TWI789910B - 電子元件製作流程 - Google Patents

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TWI789910B
TWI789910B TW110134606A TW110134606A TWI789910B TW I789910 B TWI789910 B TW I789910B TW 110134606 A TW110134606 A TW 110134606A TW 110134606 A TW110134606 A TW 110134606A TW I789910 B TWI789910 B TW I789910B
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Abstract

一種電子元件製作流程，其包括以下步驟：將反應部件置於預反應腔體內；對置於預反應腔體內的反應部件進行預反應；進行預反應之後，將反應部件從預反應腔體傳送至反應腔體；將製程元件置於具有反應部件置於其內的反應腔體內；以及對置於反應腔體內的製程元件進行製程反應。

Description

電子元件製作流程
本發明是有關於一種元件製作流程，且特別是有關於一種電子元件製作流程。
在半導體的製作流程中，將需要將製程元件置於裝置的腔體(chamber)內進行對應的反應。腔體內通常具有對應於前述反應所需要的部件(parts)。而為了在對進行製程元件進行反應時，可以使腔體內環境具有良好的氛圍，通常都會先對腔體內的部件進行預反應。
本發明提供一種電子元件製作流程，其在電子元件的製程中或對應裝置的使用率上可以較為有效率。
本發明的電子元件製作流程包括以下步驟：將反應部件置於預反應腔體內；對置於預反應腔體內的反應部件進行預反應；進行預反應之後，將反應部件從預反應腔體傳送至反應腔體；將 第一製程元件置於具有反應部件置於其內的反應腔體內；以及對置於反應腔體內的第一製程元件進行第一製程反應。
在本發明的一實施例中，電子元件製作流程更包括以下步驟：進行第一製程反應之後，將第一製程元件從具有反應部件置於其內的反應腔體取出；於將第一製程元件從反應腔體取出之後，將第二製程元件置於具有反應部件置於其內的反應腔體內；以及對置於反應腔體內的第二製程元件進行第二製程反應。
在本發明的一實施例中，第一製程反應與第二製程反應為相同反應。
在本發明的一實施例中，於將第一製程元件從反應腔體取出的步驟與將第二製程元件置於反應腔體內的步驟之間，反應部件未從反應腔體取出。
在本發明的一實施例中，於反應腔體內的反應部件構成反應空間。
在本發明的一實施例中，反應部件的數量為多個，且多個的反應部件構成反應空間。
在本發明的一實施例中，於將第一製程元件置於反應腔體內的步驟中，第一製程元件被置於反應部件所構成的反應空間內。
在本發明的一實施例中，電子元件製作流程更以下步驟：進行第一製程反應之後，將第一製程元件從具有反應部件置於其內的反應腔體取出；以及於將第一製程元件從反應腔體取出之後， 將反應部件從反應腔體取出。
在本發明的一實施例中，電子元件製作流程更包括以下步驟：於將反應部件從反應腔體取出的步驟之後或於將反應部件置於預反應腔體內之前，對反應部件進行預保養。
在本發明的一實施例中，電子元件製作流程更包括以下步驟：於將第一製程元件從反應腔體取出之後，將第二製程元件置於具有反應部件置於其內的反應腔體內；對置於反應腔體內的第二製程元件進行第二製程反應；以及進行第二製程反應之後，將第二製程元件從具有反應部件置於其內的反應腔體取出，其中將反應部件從反應腔體取出的步驟更於將第二製程元件從反應腔體取出的步驟之後。
基於上述，本發明的電子元件製作流程，在電子元件的製程中或對應裝置的使用率上可以較為有效率。
S01、S02、S03、S04、S05、S06、S07、S08、S09、S10:步驟
100:裝置
109:閥門
110、111、112:預反應腔體
P11、P12:部件
P13:元件
R1:預反應空間
130:反應腔體
P31、P32:反應部件
P33:反應元件
R3:反應空間
140:其他腔體
150:連接腔體
270:承載/運送物
271:第一製程元件
272:第二製程元件
圖1是依照本發明的一實施例的一種電子元件的製作方法的部分流程示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種用於電子元件的製作的裝置的部分上視示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例的一種用於電子元件的製作的裝置用於電子元件製作時的部分側視透視示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種用於電子元件的製作的裝置用於電子元件製作時的部分側視透視示意圖。
圖5是依照本發明的一實施例的一種用於電子元件的製作的裝置用於電子元件製作時的部分側視透視示意圖。
圖6是依照本發明的一實施例的一種用於電子元件的製作的裝置用於電子元件製作時的部分側視透視示意圖。
本發明的構思可以由不同的形式體現並不應視為受限於在此提出的示例性實施方式。也就是說，實施方式的說明及對應的圖式內容是要盡可能地說明本發明的構思，但不是用於限制本發明為所揭露的特定形式。因此，本發明構思將涵蓋落入本發明構思的精神和範圍內的所有修改、等同物和替代物。
在整個說明書和各圖式中，相同的元件符號可能表示相同的元素、元件、構件、物件或類似物。在圖式中，為了使本發明構思清楚，可能放大或縮小了部分的尺寸。在圖式中，可以根據製造技術及/或公差期望地修改示出的形狀。因此，示例性實施方式不應視為受限於示出的區域的特定的形狀。
除非有特殊目的或特別說明，數量的描述用語僅為示例性地描述實施方式的，而並非意在限制本發明構思。舉例而言，除非有特殊目的或特別說明，單數形式的「一」在技術理解上也可能包括多數形式。
應當理解，「第一」或「第二」等術語是用於描述不同的元素，但這些元素不應被這些術語限制。這些術語僅用於將元素彼此區分。例如，第一元素可以被稱為第二元素。類似地，第二元素可以被稱為第一元素而不背離本發明構思的保護範圍。
除非有特殊目的或特別說明，當一示例性的實施方式可不同地實施時，特定的製程流程可以以與在此所描述順序不同的順序進行。例如，兩個先後描述的製程可以基本同時進行，或可以以相反的順序進行。
除非有特殊目的或特別說明，所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本發明所屬技術領域中具有通常知識者通常理解相同的含義。還將理解的是，術語(諸如在通常使用的字典中定義的那些)應解釋為具有與在相關技術背景中的含義一致的含義，並不應以理想化或過於正式的意義解釋，除非在此明確這樣定義。
在電子產品的製造過程中，可能改變物件(如：製程中之中間物)的形狀、厚度、圖案或尺寸。而上述的改變可為本發明所屬技術領域中具有通常知識者合理理解。故於說明書和各圖式中不加以贅述。
請參照圖1，電子元件的製作流程至少包括以下步驟。步驟S01：將反應部件置於預反應腔體內。步驟S02：對置於前述的預反應腔體內的前述的反應部件進行預反應。步驟S03：進行前述的預反應(如：步驟S02中所述)之後，將前述的反應部件從前 述的預反應腔體傳送至反應腔體。步驟S04：將第一製程元件置於具有前述的反應部件置於其內的前述的反應腔體內。步驟S05：對置於前述的反應腔體內的前述的第一製程元件進行第一製程反應。
為了更清楚地說明電子元件的製作流程，在後述的說明中將示例性採用一種裝置進行說明。但值得注意的是，可用於製作電子元件的裝置或可進行電子元件製作流程的裝置並不以後述說明中的裝置100為限。舉例而言，圖2的裝置100例如可以被稱為多腔式設備(cluster tool)。在一未繪示的實施例中，本發明的電子元件的製作流程也可適用於單機式反應器反應器(stand-alone reactor)。
請參照圖2，裝置100可以包括多個腔體(chamber)。一腔體與另一腔體之間可以藉由適當的構件(如：閥門109)予以分隔彼此的空間。舉例而言，裝置100可以包括多個反應腔體(如：一個或多個的預反應腔體110及/或一個或多個的反應腔體130)。適當的設備可以藉由適當的管路或線路連接於反應腔體，以於反應腔體內進行適當的製程或反應。舉例而言，氣體設備(如：進氣設備及/或抽氣設備)可以藉由適當的氣體管路連接於反應腔體，以將適當的氣體充入反應腔體內及/或將反應腔體內的氣體抽出。舉例而言，液體設備(如：進液設備及/或抽液設備)可以藉由適當的液體管路連接於反應腔體，以將適當的液體注入反應腔體內及/或將反應腔體內的液體排出。舉例而言，供電設備可以藉由適 當的電力線接於反應腔體內的元件(如：加熱器、電漿產生器、發光元件、馬達或其他適當的元件)，以適於將反應腔體內空間(如：後述的反應空間)調整至適當的氛圍。另外，前述的管路或線路可以藉由對應的閥、閘、開關或偵測器進行調控，於本發明並不加以限制。
在一實施例中，裝置100可以包括其他腔體140。其他腔體140可以包括加熱腔體(heating chamber)、冷卻腔體(cooling chamber)、排隊腔體(queuing chamber)、適於使製程元件自外界(如：晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod；FOUP)，但不限)傳入或將製程元件傳出的裝載腔體(load-lock chamber)，但本發明不限於此。其他腔體140也可以相同或相似於預反應腔體110或反應腔體130。
在本實施例中，多個反應腔體之間可以包括連接腔體150，但本發明不限於此。物件(如：後述的反應部件P31、反應部件P32、第一製程元件271或第二製程元件272，但不限)可以藉由傳送機構(未繪示；如：機械手臂、傳送盤/傳送輪，但不限)，而從一腔體(如：一反應腔體，但不限)經由連接腔體150而被傳送至另一腔體(如：另一反應腔體，但不限)，但本發明不限於此。在一未繪示的實施例中，物件可以從一腔體(如：一反應腔體，但不限)直接被傳送至另一腔體(如：另一反應腔體，但不限)。
在一實施例中，於外界(如：異於裝置100之物)中適於承載或運送製程元件之承載/運送物(如：晶圓傳送盒(FOUP)， 但不限)也可以直接地或間接地連接於連接腔體150。
請參照圖1、圖2及圖3，將一反應部件P31(process part/process parts)置於一預反應腔體111(預反應腔體110的其中之一)內。並且，對置於預反應腔體111內的反應部件P31進行預反應。
請參照圖1、圖2及圖4，將另一反應部件P32置於另一預反應腔體112內。並且，對置於預反應腔體112內的反應部件P32進行預反應。
在本實施例中，反應部件P31與反應部件P32可以是不同的構件，但本發明不限於此。以沉積反應(deposition reaction)反應或磊晶反應(epitaxial reaction)為例，反應部件P31可以包括基座(susceptor)，且/或反應部件P32可以包括頂板(ceiling)或進氣件(injector)。
在一實施例中，被進行預反應的反應部件P31及/或反應部件P32可以是新品(new parts)或已完成預保養(preventive maintenance；PM)後的良品(good parts)。
在本實施例中，反應部件P31與反應部件P32可以是分別被置於不同的預反應腔體110(如：預反應腔體111及預反應腔體112)內，以分別地被進行預反應，但本發明不限於此。在一實施例中，反應部件P31與反應部件P32被進行預反應的時序(timing)可以重疊。如此一來，可能可以提升裝置100的使用效率。
在一實施例中，可以先將反應部件P31置於一預反應腔 體(如：預反應腔體110的其中之一)內，以先對置於前述預反應腔體內的反應部件P31進行預反應；然後，在對反應部件P31進行預反應之後，將反應部件P31從前述預反應腔體傳出；之後，才將反應部件P32置於同一預反應腔體內，而後對置於前述預反應腔體內的反應部件P32進行預反應。
在本實施例中，預反應腔體110內的元件或部件可以相同或相似於後述的反應腔體130內的元件或部件。如此一來，可以使預反應腔體110內進行預反應時的環境氛圍相同或相似於反應腔體130內進行反應時的環境氛圍。舉例而言，預反應腔體110內可以包括對應的部件P11、部件P12及/或元件P13。部件P11可以相同或相似於反應部件P31。部件P12可以相同或相似於反應部件P32。部件P11及部件P13可以構成對應的預反應空間R1。元件P13可以相同或相似於後續反應腔體130內的反應元件P33。元件P13及/或反應元件P33可以包括但不限於加熱器或感應元件。
請參照圖1、圖2及圖5，在完成對反應部件P31、P32進行的預反應之後，可以將反應部件P31、P32從預反應腔體110傳出，而後傳送至反應腔體130。反應部件P31、P32可以藉由適當的方式組裝及/或固定，以在反應腔體130內構成適於反應的反應空間。依據對應的反應或製程，前述的反應空間可以為開放空間(open space)、半開放空間(semi-open space)或密閉空間(enclosed space)。以圖5為例，反應部件P31、P32與反應部件 P31、P32可以於反應腔體130內相對地設置，以構成位於其之間的半開放式的反應空間R3。
請繼續參照圖1、圖2及圖5，將第一製程元件271置於具有反應部件P31、P32置於其內的反應腔體130內；然後，對置於反應腔體130內的第一製程元件271進行第一製程反應。舉例而言，可以藉由適宜的傳送機構，以將第一製程元件271置於反應部件P31、P32所構成的反應空間R3內。
在一實施例中，製程元件(如：第一製程元件271或後續的第二製程元件272；但不限)可以包括基板；或是，基板及位於基板上的膜、層或元件。舉例而言，基板可包括晶圓(如：矽晶圓、氮化鎵(GaN)晶圓或其他適宜的晶圓)、玻璃或聚合物板，但本發明不限於此。又舉例而言，基板上可以具有圖案化或未圖案化的導電層、絕緣層、半導體層或上述之組合。
在本實施例中，製程反應(如：第一製程反應或後述的第二製程反應)可以依據需求而加以調整，於本發明並不加以限定。舉例而言，製程反應可以包括但不限於成膜反應(film-forming reaction)或成層反應(layer-forming reaction)(如：包括但不限於沉積反應、磊晶反應、鍍覆反應、塗佈反應)、移除反應(removing reaction)(如：包括但不限於蝕刻反應、研磨反應)或其他電子元件(如：包括但不限於半導體元件、發光二極體元件、電子封裝元件)的製造過程中常見或可能進行的反應。另外，前述的預反應可以與製程反應相對應。以沉積反應為例，所對應的預反應可 以包括預沉積反應(pre-deposition reaction)。以清洗反應為例，所對應的預反應可以包括預清洗反應(pre-clean reaction)。以清洗反應或濕蝕刻為例，所對應的預反應可以包括預清洗反應(pre-clean reaction)或預沖洗(pre-rinse reaction)。
請繼續參照圖1、圖2以及圖5至圖6，在完成對第一製程元件271進行的第一製程反應之後，可以將第一製程元件271從具有反應部件P31、P32置於其內的反應腔體130中取出；然後，將第二製程元件272置於具有反應部件P31、P32置於其內的反應腔體130內；之後，對置於反應腔體130內的第二製程元件272進行第二製程反應。舉例而言，可以藉由適宜的傳送機構，以將第二製程元件272置於反應部件P31、P32所構成的反應空間R3內。
在本實施例中，第一製程反應與第二製程反應為相同反應或同質反應。舉例而言，第一製程反應的製程參數(recipe)可以與第二製程反應的製程參數相同或部分相同。又舉例而言，第一製程反應與第二製程反應可以同為成膜反應/成層反應；或是，第一製程反應與第二製程反應可以同為移除反應。
在本實施例中，將第一製程元件271從反應腔體130中取出的步驟與將第二製程元件272置於反應腔體130內的步驟之間，反應部件P31、P32未從反應腔體130中取出。
在一實施例中，在完成對第二製程元件272進行的第二製程反應之後，可以將第二製程元件272從具有反應部件P31、 P32置於其內的反應腔體130中取出；然後，將反應部件P31、P32從反應腔體130中取出；之後，取出的反應部件P31、P32進行預保養。
在一實施例中，從反應腔體130中取出的第一製程元件271及/或第二製程元件272可以再藉由適當的製程(如：適當的半導體製程；但不限)，以形成對應的電子元件。也就是說，從反應腔體130中取出的第一製程元件271及/或第二製程元件272可以被視為另一種形式的製程元件；然後，前述另一種形式的製程元件可以再藉由適當的製程以形成對應的電子元件。在一實施例中，從反應腔體130中取出的第一製程元件271及/或第二製程元件272也可以被直接視為電子元件。
綜上所述，在本發明中，可以先藉由將反應部件先在一腔體進行預反應後，再將其傳送至另一腔體，而後將製程元件置於具有反應部件置於其內的另一腔體內進行對應的製程反應。如此一來，可以使電子元件製作流程或對應裝置的使用率上可以較為有效率。
S01、S02、S03、S04、S05、S06、S07、S08、S09、S10:步驟

Claims (10)

  1. 一種電子元件製作流程，包括：提供裝置，其包括預反應腔體及反應腔體，且所述預反應腔體及所述反應腔體為不同腔體；將反應部件置於所述裝置的所述預反應腔體內；對置於所述裝置的所述預反應腔體內的所述反應部件進行預反應；進行所述預反應之後，將所述反應部件從所述裝置的所述預反應腔體傳送至所述裝置的反應腔體，且於將所述反應部件從所述裝置的所述預反應腔體傳送至所述裝置的反應腔體的過程中，所述反應部件未被置於外界；將第一製程元件置於具有所述反應部件置於其內的所述反應腔體內；以及對置於所述反應腔體內的所述第一製程元件進行第一製程反應。
  2. 如請求項1所述的電子元件製作流程，更包括：進行所述第一製程反應之後，將所述第一製程元件從具有所述反應部件置於其內的所述反應腔體取出；於將所述第一製程元件從所述反應腔體取出之後，將第二製程元件置於具有所述反應部件置於其內的所述反應腔體內；以及對置於所述反應腔體內的所述第二製程元件進行第二製程反應。
  3. 如請求項2所述的電子元件製作流程，其中所述第一製程反應與所述第二製程反應為相同反應。
  4. 如請求項2所述的電子元件製作流程，其中於將所述第一製程元件從所述反應腔體取出的步驟與將所述第二製程元件置於所述反應腔體內的步驟之間，所述反應部件未從所述反應腔體取出。
  5. 如請求項1所述的電子元件製作流程，其中於所述反應腔體內的所述反應部件構成反應空間。
  6. 如請求項5所述的電子元件製作流程，其中所述反應部件的數量為多個，且多個的所述反應部件構成所述反應空間。
  7. 如請求項5所述的電子元件製作流程，其中於將所述第一製程元件置於所述反應腔體內的步驟中，所述第一製程元件被置於所述反應部件所構成的所述反應空間內。
  8. 如請求項1所述的電子元件製作流程，更包括：進行所述第一製程反應之後，將所述第一製程元件從具有所述反應部件置於其內的所述反應腔體取出；以及於將所述第一製程元件從所述反應腔體取出之後，將所述反應部件從所述反應腔體取出。
  9. 如請求項8所述的電子元件製作流程，更包括：於將所述反應部件從所述反應腔體取出的步驟之後或於將所述反應部件置於預反應腔體內之前，對所述反應部件進行預保養。
  10. 如請求項8所述的電子元件製作流程，更包括：於將所述第一製程元件從所述反應腔體取出之後，將第二製程元件置於具有所述反應部件置於其內的所述反應腔體內；對置於所述反應腔體內的所述第二製程元件進行第二製程反應；以及進行所述第二製程反應之後，將所述第二製程元件從具有所述反應部件置於其內的所述反應腔體取出，其中：將所述反應部件從所述反應腔體取出的步驟更於將所述第二製程元件從具有所述反應部件置於其內的所述反應腔體取出的步驟之後。
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