石66は、
支持体に取付けられている。磁石の磁場は壁14に及んで
おり、適当に駆動される駆動リング（図示せず）に取付
けられた磁石67に接続されている。リングの回転は、ウ
ェーハ支持管及びウェーハを回転させる。磁石接合は、
精巧な真空密封組立体の必要性を除去する。
られた間隔を隔てた支持フィンガ62によって、縁部が支
持されている。支持管63は、ベアリング組立体64によっ
て室14の壁から回転可能に支持されている。磁石66は、
支持体に取付けられている。磁石の磁場は壁14に及んで
おり、適当に駆動される駆動リング（図示せず）に取付
けられた磁石67に接続されている。リングの回転は、ウ
ェーハ支持管及びウェーハを回転させる。磁石接合は、
精巧な真空密封組立体の必要性を除去する。
サセプタ（図示せず）を支持管63と交換することができ
ることは当業者にとっては明白であり、本発明では、サ
セプタ並びに第３図に示した支持管で支持されたウェー
ハの処理に使用される。
ることは当業者にとっては明白であり、本発明では、サ
セプタ並びに第３図に示した支持管で支持されたウェー
ハの処理に使用される。
処理ガスを室13に注入するためのガス注入ヘッド69が概
略的に示されており、これにより、室内で種々の処理行
程を実施することができる。
略的に示されており、これにより、室内で種々の処理行
程を実施することができる。
第10図を参照すると、本発明による急速加熱処理装置の
ための制御回路が概略的に示されている。温度センサ56
は、注釈を付けられたウェーハ温度を表すアナログ出力
信号を出す。アナログ出力信号は、アナログ−デジタル
コンバータ72によって変換される。デジタル信号は、コ
ンピュータ73に加えられる。所望の温度時間関係がコン
ピュータに入力される。すると、コンピュータは、個々
のランプ又は各センサと関連したランプ群への電力を制
御する２つの入力整流器74に応答する出力デジタル信号
を出す。
ための制御回路が概略的に示されている。温度センサ56
は、注釈を付けられたウェーハ温度を表すアナログ出力
信号を出す。アナログ出力信号は、アナログ−デジタル
コンバータ72によって変換される。デジタル信号は、コ
ンピュータ73に加えられる。所望の温度時間関係がコン
ピュータに入力される。すると、コンピュータは、個々
のランプ又は各センサと関連したランプ群への電力を制
御する２つの入力整流器74に応答する出力デジタル信号
を出す。
バルブ電球が燃え尽きて新しい電球を取付けたとき、新
しい電球を調整して束状の照明形体を維持しなければな
らない。このことは、熱量計を使用して、各電球に対し
て光出力対電圧特性を測定することによって達成され
る。かくして、ランプを交換するとき、コンピュータの
スケーリング・ファクターの検査表を改訂して電球の差
を説明する。任意の電球に電力指令が与えられるとき、
電力指令はまずスケーリングファクターを使用して修正
され、次いでシリコン制御された整流器を制御するよう
に送られる。
しい電球を調整して束状の照明形体を維持しなければな
らない。このことは、熱量計を使用して、各電球に対し
て光出力対電圧特性を測定することによって達成され
る。かくして、ランプを交換するとき、コンピュータの
スケーリング・ファクターの検査表を改訂して電球の差
を説明する。任意の電球に電力指令が与えられるとき、
電力指令はまずスケーリングファクターを使用して修正
され、次いでシリコン制御された整流器を制御するよう
に送られる。
かくして、ウェーハ処理の際、ウェーハの温度を精密に
制御して応力によるウェーハの損傷を最小にすることが
できる急速加熱操作が提供される。
制御して応力によるウェーハの損傷を最小にすることが
できる急速加熱操作が提供される。
Claims (27)
- 【請求項１】急速加熱処理の際、基板を加熱するための
加熱源であって、 複数の輻射エネルギの源を含み、該エネルギ源の各々
は、輻射エネルギ源と、取り囲む光ガイドとを有し、該
光ガイドは、相対的なエネルギ強度パターンで基板の所
定の一定領域を輻射するように作用する直立壁を有して
おり、 隣接するエネルギの源の所定の輻射領域の部分が隣のエ
ネルギの源の所定の輻射領域と重なり合うように、輻射
エネルギの源を隣接して取付けるための手段と、 基板の異なる領域での輻射を制御するために、輻射エネ
ルギの源の強度を制御するための手段とをさらに含む、 ことを特徴とする加熱源。 - 【請求項２】基板の急速加熱処理の際、基板を加熱する
ための加熱源であって、 複数の輻射エネルギ源と、 複数の光ガイドとを含み、該光ガイドは各々、輻射エネ
ルギ源を包囲し輻射エネルギ源を越えて延びており、前
記光ガイドは、相対的な輻射強度パターンで基板の所定
の一定の領域を輻射するために、光ガイドの軸線に沿っ
て関連した輻射エネルギ源から基板の方へ輻射エネルギ
を差し向けるように各々作用し、光ガイドは、隣接する
光ガイドの所定の一定の輻射領域の一部が互いに重なり
合い、かつ、輻射エネルギ源の各々の強度に応じて基板
に輻射強度を提供するように前記部分での強度が増すよ
うに、間隔を隔てている、 ことを特徴とする加熱源。 - 【請求項３】基板の所定の温度形体を維持するため、基
板の種々の箇所で温度を検出し、各輻射エネルギ源から
の輻射エネルギを制御するための手段を有することを特
徴とする、請求の範囲第２項に記載の加熱源。 - 【請求項４】前記温度検出手段は、基板の前記箇所から
の輻射を検出する高温計からなることを特徴とする、請
求の範囲第２項に記載の加熱源。 - 【請求項５】基板を加熱するための加熱装置であって、 複数の輻射エネルギ源と、 輻射エネルギ源の各々に対して間隔を隔てた複数の光ガ
イドとを含み、前記光ガイドは、エネルギ源を包囲しエ
ネルギ源を越えて延びており、かつ、エネルギ源からの
エネルギを、光ガイドに沿って、基板の表面の所定の一
定の重なり領域に差し向けるように作用し、 輻射エネルギ源を室に通して基板の表面を輻射する窓を
有する、排気された基板処理室と、 基板を室内に窓に隣接して支持するための手段と、 種々の箇所で基板の温度を検出するための手段と、 輻射エネルギ源の各々からの輻射エネルギを制御して基
板上に所定の温度形体を維持するための、温度に応答す
る制御手段と、 をさらに含むことを特徴とする加熱装置。 - 【請求項６】各輻射エネルギ源は、細長い高強度ランプ
であることを特徴とする請求の範囲第５項に記載の加熱
源。 - 【請求項７】光ガイドは、冷却剤を循環させて光ガイド
及び関連したランプを冷却することができる冷却室に延
びていることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の加
熱装置。 - 【請求項８】前記窓は、水冷石英窓組立体からなること
を特徴とする請求の範囲第５項に記載の加熱装置。 - 【請求項９】石英窓組立体は、複数の短い光ガイドを有
し、該短い光ガイドは前記複数の光ガイドと位置合わせ
されており、前記複数の短い光ガイドは、両端が間隔を
隔てたフランジ板に固定され、外壁がフランジ板の縁部
に固定されており、短い光ガイドのフランジ板と外壁
は、冷却室を構成しており、第１及び第２の石英窓は、
フランジ板に密封されて、フランジ板及び光ガイドとと
もに真空室を構成していることを特徴とする請求の範囲
第８項に記載の加熱装置。 - 【請求項１０】基板を支持するための手段は、前記支持
体を前記室に回転可能に取付けるための手段を有するこ
とを特徴とする、請求の範囲第５項に記載の加熱装置。 - 【請求項１１】前記取付け手段はベアリングに取付けら
れ、磁石を有しており、該磁石の磁場は、前記壁を貫通
して磁気駆動手段に接続し、これにより前記取付け手段
を回転させることを特徴とする、請求の範囲第10項に記
載の加熱装置。 - 【請求項１２】ランプは底部をもつ包囲体を有してお
り、底部から光ガイドに熱エネルギを伝達するため、底
部と光ガイドとの間に熱伝導体が直接配置されているこ
とを特徴とする、請求の範囲第６項に記載の加熱装置。 - 【請求項１３】ランプは底部をもつ包囲体を有してお
り、底部から光ガイド及び冷却剤に熱エネルギを伝達す
るため、底部と光ガイドとの間に熱伝導体が直接配置さ
れていることを特徴とする、請求の範囲第７項に記載の
加熱装置。 - 【請求項１４】熱伝導体は金属であることを特徴とす
る、請求の範囲第12項に記載の加熱装置。 - 【請求項１５】底部を支持するための前記手段はサセプ
タを有することを特徴とする、請求の範囲第５項に記載
の加熱装置。 - 【請求項１６】前記光ガイドは、光源から遠去かる方へ
熱を伝達するように作用する上部及び下部金属スリーブ
が内部に設けられていることを特徴とする、請求の範囲
第１項に記載の輻射エネルギ源。 - 【請求項１７】下部スリーブには反射金属がコーティン
グされていることを特徴とする、請求の範囲第16項に記
載の輻射エネルギ源。 - 【請求項１８】反射金属コーティングの表面は、前記源
からの輻射の強度分布の焦点を合わせるように修正され
ていることを特徴とする、請求の範囲第17項に記載の輻
射エネルギ源。 - 【請求項１９】反射金属は金であることを特徴とする、
請求の範囲第18項に記載の輻射エネルギ源。 - 【請求項２０】反射金属コーティングは、第１の金属遮
断層と、第２の反射金属層とを含むことを特徴とする、
請求の範囲第17項に記載の輻射エネルギ源。 - 【請求項２１】各輻射エネルギ源は、底部と、底部に取
付けられたエネルギ輻射フィラメントと、フィラメント
を取り囲む包囲体とを含み、底部と各輻射エネルギ源の
周囲の光ガイドとの間の空隙は、底部から包囲する光ガ
イドまで熱を伝達するための放熱子を有することを特徴
とする、請求の範囲第１項に記載の加熱源。 - 【請求項２２】上部スリーブと輻射エネルギ源の底部と
の間に、低溶融金属が設けられており、これによりスリ
ーブへの熱伝導を増大させることを特徴とする、請求の
範囲第16項に記載の輻射エネルギ源。 - 【請求項２３】輻射エネルギ源の包囲体と下部金属スリ
ーブとの間に、石英スリーブが配置されていることを特
徴とする、請求の範囲第16項に記載の輻射エネルギ源。 - 【請求項２４】前記光ガイドの間に小さな中空の光ガイ
ドをさらに有しており、該中空の光ガイドは、一端が光
学高温計整流器に嵌め込まれていることを特徴とする、
請求の範囲第９項に記載の加熱装置。 - 【請求項２５】光学フィルタが中空の光ガイドと整流器
との間に設けられていることを特徴とする、請求の範囲
第24項に記載の加熱装置。 - 【請求項２６】光学フィルタは、波長が約4.8〜5.2μｍ
のエネルギを通すことを特徴とする、請求の範囲第25項
に記載の加熱装置。 - 【請求項２７】サファイア窓は、中空の光ガイドを真空
室と光学的に連結することを特徴とする、請求の範囲第
25項に記載の加熱源。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US46780890A | 1990-01-19 | 1990-01-19 | |
| US467,808 | 1990-01-19 | ||
| PCT/US1991/000266 WO1991010873A1 (en) | 1990-01-19 | 1991-01-18 | Heating apparatus for semiconductor wafers or substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05503570A JPH05503570A (ja) | 1993-06-10 |
| JPH0693440B2 true JPH0693440B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=23857269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3503582A Expired - Lifetime JPH0693440B2 (ja) | 1990-01-19 | 1991-01-18 | 急速加熱装置及び方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (3) | EP1049356A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0693440B2 (ja) |
| KR (1) | KR100194267B1 (ja) |
| DE (2) | DE69132826T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991010873A1 (ja) |
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- 1991-01-18 DE DE69118513T patent/DE69118513T2/de not_active Expired - Fee Related
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