JP4529690B2 - 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 - Google Patents
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(a)セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面に、金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程。
に所定の膜が形成され、または半導体ウェハ3の表面上でエッチングが行なわれる。なお、チャンバ101の内部を排気するために排気口300が設けられている。
窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてイットリア(Y2O3)を5質量%、バインダとしてポリビニルアルコールを添加してエタノールを溶媒としてボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径380mm、厚み1mmの形状になるようにプレス成形した。この成形体を温度800℃の窒素ガス中で脱脂した後、温度1800℃で4時間焼結することによって窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化アルミニウム焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって研磨し、直径が300mmになるまで外周面を研磨した。このようにしてウェハ保持体の基材となる窒化アルミニウム焼結体を2枚準備した。
参考例1と同じ方法を用いて窒化アルミニウム成形体を作製した。タングステン粉末と焼成助剤をエチルセルロースバインダによって混練したものを窒化アルミニウム成形体の一方の表面上に印刷塗布した。印刷パターンは、焼結収縮後に参考例1と同じ線幅と線間隔になるパターンとし、渦巻状に窒化アルミニウム成形体のほぼ全面にわたって形成したこの導電体の印刷パターンに接続する2つの端子電極を窒化アルミニウム成形体の外周面に形成した。
参考例1と同じ方法を用いて窒化アルミニウム成形体を2枚作製した。1枚の窒化アルミニウム成形体の表面上に、直径0.5mmのモリブデンのワイヤをコイル状に巻き、さらに渦巻状に曲げて配置した。ワイヤの巻き径は5mmで渦巻きのピッチは10mmであった。ワイヤを配置した窒化アルミニウム成形体の一方の表面の上にもう1枚の窒化アルミニウム成形体を載せて、温度800℃の窒素ガス中で脱脂し、カーポン製の型に入れて温度1800℃で4時間ホットプレス焼結した。得られた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって研磨し、直径が300mmになるまで外周面を研磨した。このようにして得られた窒化アルミニウム焼結体からなるウェハ保持体を図10に示す。図10に示すように、2枚の窒化アルミニウム成形体が焼結によって密着することによって、窒化アルミニウム焼結体10fにモリブデンワイヤ16が内蔵されている。
参考例1と同じ方法を用いて窒化アルミニウム焼結体を3枚作製した。2枚の窒化アルミニウム焼結体のそれぞれの一方の表面上に、タングステン粉末と焼成助剤とをエチルセルロースバインダにて混練したものを塗布した。1枚の窒化アルミニウム焼結体の一方の表面上には静電チャック用の電極としてほぼ全面に上記の導電体ペーストを印刷塗布した。もう1枚の窒化アルミニウム焼結体の一方の表面上には、ヒーター回路パターンとして導電体の線幅が0.5mm、線間隔が0.5mmの線状のパターンで導電体の印刷パターンを渦巻状に窒化アルミニウム焼結体のほぼ全面にわたって形成した。このようにして導電体のパターンを印刷した2つの窒化アルミニウム焼結体の外周面には、それぞれ導電体パターンに接続する2つの端子電極を形成した。その後、2枚の窒化アルミニウム焼結体に形成された導電体パターンを温度800℃の窒素ガス中で脱脂し、温度1600℃の窒素ガス中で焼成した。
参考例1と同様の方法によって2枚の窒化アルミニウム焼結体を作製した。
参考例4〜16では、参考例1と同じ方法で、研磨された窒化アルミニウム焼結体を作製した。
窒化ケイ素粉末に焼結助剤としてY2O3を5質量%とAl2O3を2質量%添加し、バインダとしてポリビニルアルコールを添加してエタノールを溶媒としてボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径380mm、厚み1mmの形状になるようにプレス成形した。この成形体を温度800℃の窒素ガス中で脱脂した後、1550℃で4時間焼結した。得られた窒化ケイ素焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒にて研磨した。このようにしてウェハ保持体の基材となる窒化ケイ素焼結体を2枚準備した。
酸窒化アルミニウム(ALON)粉末に焼結助剤としてMgOを2質量%添加し、バインダを添加して分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径380mm、厚み1mmの形状になるようにプレス成形した。この成形体を温度800℃の窒素気流中で脱脂した後、温度1770℃で4時間焼結した。得られた酸窒化アルミニウム焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒にて研磨した。このようにしてウェハ保持体の基材となる酸窒化アルミニウム焼結体を2枚準備した。
参考例1と同じ方法を用いて厚み3mmの窒化アルミニウム焼結体を1枚作製した。その窒化アルミニウム焼結体の表面上にタングステン粉末と焼成助剤とをエチルセルロースバインダにて混練したものを塗布した。一方の表面上には静電チャック用の電極としてほぼ全面に上記の導電体ペーストを印刷塗布した。もう一方の表面上にはヒーター回路パターンとして導電体の線幅が0.5mm、線間隔が0.5mmの線状のパターンで導電体の印刷パターンを渦巻き状に窒化アルミニウム焼結体のほぼ全面にわたって形成した。このようにして導電体のパターンを印刷した窒化アルミニウム焼結体の外周面には、それぞれ導電体パターンに接続する2つの端子電極を形成した。その後、窒化アルミニウム焼結体に形成された導電体パターンを温度800℃の窒素ガス中で脱脂し、温度1600℃の窒
素ガス中で焼成した。
タングステンヒーター回路パターンの線幅と線間隔をそれぞれ5mm、5mmとした以外は、参考例1と同じ製造方法でウェハ保持体を作製した。参考例1と同一条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ、700℃±6℃であった。
タングステンヒーター回路パターンの線幅と線間隔をそれぞれ6mm、6mmとした以外は、参考例1と同じ製造方法でウェハ保持体を作製した。参考例1と同一条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ、700℃±8℃であった。
参考例1と同じ製造方法で焼結体を2枚作製した。1枚の焼結体にモリブデン(Mo)ペーストを、線幅と線間隔がそれぞれ0.5mm、0.5mmのパターンで塗布して、窒素ガス中で焼き付けることによってヒーター回路パターンを形成した以外は、参考例1と同じ手法でウェハ保持体を作製した。参考例1と同一条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ、700℃±1℃であった。
参考例1と同じ製造方法で焼結体を2枚作製した。1枚の焼結体にニッケル−クロム(Ni−Cr)ペーストを、線幅と線間隔がそれぞれ0.5mm、0.5mmのパターンで塗布して、窒素ガス中で焼き付けることによってヒーター回路パターンを形成した以外は、参考例1と同じ手法でウェハ保持体を作製した。参考例1と同一条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ、700℃±1℃であった。
参考例1と同じ製造方法で、焼結体を1枚と、線幅と線間隔がそれぞれ0.5mm、0・5mmのヒーター回路パターンのタングステン導電層を形成した焼結体を1枚作製し、それぞれ熱膨張係数が2.5×10−6/℃、3.0×10−6/℃、5.0×10−6/℃、7.9×10−6/℃、10×10−6/℃のガラスを用いて2枚の焼結体を窒素ガス中にて温度700℃で接合した。昇温速度の目標は30分/600℃以内であったが、それぞれ35分で割れ、6分で割れ、6分以下で割れず、8分で割れ、80分で割れた。
参考例1と同じ製造方法で、1枚(実施例2)、5枚(参考例30)、6枚(参考例31)の焼結体を作製し、各例において1枚の焼結体に導電層を形成した。
参考例10と同様にして、窒化アルミニウム焼結体のウェハ保持面と反対側の表面上に導電層としてヒーター回路パターンを形成し、そのヒーター回路パターンの両端にパッド部を形成した。このヒーター回路パターンの両端のパッド部に、タングステンを90質量%、Y−Al−O系の酸化物を10質量%含むペーストを介在させて窒素ガス中にて温度1700℃で加熱することにより、2本のモリブデン線をそれぞれ接合した。さらに、モリブデン線を通すことができるように2個の貫通孔が形成された同形状のもう1つの窒化アルミニウム焼結体の上に、参考例10で用いた接着層の組成を有するように配合された窒化アルミニウムの混合粉末をバインダで混練したものを塗布し、脱バインダ処理をした後、2個の貫通孔にそれぞれ2本のモリブデン線を通した状態で、導電層が形成された窒化アルミニウム焼結体の表面に重ね合せて、窒素ガス中にて温度1650℃で2つの窒化アルミニウム焼結体を接合した。
Claims (26)
- セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面に金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって、導電層を形成する工程と、
前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に非酸化物セラミックスを含む層を塗布して加熱することにより保護層を形成する工程とを備えた、半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。 - 前記非酸化物セラミックスは3.0×10−6/℃以上6.0×10−6/℃以下の熱膨脹係数を有する、請求項1に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- 前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを50質量%以上含む、請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- 前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群より選ばれた1種を含む、請求項1から請求項3までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- 前記セラミックス焼結体は窒化アルミニウムである、請求項4に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- ウェハ保持体の厚みが5mm以下である、請求項1から請求項5までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- ウェハ保持体の厚みが2mm以下である、請求項1から請求項6までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- 前記導電層を形成する工程は、線幅と線間隔がそれぞれ5mm以下の線状の導電層のパターンを形成することを含む、請求項1から請求項7までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- 前記導電層を形成する工程は、線幅と線間隔がそれぞれ1mm以下の線状の導電層のパターンを形成することを含む、請求項1から請求項8までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- 前記導電層を形成する工程は、タングステン、モリブデン、銀、パラジウム、白金、ニッケルおよびクロムからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属を含むペーストを塗布して焼成することを含む、請求項1から請求項9までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法。
- セラミックス焼結体と、
前記セラミックス焼結体の一方の表面または両方の表面の上に形成された導電層と、
前記導電層の表面を被覆するように前記セラミックス焼結体の上に形成された非酸化物セラミックスを含む保護層とを備え、前記保護層は、イッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱によりイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物、またはイットリウムとアルミニウムを含む酸化物、または加熱によりイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物のいずれかを含むことを特徴とする、半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 前記非酸化物セラミックスは3.0×10−6/℃以上6.0×10−6/℃以下の熱膨脹係数を有する、請求項11に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記非酸化物セラミックスは、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかを50質量%以上含む、請求項11または請求項12に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記セラミックス焼結体は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素および酸窒化アルミニウムからなる群より選ばれた1種を含む、請求項11から請求項13のいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記セラミックス焼結体は窒化アルミニウムである、請求項14に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- ウェハ保持体の厚みが5mm以下である、請求項11から請求項15までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- ウェハ保持体の厚みが2mm以下である、請求項11から請求項16までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記導電層は、線幅と線間隔が5mm以下の線状の導電層のパターンを含む、請求項11から請求項17までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記導電層は、線幅と線間隔が1mm以下の線状の導電層のパターンを含む、請求項11から請求項18までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記導電層は、タングステン、モリブデン、銀、パラジウム、白金、ニッケルおよびクロムからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属を含む、請求項11から請求項19までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記導電層に接続されてウェハ保持体の外側に延びる電極部材をさらに備え、前記電極部材は、導電性の基材と、前記基材の表面を被覆するセラミックス層とを含む、請求項11から請求項20までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記セラミックス層は、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムからなる、請求項21に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記セラミックス層は、PVD法、CVD法および溶射法からなる群より選ばれた1種の方法によって形成されている、請求項21または請求項22に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 前記基材は、タングステンまたはモリブデンからなる、請求項21から請求項23までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。
- 請求項11から請求項24までのいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持体を内蔵する半導体製造装置。
- エッチング装置、CVD装置、プラズマCVD装置およびイオン注入装置からなる群より選ばれた1種である、請求項25に記載の半導体製造装置。
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