KR102559935B1 - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B6/80—Apparatus for specific applications
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Abstract
기판을 보지(保持)하는 기판 보지구에 보지된 단열판을 가열 장치로부터 공급된 전자파에 의해 상기 기판을 처리하는 처리 온도까지 가열하고, 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 도달할 때까지의 상기 단열판의 온도 변화를 측정하는 공정; 상기 기판 보지구에 보지되고 상기 비접촉식 온도계 검지 광을 투과하지 않는 재료에 의해 구성되는 칩이 설치된 상기 기판을 상기 전자파에 의해 상기 처리 온도까지 가열하고, 상기 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 달성할 때까지의 상기 칩의 온도 변화를 측정하는 공정; 상기 단열판의 온도 변화의 측정 결과와 상기 칩의 온도 변화의 측정 결과에 의해 상기 단열판과 상기 칩의 온도 변화의 상관관계를 취득하는 공정; 및 상기 비접촉식 온도계가 측정하는 상기 단열판의 온도와 상기 상관관계에 기초하여 상기 전자파에 의해 상기 기판을 가열하는 공정을 포함하는 기술이 제공된다.
Description
본 개시(開示)는 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 예컨대 가열 장치를 이용하여 처리실 내의 기판을 가열하고, 기판의 표면에 형성된 박막 중의 조성이나 결정(結晶) 구조를 변화시키는 어닐링 처리가 있다. 최근의 반도체 디바이스에서는 미세화에 따라 높은 애스펙트비를 가지는 패턴이 형성된 고밀도의 기판에 대한 어닐링 처리가 요구되고 있다.
종래의 어닐링 처리에서는 기판을 균일하게 가열하지 못해 대상 막의 균일한 처리가 수행되지 않는 경우가 있다. 본 개시의 목적은 대상 막의 균일한 처리를 수행하는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
본 개시의 일 형태에 따르면, 기판을 보지(保持)하는 기판 보지구에 보지된 단열판을 가열 장치로부터 공급된 전자파에 의해 상기 기판을 처리하는 처리 온도까지 가열하고, 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 도달할 때까지의 상기 단열판의 온도 변화를 측정하는 공정; 상기 기판 보지구에 보지되고 상기 비접촉식 온도계 검지 광을 투과하지 않는 재료에 의해 구성되는 칩이 설치된 상기 기판을 상기 전자파에 의해 상기 처리 온도까지 가열하고, 상기 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 달성할 때까지의 상기 칩의 온도 변화를 측정하는 공정; 상기 단열판의 온도 변화의 측정 결과와 상기 칩의 온도 변화의 측정 결과에 의해 상기 단열판과 상기 칩의 온도 변화의 상관관계를 취득하는 공정; 및 상기 비접촉식 온도계가 측정하는 상기 단열판의 온도와 상기 상관관계에 기초하여 상기 전자파에 의해 상기 기판을 가열하는 공정을 포함하는 기술이 제공된다.
본 개시에 따르면, 균일한 기판 처리를 수행하는 것이 가능한 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시에서의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 매엽형(枚葉型) 처리로의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 종단면도(縱斷面圖)로 도시하는 도면.
도 2는 본 개시에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도.
도 3은 본 개시에서의 기판 처리의 플로우를 도시하는 도면.
도 4a는 본 개시에서의 온도 제어에 의한 온도 추이를 도시한 도면이며, 승온 시의 온도 제어에 의한 온도와 시간의 추이를 도시한 그래프.
도 4b는 본 개시에서의 온도 제어에 의한 온도 추이를 도시한 도면이며, 기판 처리 시의 온도 제어에 의한 온도와 시간의 추이를 도시한 그래프.
도 4c는 본 개시에서의 기판 처리 시의 온도 제어에 의한 웨이퍼의 가열 영역을 도시한 모식도.
도 5는 본 개시에서의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 처리 변환 테이블을 작성하는 플로우를 도시하는 도면.
도 6a는 본 개시에서의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 처리 변환 테이블을 작성할 때의 온도 측정 방법을 도시하는 도면이며, 단열판의 온도를 측정할 때의 도면.
도 6b는 본 개시에서의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 처리 변환 테이블을 작성할 때의 온도 측정 방법을 도시하는 도면이며, 석영 칩의 온도를 측정할 때의 도면.
도 7은 본 개시에서의 실시 형태에서 측정된 단열판과 석영 칩의 온도와 시간의 추이를 도시한 그래프.
도 8은 도 7에서의 단열판과 석영 칩의 그래프로부터 형성된 단열판과 석영 칩의 상관관계를 도시한 온도 변환 그래프.
도 9는 본 개시에서의 실시 형태의 변형예 1을 도시한 도면.
도 10은 본 개시에서의 실시 형태의 변형예 2를 도시한 도면.
도 2는 본 개시에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도.
도 3은 본 개시에서의 기판 처리의 플로우를 도시하는 도면.
도 4a는 본 개시에서의 온도 제어에 의한 온도 추이를 도시한 도면이며, 승온 시의 온도 제어에 의한 온도와 시간의 추이를 도시한 그래프.
도 4b는 본 개시에서의 온도 제어에 의한 온도 추이를 도시한 도면이며, 기판 처리 시의 온도 제어에 의한 온도와 시간의 추이를 도시한 그래프.
도 4c는 본 개시에서의 기판 처리 시의 온도 제어에 의한 웨이퍼의 가열 영역을 도시한 모식도.
도 5는 본 개시에서의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 처리 변환 테이블을 작성하는 플로우를 도시하는 도면.
도 6a는 본 개시에서의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 처리 변환 테이블을 작성할 때의 온도 측정 방법을 도시하는 도면이며, 단열판의 온도를 측정할 때의 도면.
도 6b는 본 개시에서의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 처리 변환 테이블을 작성할 때의 온도 측정 방법을 도시하는 도면이며, 석영 칩의 온도를 측정할 때의 도면.
도 7은 본 개시에서의 실시 형태에서 측정된 단열판과 석영 칩의 온도와 시간의 추이를 도시한 그래프.
도 8은 도 7에서의 단열판과 석영 칩의 그래프로부터 형성된 단열판과 석영 칩의 상관관계를 도시한 온도 변환 그래프.
도 9는 본 개시에서의 실시 형태의 변형예 1을 도시한 도면.
도 10은 본 개시에서의 실시 형태의 변형예 2를 도시한 도면.
<본 개시의 실시 형태>
이하, 본 개시의 제1 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
본 실시 형태에서 본 개시에 따른 기판 처리 장치(100)는 웨이퍼에 각종의 열처리를 수행하는 매엽식 열처리 장치로서 구성된다.
(처리실)
도 1에 도시하는 바와 같이 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 금속 등의 전자파를 반사하는 재료로 구성되는 캐비티로서의 케이스(102)와, 케이스(102)의 내부에 수용되고, 수직 방향의 상단부 및 하단부가 개방된 통 형상의 반응관(103)을 포함한다. 반응관(103)은 석영 등의 전자파를 투과하는 재료로 구성된다. 또한 금속 재료로 구성된 캡 플랜지[폐색판(閉塞板)](104)가 봉지 부재(씰 부재)로서의 O링(220)을 개재하여 반응관(103)의 상단과 당접(當接)되어 반응관(103)의 상단을 폐색한다. 주로 케이스(102)와 반응관(103) 및 캡 플랜지(104)에 의해 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 처리 용기를 구성하고, 특히 반응관(103)의 내측 공간을 처리실(201)로서 구성한다.
반응관(103)의 하방에는 재치대(210)가 설치되고, 재치대(210)의 상면에는 웨이퍼(200)를 보지하는 기판 보지구로서의 보트(217)가 재치된다. 보트(217)에는 처리 대상으로서의 웨이퍼(200)와, 예컨대 더미 웨이퍼 등의 석영판이나 실리콘 플레이트(Si판) 등으로 형성된 웨이퍼(200)의 온도를 유지(보온)하기 위한 단열판(101a, 101b)이 소정의 간격으로 웨이퍼(200)를 끼워 넣도록 보지된다. 또한 재치대(210)의 측벽에는 재치대(210)의 지름 방향을 향하여 돌출된 미도시의 돌출부가 재치대(210)의 저면측(底面側)에 설치된다. 이 돌출부가 후술하는 처리실(201)과 반송 공간(203) 사이에 설치되는 칸막이 판(204)과 접근 또는 접촉하는 것에 의해 처리실(201) 내의 분위기가 반송 공간(203) 내로 이동하거나, 반송 공간(203) 내의 분위기가 처리실(201) 내로 이동하는 것을 억제시킨다. 여기서 단열판(101a, 101b)은 기판 처리 온도에 따라 복수 매씩 설치해도 좋다. 이와 같이 복수 매씩 설치하는 것에 의해 웨이퍼(200)가 재치되는 영역이 방열되는 것을 억제하는 것이 가능해지고, 웨이퍼(200)의 면내 또는 면간 온도 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한 후술하는 도 6a에 도시하는 바와 같이 보트(217)의 단판(端板)(천장판)(217a)에는 온도 센서(263)의 측정 창으로서의 공(217b)이 설치되고, 단열판(101a)이 온도 센서(263)에 의해 표면 온도가 측정되도록 보트(217)에 보지된다.
상부 용기로서의 케이스(102)는 예컨대 횡단면(橫斷面)이 원형이며, 평평한 밀폐 용기로서 구성된다. 또한 하부 용기로서의 반송 용기(202)는 예컨대 알루미늄(Al)이나 스텐레스(SUS) 등의 금속 재료 또는 석영 등에 의해 구성된다. 처리 용기의 하방(下方)에는 기판으로서의 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼(200)를 반송하는 반송 공간(203)이 형성된다. 또한 케이스(102)에 둘러싸인 공간, 또는 반응관(103)에 둘러싸인 공간이며, 칸막이 판(204)보다 상방(上方)의 공간을 처리실(201) 또는 반응 영역(201)이라고 부르고, 반송 용기(202)에 둘러싸인 공간이며, 칸막이 판보다 하방의 공간을 반송 영역(203)이라고 부르는 경우도 있다.
반송 용기(202)의 측면에는 게이트 밸브(205)에 인접한 기판 반입출구(206)가 설치되고, 웨이퍼(200)는 기판 반입출구(206)를 개재하여 미도시의 기판 반송실 사이를 이동한다.
케이스(102)의 측면에는 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)가 천설(穿設)된다. 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)의 각각에는 처리실(201) 내에 마이크로파를 공급하기 위한 도파관(654-1, 654-2)의 일단(一端)이 접속된다. 도파관(654-1, 654-2)의 타단(他端)의 각각에는 처리실(201) 내에 전자파를 공급해서 가열하는 가열원으로서의 마이크로파 발진기(전자파원)(655-1, 655-2)가 접속된다. 여기서 전자파 도입 포트(653-1, 653-2), 도파관(654-1, 654-2), 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 일반적인 설명 등을 하는 경우에는 각각을 대표해서 전자파 도입 포트(653), 도파관(654), 마이크로파 발진기(655)라고 기재한다.
재치대(210)는 회전축으로서의 샤프트(255)에 의해 지지된다. 샤프트(255)는 반송 용기(202)의 바닥부를 관통하고, 또한 반송 용기(202)의 외부에서 회전, 승강 동작을 수행하는 구동(驅動) 기구(267)에 접속된다. 구동 기구(267)를 작동시켜서 샤프트(255) 및 재치대(210)를 회전 및 승강시키는 것에 의해 포트(217) 상에 재치되는 웨이퍼(200)를 회전 또는 승강시키는 것이 가능하도록 이루어진다. 또한 샤프트(255) 하단부의 주위는 벨로즈(212)에 의해 피복되고, 처리실(201) 및 반송 공간(203) 내는 기밀하게 보지된다.
재치대(210)는 웨이퍼(200) 반송 시에는 재치대 상면이 기판 반입출구(206)의 위치(웨이퍼 반송 위치)가 되도록 하강되고, 웨이퍼(200) 처리 시에는 도 1에 도시되는 바와 같이 웨이퍼(200)가 처리실(201) 내의 처리 위치(웨이퍼 처리 위치)까지 상승한다.
(배기부)
처리실(201)의 하방이며, 재치대(210)의 외주측에는 처리실(201)의 분위기를 배기하는 배기부가 설치된다. 도 1에 도시하는 바와 같이 배기부에는 배기구(221)가 설치된다. 배기구(221)에는 배기관(231)이 접속되고, 배기관(231)에는 처리실(201) 내의 압력에 따라 밸브의 개도(開度)를 제어하는 APC 밸브 등의 압력 조정기(244), 진공 펌프(246)가 순서대로 직렬로 접속된다. 여기서 압력 조정기(244)는 처리실(201) 내의 압력 정보[후술하는 압력 센서(245)로부터의 피드백 신호]를 수신해서 배기량을 조정할 수 있는 것이라면 APC 밸브에 한정되지 않고, 통상의 개폐 밸브와 압력 조정 밸브를 병용하도록 구성되어도 좋다.
주로 배기구(221), 배기관(231), 압력 조정기(244)에 의해 배기부(배기계 또는 배기 라인이라고도 부른다)가 구성된다. 또한 처리실(201)을 둘러싸도록 배기로를 설치하고, 웨이퍼(200)의 전주(全周)로부터 가스를 배기 가능하도록 구성해도 좋다. 또한 배기부의 구성에 진공 펌프(246)를 추가해도 좋다.
(가스 공급부)
캡 플랜지(104)에는 불활성 가스, 원료 가스, 반응 가스 등의 각종 기판 처리를 위한 처리 가스를 처리실(201) 내에 공급하기 위한 가스 공급관(232)이 설치된다. 가스 공급관(232)에는 상류측부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241) 및 개폐 밸브인 밸브(243)가 설치된다. 가스 공급관(232)의 상류측에는 예컨대 불활성 가스인 질소(N2) 가스원(源)이 접속되고, MFC(241), 밸브(243)를 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 기판 처리 시에 복수 종류의 가스를 사용하는 경우에는 가스 공급관(232)의 밸브(243)보다 하류측에 상류 방향부터 순서대로 유량 제어기인 MFC 및 개폐 밸브인 밸브가 설치된 가스 공급관이 접속되어도 좋다.
가스 공급관(232)으로부터 불활성 가스를 공급하는 경우, 주로 가스 공급관(232), MFC(241), 밸브(243)에 의해 불활성 가스 공급계가 구성된다. 불활성 가스로서는 N2 가스 외에 예컨대 Ar 가스, He 가스, Ne 가스, Xe 가스 등의 희가스를 이용할 수 있다.
(온도 센서)
캡 플랜지(104)에는 비접촉식의 온도 검출기(비접촉식 온도계)로서 온도 센서(263)가 설치된다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 후술하는 마이크로파 발진기(655)의 출력을 조정하는 것에 의해 기판을 가열하고, 기판 온도가 원하는 온도 분포가 된다. 온도 센서(263)는 예컨대 IR(Infrared Radiation) 센서 등의 방사 온도계로 구성된다. 또한 기판의 온도를 측정하는 방법으로서 전술한 방사 온도계에 한정되지 않고, 열전대를 이용하여 온도 측정을 수행해도 좋고, 열전대와 방사 온도계를 병용해서 온도 측정을 수행해도 좋다. 단, 열전대를 이용해서 온도 측정을 수행한 경우, 열전대의 측온 정밀도를 향상시키기 위해서 처리 웨이퍼(200)의 근방에 배치해서 온도 측정을 수행할 필요가 있으므로, 후술하는 마이크로파 발진기로부터 공급된 마이크로파에 의해 열전대 자체가 가열되어 버리기 때문에 방사 온도계를 온도 센서(263)로서 이용하는 것이 바람직하다. 또한 온도 센서(263)는 캡 플랜지(104)에 설치하는 것에 한정되지 않고, 재치대(210)에 설치해도 좋다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 상단이 폐색된 반응관을 이용하는 것이 가능해지고, 처리실(201)에 공급되는 마이크로파나 처리 가스 등이 누설될 가능성을 저감하는 것이 가능해진다. 또한 온도 센서(263)는 캡 플랜지(104)나 재치대(210)에 직접 설치할 뿐만 아니라, 캡 플랜지(104)나 재치대(210)에 설치된 측정 창으로부터의 방사광을 거울 등으로 반사시켜서 간접적으로 측정하도록 구성되어도 좋다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 온도 센서(263)를 설치하는 장소의 제한을 완화하는 것이 가능해진다.
(마이크로파 발진기)
케이스(102)의 측벽에는 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)가 설치된다. 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)의 각각은 처리실(201) 내에 전자파를 공급하기 위한 도파관(654-1, 654-2)의 각각의 일단이 접속된다. 도파관(654-1, 654-2) 각각의 타단에는 처리실(201) 내에 전자파를 공급해서 가열하는 가열원으로서의 마이크로파 발진기(전자파원)(655-1, 655-2)가 접속된다. 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 마이크로파 등의 전자파를 도파관(654-1, 654-2)에 각각 공급한다. 또한 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 마그네트론이나 클라이스트론 등이 이용된다. 마이크로파 발진기(655)에 의해 발생하는 전자파의 주파수는 바람직하게는 13.56MHz 이상 24.125GHz 이하의 주파수 범위가 되도록 제어된다. 또한 바람직하게는 2.45GHz 또는 5.8GHz의 주파수가 되도록 제어되는 것이 바람직하다. 또한 본 실시 형태에서 마이크로파 발진기(655)는 케이스(102)의 측면에 2개 배치되도록 기재되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 1개 이상 설치되면 좋다. 또한 케이스(102)와 대향되는 측면 등의 다른 측면에 설치되도록 배치해도 좋다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 후술하는 마이크로파가 웨이퍼(200)상에서 부분적으로 흡수되는 영역, 즉 웨이퍼(200)가 부분적으로 가열되는 것을 억제하는 것이 가능해지고, 웨이퍼(200)의 면내 온도 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다. 주로 마이크로파 발진기(655-1, 655-2), 도파관(654-1, 654-2) 및 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)에 의해 가열 장치로서의 전자파 공급부(전자파 공급 장치, 마이크로파 공급부, 마이크로파 공급 장치)가 구성된다.
마이크로파 발진기(655-1, 655-2)의 각각에는 후술하는 컨트롤러(121)가 접속된다. 컨트롤러(121)에는 처리실(201) 내에 수용되는 단열판(101a 또는 101b), 또는 웨이퍼(200)의 온도를 측정하는 온도 센서(263)가 접속된다. 온도 센서(263)는 단열판(101a 또는 101b), 또는 웨이퍼(200)의 온도를 측정해서 컨트롤러(121)에 송신하고, 컨트롤러(121)에 의해 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)의 출력을 제어하고, 웨이퍼(200)의 가열을 제어한다. 여기서 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 컨트롤러(121)로부터 송신되는 동일한 제어 신호에 의해 제어된다. 하지만 이에 한정되지 않고, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)의 각각에 컨트롤러(121)로부터 개별의 제어 신호를 송신하는 것에 의해 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)가 각각 제어되도록 구성해도 좋다.
(제어 장치)
도 2에 도시하는 바와 같이 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는 CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는 내부 버스(121e)를 개재하여 CPU(121a)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(121)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속된다.
기억 장치(121c)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(121c) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 노즐의 에칭 처리나 성막 처리의 순서나 조건 등이 기재된 에칭 레시피나 프로세스 레시피 등이 판독 가능하도록 격납된다. 에칭 레시피나 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 말한다. 또한 에칭 레시피나 프로세스 레시피를 단순히 레시피라고도 부른다. 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우 또는 그 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은 CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
I/O 포트(121d)는 전술한 MFC(241a 내지 241d), 밸브(243), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 온도 센서(263), 구동 기구(267), 마이크로파 발진기(655) 등에 접속된다.
CPU(121a)는 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성된다. CPU(121a)는 판독한 레시피의 내용을 따르도록 MFC(241)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(263)에 기초하는 마이크로파 발진기의 출력 조정 동작, 구동 기구(267)에 의한 재치대(210)(또는 보트(217))의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 또는 승강 동작 등을 제어하도록 구성된다.
컨트롤러(121)는 외부 기억 장치[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기, 디스크, CD나 DVD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리](123)에 격납된 전술한 프로그램을 컴퓨터에 인스톨하는 것에 의해 구성할 수 있다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다. 또한 컴퓨터로의 프로그램의 제공은 외부 기억 장치(123)를 이용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 수행해도 좋다.
(2) 기판 처리 공정
다음으로 전술한 기판 처리 장치(100)의 처리로를 이용하여, 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서 예컨대 기판 상에 형성된 실리콘 함유막으로서의 어모퍼스실리콘막의 개질(결정화) 방법의 일례에 대해서 도 3에 도시한 처리 플로우를 따라 설명한다. 이하의 설명에서 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
본 명세서에서 '웨이퍼'라는 단어를 사용한 경우는 웨이퍼(프로덕트 웨이퍼) 그 자체를 의미하는 경우나, 웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막과의 적층체를 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 '웨이퍼의 표면'이라는 단어를 사용한 경우는 웨이퍼 그 자체의 표면을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성된 소정의 층 등의 표면을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 '웨이퍼 상에 소정의 층을 형성한다'라고 기재한 경우는 웨이퍼 그 자체의 표면상에 소정의 층을 직접 형성하는 것을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성되는 층 등의 상에 소정의 층을 형성하는 것을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 '기판'이라는 단어를 사용한 경우도 '웨이퍼'라는 단어를 사용한 경우와 같은 의미이다.
[온도 변환 그래프 작성 공정(S302)]
소정의 기판 처리를 수행하는 전단계로서 단열판(101a), 온도 센서(263), 타깃 기판(603), 공개(孔開) 단열판(602), 온도 센서(263)의 검지 광을 투과하지 않는 재료(예컨대 석영)에 의해 구성된 칩(604)(이하, 석영 칩이라고도 부른다)을 이용하여, 후술하는 단열판(101a)과 석영 칩(604)과의 상관관계를 나타내는 도 8에 예시하는 바와 같은 온도 변환 그래프를 작성하는 데이터의 취득 처리를 수행한다(S302).
[반입 공정(S304)]
도 1에 도시되는 바와 같이 소정 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 이재되면 보트 엘리베이터(115)는 보트(217)를 상승시키고, 도 3에 도시되는 바와 같이 반응관(103) 내측의 처리실(201)에 반입(보트 로딩)한다(S304).
[압력 조정 공정(S306)]
처리실(201) 내로의 보트(217)의 반입이 완료되면, 처리실(201) 내가 소정의 압력(예컨대 10Pa 내지 100Pa)이 되도록 처리실(201) 내의 분위기를 배기한다. 구체적으로는 진공 펌프(246)에 의해 배기하면서 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여 압력 조정기(244)의 밸브 개도를 피드백 제어하고, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 한다(S306).
[불활성 가스 공급 공정(S308)]
구동 기구(267)는 보트(217)를 개재하여 웨이퍼(200)를 회전시킨다. 이때 N2 가스 등의 불활성 가스가 가스 공급관(232)을 개재하여 공급된다(S308). 처리실(201) 내의 압력은 1Pa 내지 200,000Pa 중의 소정의 값이며, 예컨대 1Pa 내지 300Pa로 조정된다.
[개질 공정(S310)]
마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 웨이퍼(200)를 100℃ 내지 900℃의 온도대, 예컨대 400℃로 승온시킨다. 웨이퍼(200)의 온도는 단열판(101a)의 표면 온도를 온도 센서(263)에 의해 측정하고, 온도 변환 그래프 작성 공정에서 기억된 온도 변환 그래프의 작성 데이터에 의해 추측되어 제어된다. 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 도파관(654-1, 654-2)을 개재하여 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)로부터 마이크로파를 처리실(201) 내에 공급한다. 처리실(201) 내에 공급된 마이크로파는 웨이퍼(200)에 입사(入射)해서 효율적으로 흡수되기 때문에 웨이퍼(200)를 지극히 효과적으로 승온시키는 것이 가능해진다.
여기서 웨이퍼(200)를 승온시키는 경우, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 마이크로파를 간헐적으로 공급하면서 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)의 출력을 크게 하도록 제어되는 것이 바람직하다. 즉 도 4a에 도시하는 바와 같이 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)로부터의 마이크로파 공급을 간헐적으로 공급하는 펄스 제어(401)와, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)의 출력을 선형적으로 제어하는 파워 리미트 제어(402)를 조합시켜서 수행하게 되는 것이 바람직하다. 이와 같이 웨이퍼(200)의 승온 시에 마이크로파를 펄스 제어하여 공급하는 것에 의해 도 4c에 도시하는 바와 같이 처리실(201) 내에 정상파가 형성되어 웨이퍼 표면에 집중적으로 가열되는 영역(마이크로파 집중 영역, 핫스폿)(404)이 형성되어도 마이크로파를 공급하지 않는 시간(OFF 시간)을 설치할 수 있다. 마이크로파를 공급하지 않는 타이밍을 설치하는 것에 의해 마이크로파 집중 영역(404)에 발생한 열이 웨이퍼(200)의 면내 전체에 전달되어 웨이퍼(200)의 면내 온도를 균일하게 유지하는 것이 가능해진다. 이와 같이 웨이퍼(200)의 면내에서 열 전달이 일어나는 기간을 설치하는 것에 의해 마이크로파 집중 영역(404)이 집중적으로 가열되는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서 마이크로파를 펄스 제어하여 공급하는 것에 의해 마이크로파 집중 영역(404)만이 집중적으로 가열되어 마이크로파 집중 영역(404)과 그 이외의 웨이퍼 면의 온도 차이가 크게 되는 것을 억제할 수 있다. 즉 마이크로파 집중 영역(404)만이 집중적 또한 연속적으로 가열되는 것에 의해 웨이퍼(200)의 표면에 온도 차이가 발생함으로써 웨이퍼(200)에 균열이나 굴절, 왜곡과 같은 웨이퍼 변형을 억제하는 것이 가능해진다. 또한 웨이퍼(200)의 승온 시에 마이크로파를 파워 리미트 제어하여 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200)를 효율적으로 승온하는 것이 가능해지고, 원하는 기판 처리 온도까지 단시간에 가열하는 것이 가능해진다.
다음으로 웨이퍼(200)의 승온이 완료되면, 기판 처리 온도로서 온도 센서(263)에 의해 측정되는 온도를 일정한 범위로 유지하도록 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)를 제어한다. 구체적으로는 온도 센서(263)에 의해 측정된 온도를 온도 변환 그래프 작성 공정(S302)에서 작성한 도 8에 도시하는 온도 변환 그래프에 기초하여 변환하고, 온도 제어를 수행한다. 이때 도 4b에 도시하는 바와 같이 온도 센서(263)에 의해 측정된 온도를 컨트롤러(121)에 피드백하고, 피드백된 데이터에 기초하여 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)를 제어하는 피드백 제어(403)를 수행하는 것과 함께 웨이퍼 승온 시와 마찬가지로 펄스 제어하는 것에 의해 기판 처리 온도를 일정한 범위로 하도록 제어해도 좋다. 이와 같이 제어하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 온도를 소정의 범위의 기판 처리 온도로 유지하는 것이 가능해진다. 펄스 제어하는 이유에 대해서는 웨이퍼 승온 시와 마찬가지의 이유다.
여기서 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)에 의해 마이크로파를 공급하는 시간(ON 시간)과, 마이크로파를 공급하지 않는 시간(OFF 시간)의 간격, 즉 펄스 폭은 예컨대 1×10-4sec 간격으로 제어할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 웨이퍼 승온 시와 웨이퍼 처리 시의 양방(兩方)에서 정확한 온도 제어를 가능하게 한다. 또한 웨이퍼 승온 시와 웨이퍼 처리 시에서 다른 펄스 폭이 되도록 제어해도 좋다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 웨이퍼(200)의 표면에서의 마이크로파 집중 영역(404)과 그 이외의 면의 온도 차이가 크게 되기 쉬운(마이크로파 집중 영역 이외의 영역이 가열되지 않는) 웨이퍼 승온 시에는 펄스 폭을 작게 하는 것에 의해 면내 온도 균일성을 향상시키는 것이 가능해진다. 마찬가지로 웨이퍼(200)의 표면에서의 마이크로파 집중 영역(404)과 그 이외의 면의 온도 차이가 크게 되기 어려운(마이크로파 집중 영역 이외의 영역이 어느 정도 가열된) 웨이퍼 처리 시에는 펄스 폭을 크게 하는 것에 의해 웨이퍼 표면에 마이크로파를 충분히 조사(照射)하는 것이 가능해지고, 충분한 웨이퍼 처리를 수행하는 것이 가능해진다. 또한 펄스 폭의 ON 시간과 OFF 시간의 시간 간격을 각각 다르게 제어해도 좋다. 이상과 같이 웨이퍼(200)를 가열 처리하는 것에 의해 웨이퍼(200) 표면상에 형성되는 어모퍼스실리콘막이 폴리실리콘막으로 개질(결정화)된다. 즉 웨이퍼(200)를 균일하게 개질하는 것이 가능해진다.
미리 설정된 처리 시간이 경과되면, 보트(217)의 회전, 가스의 공급, 마이크로파의 공급 및 배기관의 배기가 정지된다(S310).
[대기압 복귀(S312)]
개질 공정 종료 후, N2 가스 등의 불활성 가스를 공급하고, 처리실(201) 내의 압력을 대기압으로 복귀시킨다(S312).
[반출 공정(S314)]
처리실(201) 내의 압력을 대기압 복귀시킨 후, 구동 기구(267)는 재치대(210)를 하강시키는 것에 의해 노구를 개구하는 것과 함께 보트(217)를 반송 공간(203)에 반출(보트 언로딩)한다. 그 후 보트(217)에 재치되는 웨이퍼(200)를 반송 공간(203)의 외부에 위치하는 반송실에 반출한다(S314). 이상의 동작이 수행되는 것에 의해 웨이퍼(200)가 개질 처리된다.
(3) 온도 변환 그래프 작성 공정
다음으로 온도 변환 그래프 작성 공정(S302)의 구체적인 처리 플로우에 대해서 도 5 내지 도 8을 이용하여 설명한다. 또한 본 개시에서는 설명의 이해를 돕기 위해서 온도 변환 그래프 작성 공정으로서 설명하지만 반드시 온도 변환 그래프를 작성할 필요는 없고, 온도 변환 그래프를 작성할 수 있는 데이터를 취득할 수 있으면 된다.
[단열판 측정 준비 및 반입 공정(S502)]
도 6a에 도시하는 바와 같이 보트(217)의 단판(천장판)(217a)에는 온도 센서(263)의 측정 창으로서의 공(孔)(217b)이 설치되고, 단열판(101a)이 온도 센서(263)에 의해 표면 온도가 측정되도록 보트(217)에 보지된다. 마찬가지로 기판 처리를 수행하는 웨이퍼(200)(프로덕트 웨이퍼)와는 재질이 다르고, 열적 특성이 유사한 더미 기판(더미 웨이퍼)(601)과 단열판(101b)이 보트(217)에 보지된다. 보트(217)의 소정의 위치에 단열판(101a, 101b), 더미 웨이퍼(601)가 보지되면, 처리실(201)에 보트(217)가 반입된다(S502). 또한 더미 웨이퍼(601)를 보트(217)에 보지하지만, 프로덕트 웨이퍼를 보트(217)에 보지해도 좋다.
[온도 조정 및 단열판 온도 측정(S504)]
보트(217)가 소정의 기판 처리 위치에 반입되면, 마이크로파 발진기(655)로부터 마이크로파가 공급되어 전술한 제어 방법에 의해 마이크로파 발진기(655)가 제어되고, 기판 처리 온도까지의 웨이퍼(200)의 승온 및 온도 유지 등의 온도 조정이 수행된다. 온도 조정이 수행되는 동안, 소정의 시작 타이밍으로 단열판(101a)의 표면 온도를 온도 센서(263)에 의해 소정 시간 측정한다(S504).
온도 센서(263)에 의해 측정된 단열판(101a)의 온도는 CPU(121a)를 개재하여 기억 장치(121c)에 기억된다. 기억된 데이터는 예컨대 도 7의 그래프(701)에 도시하는 바와 같이 시각화하는 것이 가능해진다.
[데이터 취득 완료 판정(S506)]
온도 센서(263)가 단열판(101a)의 표면 온도를 일정시간 측정하면, 컨트롤러(121)에 의해 미리 정해진 데이터가 취득되었는지에 대한 여부를 판정한다(S506). 소정의 데이터가 취득 완료된 경우에는 다음 공정에 진행하고, 완료하지 않은 경우에는 온도 조정, 단열판 온도 측정(S504)을 다시 실시한다.
[반출 공정(S508)]
단열판(101a)의 소정 데이터의 취득이 완료되면 보트(217)를 반출한다(S508).
[석영 칩 측정 준비 및 반입 공정(S510)]
보트(217)가 반출되면 도 6b에 도시하는 바와 같이 보트(217)로부터 단열판(101a)을 취출하고, 단열판(101a)이 보지되었던 위치에 공개 단열판(602)을 보지시킨다. 마찬가지로 더미 웨이퍼(601)를 반출한 후에는 프로덕트 웨이퍼 또는 프로덕트 웨이퍼에 열적 특성이 유사한 재질로 형성된 웨이퍼[타겟 기판(타겟 웨이퍼)](603)가 보트(217)에 보지된다. 이 웨이퍼(603) 상의 중앙부에는 온도 센서(263)의 검지 광을 투과하지 않는 재료로 형성되고, 얇고 소형의 석영 칩(604)이 설치된다. 보트(217)의 소정의 위치에 공개 단열판(602), 석영 칩(604)이 설치된 타겟 웨이퍼(603)가 각각 보지되면, 보트(217)가 처리실(201) 내에 반입된다(S510).
[온도 조정, 석영 칩 온도 측정(S512)]
단열판(101a)의 온도 측정 시와 마찬가지로 보트(217)가 소정의 기판 처리 위치에 반입되면, 마이크로파 발진기(655)로부터 마이크로파가 공급되고, 전술한 제어 방법에 의해 마이크로파 발진기(655)가 제어되고, 기판 처리 온도까지의 웨이퍼(200)의 승온 및 온도 유지 등의 온도 조정이 수행된다. 온도 조정이 수행되는 동안, 소정의 시작 타이밍으로 타겟 웨이퍼(603) 상의 석영 칩(604)의 표면 온도를 온도 센서(263)에 의해 소정 시간 측정한다(S512). 타깃 웨이퍼(603)는 온도 센서(263)의 검지 광을 일부 투과하는 것에 반해, 석영 칩(604)은 온도 센서(263)의 검지 광을 투과하지 않기 때문에 정밀도 좋게 온도를 측정하는 것이 가능하다.
[데이터 취득 완료 판정(S514)]
온도 센서(263)가 석영 칩(604)의 온도를 일정 시간 측정하면, 컨트롤러(121)에 의해 미리 정해진 데이터가 취득되었는지에 대한 여부를 판정한다(S514). 소정의 데이터가 취득 완료된 경우에는 다음 공정으로 진행하고, 완료하지 않은 경우에는 온도 조정, 타겟 기판 온도 측정(S512)을 다시 실시한다.
온도 센서(263)에 의해 측정된 석영 칩(604)의 온도는 CPU(121a)를 개재하여 기억 장치(121c)에 기억된다. 기억된 데이터는 예컨대 도 7의 그래프(702)에 도시하는 바와 같이 시각화하는 것이 가능해진다.
[반출 공정 및 기판 처리 준비 및 온도 변환 그래프 작성(S516)]
석영 칩(604)의 소정 데이터의 취득이 완료되면 보트(217)를 반출한다. 보트(217)를 반출한 후 공개 단열판(602)을 취출하고, 도 1에 도시하는 바와 같이 단열판(101a)을 보트(217)에 배치한다. 또한 타겟 웨이퍼(603), 석영 칩(604)을 취출하고, 통상의 웨이퍼(200)를 보트(217)에 배치한다. 이와 같이 기판 처리 플로우를 실시하는 준비가 수행된다. 또한 도 7에 도시한 석영 칩(604)의 온도의 시간 추이 그래프(702)와 단열판(101a)의 온도의 시간 추이 그래프(701)의 데이터로부터, 선형 보간(補間) 또는 일차식 근사를 이용하는 것에 의해 도 8에 도시하는 바와 같은 세로축이 석영 칩의 온도, 가로축이 단열판의 온도로 한 단열판과 타깃 웨이퍼의 상관관계를 기억 장치(121c)에 기억시킨다. 이와 같이하여 온도 변환 그래프 작성 공정이 완료된다.
(4) 본 실시 형태에 따른 효과
본 실시 형태에 따르면 이하에 나타내는 1개 또는 복수의 효과를 갖는다.
(a) 프로덕트 웨이퍼와 재질이 다른 단열판과 프로덕트 웨이퍼에 열적 특성이 유사한 타깃 웨이퍼 상의 석영 칩의 상관관계를 기억하는 것에 의해 단열판의 온도로부터 웨이퍼의 온도가 추측 가능해지고, 기판 처리 시의 온도 제어를 용이하게 수행하는 것을 가능하게 한다.
(b) 단열판의 온도로부터 웨이퍼의 온도를 추측 가능하게 한 것에 의해 웨이퍼 처리 시에 단열판의 온도를 측정하면 충분하기 때문에, 온도 센서의 설치 장소를 용이하게 결정하는 것이 가능해진다.
(c) 단열판의 온도와 석영 칩의 온도를 방사 온도계 등의 비접촉식 온도계에 의해 계측하는 것에 의해 온도계 자신이 마이크로파의 영향을 받아버리는 것을 억제할 수 있고, 정확한 온도 측정이 가능해진다.
(d) 웨이퍼를 승온할 때 마이크로파 발진기를 펄스 제어와 파워 리미트 제어를 조합시켜서 제어하는 것에 의해, 웨이퍼의 면내에서 마이크로파 집중 영역과 그 이외의 웨이퍼 영역의 온도 차이가 크게 되는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 또한 웨이퍼에 굴절이나 왜곡, 균열 등의 변형이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 또한 웨이퍼를 효율적으로 승온하는 것이 가능해지고, 원하는 기판 처리 온도까지 단시간에 가열하는 것이 가능해진다.
(e) 웨이퍼가 처리 온도가 되었을 때 마이크로파 발진기를 피드백 제어와 펄스 제어를 조합시켜서 제어하는 것에 의해 웨이퍼의 온도를 소정의 범위의 기판 처리 온도로 유지하는 것이 가능해진다.
(f) 펄스 제어의 펄스 폭을 제어하는 것에 의해 웨이퍼 승온 시와 웨이퍼 처리 시의 양방에서 정확한 온도 제어가 가능해진다.
(5) 실시 형태의 변형예
본 실시 형태에서의 기판 처리 장치는 전술한 형태에 한정되지 않고, 이하에 나타내는 변형예와 같이 변경할 수 있다.
(변형예 1)
도 9에 도시하는 바와 같이 변형예 1에서는 방사 온도계 등의 비접촉식의 온도 센서(263)의 설치 위치를 중심으로부터 지름 방향 외측에 설치하는 것에 따라, 보트(217)의 천장판의 공(217b)의 형상을 C자 형상의 홈(217c)이 되도록 구성된다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 공(217b)의 공 지름을 확대하는 구성으로 한 경우에 비해 보트(217)의 천장판으로부터 방열되어 기판 온도가 저하되는 것을 억제하는 것이 가능해진다.
(변형예 2)
도 10에 도시하는 바와 같이 변형예 2에서는 1개의 마이크로파 발진기(655)에 대하여 접속된 도파관(654)이 분기되어 케이스(102)에 복수 접속되는 것에 의해 복수의 전자파 도입 포트(653-1 내지 653-3)를 케이스(102)에 설치한다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 복수의 전자파 도입 포트(653-1 내지 653-3)의 각각으로부터 공급된 마이크로파가 웨이퍼(200)에 균등하게 조사되어 웨이퍼(200)를 균일하게 가열하는 것이 가능해진다.
101a, 101b: 단열판(석영판, Si판) 121: 컨트롤러(제어부)
202: 웨이퍼(기판) 201: 처리실
217: 보트(기판 보지구) 263: 온도 센서(비접촉식 온도계)
655: 마이크로파 발진기(가열 장치)
202: 웨이퍼(기판) 201: 처리실
217: 보트(기판 보지구) 263: 온도 센서(비접촉식 온도계)
655: 마이크로파 발진기(가열 장치)
Claims (13)
- 기판을 보지(保持)하는 기판 보지구에 보지된 단열판을 가열 장치로부터 공급된 전자파에 의해 상기 기판을 처리하는 처리 온도까지 가열하고, 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 도달할 때까지의 상기 단열판의 온도 변화를 측정하는 공정;
상기 기판 보지구에 보지되고 상기 비접촉식 온도계 검지 광을 투과하지 않는 재료에 의해 구성되는 칩이 설치된 상기 기판을 상기 전자파에 의해 상기 처리 온도까지 가열하고, 상기 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 달성할 때까지의 상기 칩의 온도 변화를 측정하는 공정;
상기 단열판의 온도 변화의 측정 결과와 상기 칩의 온도 변화의 측정 결과에 의해 상기 단열판과 상기 칩의 온도 변화의 상관관계를 취득하는 공정; 및
상기 비접촉식 온도계가 측정하는 상기 단열판의 온도와 상기 상관관계에 기초하여 상기 전자파에 의해 상기 기판을 가열하는 공정
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 칩은 석영에 의해 구성되는 석영 칩이며, 상기 칩의 온도 변화를 측정하는 공정에서는 상기 석영 칩의 온도 변화를 측정하는 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 단열판의 온도 변화를 측정하는 공정에서 상기 기판보다 상방(上方)에 보지되는 상기 단열판의 온도 변화가 측정되는 반도체 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 단열판은 적어도 1개의 상기 기판을 끼워 넣도록 2개 이상 상기 기판 보지구에 보지되고, 상기 전자파에 의해 가열되는 반도체 장치의 제조 방법. - 기판과 단열판을 보지하는 기판 보지구가 반입되는 처리실;
상기 처리실 내에 전자파를 발진하는 전자파 발진기를 포함하는 가열 장치;
온도를 측정하는 비접촉식 온도계; 및
상기 비접촉식 온도계에 의해 상기 기판을 처리하는 처리 온도에 도달할 때까지의 상기 단열판의 온도 변화를 측정하고, 상기 처리 온도에 도달할 때까지의 상기 비접촉식 온도계의 검지 광을 투과하지 않는 재료에 의해 구성되는 칩의 온도 변화를 측정하고, 상기 측정한 상기 단열판의 온도 변화와 상기 칩의 온도 변화의 상관관계를 취득하고, 상기 비접촉식 온도계가 측정하는 상기 단열판과 상기 상관관계에 기초하여 상기 가열 장치를 제어하는 것이 가능하도록 구성되는 제어부
를 포함하는 기판 처리 장치. - 제5항에 있어서,
상기 칩은 석영에 의해 구성되는 석영 칩인 기판 처리 장치. - 제5항에 있어서,
상기 단열판은 상기 기판보다 상방에 보지되는 기판 처리 장치. - 제5항에 있어서,
상기 단열판은 적어도 1개의 상기 기판을 끼워 넣도록 2개 이상 상기 기판 보지구에 보지되는 기판 처리 장치. - 기판을 보지하는 기판 보지구에 보지된 단열판을 기판 처리 장치의 가열 장치로부터 공급된 전자파에 의해 상기 기판을 처리하는 처리 온도까지 가열하고, 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 도달할 때까지의 상기 단열판의 온도 변화를 측정하는 단계;
상기 기판 보지구에 보지되고 상기 비접촉식 온도계의 검지 광을 투과하지 않는 재료에 의해 구성되는 칩이 설치된 상기 기판을 상기 전자파에 의해 상기 처리 온도까지 가열하고, 상기 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 달성할 때까지의 상기 칩의 온도 변화를 측정하는 단계;
상기 단열판의 온도 변화의 측정 결과와 상기 칩의 온도 변화의 측정 결과에 의해 상기 단열판과 상기 칩의 온도 변화의 상관관계를 취득하는 단계; 및
상기 비접촉식 온도계가 측정하는 상기 단열판의 온도와 상기 상관관계에 기초하여 상기 전자파에 의해 상기 기판을 가열하는 단계
를 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램. - 제9항에 있어서,
상기 칩은 석영에 의해 구성되는 석영 칩이며, 상기 칩의 온도 변화를 측정하는 단계에서는 상기 석영 칩의 온도 변화를 측정하는 프로그램. - 제9항에 있어서,
상기 단열판의 온도 변화를 측정하는 단계에서 상기 기판보다 상방에 보지되는 상기 단열판의 온도 변화가 측정되는 프로그램. - 제9항에 있어서,
상기 단열판은 적어도 1개의 상기 기판을 끼워 넣도록 2개 이상 상기 기판 보지구에 보지되고, 상기 전자파에 의해 가열되는 프로그램. - 기판을 보지하는 기판 보지구에 보지된 단열판을 가열 장치로부터 공급된 전자파에 의해 상기 기판을 처리하는 처리 온도까지 가열하고, 비접촉식 온도계에 의해 상기 처리 온도에 도달할 때까지의 상기 단열판의 온도 변화를 측정하는 공정;
상기 기판 보지구에 보지되고 상기 비접촉식 온도계의 검지 광을 투과하지 않는 재료에 의해 구성되는 칩이 설치되고, 상기 검지 광을 일부 투과하는 상기 기판을 상기 전자파에 의해 상기 처리 온도까지 가열하고, 상기 방사 온도계에 의해 상기 처리 온도에 달성할 때까지의 상기 칩의 온도 변화를 측정하는 공정;
상기 단열판의 온도 변화의 측정 결과와 상기 칩의 온도 변화의 측정 결과에 의해 상기 단열판과 상기 칩의 온도 변화의 상관관계를 취득하는 공정; 및
상기 비접촉식 온도계가 측정하는 상기 단열판의 온도와 상기 상관관계에 기초하여 상기 전자파에 의해 상기 기판을 가열하는 공정
을 포함하는 기판 처리 방법.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2019/011062 WO2020188675A1 (ja) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210125557A KR20210125557A (ko) | 2021-10-18 |
| KR102559935B1 true KR102559935B1 (ko) | 2023-07-27 |
Family
ID=72519229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217029216A KR102559935B1 (ko) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 기판 처리 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210407865A1 (ko) |
| JP (1) | JP7391942B2 (ko) |
| KR (1) | KR102559935B1 (ko) |
| CN (1) | CN113597663A (ko) |
| WO (1) | WO2020188675A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102294007B1 (ko) * | 2017-03-28 | 2021-08-25 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| US11482433B2 (en) * | 2020-07-17 | 2022-10-25 | Intel Corporation | Stacked thermal processing chamber modules for remote radiative heating in semiconductor device manufacture |
| JP1700778S (ko) * | 2021-03-15 | 2021-11-29 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302177A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014056806A (ja) * | 2012-02-27 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波加熱処理装置および処理方法 |
| CN104364888B (zh) * | 2012-05-28 | 2017-02-22 | 株式会社日立国际电气 | 基板处理装置、温度计测系统、处理装置的温度计测方法、输送装置以及记录介质 |
| JP6454425B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-01-16 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6539578B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2019-07-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
2019
- 2019-03-18 WO PCT/JP2019/011062 patent/WO2020188675A1/ja active Application Filing
- 2019-03-18 CN CN201980094224.4A patent/CN113597663A/zh active Pending
- 2019-03-18 JP JP2021506832A patent/JP7391942B2/ja active Active
- 2019-03-18 KR KR1020217029216A patent/KR102559935B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-09-13 US US17/473,664 patent/US20210407865A1/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302177A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210407865A1 (en) | 2021-12-30 |
| KR20210125557A (ko) | 2021-10-18 |
| CN113597663A (zh) | 2021-11-02 |
| JPWO2020188675A1 (ja) | 2021-12-16 |
| JP7391942B2 (ja) | 2023-12-05 |
| WO2020188675A1 (ja) | 2020-09-24 |
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