KR20020059853A - 적외선에 의해 기판을 고속으로 균일하게 가열하기 위한장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000001289 rapid thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
가열장치는 투명창 (34) 이 있는 반응실 (14) 내부의 기판 (12) 을 고속으로 열처리하도록 되어있는 적외선 램프 (24,26) 를 포함한다. 상기 적외선 램프 (24,26) 는 상기 기판 (12) 의 일측상에서 신장하는 두개의 겹쳐진 단 (A,B) 으로 배치되며, 상기 하단 (A) 의 램프 (24) 는 상기 상단 (B) 의 램프 (26) 에 대해 수직으로 배치된다. 일군의 램프 (24,26) 에 의해 공급동력을 조절하는 수단은 상기 기판 (12) 의 중앙보다 가장자리에 더 많은 가열을 제공한다. 분배격자 (38,138) 의 형태인 반사경 (36,136) 은 상이한 가열구역간의 동력비를 제어하기 위해 적외선을 반사하도록 의도된다. 이 결과 기판의 형태 및 크기에 관계없이 상기 기판 (12) 을 균일하게 가열하게 된다.
Description
고속열처리장치(RTP) 및 화학기상증착(RTCVD) 소둔처리는 일반적으로 할로겐 램프에 의해 발생된 적외선 복사를 노(furnace)에 사용한다. 예를 들어 극소전자공학 제품 제조기술상에서 실리콘으로 만들어진 기판은 제어된 기압하에 밀폐공간에 장착되며, 기판의 표면상에는 투명창을 통해 적외선 복사가 행해진다.
열처리 작업이 실시될 때 도달하는 온도는, 초당 수백℃ 의 온도구배를 가지고 종종 1000℃ 보다 높을 수 있다. 상기 처리의 중요한 변수중 하나는 처리되는 기판의 전표면에 걸친 온도의 균일성인데, 그 이유는 상기 기판의 주변구역과 중앙구역간에 섭씨 몇도의 열구배가 있게 되면 기판상의 질적 차이 및/또는 기판의 표면에 존재하는 층의 물리화학적 특성의 균질성의 결함을 유발할 수 있기 때문이다. 기판의 가장자리에서의 에너지 손실이 중앙에서의 열손실보다 더 크며, 이로인해 중앙보다 가장자리에서 온도가 더 낮게 된다.
고속 열처리에서의 이러한 결점을 극복하기 위해, 이러한 온도 불균등을 보상하도록 하기와 같은 공지의 해결책이 제안되어 왔다.
- 램프의 후방에 위치한 금속 반사경,
- 반응기의 대향면을 따라 배치된 2셋트의 램프로 기판의 양면 가열.
- 보호 링 장착
- 서스셉터(susceptor)의 사용
- 회전판상에서의 기판의 회전,
- 상기 해결수단중 2 이상의 조합.
그러나, 현재의 이러한 공지의 해결수단에 의해서는, 기판의 표면에 주입되는 빛에너지를, 사용되는 상이한 열처리 조건(소둔, 성장, 또는 박막증착)에 따라 완벽히 제어하지 못하고 있다.
미국특허 제 5,790,751 호에는 각 램프의 빛이 점에 일치하도록 수직하게 배치된 램프를 갖는 가열시스템이 기재되어 있다. 상기 램프는 단일의 조립체내에 원형으로 배치된다.
WO 제 00/34986 호에는 램프와 기판을 분리하는 석영 챔버가 기재되어 있다.
미국특허 제 6,108,491 호는 선형램프가 아닌 점램프(spot lamp)에 관한 것이다. 상기 점램프는 가열지지부(서스셉터)상에 장착된 기판아래에 원형으로 배치된다. 램프의 제 2 열은 하부에 배치되나, 상기 가열지지부의 중앙부까지 미치기엔 직경이 너무 작다.
WO 제 00/30157 호는 반응기의 두면과 조립체에 90°로 배치된 2 열의 UV 램프에 관한 것이다.
본 발명은 적외선이 통과하는 투명창을 포함하는 밀폐된 반응실 내부의 기판을 고속으로 열처리하도록 되어있는 적외선 램프를 포함하는 기판 가열장치에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 가열장치를 장착한 반응기의 개략도이다.
도 2 는 도 1 의 평면도이다.
도 3 은 가열구역당 동력분포표를 나타낸다.
도 4 는 각 단(段)당 12개의 램프를 구비하는 가열장치와 관련된 반사경의 사시도를 나타낸다.
도 5 는 도 4 와 동일한 관점으로 다른 실시형태를 나타낸 도면이다.
본 발명의 목적은, 상이한 형태 및 크기를 갖는 기판을 균일하게 고속으로 열처리하도록 되어있으며, 적외선 복사가 제어되고 방향성을 갖도록 되어있는 가열장치를 달성하는 것이다.
본 발명에 따른 장치는 하기와 같은 특징을 갖는다:
- 적외선 램프는 기판의 일측상에서 신장하는 두개의 겹쳐진 단(段)으로 배치되며, 하단(下段)램프는 상단(上段)램프에 대해 수직으로 배치되며,
- 일군의 램프에 의해 공급동력을 조절하는 수단은 상기 기판의 중앙보다 가장자리를 더 많이 가열하며, 그리고
- 분배격자 형태인 반사경은 상이한 가열구역간의 동력비를 제어하기 위해 적외선 복사를 반사하여 보낸다.
바람직한 실시형태에 따르면, 상기 반사경의 분배격자는 가열구역에 할당된 가변 횡단면의 다수의 격실을 경계짓는 판(strip)의 십자형 교차배열에 의해 형성된다. 2 단의 할로겐 램프의 각 구역당 동력분배와 삽입된 반사경에 의하면 기판의 형태와 크기에 관계없이 기판의 균일한 가열을 얻을 수 있게 된다.
본 발명의 일특징에 따르면, 상기 판은 직각으로 십자형으로 교차되며 적외선을 반사하기에 최적의 반사율을 갖는 재료로 만들어진다. 램프의 재료는 금속(강 또는 알루미늄) 또는 비금속(세라믹, 지르콘)일 수 있다.
적외선복사 램프는 할로겐 램프이며, 바람직하게는 각 단은 적당한 간격으로엇갈려 서로 평행하게 신장하는 동일한 수의 관상 램프를 포함한다.
상기 반사경은 램프의 하단과 창 사이에 삽입되거나 또는 2열의 램프의 높이를 차지하도록 직접 램프구역간에 삽입될 수 있다.
도 1 내지 도 3 에서, 적외선복사 가열장치 (10) 는 극소전자공학 기판 제조기술에서 실시되는 고속열처리에 사용된다. 이것은 극소센서 및 태양에너지 패널을 생산하는데도 사용될 수 있다.
예를 들어 실리콘으로 만들어진 기판 (12) 은 스테인리스강 또는 석영으로 만들어진 밀폐공간 (16) 에 의해 경계지어진 반응실 (14) 의 중앙구역에 위치한다. 펌프수단 (18) 은 밀폐공간 (16) 과 연결되어 있어 대기압에서 작동하거나 또는 반응실 (14) 의 내부압력을 제 2 진공아래로 감압하게 한다.
반응실 (14) 에는, 불활성 또는 반응성 분위기에서의 처리를 위해, 특히 기판 (12) 의 소둔, 기판 (12) 의 노출면 위에 박막의 흡착(화학기상증착 (CVD)), 표면의 물리화학적 특성의 조절 등을 실시하기 위해, 주입수단 (22) 에 의해 중성 또는 반응성 가스유동 (20) 이 주입될 수 있다.
본 발명에 따르면, 적외선복사 가열장치 (10) 는 기판 (12) 의 전체 노출면의 균일한 고속열처리를 가능하게 한다. 상기 가열장치 (10) 는 하우징 (28) 내부에 두개의 겹쳐진 단 (A 및 B) 으로 배치된 두개의 관상 할로겐 램프 (24,26) 로 구성되어 있다. 제 1 하단 (A) 은, 단일 평면상에서 서로 평행하게 신장하고 일정한 간격으로 엇갈리는 다수의 할로겐 램프 (24)(예를 들어, 도 1 내지 도 3 에서 6개)를 포함한다. 제 2 상단 (B) 은, 상기 제 1 평면상에 평행한 단일 평면상에 제 1 하단 (A) 의 램프 (24) 에 대해 수직으로 배치된 동일한 수의 램프 (26) 를 구비하고 있다.
할로겐 램프 (24,26) 는 다른 가열구역에 복사되는 전력을 조절하기위해 가변전압 동력공급장치 (32) 에 연결된 상호연결회로 (30) 에 연결되어 그룹으로 동력을 공급받는다. 도 2 에 따르면, 제 2 상단 (B) 의 6개의 램프 (26) 는 3개의 구역 1,2,3 별로 공급된다. 예를 들어, 구역 1 은 두개의 말단램프 (26) 에 의해 한정되며, 구역 2 는 두개의 중간램프 (26) 에 의해 한정되며, 구역 3 은 병치된 두개의 내부램프 (26) 에 의해 한정된다. 마찬가지로, 제 1 하단 (A) 의 6개의 램프 (24) 는 구역 1,2,3 에 직교하여 3개의 구역 4,5,6 별로 공급된다. 예를 들어, 구역 4 는 두개의 말단램프 (24) 에 의해 한정되며, 구역 5 는 두개의 중간램프 (24) 에 의해 한정되며, 구역 6 은 두개의 내부램프 (24) 에 의해 한정된다.
각각의 구역 1 내지 6 에서 동력을 조절함으로써, 기판 (12) 의 가장자리상에서 대류에 의한 열손실과 연계된 복사열구배의 효과가 보정된다. 다른 구역에서의 동력 윤곽은 기판 (12) 표면에서 온도의 상을 결정한다. 중앙구역보다 주변구역상에 더 높은 동력을 가함으로써, 기판 (12) 의 가장자리를 따르는 열손실이 보상되어 기판 (12) 전체에 대해 균일한 온도윤곽이 얻어진다. 도 2 에 도시된 구조는 다음과 같은 동력분배를 얻을 수 있다.
- 동력구역 1:3
- 동력구역 2:2
- 동력구역 3:1
- 동력구역 4:3
- 동력구역 5:2
- 동력구역 6:1
도 3 의 테이블에 도표화 되어 있다. 이 표에 나타난 동력분배에 의해 기판 (12) 의 중심보다 기판의 가장자리에 더 큰 가열을 얻을 수 있다는 것을 관찰할 수 있다.
반응실 (14) 의 밀폐공간 (16) 에는, 예를 들어 석영으로 만들어진 투명창 (34) 이 있으며, 이 투명창에 의해서 밀폐공간 (16) 외부로부터 할로겐 램프 (24,26) 에 의해 방출된 적외선이 통과하게 된다. 가열장치 (10) 와 투명창 (34) 사이의 공간에는, 기판 (12) 의 온도와 함께 기판 (12) 의 가장자리와 중심사이의 열차이를 보상하는데 필요한 동력이 변하는 경우, 상이한 가열구역 사이에 동력비를 제어하도록 적외선을 반사하는 반사경 (36) 이 배치되어 있다.
도 4 에 따르면, 각 단 A 및 B 는 12개의 램프(단 A 의 왼쪽에 2 개의 램프(24)가 가려있음)를 포함한다. 램프 (24,26) 의 하우징 아래에 배치된 반사경 (36) 은 투명창 (34) 측과 램프 (24,26) 측에 개방된 상이한 4각형 격실을 형성하도록 4개의 세로축 판 (40) 과 4개의 가로축 판 (42) 이 십자로 교차되어 형성된 분배격자 (38) 형태이다. 격실은 각 가열구역에 할당된 가변 횡단면을 가지며, 그래서 램프 (24,26) 의 상이한 조사구역에 의해 방출된 빛에너지가 기판 (12) 의 대응구역에 채널식으로 조사된다.
반사경 (36) 의 십자로 교차된 판 (38) 은 적외선을 반사하는데 최적의 반사율을 갖는 재료로 만들어 진다. 상기 재료는, 예를 들어 세라믹 또는 지르콘계의 비금속일 수 있다. 또한, 예를 들어 강 또는 알루미늄, 표면이 금 또는 은으로 코팅가능한 금속재료로 만들어진 격자가 사용될 수 있다.
금속재료의 경우에 있어서, 반사경 (36) 은 유용하게는 냉각유체에 의해 냉각될 수 있다.
구역들간의 간섭효과의 최대감소를 얻도록 기판 (12) 의 조사구역이 반사경 (36) 에 의해 완전하게 경계지어지므로, 가열구역에 의한 보상이 정확히 제어된다.
2 단의 할로겐 램프 (24,26) 의 구역간 동력분배와 삽입된 반사경 (36) 에 의하면 기판의 형태와 크기에 상관없이 기판 (12) 의 균일한 가열을 달성할 수 있다.
도 5 의 다른 실시형태에 따르면, 반사경 (136) 의 격자 (138) 를 구성하는판 (142,144) 은 두개의 단 A 와 B 의 높이에 미치도록 램프 (24,26) 사이에 장착된다. 이러한 결과 램프 (24,26) 구역이 차폐물내에서 완전히 프레임화된다.
Claims (9)
- 적외선이 통과하는 투명창 (34) 을 포함하는 밀폐된 반응실 (14) 내부의 기판을 고속으로 열처리하도록 되어 있는 적외선 램프 (24,26) 를 포함하는 기판 (12) 가열장치에 있어서,- 상기 적외선 램프 (24,26) 는 상기 기판 (12) 의 일측상에서 신장하는 두개의 겹쳐진 단 (A,B) 으로 배치되며, 상기 하단 (A) 의 램프 (24) 는 상기 상단 (B) 의 램프 (26) 에 대해 수직으로 배치되며,- 일군의 램프 (24,26) 에 의해 공급동력을 조절하는 수단은 상기 기판 (12) 의 중앙보다 가장자리를 더 많이 가열하며, 그리고- 분배격자 (38,138) 의 형태인 반사경 (36,136) 은 상이한 가열구역간의 동력비를 제어하기 위해 적외선 복사를 반사하여 보내는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사경 (36,136) 의 상기 분배격자 (38,138) 는 가열구역에 할당된 가변 횡단면의 다수의 격실을 경계짓는 판 (40,42;140,142) 의 십자형 배치에 의해 형성되며, 상기 격자는 상기 램프 (24,26) 와 상기 창 (34) 사이에 배치되거나 또는 상기 램프사이에 끼워지는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 판 (40,42;140,142) 은 직각으로 십자형으로 교차하며, 적외선을 반사하기에 최적의 반사율을 갖는 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 반사경 (36,136) 의 상기 판 (40,42;140,142) 은 비금속재료, 특히 세라믹 또는 지르콘계로 만들어지는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 반사경 (36,136) 의 상기 판 (40,42;140,142) 은 금속재료, 예를 들어 강, 알루미늄, 또는 표면이 금이나 은으로 코팅된 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 반사경 (36,136) 은 냉각유체로 냉각되는 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.
- 제 1 항 내지 제 6 항에 있어서, 상기 적외선 램프 (24,26) 는 할로겐 램프인 것을 특징으로 하는 기판 가열장치.
- 제 7 항에 있어서, 각 단 (A,B) 은, 일정한 간격으로 엇걸리며 서로 평행하게 신장하는 동일한 수의 관상램프 (24,26) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가열장치.
- 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 하나에 따른 가열장치를 장착한 고속 열처리용 반응기.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0013182A FR2815395B1 (fr) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | Dispositif de chauffage rapide et uniforme d'un substrat par rayonnement infrarouge |
| FR00/13182 | 2000-10-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020059853A true KR20020059853A (ko) | 2002-07-13 |
| KR100832273B1 KR100832273B1 (ko) | 2008-05-26 |
Family
ID=8855352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020027007453A KR100832273B1 (ko) | 2000-10-13 | 2001-10-12 | 적외선에 의해 기판을 고속으로 균일하게 가열하기 위한장치 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6759632B2 (ko) |
| EP (1) | EP1250711B1 (ko) |
| JP (1) | JP2004511907A (ko) |
| KR (1) | KR100832273B1 (ko) |
| CN (1) | CN1404623A (ko) |
| AT (1) | ATE392710T1 (ko) |
| AU (1) | AU2001295702A1 (ko) |
| CA (1) | CA2394426C (ko) |
| DE (1) | DE60133628T2 (ko) |
| FR (1) | FR2815395B1 (ko) |
| WO (1) | WO2002031862A2 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101535547B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2015-07-10 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (25)
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| US6759632B2 (en) | 2004-07-06 |
| WO2002031862A2 (fr) | 2002-04-18 |
| AU2001295702A1 (en) | 2002-04-22 |
| FR2815395A1 (fr) | 2002-04-19 |
| CA2394426A1 (en) | 2002-04-18 |
| EP1250711B1 (fr) | 2008-04-16 |
| KR100832273B1 (ko) | 2008-05-26 |
| DE60133628D1 (de) | 2008-05-29 |
| US20040052511A1 (en) | 2004-03-18 |
| DE60133628T2 (de) | 2009-05-28 |
| CA2394426C (en) | 2011-09-27 |
| JP2004511907A (ja) | 2004-04-15 |
| CN1404623A (zh) | 2003-03-19 |
| WO2002031862A3 (fr) | 2002-07-25 |
| ATE392710T1 (de) | 2008-05-15 |
| FR2815395B1 (fr) | 2004-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120515 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130410 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |