JP2000269156A - 基板加熱装置及び仕込室 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板加熱装置に関し、特に、ガラス基板等の透
明な基板を、ランプを用いて加熱可能な基板加熱装置に
関する。 【解決手段】基板加熱装置１は、波長変換板３を有して
おり、波長変換板３はハロゲンランプ２から放射された
光の最大強度波長を、長波長側にシフトさせて、ガラス
基板４に照射している。波長変換板３から放射され、最
大強度波長が長波長側にシフトされた光は、ガラス基板
４にも効率よく吸収されるので、ガラス基板４を高速に
昇温させることができる。
明な基板を、ランプを用いて加熱可能な基板加熱装置に
関する。 【解決手段】基板加熱装置１は、波長変換板３を有して
おり、波長変換板３はハロゲンランプ２から放射された
光の最大強度波長を、長波長側にシフトさせて、ガラス
基板４に照射している。波長変換板３から放射され、最
大強度波長が長波長側にシフトされた光は、ガラス基板
４にも効率よく吸収されるので、ガラス基板４を高速に
昇温させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板加熱装置の技術
分野にかかり、特に、真空処理装置等に用いられる基板
加熱装置に関する。
分野にかかり、特に、真空処理装置等に用いられる基板
加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に用いられている真空処理装置にお
いては、真空処理の際に基板を加熱する必要があるの
で、処理室の他に、加熱専用の加熱室を設けておき、そ
の内部で基板を加熱して所定の温度にした後に、処理室
内に搬入していた。
いては、真空処理の際に基板を加熱する必要があるの
で、処理室の他に、加熱専用の加熱室を設けておき、そ
の内部で基板を加熱して所定の温度にした後に、処理室
内に搬入していた。
【０００３】しかしながら、上記の真空処理装置では、
加熱室を設けた分だけ真空処理装置が大きくなってしま
うという事情があった。特に、液晶表示装置などに用い
られるガラス基板は大きいので、加熱室もその分大きく
作らなければならないため、真空処理装置も大きくなっ
てしまう。
加熱室を設けた分だけ真空処理装置が大きくなってしま
うという事情があった。特に、液晶表示装置などに用い
られるガラス基板は大きいので、加熱室もその分大きく
作らなければならないため、真空処理装置も大きくなっ
てしまう。
【０００４】そこで、真空処理装置外との間で基板の出
し入れをする仕込・取出室に、基板加熱装置を設けて、
仕込・取出室内で基板を加熱することで、加熱専用の加
熱室を設けない真空処理装置が考えられている。
し入れをする仕込・取出室に、基板加熱装置を設けて、
仕込・取出室内で基板を加熱することで、加熱専用の加
熱室を設けない真空処理装置が考えられている。
【０００５】一般的に用いられている基板加熱装置の一
例を図１３(ａ)、(ｂ)の符号１１０に示す。この基板加
熱装置１１０は二枚のカーボンプレート１１１、１１２
と、シースヒータ１１３と、交流電源１１７とを有して
いる。シースヒータ１１３は二枚のカーボンプレート１
１１、１１２との間に挟まれて配置され、交流電源１１
７に接続されている。また、二枚のカーボンプレート１
１１、１１２のうち一方のカーボンプレート１１１に
は、基板が載置できるようにされている。
例を図１３(ａ)、(ｂ)の符号１１０に示す。この基板加
熱装置１１０は二枚のカーボンプレート１１１、１１２
と、シースヒータ１１３と、交流電源１１７とを有して
いる。シースヒータ１１３は二枚のカーボンプレート１
１１、１１２との間に挟まれて配置され、交流電源１１
７に接続されている。また、二枚のカーボンプレート１
１１、１１２のうち一方のカーボンプレート１１１に
は、基板が載置できるようにされている。
【０００６】予め一方のカーボンプレート１１１上に基
板１１４を載置した状態で、交流電源１１７を起動する
と、シースヒータ１１３に交流電流が供給され、シース
ヒータ１１３が発熱し、その熱が一方のカーボンプレー
ト１１１を介して基板１１４に伝導され、伝導された熱
により基板１１４の温度が上昇する。
板１１４を載置した状態で、交流電源１１７を起動する
と、シースヒータ１１３に交流電流が供給され、シース
ヒータ１１３が発熱し、その熱が一方のカーボンプレー
ト１１１を介して基板１１４に伝導され、伝導された熱
により基板１１４の温度が上昇する。
【０００７】このように、上述の基板加熱装置１１０で
は、熱伝導を利用して基板１１４を加熱できるため、あ
らゆる材質の基板１１４を加熱することができるという
利点があるが、基板の温度を所定の温度まで上昇させる
までに長時間を要するという欠点があった。
は、熱伝導を利用して基板１１４を加熱できるため、あ
らゆる材質の基板１１４を加熱することができるという
利点があるが、基板の温度を所定の温度まで上昇させる
までに長時間を要するという欠点があった。
【０００８】他方、基板を高速に昇温させることができ
る基板加熱装置としては、図１４(ａ)、(ｂ)に示す基板
加熱装置１２０が知られている。この基板加熱装置１２
０は、ハロゲンランプ１２１と、３本の基板支持ピン１
２２1、１２２2、１２２3と、交流電源１２７とを有し
ている。
る基板加熱装置としては、図１４(ａ)、(ｂ)に示す基板
加熱装置１２０が知られている。この基板加熱装置１２
０は、ハロゲンランプ１２１と、３本の基板支持ピン１
２２1、１２２2、１２２3と、交流電源１２７とを有し
ている。
【０００９】ハロゲンランプ１２１は、リング状に成形
されており、交流電源１２７に接続されている。ハロゲ
ンランプ１２１の周囲には、基板支持ピン１２２1、１
２２2、１２２3が立設されている。
されており、交流電源１２７に接続されている。ハロゲ
ンランプ１２１の周囲には、基板支持ピン１２２1、１
２２2、１２２3が立設されている。
【００１０】３本の基板支持ピン１２２1、１２２2、１
２２3の上部先端に基板１２４を載置した状態で、交流
電源１２７を起動し、ハロゲンランプ１２１に交流電流
を流すと、ハロゲンランプ１２１から光が放出される。
ハロゲンランプ１２１から放出された光は基板１２４の
裏面に照射され、吸収されると、その光のエネルギーに
より基板１２４が加熱される。
２２3の上部先端に基板１２４を載置した状態で、交流
電源１２７を起動し、ハロゲンランプ１２１に交流電流
を流すと、ハロゲンランプ１２１から光が放出される。
ハロゲンランプ１２１から放出された光は基板１２４の
裏面に照射され、吸収されると、その光のエネルギーに
より基板１２４が加熱される。
【００１１】基板１２４が、光の透過率が低い物質から
なる場合には、光は基板１２４を透過せずに効率よく吸
収されるので、光エネルギーが効率よく吸収され、基板
１２４は短時間で所定の温度まで昇温する。
なる場合には、光は基板１２４を透過せずに効率よく吸
収されるので、光エネルギーが効率よく吸収され、基板
１２４は短時間で所定の温度まで昇温する。
【００１２】しかしながら、例えばガラス基板のよう
に、透過率の高い物質で基板１２４が構成される場合に
は、ハロゲンランプ１２１から放出される光のほとんど
は基板１２４を透過してしまい、放射光が基板１２４に
吸収される割合が極端に低いので、基板１２４を高速に
昇温させることができないという問題があった。
に、透過率の高い物質で基板１２４が構成される場合に
は、ハロゲンランプ１２１から放出される光のほとんど
は基板１２４を透過してしまい、放射光が基板１２４に
吸収される割合が極端に低いので、基板１２４を高速に
昇温させることができないという問題があった。
【００１３】さらに、非透明体の配線膜が表面に形成さ
れたガラス基板を加熱するような場合には、下地のガラ
ス基板が昇温される前に、配線膜のみが光を吸収して局
部的に昇温されてしまい、その結果熱によるデバイス破
壊が生じてしまうなどの問題もあった。
れたガラス基板を加熱するような場合には、下地のガラ
ス基板が昇温される前に、配線膜のみが光を吸収して局
部的に昇温されてしまい、その結果熱によるデバイス破
壊が生じてしまうなどの問題もあった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、ガラ
ス基板及び配線膜付ガラス基板を急速に加熱可能な技術
を提供することにある。
の不都合を解決するために創作されたものであり、ガラ
ス基板及び配線膜付ガラス基板を急速に加熱可能な技術
を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、発光手段と、前記発光手段
から放出される光が照射される波長変換板とを有し、前
記波長変換板は、前記発光手段から放出される光の最大
強度波長を長波長側にシフトさせ、基板に照射するよう
に構成されたことを特徴とする。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の基板加熱装置であって、前記波長変
換板は、３．５μｍ以下の短波長側にある最大強度波長
を、３．５μｍ以上の長波長側にシフトさせるように構
成されたことを特徴とする。請求項３記載の発明は、請
求項１又は請求項２記載の基板加熱装置であって、前記
波長変換板は、黒色体又は高放射率物質からなることを
特徴とする。請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３のいずれか１項記載の基板加熱装置であって、前記
波長変換板よりも放射率の低い低放射率物質が、前記波
長変換板の一部に設けられてなることを特徴とする。請
求項５記載の発明は、請求項４記載の基板加熱装置であ
って、前記前記低放射率物質は、金属箔から構成される
ことを特徴とする。請求項６記載の発明は、大気と室内
との間を遮断する扉を有し、真空槽に接続可能な仕込室
であって、室内に、請求項１乃至請求項５のいずれか１
項記載の基板加熱装置が設けられたことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、発光手段と、前記発光手段
から放出される光が照射される波長変換板とを有し、前
記波長変換板は、前記発光手段から放出される光の最大
強度波長を長波長側にシフトさせ、基板に照射するよう
に構成されたことを特徴とする。請求項２記載の発明
は、請求項１記載の基板加熱装置であって、前記波長変
換板は、３．５μｍ以下の短波長側にある最大強度波長
を、３．５μｍ以上の長波長側にシフトさせるように構
成されたことを特徴とする。請求項３記載の発明は、請
求項１又は請求項２記載の基板加熱装置であって、前記
波長変換板は、黒色体又は高放射率物質からなることを
特徴とする。請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３のいずれか１項記載の基板加熱装置であって、前記
波長変換板よりも放射率の低い低放射率物質が、前記波
長変換板の一部に設けられてなることを特徴とする。請
求項５記載の発明は、請求項４記載の基板加熱装置であ
って、前記前記低放射率物質は、金属箔から構成される
ことを特徴とする。請求項６記載の発明は、大気と室内
との間を遮断する扉を有し、真空槽に接続可能な仕込室
であって、室内に、請求項１乃至請求項５のいずれか１
項記載の基板加熱装置が設けられたことを特徴とする。
【００１６】一般に、基板加熱用のランプヒータとして
はハロゲンランプが多用されている。図１の曲線(Ａ)
に、ハロゲンランプの分光強度比を示す。曲線(Ａ)よ
り、ハロゲンランプからは、０．５μm以上４．５μm以
下の波長領域の光が放出され、特に約０．８μｍ以上
１．４μｍ以下の波長領域の強度比は０．８以上であっ
て、ハロゲンランプからはこの波長領域の光が強く放出
されることがわかる。
はハロゲンランプが多用されている。図１の曲線(Ａ)
に、ハロゲンランプの分光強度比を示す。曲線(Ａ)よ
り、ハロゲンランプからは、０．５μm以上４．５μm以
下の波長領域の光が放出され、特に約０．８μｍ以上
１．４μｍ以下の波長領域の強度比は０．８以上であっ
て、ハロゲンランプからはこの波長領域の光が強く放出
されることがわかる。
【００１７】ガラス基板の分光透過率を図２の曲線(Ｃ)
に示す。曲線(Ｃ)に示すように、波長が約０．５μｍ以
上２．０μｍ以下の範囲では、透過率は約９０％にな
る。従って、ハロゲンランプから主として放出される
０．８μｍ以上１．４μｍ以下の波長領域の光は、その
ほとんどがガラス基板を透過し、ガラス基板には吸収さ
れない。
に示す。曲線(Ｃ)に示すように、波長が約０．５μｍ以
上２．０μｍ以下の範囲では、透過率は約９０％にな
る。従って、ハロゲンランプから主として放出される
０．８μｍ以上１．４μｍ以下の波長領域の光は、その
ほとんどがガラス基板を透過し、ガラス基板には吸収さ
れない。
【００１８】これに対し、図２の曲線(Ｃ)より、３．５
μｍ以上の波長領域では、分光透過率が１０％以下にな
っており、ガラス基板に９０％以上の光が吸収されるも
のの、図１の曲線(Ａ)より、３．５μｍ以上の波長領域
では、ハロゲンランプから放出される光の強度比は０．
１以下であるため、ハロゲンランプから発光される弱い
光しか吸収されない。
μｍ以上の波長領域では、分光透過率が１０％以下にな
っており、ガラス基板に９０％以上の光が吸収されるも
のの、図１の曲線(Ａ)より、３．５μｍ以上の波長領域
では、ハロゲンランプから放出される光の強度比は０．
１以下であるため、ハロゲンランプから発光される弱い
光しか吸収されない。
【００１９】このように、ハロゲンランプからガラス基
板に光を照射しても、その光はガラス基板には多くは吸
収されない。図１の曲線(Ｂ)に、ハロゲンランプから光
をガラス基板に照射した場合における光の吸収効率を示
す。ここで吸収効率とは、ハロゲンランプが発する光の
各波長における強度比に、(１−(分光透過率))を乗じた
値である。曲線(Ｂ)に示すように、波長０．５μm〜
３．５μmの範囲では、各波長における光の吸収効率は
０．１以下であるため、ハロゲンランプからガラス基板
へと照射された光は、ガラス基板に１０％以下しか吸収
されないことが確認できた。
板に光を照射しても、その光はガラス基板には多くは吸
収されない。図１の曲線(Ｂ)に、ハロゲンランプから光
をガラス基板に照射した場合における光の吸収効率を示
す。ここで吸収効率とは、ハロゲンランプが発する光の
各波長における強度比に、(１−(分光透過率))を乗じた
値である。曲線(Ｂ)に示すように、波長０．５μm〜
３．５μmの範囲では、各波長における光の吸収効率は
０．１以下であるため、ハロゲンランプからガラス基板
へと照射された光は、ガラス基板に１０％以下しか吸収
されないことが確認できた。
【００２０】このように、ハロゲンランプから放出され
た光はほとんどガラス基板に吸収されないので、ハロゲ
ンランプから放出された光をそのままガラス基板に照射
した場合には、ガラス基板を高速に昇温させることはで
きない。
た光はほとんどガラス基板に吸収されないので、ハロゲ
ンランプから放出された光をそのままガラス基板に照射
した場合には、ガラス基板を高速に昇温させることはで
きない。
【００２１】しかしながら、上述したように図２の曲線
(Ｃ)より、波長が３．５μｍ以上の長波長の範囲では、
ガラス基板の分光透過率が１０％以下であり、ガラス基
板には９０％以上の光が吸収されているので、例えば
３．５μｍ以上の長波長で強度比が最大になるような光
をガラス基板に照射できれば、ガラス基板に多量の光を
吸収させることができることが推定される。
(Ｃ)より、波長が３．５μｍ以上の長波長の範囲では、
ガラス基板の分光透過率が１０％以下であり、ガラス基
板には９０％以上の光が吸収されているので、例えば
３．５μｍ以上の長波長で強度比が最大になるような光
をガラス基板に照射できれば、ガラス基板に多量の光を
吸収させることができることが推定される。
【００２２】そこで、本発明の発明者等は、ハロゲンラ
ンプと基板との間に板状の黒色体を挿入するという試み
を行なった。図３の曲線(Ｄ)に、黒色体に光を照射した
場合の分光透過率を示す。図３に示すように、ハロゲン
ランプが主として放出する光の波長領域である１．１μ
ｍ以上２．０μｍ以下では、透過率は約１％以下と低
く、光の９９％以上が吸収されている。このため、ハロ
ゲンランプから黒色体に光を照射すると、照射された光
のほとんどは黒色体に吸収されるので、吸収された光の
エネルギーにより黒色体が昇温する。温度が上昇した黒
色体からは、温度に応じた光が放射される。
ンプと基板との間に板状の黒色体を挿入するという試み
を行なった。図３の曲線(Ｄ)に、黒色体に光を照射した
場合の分光透過率を示す。図３に示すように、ハロゲン
ランプが主として放出する光の波長領域である１．１μ
ｍ以上２．０μｍ以下では、透過率は約１％以下と低
く、光の９９％以上が吸収されている。このため、ハロ
ゲンランプから黒色体に光を照射すると、照射された光
のほとんどは黒色体に吸収されるので、吸収された光の
エネルギーにより黒色体が昇温する。温度が上昇した黒
色体からは、温度に応じた光が放射される。
【００２３】図４の曲線(Ｅ)に、黒色体の温度が１４
９．２℃まで上昇した場合の、黒色体から輻射される光
のスペクトル強度を示す。曲線(Ｅ)より、黒色体からは
６．５μｍをピークとした４μｍ以上１２μｍ以下の波
長領域の光が１８％以上のスペクトル強度で放射されて
おり、この波長範囲での光が主として黒色体から放射さ
れることがわかる。
９．２℃まで上昇した場合の、黒色体から輻射される光
のスペクトル強度を示す。曲線(Ｅ)より、黒色体からは
６．５μｍをピークとした４μｍ以上１２μｍ以下の波
長領域の光が１８％以上のスペクトル強度で放射されて
おり、この波長範囲での光が主として黒色体から放射さ
れることがわかる。
【００２４】図２の曲線(Ｃ)より、波長が４μｍ以上の
光の透過率は１０％以下であり、９０％以上の光がガラ
ス基板に吸収される。他方、曲線(Ｅ)で説明したよう
に、黒色体からは、６．５μｍをピークとした４μｍ以
上１２μｍ以下の波長領域の光が主として放出されるの
で、黒色体から放出された光のほとんどは、９０％以上
ガラス基板に吸収されるので、黒色体を設けなかった場
合に比してガラス基板に多量の光エネルギーが吸収さ
れ、基板を短時間で所定の温度まで昇温させることがで
きる。
光の透過率は１０％以下であり、９０％以上の光がガラ
ス基板に吸収される。他方、曲線(Ｅ)で説明したよう
に、黒色体からは、６．５μｍをピークとした４μｍ以
上１２μｍ以下の波長領域の光が主として放出されるの
で、黒色体から放出された光のほとんどは、９０％以上
ガラス基板に吸収されるので、黒色体を設けなかった場
合に比してガラス基板に多量の光エネルギーが吸収さ
れ、基板を短時間で所定の温度まで昇温させることがで
きる。
【００２５】以上の考察に鑑み、本発明では波長変換板
を設けて、発光手段(ハロゲンランプ)から放出される光
の最大強度波長を長波長側にシフトさせ、基板に照射し
ている。このため、ガラス基板のように透明な基板に光
を照射した場合でも、波長変換板から放射された光は基
板を透過することなく基板に吸収されるので、基板を効
率よく加熱することができる。
を設けて、発光手段(ハロゲンランプ)から放出される光
の最大強度波長を長波長側にシフトさせ、基板に照射し
ている。このため、ガラス基板のように透明な基板に光
を照射した場合でも、波長変換板から放射された光は基
板を透過することなく基板に吸収されるので、基板を効
率よく加熱することができる。
【００２６】なお、本発明において、波長変換板を黒色
体で構成してもよい。この場合には黒色体に光を照射す
ると、照射された光のほとんどは波長変換板に吸収され
て温度が上昇し、上昇した温度に応じた波長の光が黒色
体から放射される。
体で構成してもよい。この場合には黒色体に光を照射す
ると、照射された光のほとんどは波長変換板に吸収され
て温度が上昇し、上昇した温度に応じた波長の光が黒色
体から放射される。
【００２７】本発明において、ハロゲンランプと対向す
る領域の波長変換板は、他の領域に比してハロゲンラン
プと近いため、波長変換板のハロゲンランプと対向する
領域の温度は、他の領域の温度に比して高くなり、ハロ
ゲンランプと対向する領域の波長変換板から放射される
光のエネルギー強度は、他の領域から放射される光のエ
ネルギー強度よりも強くなる。
る領域の波長変換板は、他の領域に比してハロゲンラン
プと近いため、波長変換板のハロゲンランプと対向する
領域の温度は、他の領域の温度に比して高くなり、ハロ
ゲンランプと対向する領域の波長変換板から放射される
光のエネルギー強度は、他の領域から放射される光のエ
ネルギー強度よりも強くなる。
【００２８】このため基板上では、波長変換板を介して
ハロゲンランプと対向する領域に、他の領域よりも強い
エネルギー強度を有する光が照射され、他の領域よりも
高温に加熱されてしまうので、基板を均一に加熱するこ
とができなくなってしまう。
ハロゲンランプと対向する領域に、他の領域よりも強い
エネルギー強度を有する光が照射され、他の領域よりも
高温に加熱されてしまうので、基板を均一に加熱するこ
とができなくなってしまう。
【００２９】そこで、本発明において、例えば金属箔の
ように、波長変換板の放射率よりも低い放射率を有する
低放射率物質を波長変換板の一部に設けてもよい。この
ように構成することにより、波長変換板の一部から放射
される光のエネルギー強度が、他の領域から放射される
光のエネルギー強度よりも低くなるようにすることがで
き、基板に照射される光のエネルギー強度を均一にする
ようにできるので、基板を均一の温度に加熱することが
可能になる。
ように、波長変換板の放射率よりも低い放射率を有する
低放射率物質を波長変換板の一部に設けてもよい。この
ように構成することにより、波長変換板の一部から放射
される光のエネルギー強度が、他の領域から放射される
光のエネルギー強度よりも低くなるようにすることがで
き、基板に照射される光のエネルギー強度を均一にする
ようにできるので、基板を均一の温度に加熱することが
可能になる。
【００３０】また、本発明の仕込室によれば、本発明の
基板加熱装置が室内に設けられている。このように構成
することにより、仕込室の室内で基板を加熱して真空槽
に搬送することができるため、真空処理装置に加熱専用
の加熱室を設ける必要が無く、加熱室の分だけ真空処理
装置を小さくすることができる。
基板加熱装置が室内に設けられている。このように構成
することにより、仕込室の室内で基板を加熱して真空槽
に搬送することができるため、真空処理装置に加熱専用
の加熱室を設ける必要が無く、加熱室の分だけ真空処理
装置を小さくすることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図５の符号２１に、本発明の
実施形態の真空処理装置を示す。この真空処理装置２１
は、マルチチャンバー方式の枚葉式の装置であり、図示
しない搬送ロボットが組み込まれている搬送室２２の周
囲に、基板の出し入れを行うための仕込・取出室１２
と、第１〜第３の成膜室２３〜２５とが配設され、これ
らはすべて図示しないゲートバルブを介して連結されて
いる。
施形態について説明する。図５の符号２１に、本発明の
実施形態の真空処理装置を示す。この真空処理装置２１
は、マルチチャンバー方式の枚葉式の装置であり、図示
しない搬送ロボットが組み込まれている搬送室２２の周
囲に、基板の出し入れを行うための仕込・取出室１２
と、第１〜第３の成膜室２３〜２５とが配設され、これ
らはすべて図示しないゲートバルブを介して連結されて
いる。
【００３２】また、これらの搬送室２２、仕込・取出室
１２、第１〜第３の成膜室２３〜２５は、図示しない真
空ポンプ等を有する真空排気系に連結されている。さら
に、基板は、搬送ロボットによって仕込・取出室１２と
第１〜第３の成膜室２３〜２５との間を自由に搬送でき
るようになっている。
１２、第１〜第３の成膜室２３〜２５は、図示しない真
空ポンプ等を有する真空排気系に連結されている。さら
に、基板は、搬送ロボットによって仕込・取出室１２と
第１〜第３の成膜室２３〜２５との間を自由に搬送でき
るようになっている。
【００３３】上述の仕込・取出室１２の構成を図６に示
す。仕込・取出室１２の側面には、基板を出し入れする
ための扉２７が設けられており、内部底面には図６に示
すように支持体６が設けられている。支持体６には、そ
の表面から鉛直方向に突出するように、３本の基板支持
ピン５1、５2、５3が配置されており、基板支持ピン
５1、５2、５3の上部先端に基板４を載置することがで
きるようにされている。基板支持ピン５1、５2、５3の
上方には、基板加熱装置１が配置されている。
す。仕込・取出室１２の側面には、基板を出し入れする
ための扉２７が設けられており、内部底面には図６に示
すように支持体６が設けられている。支持体６には、そ
の表面から鉛直方向に突出するように、３本の基板支持
ピン５1、５2、５3が配置されており、基板支持ピン
５1、５2、５3の上部先端に基板４を載置することがで
きるようにされている。基板支持ピン５1、５2、５3の
上方には、基板加熱装置１が配置されている。
【００３４】図７の符号１に、本実施形態の基板加熱装
置の一例を示す。この基板加熱装置１は、ハロゲンラン
プ２と波長変換板３とを有している。ハロゲンランプ２
は、リング状に湾曲されて成形されているガラス管を有
し、そのガラス管内に不図示のフィラメントが設けら
れ、ハロゲンガスが封入されてなる。ハロゲンランプ２
には交流電源７が接続されており、交流電源７を起動す
るとフィラメントに通電できるようにされている。
置の一例を示す。この基板加熱装置１は、ハロゲンラン
プ２と波長変換板３とを有している。ハロゲンランプ２
は、リング状に湾曲されて成形されているガラス管を有
し、そのガラス管内に不図示のフィラメントが設けら
れ、ハロゲンガスが封入されてなる。ハロゲンランプ２
には交流電源７が接続されており、交流電源７を起動す
るとフィラメントに通電できるようにされている。
【００３５】波長変換板３は黒色のカーボンが板状に成
形されて構成されており、ハロゲンランプ２の下方に、
ハロゲンランプ２と所定間隔をおいて配置されている。
ここではその所定間隔を１０mmとする。
形されて構成されており、ハロゲンランプ２の下方に、
ハロゲンランプ２と所定間隔をおいて配置されている。
ここではその所定間隔を１０mmとする。
【００３６】上記の真空処理装置２１を用いて、液晶表
示パネルに用いられるガラス基板４に三層膜を成膜する
には、まず仕込・取出室１２に設けられた扉２７を開け
てガラス基板４を仕込・取出室１２の室内に入れ、基板
支持ピン５1、５2、５3の上部先端に載置する。この状
態では図６に示すように、波長変換板３はハロゲンラン
プ２とガラス基板４の上面との間に、ガラス基板４と所
定間隔をおいて配置されている。ここではその所定間隔
を２０mmとする。
示パネルに用いられるガラス基板４に三層膜を成膜する
には、まず仕込・取出室１２に設けられた扉２７を開け
てガラス基板４を仕込・取出室１２の室内に入れ、基板
支持ピン５1、５2、５3の上部先端に載置する。この状
態では図６に示すように、波長変換板３はハロゲンラン
プ２とガラス基板４の上面との間に、ガラス基板４と所
定間隔をおいて配置されている。ここではその所定間隔
を２０mmとする。
【００３７】この状態で図示しない真空ポンプを起動し
て、仕込・取出室１２を真空排気し、仕込・取出室１２
内を真空状態にするとともに、交流電源７を起動してフ
ィラメントに通電すると、フィラメントが発光してハロ
ゲンランプ２から光が放出される。
て、仕込・取出室１２を真空排気し、仕込・取出室１２
内を真空状態にするとともに、交流電源７を起動してフ
ィラメントに通電すると、フィラメントが発光してハロ
ゲンランプ２から光が放出される。
【００３８】放出された光のうち、ガラス基板４方向へ
向かう光は、波長変換板３に照射される。波長変換板３
は黒色体であって、光をほとんど透過しないので、波長
変換板３に照射された光はそのほとんどが波長変換板３
に吸収され、吸収された光エネルギーにより、波長変換
板３の温度が上昇する。
向かう光は、波長変換板３に照射される。波長変換板３
は黒色体であって、光をほとんど透過しないので、波長
変換板３に照射された光はそのほとんどが波長変換板３
に吸収され、吸収された光エネルギーにより、波長変換
板３の温度が上昇する。
【００３９】波長変換板３の温度が上昇すると、上昇し
た温度に応じた光が、波長変換板３から放射される。こ
こでは波長変換板３の温度が１４９．２℃まで上昇し、
最大強度波長が６．５μｍの光が放射される。ハロゲン
ランプ２から放出される光の最大強度波長は１．１μｍ
であるので、波長変換板３から放射される光の最大強度
波長は、ハロゲンランプ２から放出される光の最大強度
波長より、長波長側にシフトしている。
た温度に応じた光が、波長変換板３から放射される。こ
こでは波長変換板３の温度が１４９．２℃まで上昇し、
最大強度波長が６．５μｍの光が放射される。ハロゲン
ランプ２から放出される光の最大強度波長は１．１μｍ
であるので、波長変換板３から放射される光の最大強度
波長は、ハロゲンランプ２から放出される光の最大強度
波長より、長波長側にシフトしている。
【００４０】ハロゲンランプ２から放射される光(可視
光)と異なり、波長変換板３から放射される光は赤外線
領域の波長であるため、可視光のほとんどを透過するガ
ラス基板４にも効率良く吸収されるので、波長変換板３
を設けなかった従来に比して、ガラス基板４を効率よく
加熱することができ、短時間で所定の温度まで昇温する
ことができる。
光)と異なり、波長変換板３から放射される光は赤外線
領域の波長であるため、可視光のほとんどを透過するガ
ラス基板４にも効率良く吸収されるので、波長変換板３
を設けなかった従来に比して、ガラス基板４を効率よく
加熱することができ、短時間で所定の温度まで昇温する
ことができる。
【００４１】以上の工程を経て、ガラス基板４を仕込・
取出室１２で加熱した後に、加熱されたガラス基板４を
搬送ロボットが仕込・取出室１２から搬送室２２を介し
て第１の成膜室２３へと搬送する。
取出室１２で加熱した後に、加熱されたガラス基板４を
搬送ロボットが仕込・取出室１２から搬送室２２を介し
て第１の成膜室２３へと搬送する。
【００４２】第１の成膜室２３で一層目の膜をガラス基
板４上に成膜した後に、搬送ロボットが第２の成膜室２
４、第３の成膜室２５に順次搬送し、各成膜室２４、２
５内で二層目、三層目の薄膜をガラス基板４上に順次成
膜する。
板４上に成膜した後に、搬送ロボットが第２の成膜室２
４、第３の成膜室２５に順次搬送し、各成膜室２４、２
５内で二層目、三層目の薄膜をガラス基板４上に順次成
膜する。
【００４３】三層目の薄膜が成膜されたら、搬送ロボッ
トが第３の成膜室２５から仕込・取出室１２へとガラス
基板４を搬送し、仕込・取出室１２内の基板支持ピン５
1、５2、５3の上部先端にガラス基板４を載置する。そ
の後仕込・取出室１２を大気圧にした後に扉２７を開け
て、仕込・取出室１２からガラス基板４を取り出す。
トが第３の成膜室２５から仕込・取出室１２へとガラス
基板４を搬送し、仕込・取出室１２内の基板支持ピン５
1、５2、５3の上部先端にガラス基板４を載置する。そ
の後仕込・取出室１２を大気圧にした後に扉２７を開け
て、仕込・取出室１２からガラス基板４を取り出す。
【００４４】上述した真空処理装置２１では、仕込・取
出室１２が基板加熱装置１を有しており、その室内で基
板を短時間に加熱することができるので、加熱専用の加
熱室を設ける必要がなく、その分真空処理装置を小さく
することができる。
出室１２が基板加熱装置１を有しており、その室内で基
板を短時間に加熱することができるので、加熱専用の加
熱室を設ける必要がなく、その分真空処理装置を小さく
することができる。
【００４５】ところで、上述の波長変換板３では、面内
での放射率εは均一になるように構成されている(ε≒
０．９)。均一な放射率εの波長変換板３を用いてガラ
ス基板４を加熱すると、図８に示すように、ガラス基板
４において、波長変換板３を介してハロゲンランプ２と
対向する領域(以下でランプ領域と称する。)４ｂは、他
の領域４ａよりもエネルギー強度の高い光が照射され、
温度が高くなってしまうので、基板を均一に加熱するこ
とができなかった。
での放射率εは均一になるように構成されている(ε≒
０．９)。均一な放射率εの波長変換板３を用いてガラ
ス基板４を加熱すると、図８に示すように、ガラス基板
４において、波長変換板３を介してハロゲンランプ２と
対向する領域(以下でランプ領域と称する。)４ｂは、他
の領域４ａよりもエネルギー強度の高い光が照射され、
温度が高くなってしまうので、基板を均一に加熱するこ
とができなかった。
【００４６】本発明の発明者等が、加熱されたガラス基
板４の温度を測定したところ、ランプ領域４ｂの温度は
２００℃まで上昇したのに対し、他の領域の温度は１０
０℃までしか上昇せず、ランプ領域４ｂと他の領域４ａ
との間に１００℃もの温度差が生じてしまっていた。
板４の温度を測定したところ、ランプ領域４ｂの温度は
２００℃まで上昇したのに対し、他の領域の温度は１０
０℃までしか上昇せず、ランプ領域４ｂと他の領域４ａ
との間に１００℃もの温度差が生じてしまっていた。
【００４７】そこで、図９に示すように、ハロゲンラン
プ２の形状に合わせて成形されたアルミ箔８を波長変換
板３上に貼付し、アルミ箔８と、ハロゲンランプ２とが
対向するようにした。アルミニウムの放射率εは約０．
１であって、波長変換板３の放射率εよりも小さいの
で、ハロゲンランプ２と対向する領域の波長変換板３の
放射率εは、他の領域の放射率に比して小さくなる。
プ２の形状に合わせて成形されたアルミ箔８を波長変換
板３上に貼付し、アルミ箔８と、ハロゲンランプ２とが
対向するようにした。アルミニウムの放射率εは約０．
１であって、波長変換板３の放射率εよりも小さいの
で、ハロゲンランプ２と対向する領域の波長変換板３の
放射率εは、他の領域の放射率に比して小さくなる。
【００４８】このため、他の領域よりも大きい光エネル
ギーがハロゲンランプ２と対向する領域に照射されて
も、その領域の波長変換板３から放射される光のエネル
ギー量を小さくすることができる。
ギーがハロゲンランプ２と対向する領域に照射されて
も、その領域の波長変換板３から放射される光のエネル
ギー量を小さくすることができる。
【００４９】従って、ハロゲンランプ２と対向する領域
の波長変換板３の放射率εを予め適当な値に設定するこ
とで、基板上のランプ領域４ｂで吸収される光のエネル
ギー強度が、他の領域４ａで吸収される光のエネルギー
強度と等しくなるようにすることができ、図１０に示す
ように均一なエネルギー強度の光をガラス基板４に照射
し、ガラス基板４を均一に加熱することができる。
の波長変換板３の放射率εを予め適当な値に設定するこ
とで、基板上のランプ領域４ｂで吸収される光のエネル
ギー強度が、他の領域４ａで吸収される光のエネルギー
強度と等しくなるようにすることができ、図１０に示す
ように均一なエネルギー強度の光をガラス基板４に照射
し、ガラス基板４を均一に加熱することができる。
【００５０】本発明の発明者等が、アルミ箔８(ε＝
０．１)が貼付された波長変換板３(ε＝０．９)を有す
る基板加熱装置１を用いて、ガラス基板４を加熱して面
内の温度を測定したところ、基板面のいたるところで１
００℃になり、ガラス基板４が均一に加熱されることが
確認できた。
０．１)が貼付された波長変換板３(ε＝０．９)を有す
る基板加熱装置１を用いて、ガラス基板４を加熱して面
内の温度を測定したところ、基板面のいたるところで１
００℃になり、ガラス基板４が均一に加熱されることが
確認できた。
【００５１】なお、上述の基板加熱装置１では、１個の
ハロゲンランプ２を略円形状に湾曲させたが、本発明の
基板加熱装置の構成は、これに限られるものではなく、
図１１の符号１１に示すように、複数のハロゲンランプ
１２1〜１２5と、カーボンからなる黒色の波長変換板１
３を有するような構成にしてもよい。
ハロゲンランプ２を略円形状に湾曲させたが、本発明の
基板加熱装置の構成は、これに限られるものではなく、
図１１の符号１１に示すように、複数のハロゲンランプ
１２1〜１２5と、カーボンからなる黒色の波長変換板１
３を有するような構成にしてもよい。
【００５２】この基板加熱装置１１では、複数のハロゲ
ンランプ１２1〜１２5が、一定間隔をおいて平行に波長
変換板１３の上方に配置されるようにされ、各ハロゲン
ランプ１２1〜１２5が交流電源１７に接続されている。
ンランプ１２1〜１２5が、一定間隔をおいて平行に波長
変換板１３の上方に配置されるようにされ、各ハロゲン
ランプ１２1〜１２5が交流電源１７に接続されている。
【００５３】交流電源１７を起動すると、全てのハロゲ
ンランプ１２1〜１２5が発光し、波長変換板１３に光を
放出して、波長変換板１３の温度を上昇させ、温度に応
じた波長の光を波長変換板１３から放射させることがで
きる。このとき、波長変換板３は黒色体なので、ハロゲ
ンランプ２から放射された光を吸収し、その光よりも長
波長の光をガラス基板４に照射する。
ンランプ１２1〜１２5が発光し、波長変換板１３に光を
放出して、波長変換板１３の温度を上昇させ、温度に応
じた波長の光を波長変換板１３から放射させることがで
きる。このとき、波長変換板３は黒色体なので、ハロゲ
ンランプ２から放射された光を吸収し、その光よりも長
波長の光をガラス基板４に照射する。
【００５４】波長が長い光がガラス基板４に照射される
と、ガラス基板４が透明な場合でも光が吸収されやすく
なるので、ガラス基板４を効率よく加熱することができ
る。なお、図１１の基板加熱装置１１では、波長変換板
１３を、主に黒色のカーボンプレートから構成して、放
射率εを一定にすると、ガラス基板４の中央部分が他の
領域よりも加熱されてしまい、ガラス基板４を均一に加
熱することができないため、図１２(ａ)、(ｂ)に示すよ
うに波長変換板１３の中央部にアルミ箔１８を貼付し
て、放射率εが他の領域の放射率εよりも低くなるよう
に構成している。
と、ガラス基板４が透明な場合でも光が吸収されやすく
なるので、ガラス基板４を効率よく加熱することができ
る。なお、図１１の基板加熱装置１１では、波長変換板
１３を、主に黒色のカーボンプレートから構成して、放
射率εを一定にすると、ガラス基板４の中央部分が他の
領域よりも加熱されてしまい、ガラス基板４を均一に加
熱することができないため、図１２(ａ)、(ｂ)に示すよ
うに波長変換板１３の中央部にアルミ箔１８を貼付し
て、放射率εが他の領域の放射率εよりも低くなるよう
に構成している。
【００５５】こうしてアルミ箔１８を貼付した状態で、
ガラス基板４を加熱して、ガラス基板４の温度分布を測
定したところ、ガラス基板４のいたるところで温度分布
が均一になり、均一に加熱することができることが確認
できた。
ガラス基板４を加熱して、ガラス基板４の温度分布を測
定したところ、ガラス基板４のいたるところで温度分布
が均一になり、均一に加熱することができることが確認
できた。
【００５６】また、上記した実施形態では、波長変換板
３、１３が、黒色のカーボンが板状に成形されるものと
しているが、本発明はこれに限らず、照射された光の波
長を長波長に変換して放射するような構成にされていれ
ばよく、例えば金属板上に、黒色のカーボンを蒸着して
波長変換板を構成してもよい。
３、１３が、黒色のカーボンが板状に成形されるものと
しているが、本発明はこれに限らず、照射された光の波
長を長波長に変換して放射するような構成にされていれ
ばよく、例えば金属板上に、黒色のカーボンを蒸着して
波長変換板を構成してもよい。
【００５７】さらに、上記した実施形態では、波長変換
板３、１３が、最大強度波長が１．１μｍであるハロゲ
ンランプ２から放出される光を長波長側にシフトして、
最大強度波長を６．５μｍにしてガラス基板４に放射し
ているが、本発明はこれに限らず、３．５μｍ以下の短
波長側にある最大強度波長を、３．５μｍ以上の長波長
側にシフトするように構成されていればよい。
板３、１３が、最大強度波長が１．１μｍであるハロゲ
ンランプ２から放出される光を長波長側にシフトして、
最大強度波長を６．５μｍにしてガラス基板４に放射し
ているが、本発明はこれに限らず、３．５μｍ以下の短
波長側にある最大強度波長を、３．５μｍ以上の長波長
側にシフトするように構成されていればよい。
【００５８】さらに、上記の実施形態では、金属箔をア
ルミ箔としているが、本発明はこれに限らず、波長変換
板よりも放射率が低い材料からなるものであればよい。
また、一部の領域の波長変換板の厚みを他の領域の波長
変換板よりも厚くすると、一部の領域の波長変換板から
放射される光のエネルギー強度を低くすることができ
る。この場合には厚みを調整することにより、基板に吸
収される光のエネルギー強度を均一にし、基板を均一に
加熱することができるので、特にアルミ箔などを波長変
換板に設けなくともよい。さらに、発光手段としてハロ
ゲンランプ２を用いているが、本発明の構成はこれに限
られるものではない。
ルミ箔としているが、本発明はこれに限らず、波長変換
板よりも放射率が低い材料からなるものであればよい。
また、一部の領域の波長変換板の厚みを他の領域の波長
変換板よりも厚くすると、一部の領域の波長変換板から
放射される光のエネルギー強度を低くすることができ
る。この場合には厚みを調整することにより、基板に吸
収される光のエネルギー強度を均一にし、基板を均一に
加熱することができるので、特にアルミ箔などを波長変
換板に設けなくともよい。さらに、発光手段としてハロ
ゲンランプ２を用いているが、本発明の構成はこれに限
られるものではない。
【００５９】
【発明の効果】本発明の基板加熱装置では、透明な基板
を、ハロゲンランプを用いて高速に加熱することができ
る。また、本発明の仕込室では、本発明の基板加熱装置
を室内に有することにより、室内で基板を加熱すること
ができ、真空処理装置に加熱専用の加熱室を設ける必要
がないので真空処理装置を小さくすることができる。
を、ハロゲンランプを用いて高速に加熱することができ
る。また、本発明の仕込室では、本発明の基板加熱装置
を室内に有することにより、室内で基板を加熱すること
ができ、真空処理装置に加熱専用の加熱室を設ける必要
がないので真空処理装置を小さくすることができる。
【図１】ハロゲンランプの分光強度分布と、液晶表示パ
ネルに用いられるガラス基板の吸収効率とを示すグラフ
ネルに用いられるガラス基板の吸収効率とを示すグラフ
【図２】液晶表示パネルに用いられるガラス基板の分光
透過率を示すグラフ
透過率を示すグラフ
【図３】黒色体の温度が１４９．２℃の状態における黒
色体の分光透過率を説明するグラフ
色体の分光透過率を説明するグラフ
【図４】黒色体の温度が１４９．２℃の状態における黒
色体から放射される光のスペクトル強度分布を示すグラ
フ
色体から放射される光のスペクトル強度分布を示すグラ
フ
【図５】本発明の一実施形態の真空処理装置を説明する
平面図
平面図
【図６】本発明の一実施形態の仕込・取出室と基板加熱
装置とを説明する断面図
装置とを説明する断面図
【図７】(ａ)：本発明の一実施形態の基板加熱装置を説
明する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の基板加熱装置を説明する断
面図
明する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の基板加熱装置を説明する断
面図
【図８】本発明の一実施形態の基板加熱装置において、
基板温度が均一でない状態を説明する斜視図
基板温度が均一でない状態を説明する斜視図
【図９】(ａ)：本発明の一実施形態の波長変換板を説明
する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の波長変換板を説明する断面
図
する平面図 (ｂ)：本発明の一実施形態の波長変換板を説明する断面
図
【図１０】本発明の一実施形態の基板加熱装置におい
て、基板温度が均一である状態を説明する斜視図
て、基板温度が均一である状態を説明する斜視図
【図１１】(ａ)：本発明の他の実施形態の基板加熱装置
を説明する平面図 (ｂ)：本発明の他の実施形態の基板加熱装置を説明する
断面図
を説明する平面図 (ｂ)：本発明の他の実施形態の基板加熱装置を説明する
断面図
【図１２】(ａ)：本発明の他の実施形態の波長変換板を
説明する平面図 (ｂ)：本発明の他の実施形態の波長変換板を説明する断
面図
説明する平面図 (ｂ)：本発明の他の実施形態の波長変換板を説明する断
面図
【図１３】(ａ)：従来の基板加熱装置を説明する平面図 (ｂ)：従来の基板加熱装置を説明する断面図
【図１４】(ａ)：従来の他の基板加熱装置を説明する平
面図 (ｂ)：従来の他の基板加熱装置を説明する断面図
面図 (ｂ)：従来の他の基板加熱装置を説明する断面図
１……基板加熱装置 ２、１２1〜１２5……ハロゲンラ
ンプ(発光手段) ３、１３……波長変換板 ４……ガラ
ス基板(基板) ５1、５2、５3……基板支持ピン ７、
１７……交流電源 ８、１８……アルミ箔
ンプ(発光手段) ３、１３……波長変換板 ４……ガラ
ス基板(基板) ５1、５2、５3……基板支持ピン ７、
１７……交流電源 ８、１８……アルミ箔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年６月５日（２０００．６．５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【請求項２】３．５μｍ未満の短波長側にある最大強度
波長が、前記波長変換板によって、３．５μｍ以上の長
波長側にシフトされるように構成されたことを特徴とす
る請求項１記載の基板加熱装置。
波長が、前記波長変換板によって、３．５μｍ以上の長
波長側にシフトされるように構成されたことを特徴とす
る請求項１記載の基板加熱装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基板加熱装置であって、発
光手段と、前記発光手段から放出される光が照射される
波長変換板とを有し、前記発光手段から放出される光の
最大強度波長は、前記波長変換板によって長波長側にシ
フトされ、基板に照射されるように構成されたことを特
徴とする。請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板
加熱装置であって、３．５μｍ未満の短波長側にある最
大強度波長が、前記波長変換板によって、３．５μｍ以
上の長波長側にシフトされるように構成されたことを特
徴とする。請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項
２記載の基板加熱装置であって、前記波長変換板は、黒
色体又は高放射率物質からなることを特徴とする。請求
項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１
項記載の基板加熱装置であって、前記波長変換板よりも
放射率の低い低放射率物質が、前記波長変換板の一部に
設けられてなることを特徴とする。請求項５記載の発明
は、請求項４記載の基板加熱装置であって、前記低放射
率物質は、金属箔から構成されることを特徴とする。請
求項６記載の発明は、大気と室内との間を遮断する扉を
有し、真空槽に接続可能な仕込室であって、室内に、請
求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の基板加熱装置
が設けられたことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、基板加熱装置であって、発
光手段と、前記発光手段から放出される光が照射される
波長変換板とを有し、前記発光手段から放出される光の
最大強度波長は、前記波長変換板によって長波長側にシ
フトされ、基板に照射されるように構成されたことを特
徴とする。請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板
加熱装置であって、３．５μｍ未満の短波長側にある最
大強度波長が、前記波長変換板によって、３．５μｍ以
上の長波長側にシフトされるように構成されたことを特
徴とする。請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項
２記載の基板加熱装置であって、前記波長変換板は、黒
色体又は高放射率物質からなることを特徴とする。請求
項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１
項記載の基板加熱装置であって、前記波長変換板よりも
放射率の低い低放射率物質が、前記波長変換板の一部に
設けられてなることを特徴とする。請求項５記載の発明
は、請求項４記載の基板加熱装置であって、前記低放射
率物質は、金属箔から構成されることを特徴とする。請
求項６記載の発明は、大気と室内との間を遮断する扉を
有し、真空槽に接続可能な仕込室であって、室内に、請
求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の基板加熱装置
が設けられたことを特徴とする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大空 弘樹 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA05 HA37 MA04 NA05
Claims (6)
- 【請求項１】発光手段と、 前記発光手段から放出される光が照射される波長変換板
とを有し、 前記波長変換板は、前記発光手段から放出される光の最
大強度波長を長波長側にシフトさせ、基板に照射するよ
うに構成されたことを特徴とする基板加熱装置。 - 【請求項２】前記波長変換板は、３．５μｍ以下の短波
長側にある最大強度波長を、３．５μｍ以上の長波長側
にシフトさせるように構成されたことを特徴とする請求
項１記載の基板加熱装置。 - 【請求項３】前記波長変換板は、黒色体または高放射率
物質からなることを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の基板加熱装置。 - 【請求項４】前記波長変換板よりも放射率の低い低放射
率物質が、前記波長変換板の一部に設けられてなること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載
の基板加熱装置。 - 【請求項５】前記低放射率物質は、金属箔から構成され
ることを特徴とする請求項４記載の基板加熱装置。 - 【請求項６】大気と室内との間を遮断する扉を有し、真
空槽に接続可能な仕込室であって、 室内に、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の基
板加熱装置が設けられたことを特徴とする仕込室。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073207A JP2000269156A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 基板加熱装置及び仕込室 |
| KR1020000013061A KR100642030B1 (ko) | 1999-03-18 | 2000-03-15 | 기판 가열장치 및 반입장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073207A JP2000269156A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 基板加熱装置及び仕込室 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269156A true JP2000269156A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13511486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11073207A Pending JP2000269156A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 基板加熱装置及び仕込室 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269156A (ja) |
| KR (1) | KR100642030B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003984A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Limited | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234429A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Toshiba Corp | 窒化シリコン膜の製造方法 |
| EP0511294B1 (en) * | 1990-01-19 | 1996-04-03 | Applied Materials, Inc. | Heating apparatus for semiconductor wafers or substrates |
| KR950000647B1 (ko) * | 1991-11-21 | 1995-01-26 | 대우전자 주식회사 | 비정질 실리콘박막의 다결정화방법과 이의 장치 |
| JPH10326754A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-12-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 加熱装置 |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11073207A patent/JP2000269156A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-15 KR KR1020000013061A patent/KR100642030B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003984A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Limited | 半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010020663A (ko) | 2001-03-15 |
| KR100642030B1 (ko) | 2006-11-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070207 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070717 |